電容屏設(shè)計(jì)規(guī)范匯總

1、電容式觸摸屏設(shè)計(jì)規(guī)范作者： Willis ，Tim【導(dǎo)讀】：本文簡單介紹了電容屏方面的相關(guān)知識，正文主要分為電子設(shè) 計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分。電子設(shè)計(jì)部分包含了原理介紹、電路設(shè)計(jì)等方面， 結(jié) 構(gòu)設(shè)計(jì)部分包好了外形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、原料用材、供應(yīng)商工藝等方面。【名詞解釋】1. V.A 區(qū)：裝機(jī)后可看到的區(qū)域，不能出現(xiàn)不透明的線路及色差明顯的區(qū)域 等。2. A.A 區(qū)：可操作的區(qū)域，保證機(jī)械性能和電器性能的區(qū)域。3. ITO ：Indium Tin Oxide 氧化銦錫。涂鍍在 Film 或 Glass 上的導(dǎo)電材料。4. ITO FILM :有導(dǎo)電功能的透明PET膠片。5. ITO GALSS： 導(dǎo)電玻璃。

2、6. OCA: Optically Clear Adhesive 光學(xué)透明膠。7. FPC:可撓性印刷電路板。8. Cover Glass (lens ):表面裝飾用的蓋板玻璃。9. Sensor :裝飾玻璃下面有觸摸功能的部件。( Flim Sensor OR Glass Sensor ) 【電 子設(shè)計(jì)】一、電容式觸摸屏簡介 電容式觸摸屏即 Capacitive Touch Panel ( Capacitive TouchScreen ),簡稱CTP。根據(jù)其驅(qū)動原理不同可分為自電容式 CTP和互電容式CTP，根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為單點(diǎn)觸摸 CTP和多點(diǎn)觸摸CTP。1、實(shí)現(xiàn)原理電容式觸摸屏的采

3、用多層 ITO 膜，形成矩陣式分布，以 X、 Y 交叉分布作 為電容矩陣，當(dāng)手指觸碰屏幕時(shí)，通過對 X、 Y 軸的掃描，檢測到觸碰位置的 電容變化，進(jìn)而計(jì)算出手指觸碰點(diǎn)位置。電容矩陣如下圖 1 所示。圖1電容分布矩陣電容變化檢測原理示意簡介如下所示： 名詞解釋：£0真空介電常數(shù)。&1、£2不同介質(zhì)相對真空狀態(tài)下的介電常數(shù)。S1、di、S2、d2分別為形成電容的面積及間距圖2觸摸與非觸摸狀態(tài)下電容分布示意非觸控狀態(tài)下：C=Cm1= £ 1 0S1/d1觸控狀態(tài)下：C=Cm1*Cmg/(Cm1+Cmg) ,Cm仁 ££ 0S1/d1 , C

4、mg=Cm1=&2£ 0S2/d2電容觸摸驅(qū)動IC會根據(jù)非觸控狀態(tài)下的電容值與觸控狀態(tài)下的電容值的差異 來判斷是否有觸摸動作并定位觸控位置。2、自電容與互電容 自電容式 CTP 是利用單個(gè)電極自身的電容變化傳輸電荷，由一端接地， 另一端接激勵或采樣電路來實(shí)現(xiàn)電容的識別（測量信號線本身的電容）。自電容式 CTP 的坐標(biāo)檢測是依次檢測橫向和縱向電極陣列，根據(jù)觸摸前后電容變化 分別確定橫向和縱向坐標(biāo)，然后組合成平面坐標(biāo)確定觸摸位置。當(dāng)觸摸點(diǎn)只有一個(gè)時(shí)，組合后的坐標(biāo)也是唯一的一個(gè)，可以準(zhǔn)確定位；當(dāng)觸摸點(diǎn)有兩個(gè)時(shí)，橫向和縱向分別有兩個(gè)坐標(biāo)，兩兩組合后出現(xiàn)四組坐標(biāo)，其中只有兩個(gè)時(shí)真實(shí)觸摸

5、點(diǎn)，另兩個(gè)就是屬稱的 “鬼點(diǎn) ”。所以自電容式 CTP 無法實(shí)現(xiàn)真正的多點(diǎn)觸 摸。互電容式 CTP 失利用兩個(gè)電極進(jìn)行傳輸電荷，一端接激勵，另一端接采 樣電路來實(shí)現(xiàn)電容的識別（測量垂直相交的兩個(gè)信號之間的電容）?；ル娙菔紺TP 坐標(biāo)檢測也是檢測橫向和縱向電極陣列，不同的是它是由橫向依次發(fā)送激 勵而縱向同時(shí)接收信號，這樣可以得到所有橫向和縱向交匯點(diǎn)的電容值，根據(jù)電容值的變化可以計(jì)算出每一個(gè)觸摸點(diǎn)的坐標(biāo)，這樣即使有多個(gè)觸摸點(diǎn)也能計(jì)算出每個(gè)觸摸點(diǎn)的真實(shí)坐標(biāo)。所以互電容式 CTP 可以實(shí)現(xiàn)真實(shí)多點(diǎn)觸控。自電容的優(yōu)點(diǎn)是簡單、計(jì)算量小，缺點(diǎn)是單點(diǎn)、速度慢；互電容的優(yōu)點(diǎn)是 真實(shí)多點(diǎn)、速度快，缺點(diǎn)是復(fù)雜、功耗

6、大、成本高。3、結(jié)構(gòu)及材料使用二、驅(qū)動 IC 簡介電容屏驅(qū)動 IC 是電容屏工作處理的主體，是采集觸摸動作信息和反饋信息 的載體， IC 采用電容屏工作的原理采集觸摸信息并通過內(nèi)部 MPU 對信息進(jìn)行 分析處理從而反饋終端所需資料進(jìn)行觸摸控制。IC 與外部連接是通過對外的引腳進(jìn)行的，電容屏驅(qū)動 IC 廠家眾多，各自的設(shè) 計(jì)也不盡相同，但是基本原理也是大同小異，因此個(gè)驅(qū)動 IC 的芯片引腳也比 較類似，只有個(gè)別引腳是各自功能中特殊的設(shè)計(jì)，如下對電容屏驅(qū)動 IC 的引 腳做一個(gè)簡單的說明。驅(qū)動信號線：即Driver或TX，是電容屏的電容驅(qū)動信號輸出腳。 感應(yīng)信號線：即 Sensor 或 RX ，是

7、電容屏的電容感應(yīng)信號輸入腳。 電源電壓：分模擬電源電壓和數(shù)字電源電壓。模擬電壓范圍一般為 2.6V3.6V ，典型值為 2.8V 和 3.3V ；數(shù)字電壓即電平電壓為 1.8V3.3V，由主板端決定。電容屏設(shè)計(jì)可以設(shè)計(jì)為單電源和雙電源兩種模式，目前以單 電 源供電為主（可以減少接口管腳數(shù)）。GND ：也分為模擬地和數(shù)字地兩種，一般兩種地共用，特殊情況下需將兩種地 分開以減少兩種地之間的串?dāng)_現(xiàn)象。I2C接口： I2C接口包括I2C_SCL 和I2C_SDA。I2C_SCL為時(shí)鐘輸入信號, I2C_SDA為數(shù)據(jù)輸入輸出信號。SPI接口： SPI接口包括SPI_SSEL、SPI_SCK、SPI_SD

8、I、SPI_SDO。SPI_SSEL 為片選信號，低 電平有效；SPI_SCK為時(shí)鐘輸入信號；SPI_SDI為數(shù)據(jù)輸入信號；SPI_SDO為數(shù)據(jù)輸出信號。RESET :芯片復(fù)位信號，低電平有效。WACK :芯片喚醒信號。TEXT_EN :測試模式使能信號。GPIOON :綜合功能輸入輸出IO 口。VREF:基準(zhǔn)參考電壓。VDD5 :內(nèi)部產(chǎn)生的5V工作電壓。以上引腳定義沒有包含全部的驅(qū)動IC的功能，如LED、Sensor_ID、Key_Sensor等特殊功能作用的管腳，這些管腳需根據(jù)具 體IC確認(rèn)其具體作用及用法。三、ITO圖形設(shè)計(jì)ITO可蝕刻成不同的圖形，不過造價(jià)師相同的，而且很 難講哪個(gè)圖像

9、比其他圖 形工作效率高，因?yàn)橛|摸屏必須與電子間配合才能發(fā)揮作用。I-phone 采用的圖形是最簡單的一種，即在 ITO在玻璃一面為橫向電極，在另 一面為縱向電極，此設(shè)計(jì)簡單巧妙但幾何學(xué)要求特別的工藝電能來產(chǎn)生準(zhǔn)確的焦點(diǎn)。圖 3 I-phone Pattern閉路鎖合的鉆石形Pattern是最常見的ITO圖形，45°角的軸線組成菱形塊，每個(gè)菱形塊通過小橋連接，此圖形用于兩片玻璃，一片是橫向菱形排，另一片是縱向的菱形列，導(dǎo)電圖形在玻璃內(nèi)側(cè)，行與列對應(yīng)鎖定后貼合。菱形圖形大小不一，取決于制造商，但基本在 4-8mm 之間，幾乎所有電子控制器（CTP控制IC）都可用于此圖形。圖4菱形Patt

10、ern復(fù)雜圖形的ITO圖形需要專用的電子控制器，有時(shí)需要購 買許可。一些 IC廠會根據(jù)自身的特點(diǎn)設(shè)計(jì)特定的 Pattern ，且為避免濫用或保護(hù) 權(quán)利會申請 圖形專利。目前基礎(chǔ) ITO Pattern 有 Diamond、Rectangle、Diamond& Rectangle、Hexagon 等。四、布局設(shè)計(jì)要求根據(jù)驅(qū)動IC的放置位目前可分為COF、COB兩種方式。COF即Chip on FPC，作為終端導(dǎo)向方式被廣泛應(yīng)用，這種設(shè)計(jì)方式可 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用效果和市場變化在不更改主板的情況下更換電容屏設(shè)計(jì)方案，可兼容多種電容屏驅(qū)動IC設(shè)計(jì)方案。缺點(diǎn)是前期和后期調(diào)試工作量大，備料周 期長。C

11、OB即Chip on Board ，將驅(qū)動IC融合在主板端帶來的一個(gè)問題是主板和電容屏驅(qū)動IC方案確定后不能隨意更改設(shè)計(jì)方案，因?yàn)殡娙萜硫?qū)動IC基本都不是PIN to PIN兼容的，更換方案意味著重新布局相關(guān)的主板設(shè)計(jì)。COB方案的優(yōu)點(diǎn)成本降低，交期短，方便備料，前期設(shè)計(jì)和后期調(diào)試工作量小。無論是COF或COB方案都需要在布局走線時(shí)注意相關(guān)設(shè)計(jì)要求，根據(jù)IC原廠建議以及供應(yīng)商的實(shí)際應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)如下設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：1、關(guān)鍵器件布局各組電源對應(yīng)的濾波電容需靠近芯片引腳放置，走線盡量短，如下為IC周圍元件布局示意圖：rVrof±i$*kffi摸屏網(wǎng)5 圖5元件布局示意圖電容屏與主板連接端口

12、周圍不要走高速信號線。對于COB方案，觸控IC盡量靠近Host IC。觸控IC及FPC出線路徑要求遠(yuǎn)離FM天線、ADV天線、DTV天線、GSM天線、GPS天線、BT天線等。與 觸控IC相關(guān)器件盡量放進(jìn)屏蔽罩中，且盡可能采用單獨(dú)的 屏蔽罩。觸控IC附 近有開關(guān)電源電路、RF電路或其它邏輯電路時(shí)，需注 意用地線隔離保護(hù)觸控 IC、芯片電源、信號線等。RF是手機(jī)中最大的干擾信號，因此對芯片與 RF天線間的間距有一定要求： 在頂部要求間距20mm，在底部要求間距10mm。適用于COF和COB方案 2、布線1） 電源線盡量短、粗，寬度至少 0.2mm ，建議0.3mm 。驅(qū)動和感應(yīng) 信號線走線盡量短，減

13、小驅(qū)動和感應(yīng)走線的環(huán)路面積。驅(qū)動IC未使用的驅(qū)動和感應(yīng)通道需 懸空，不能接地或電源。對于COB方案，主板上的信號線走線盡量短，盡量接近與屏體的連接接 口。建議將IC周圍的驅(qū)動和感應(yīng)信號按比例預(yù)留測試點(diǎn)，方便量產(chǎn)測試，最 少需要各留兩個(gè)測試點(diǎn)。I2C、SPI、INT、RESET等接口預(yù)留測試點(diǎn)，方便 Debug 。2）用地線屏蔽驅(qū)動通道，避免驅(qū)動通道對 Vref等敏感信號或電壓造成干圖6驅(qū)動通道的地線屏蔽3）信號線（驅(qū)動通道和感應(yīng)通道）建議平行走線，避免交叉走線。對于不同層走線的情況，避免兩面重合的平行走線方式（ FPC的兩面重合平行 走線會形成電容），相鄰的驅(qū)動通道和感應(yīng)通道平行走線之間以寬度

14、 >0.2mm 的地線隔離，如下圖所示：感應(yīng)走線GND(rND驅(qū)幼走踐國觸摸屏網(wǎng)5 L圖7正確走線方式圖8錯誤走線方式由于結(jié)構(gòu)的限制，導(dǎo)致驅(qū)動和感應(yīng)通道必須交叉走線時(shí)，盡量減少交叉的面積（降低因走線而產(chǎn)生的結(jié)點(diǎn)電容，形成的電容與面積有關(guān)），強(qiáng)制建議 交 叉進(jìn)行垂直交叉走線，特別注意避免多次交叉。同時(shí)驅(qū)動和感應(yīng)走線寬度使用最小走線寬度（0.070.08mm）。圖9推薦走線方式（完全垂直）'中國觸摸屏詞5 圖10錯誤走線方式（非垂直走線）對于C0B方案的多層方案，建議驅(qū)動和感應(yīng)通道采用分層走線，且中間 以地線屏蔽。4）信號線（驅(qū)動和感應(yīng)通道）必須避免和通訊信號線（如 I2C、SPI

15、等） 相鄰、近距離平行或交叉，以避免通訊產(chǎn)生的脈沖信號對檢測數(shù)據(jù)造成干擾。對于距離較近的通訊信號線，需要用地線進(jìn)行屏蔽i SCLGND 馭動走線屏網(wǎng)圖11平行走線下地線屏蔽隔離圖12錯誤走線方式（交叉）5 ）地線及屏蔽保護(hù)芯片襯底必須接地，襯底上需放置可靠的地線過孔，建議過孔數(shù)量 個(gè)。驅(qū)動和感應(yīng)通道壓合點(diǎn)兩側(cè)均須放置地線壓合點(diǎn)，空間允許情況下，驅(qū) 和感應(yīng)通道走線兩側(cè)必須放置地線，建議地線寬度>0.2mm。48動圖13地線保護(hù)SltouchxomFPC未走線區(qū)域需要灌銅，大面積灌銅能減小 GND走線電阻，屏蔽外部干擾。建議采用網(wǎng)格狀灌銅，既起到屏蔽作用又不增加驅(qū)動和感應(yīng)線對地電容。建議網(wǎng)格

16、銅規(guī)格：Grid=0.3mm ，Track=0.1mm 。無論COF或COB，連 接 Sensor和Guitar芯片的FPC，其信號線走線背面需鋪銅，同時(shí)建議增加接地 的屏蔽膜。01 丁*VOS 9圖14接地屏蔽膜圖15 FPC關(guān)鍵尺寸示意圖與主控板接口排線盡可能設(shè)置兩根 >0.2mm 的地線，保證電氣可靠接地 如結(jié)構(gòu)允許，補(bǔ)強(qiáng)可用鋼板，若能保證鋼板可靠接地則效果更好。6 ）設(shè)計(jì)參考FPC設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的關(guān)鍵尺寸如下圖所示：Sltouch.cam尺寸尺寸Kt舅推券值(mmjr L0 075M理沖M0.2P壓倩直IV匱r區(qū)喜1川Q暉靳盤罠ftAMAjAMMFS 1遼詡，Tr曲皿楂廿上 j.

17、N/I： ： I 】FPC走線禁止直角或折線，折彎處需倒圓弧；元件擺放區(qū)必須予以補(bǔ)強(qiáng)，方便貼片或焊接；所有過孔盡量打在補(bǔ)強(qiáng)板區(qū)域，F(xiàn)PC彎折區(qū)及附近不能有過孔；設(shè)計(jì)圖上必須標(biāo)注補(bǔ)強(qiáng)區(qū)位置及總FPC厚度，彎折區(qū)及附近不能有補(bǔ)強(qiáng)；彎折區(qū)與元件區(qū)過渡的圓角要達(dá)到 R=1.0mm，并建議在拐角處加銅 線以補(bǔ)充強(qiáng)度，減少撕裂風(fēng)險(xiǎn)。圖16彎折區(qū)與元件區(qū)過渡之圓角在FPC設(shè)計(jì)中還要注意元件區(qū)空間 的大小，特別是在結(jié)構(gòu)圖確認(rèn)中，要充分考 慮元件區(qū)大小預(yù)留結(jié)構(gòu)空間。五、ESD防護(hù)ESD性能是電子產(chǎn)品都需要關(guān)注的基本性能，ESD性能直接影響了電子產(chǎn)品的電氣性能甚至使用壽命。在CTP設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)特別注意ESD防護(hù)，建議

18、參考事項(xiàng)：1) FPC邊緣與機(jī)殼開孔或縫隙的 距離3mm，避免ESD直接對FPC放電 2）機(jī)殼設(shè)計(jì)時(shí)，建議選用有接地的金屬外殼或無金屬結(jié)構(gòu)件的塑膠外殼，提 供 ESD 能力。3）部分 IC 可增加防 ESD 的 TVS 管等器件，如 Focaltech ，可提供抗 ESD 能力。4）FPC 設(shè)計(jì)中，增加網(wǎng)格的 GND 屏蔽（必要時(shí)增加接地屏蔽膜），保護(hù) I2C 信號，放置 ESD 干擾串入主板。5）減小VDD與GND距離，提高抗輻射的ESD干擾能力。6）ITO Sensor 周圍進(jìn)行圍地保護(hù)，避免 ESD 直接干擾 Sensor 。7） 隔離地線保護(hù)，IC工作電源地與FPC周圍保護(hù)地分離，在I

19、C外圍進(jìn)行充 分連接，防止 ESD 直接打到 IC 上。六、技術(shù)展望隨著電容屏的廣泛應(yīng)用及其市場潛力的開發(fā)，電容屏技術(shù)越來越受到大家 的關(guān)注和肯定。在市場整合方面，電容屏的標(biāo)準(zhǔn)化、共用性是電容屏供應(yīng)商急需努力和實(shí) 施的市場技術(shù)要求。在技術(shù)方面，也有幾個(gè)不同的發(fā)展方向。1、驅(qū)動 IC 方面，在提高驅(qū)動IC 性能的同時(shí)，將 LCM 驅(qū)動和 CTP 驅(qū)動融合在一起是一種方向。 2、在玻璃 面板方面，輕薄是未來努力的主要方向。一種是在 LCD 玻璃表面做 CTP 的 ITO Sensor，將LCM與CTP融合到一起；一種是in-cell，即直接將CTP Sensor融合在LCD玻璃里面，即LCD玻璃本

20、身帶有 CTP功能。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)】、結(jié)構(gòu)及材料使用1 、結(jié) 構(gòu)G + F結(jié)構(gòu)9吐胞1 -Layer ITQ F4mACF結(jié)構(gòu)：cover glass+film sensor。特點(diǎn)：此結(jié)構(gòu)用單層film sensor , ITO為三角形結(jié)構(gòu)，只支持單點(diǎn)，可做到 虛擬兩點(diǎn)手勢。優(yōu)點(diǎn)：開模成本很低，性價(jià)比高，單價(jià)屬電容TP中最低的結(jié)構(gòu)，總厚度可做薄，透光性好，交期短，Cover外形可更換。缺點(diǎn)：單點(diǎn)為主，手寫較差，虛擬兩點(diǎn)手勢準(zhǔn)確度差。G + F+ FGLASS結(jié)構(gòu)：cover glass+filmsensor+filmsensor。特點(diǎn)：此結(jié)構(gòu)用兩層film sensor , ITO為菱形結(jié)構(gòu)，支持真

21、實(shí)多點(diǎn)操作優(yōu)點(diǎn)：準(zhǔn)確度高，手寫效果好，支持真實(shí)兩點(diǎn)，cover外形可更變。 缺點(diǎn):透光性差，比G/G結(jié)構(gòu)低5%。價(jià)格比G/F高，比G/G低。G + G結(jié)構(gòu)：cover glass+glass sensor特點(diǎn)：此結(jié)構(gòu)用單層glass sensor，ITO為菱形結(jié)構(gòu)，支持真實(shí)多點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn):準(zhǔn)確度高，透光性好，手寫效果好。支持真實(shí)多點(diǎn)，cover外形可更變，可靠性好及使用壽命長。缺點(diǎn)：受撞擊后的底面glass sensor容易破壞，開發(fā)成本高，周期長，可替 換性差。2、材料使用1) ITO GLASS :是Indium Tin Oxide三個(gè)英文字母的縮寫，即氧化銦錫ITO玻璃是在清潔的絕緣素玻璃表

22、面上，以真空 鍍膜法依序鍍上SiO2層及 ITO層所制成，ITO薄膜的特性是，在可見光區(qū)具有高度的穿透率與極佳的電 導(dǎo)性。a、目前常用的ITO GLASS廠家有：百旭子，旭硝子。b、GLASS SENSOR : 0.33mm ，0.4mm ，0.55mm 。2) ITO Film :氧化銦錫薄膜。常用0.125mm。3) OCA :常用規(guī)格有50um、100um、150um、200um、250um、300um 。廠家主要有 3M,日立化成，三菱樹酯。4) Cover Glass :使用強(qiáng)化玻璃，厚度有0.55、0.7、0.8、0.95、1.0、1.1 規(guī)格的，表面硬度一般為 7H。5) PMM

23、A :使用厚度建議1.0mm 以上，且LCM與CTP間隙至少要0.5mm 。二、手機(jī)觸摸屏設(shè)計(jì)規(guī)范1產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 1)薄膜對玻璃結(jié)構(gòu):(1) 上線薄膜(2) 下線玻璃(3) 鍵片(4) 引出線注： a)可以根據(jù)客戶的需求在背面加ICON , ICON可以印刷在PC板上然后貼合在 璃背面，也可能直接印刷在玻璃背面。b)ICON的顏色可以靈活定義，例如彩色印刷、熒光印刷等等2線路設(shè)計(jì)原則1)常用術(shù)語 外形尺寸：產(chǎn)品的外形面積b.VA可視區(qū)：透明區(qū)，裝機(jī)后可 看到的區(qū)域。此區(qū)域不 能出現(xiàn)不透明的走線及 鍵片等。c. AA驅(qū)動面積：實(shí)際可操作的區(qū)域，驅(qū)動面積比可視區(qū)面 積小。d.鍵片：用于粘合上、下線路的

24、雙面膠。e .敏感區(qū)：驅(qū)動面積與鍵片內(nèi)框的距離。由于存在鍵片高度落差，當(dāng)使用不當(dāng)，很容易在此區(qū)造成ITO膜斷裂導(dǎo)致產(chǎn)品功能不良。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上必須 考慮 周詳。此區(qū)域雖小，但不容忽視。2)線路設(shè)計(jì)規(guī)范a .外形尺寸及驅(qū)動面積由用戶指定，以下數(shù)據(jù)是根據(jù)驅(qū)動面積而設(shè)定的理想 尺寸，請用戶在設(shè)計(jì)時(shí)盡可能參考此尺寸。*可視區(qū)到鍵片距離為A: 0.5mm ;*驅(qū)動面積到可視區(qū)距離為 B: 0.5mm ;*可視區(qū)到外形的距離為C: 2.5mm、D: 2.5mm ;E： 2.5mm 、F： 4.5mm ;*走線線寬：0.8 mm ;*走線到可視區(qū)距離為：0.5mm ;*走線到外形邊距離為：0.5mm ;*線間距距離為：0.5mm ;*壓合長度：20mm、壓合深度L: 2.5mm ;*壓合區(qū)內(nèi)，走線線寬：2.5 mm、線長：2.5mm ;b 以下數(shù)據(jù)是根據(jù)驅(qū)動面積最小設(shè)定的尺寸，若用戶設(shè)計(jì)與此不同，