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1、1 多晶硅太陽(yáng)電池由雜質(zhì)分凝理論可知,晶體中的雜質(zhì)含量與固液界面的液相中雜質(zhì)濃度成正比,而固液界面處的液相雜質(zhì)濃度又和晶體生長(zhǎng)速度呈指數(shù)關(guān)系,即,。其中Cs為固體中的雜質(zhì)濃度,CL( 0 )為固液界面處液相中的雜質(zhì)濃度,v為晶體生長(zhǎng)速度。因而,盡管徑向溫度梯度很小,也還要適當(dāng)?shù)乜刂凭w的生長(zhǎng)速率,使富集在固液界面附近被相中的高濃度雜質(zhì)Si3N4,SiC等能及時(shí)地向液相中擴(kuò)散,使其 絕大部分能分凝到晶錠的頂部,以降低晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度,同時(shí)也減少了位錯(cuò)對(duì)這些雜質(zhì)的吸附。2 硅工藝總結(jié)硅片與半導(dǎo)體用器皿的清洗: 有機(jī)物(油、蠟、指紋等):有機(jī)溶劑處理,活性劑處理(H2O2),刷洗,酸處理,堿處理 氧

2、化物:HF處理 離子性雜質(zhì):酸處理 不溶性雜質(zhì):超聲波洗、刷洗 水洗、干燥硅片的清洗: 在70到90,NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5到1:2:7清洗,除去有機(jī)污染物和氧化物粒子 在70到90,HCl:H2O2:H2O=1:1:6到1:2:8清洗,通過(guò)形成可溶絡(luò)合物除去金屬雜質(zhì)除去活性氧化物:活性氧化物會(huì)作為金屬雜質(zhì)的源擴(kuò)散進(jìn)硅片,或是在SiO2-Si界面沉淀,導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生?;钚匝趸锶コ谋砻媸谦@得高性能的關(guān)鍵(在HF浸入后,H鈍化表面)。濕法清洗技術(shù): H2SO4:H2O(2:1到4: 1,125左右):去除殘留的油性污染 在70到80,NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5清

3、洗10min,除去有機(jī)污染物,解吸附金屬雜質(zhì) 1%的HF-H2O10-20秒,去除氧化物及金屬氧化物 在70到80,HCl:H2O2:H2O=1:1:6清洗10min,溶解堿性離子和Al,Fe,Mg的氫氧化物,通過(guò)形成可溶絡(luò)合物除去金屬雜質(zhì) 去離子水清洗,電阻率大于17M·cm存在的問(wèn)題:小微粒的產(chǎn)生,烘干較困難,昂貴,化學(xué)廢物通常去離子水可以分為4類:A類:去離子水只要求將水中離子去除一大部分,使水得以凈化,種類去離子水電導(dǎo)率通常在200-10s;B類:去離子水電導(dǎo)率通常在1-10s,屬于食品級(jí)別;c類:去離子水電導(dǎo)率通常在0.1-0.9s,屬于精細(xì)工業(yè)級(jí)別;D類:去離子水電導(dǎo)率通

4、常在0.07s以上,屬于電子級(jí)別。干洗技術(shù):在低溫下需要激活能去加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng),如等離子體,粒子束,放射線,熱處理 臭氧清洗:有效除去碳?xì)浠衔?Ar/H2等離子清洗 熱處理:活性氧能在800被去除高溫(>800)低氧分壓下,-Si+ SiO2 = 2SiO,SiO在750以上是不穩(wěn)定的,-2Si + O2 = 2SiO,硅片被腐蝕低溫高氧分壓下,氧化物薄層的光滑表面;高溫低氧分壓下清洗硅片3 局部旁路漏電對(duì)電池結(jié)特性的影響電池效率隨漏電部位靠近主線而減小,隨旁路電流增大而減小。材料制作過(guò)程中的局部漏電主要來(lái)源于沉積在PN結(jié)結(jié)區(qū)的雜質(zhì);器件過(guò)程中的局部漏電主要是正面腐蝕過(guò)度以致部分正面

5、電極與基區(qū)相連,合金化時(shí)金屬原子擴(kuò)散至結(jié)區(qū)及電池邊緣沾附可雜質(zhì)等。4 SiNx燒穿工藝下硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)研究利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽(yáng)電池表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度,提高太陽(yáng)電池表面層光生載流子的收集效率,提高短波段的光譜響應(yīng)。硅體內(nèi)的光生載流子的產(chǎn)生率G隨深度的增加呈指數(shù)形式衰減。對(duì)于波長(zhǎng)為的單色光:,為波長(zhǎng)光的吸收系數(shù),為表面的吸收系數(shù),x為硅體內(nèi)某點(diǎn)到表面的垂直距離;可看出G的最大值出現(xiàn)在硅片表面。光生載流子的濃度為:但電池上表面光生載流子的收集率比較低,少子壽命也很短。這是因?yàn)樵谄胀ǖ奶?yáng)電池中, 表面產(chǎn)生的光生載流子在到達(dá)耗盡區(qū)之前有很大的可能性遇到復(fù)合中心而復(fù)合,所以在電池的設(shè)計(jì)中p-

6、n結(jié)的位置應(yīng)盡量淺。這可以盡量提高表層光生載流子的收集率,進(jìn)而提高太陽(yáng)電池的短路電流。5 杜邦漿料培訓(xùn)電子漿料的定義:金屬、玻璃或/和陶瓷粉末的混合物,分散于有機(jī)載體(聚合物溶解在一定溶劑中形成的溶液)中,應(yīng)用于不導(dǎo)電或者半導(dǎo)電的基片上,形成導(dǎo)電的、阻抗的或絕緣緣的膜層。漿料、印刷設(shè)備和絲網(wǎng)共同決定了印刷效果的好壞。漿料的基本特性參數(shù):粘度:又稱內(nèi)摩擦,是一層液體對(duì)另一層液體作相對(duì)移動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的阻力,表征漿料流動(dòng)的難易程度。剪切粘度定義: 剪切速率= dv/ds; 剪切應(yīng)力= F/A; 粘度 = /觸變性:指體系在開(kāi)始流動(dòng)時(shí)往往需要較大的外力,其原因是必須破壞體系中原靜止?fàn)顟B(tài)的結(jié)合力,但流動(dòng)一

7、旦開(kāi)始,外力就不需要像啟動(dòng)時(shí)那么大,而可以降低到一個(gè)較小的值。對(duì)于高分子體系來(lái)說(shuō),這種啟動(dòng)力的增加消耗在分子鏈由卷曲逐漸展開(kāi)的過(guò)程中叫觸變性。對(duì)于漿料表現(xiàn)為漿料在靜止一定時(shí)間后變稠,粘度增大,攪動(dòng)后又變稀,粘度也變小的一種現(xiàn)象。因此,在印刷之前,要充分?jǐn)嚢铦{料,使之恢復(fù)常態(tài),然后才能進(jìn)行印刷??伤苄裕褐笣{料受到外力作用變形之后,能完全或者部分保持其變形的性質(zhì)。固體含量:通常情況下,固體含量升高,漿料的粘度和可塑性都會(huì)升高。干燥特性:絲網(wǎng)印刷既要求漿料在網(wǎng)板上能夠較長(zhǎng)時(shí)間保持不干燥結(jié)膜,又要求在印刷后,在基板上干燥越快越好。絲網(wǎng):絲網(wǎng)目數(shù):每英寸上的網(wǎng)孔數(shù),說(shuō)明絲網(wǎng)的絲與絲之間的疏密程度。目數(shù)越

8、高,絲網(wǎng)越密,網(wǎng)孔越小,漿料的通過(guò)性就越低。開(kāi)孔率:也稱漿料的通過(guò)性,即單位面積的絲網(wǎng)內(nèi),網(wǎng)孔面積所占的百分率。OPEN %= (1-b/a)2 * 100 % a: 線間距 b: 線徑絲網(wǎng)材料:尼龍絲網(wǎng)-油墨透過(guò)性好;可使用粘度大及顆粒大的油墨;有適當(dāng)?shù)娜彳浶?,?duì)承印物的適應(yīng)性好;拉伸強(qiáng)度及耐摩擦性好,使用壽命長(zhǎng);耐酸堿和化學(xué)溶劑。金屬絲網(wǎng)-圖形尺寸穩(wěn)定,實(shí)用于印刷高精度線路;耐堿性及抗拉強(qiáng)度很好,耐熱性強(qiáng)。聚酯絲網(wǎng)-彈性強(qiáng),耐酸性很好;吸濕性低,耐熱性較尼龍強(qiáng),尺寸穩(wěn)定性好。濕膜流平,體積不變:(a-b)2*(2b+c)=a2*T ; c: 乳膠厚度 T: 濕膜厚度T=(2b+c)*(a-b)2/a2=(2b+c)*OPEN%/100印刷設(shè)置:普遍情況:45o;控制漿料傳導(dǎo)機(jī)制;較小的接觸角度提供較大的印刷厚度。絲網(wǎng)與基片間的間距: 該間距等于絲網(wǎng)較小尺寸的200分之1。例如:8 inch x 10 inch 網(wǎng),間距=(1/200)x 8 inch=0.04 inch=1 mm刮刀印度:刮刀印度較小的膜較厚,刮刀速度:較高的印刷速度可能導(dǎo)致印刷缺陷

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