IGBT驅(qū)動(dòng)電阻選取.

1、IGBT 驅(qū)動(dòng)電阻的選擇IGBT 的驅(qū)動(dòng)電阻及關(guān)閉電阻選擇基本基本沒有計(jì)算，要是計(jì)算的話，也就是一個(gè) RC 充放電時(shí)間的計(jì)算來確定這個(gè) R 的選擇。僅僅是這個(gè)時(shí)間是不確定的，時(shí)間的大小受到各方面因素的制約，所以在確定這個(gè) R 的時(shí)候，需要考慮諸多問題。第一：查出各 IGBT 的最小門極電阻。 Datasheet上寫的是各 IGBT 廠家推薦的最小Rg。選擇電阻的個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，首先確定的范圍為廠家推薦的最小電阻的 1-2 倍之間。見表 1IGBT 型號(hào)最小門極電阻可選擇 Rgon最小關(guān)斷可選擇 Roff電阻BSM100GB170DLC 1515-30 1515-30 BSM150GB170DLC 1

2、010-20 1010-20 FF200R17KE36.86.8 -13.66.86.8 -13.6FF300R17KE34.7 4.7-9.4 4.7 4.7-9.4 FF450R17ME43.33.3 -6.63.33.3 -6.6FF650R17IE41.8 1.8-3.6 2.72.7-5.4 FF1000R17IE41.2 1.2 -2.41.8 1.8 -3.6FF1400R17IP40.47 0.47 -0.94 0.68 0.68 -1.36表 1 目前公司所用的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電阻可選擇范圍門極電阻的選擇范圍就如表 1，具體的要進(jìn)行雙脈沖試驗(yàn)，才能最終確定最優(yōu)化 Rgon 和

3、 Rgoff。第二：確定 Ron 的功率。計(jì)算公式：P = fs× QG × U備注：P：每通道 Rgon 功率； f s： IGBT 開關(guān)頻率； QG：IGBT 門極電荷，可從datasheet中查出 gate charge，不同 IGBT 該數(shù)值不同； U：門極驅(qū)動(dòng)電壓擺幅，等于驅(qū)動(dòng)正壓 +U 和負(fù)壓 U 之間差值。這里我們公司選擇的是2SD315 和 SKYPER32。其 ?U=30V 。IGBT 型號(hào)QG(datasheetFs 取?UP(W可選擇 Rgon備注值電阻功率BSM100GB170DLC1.2uC1.2K30V0.04320.125WBSM150GB17

4、0DLC1.8uC1.2K30V0.06480.125WFF200R17KE32.3uC1.2K30V0.08280.125WFF300R17KE33.5uC1.2K30V0.1260.25WFF450R17ME44.6uC1.2K30V0.16560.5WFF650R17IE47uC1.2K30V0.2520.5WFF1000R17IE410uC1.2K30V0.361WFF1400R17IP413.5uC1.2K30V0.4861Wu=10(-6第三：根據(jù)以上兩個(gè)表格，來選擇Ron 和 Roff 的型號(hào)。其實(shí)這里的電阻選擇說白了就是一個(gè) RC 充放電回路的計(jì)算。結(jié)合 IGBT 的其他特性（

5、 di/dt、 du/dt、橋臂死區(qū)時(shí)間， IC 振蕩、續(xù)流二極管的特性、熱損耗等）及實(shí)際應(yīng)用中的需求（實(shí)際使用時(shí) IGBT 的開關(guān)頻率等）。來選擇這個(gè) R。這個(gè) R 中心領(lǐng)導(dǎo)需要我來進(jìn)行計(jì)算，我是比較頭疼。由于沒有進(jìn)行過現(xiàn)實(shí)試驗(yàn)，在我自己的合理范圍內(nèi)我都可以認(rèn)為是合理的。本來想進(jìn)行仿真的，但是沒有建立好模型。以后再說吧，反正在我提供的范圍內(nèi)選擇的電阻，就不會(huì)出問題。要是一定要有一個(gè)合理的，能夠具有說服力的解釋，那就得進(jìn)行不斷的試驗(yàn)，獲得第一手的資料才能夠行。Ron 選擇時(shí)，主要考慮以下兩個(gè)方面1、一方面需要選擇盡量小的阻值，以保證IGBT 能以最快的速度導(dǎo)通。2、另一方面需要選擇盡量大的電阻

6、，以保證 IC 不發(fā)生振蕩?！緩S家提供的最小電阻就是發(fā)生振蕩的臨界值?！縍off 主要考慮的因素是三個(gè)：1、di/dt 。如果 Roff 太小， di/dt 太大，容易造成 IGBT 關(guān)閉時(shí)，由寄生電感發(fā)射的電壓尖峰過高。大大的增加了 IGBT 的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)也需要更加苛刻的吸收電容來吸收。另外，也會(huì)造成續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流過大，會(huì)造成二極管擊穿。2、死區(qū)時(shí)間控制。如果 Roff 太大，會(huì)延長關(guān)斷下沿時(shí)間導(dǎo)致橋臂死區(qū)時(shí)間超過最小值。3、隨著 Roff 的增大，關(guān)閉時(shí) IGBT 的損耗也不斷增加。所以希望能夠在我提供的范圍內(nèi)，稍微大于最小值的地方選擇一個(gè) Roff 的電阻。不要低于 datas

7、heet所規(guī)定的最小電阻就可以。至于最上限，同時(shí)不得高于 2 倍規(guī)定值電阻。經(jīng)常使用的是 1.20-1.4 倍最小值之間選電阻，沒有出過問題。同時(shí)，發(fā)熱量也不至于大到那里去。最終的選擇結(jié)果IGBT 型號(hào)Ron/Roff （括號(hào)內(nèi)關(guān)閉時(shí)間功率電阻值在開通電阻上疊加值）BSM100GB170DLCRon180.1us1WRoff240.9us1WBSM150GB170DLCRon120.1us1WRoff150.9us1WFF200R17KE3Ron8.2 0.3us1WRoff101us1WFF300R17KE3Ron5.1 0.3us1WRoff6.8 1us1WFF450R17ME4Ron3.6 0.26us1WRoff4.02 1us1WFF650R17IE4Ron20.6us2WRoff11.3us2WFF1000R17IE4Ron1.50.6us2W