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文檔簡介
1、Z半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用一 一、 前言 光敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中3重要品種之一。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件也具有應(yīng)用電路極其簡單、體積小、輸出幅值大、靈敏度高、功耗低、抗干擾能力強等特點。能提供模擬、開關(guān)和脈沖頻率三種輸出信號供用戶選擇。用它開發(fā)出的三端數(shù)字傳感器,不需要前置放大器、A/D或V/F變換器,就能與計算機直接通訊。該元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN002-1998的有關(guān)規(guī)定。 磁敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中3第三個重要品種。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件體積小,應(yīng)用電路極其簡單,在
2、磁場的作用下,能輸出模擬信號、開關(guān)信號和脈沖頻率信號,而且輸出信號的幅值大、靈敏度高、抗干擾能力強。 光敏、磁敏Z-元件及其三端數(shù)字傳感器,通過光、磁的作用,可實現(xiàn)對物理參數(shù)的測量、控制與報警。 二、 光敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù) 圖1 電路符號與伏安特性 1 光敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號及命名方法 光敏Z-元件是一種經(jīng)過重摻雜而形成的特種PN結(jié),是一種正、反向伏安特性不對稱的兩端有源元件。 表1、光敏Z-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù) 名稱 符號 單位 閾值電壓分檔代號 測試條件 T=20°C或25°C 10 20 30 31 閾值電壓 Vth V <10 1020 2030
3、 >30 RL=5kW 閾值電流 Ith mA £1 £15 £2 £3 RL=5kW 導(dǎo)通電壓 Vf V £5 £10 £15 £20 RL=5kW 反向電流 IR mA £45 £45 £45 £45 E=25V 允許功耗 PM mW 100 100 100 100 轉(zhuǎn)換時間 t ms 20 20 20 20 閾值靈敏度 Sth mV/100lx -80 -120 -150 -200 RL=5kW 閾值靈敏度溫漂 DTth %/100lx×°C&
4、#215;FS >-4 RL=5kW M1區(qū)靈敏度 SM1 mV/100 lx 200 250 300 350 RL=Vth/Ith M1區(qū)靈敏度溫漂 DTM1 %/100 lx×°C×FS >-3 RL=Vth/Ith 反向靈敏度 SR mV/100lx >800 E=25V 反向靈敏度溫漂 DTR %/100 lx×°C×FS >-1 RL=510kW 圖1(a)為結(jié)構(gòu)示意圖,圖1(b)為電路符號。元件引腳有標(biāo)記的或尺寸較長的為“+”極。 該元件的命名方法分國內(nèi)與國際兩種: 國內(nèi)命名法: 國際命名法 響應(yīng)波
5、長代號 : 10.41.2mm 20.21.2mm。 2 光敏Z-元件的伏安特性曲線 圖1(d)為光敏Z-元件的的伏安特性曲線。在第一象限,OP段M1區(qū)為高阻區(qū)(幾十千歐幾百千歐)。Pf段M2區(qū)為負阻區(qū),fm段M3區(qū)為低阻區(qū)(幾十千歐幾百千歐)。其中Vth叫閾值電壓,表示在T()時Z-元件兩端電壓的最大值。Ith叫閾值電流,是Z-元件與Vth對應(yīng)的電流。Vf叫導(dǎo)通電壓,是M3區(qū)電壓的最小值。If叫導(dǎo)通電流,是對應(yīng)Vf的電流,也是M3區(qū)電流的最小值。在第三象限為反向特性,反向電流IR是在無光照時反向電壓VR為25V時測量的,其值(微安級)很小。 3 光敏Z-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù) 光敏Z-元件
6、的分檔代號與技術(shù)參數(shù)見表1。其分檔代號按Vth值的大小排列。型號分二種,按其響應(yīng)波長分。目前產(chǎn)品波長代號皆為1。 三、 光敏Z-元件的光敏特性 1 無光照時光敏Z-元件正、反向伏安特性的測量 用遮光罩把光敏Z-元件罩上,即在無光照的情況下,利用圖1?特性測量電路測量其正、反向伏安特性,測量電路與方法與溫敏Z-元件相同 6 。 2 光敏Z-元件正向光敏特性 把Z-元件接在正向特性測量電路上,Z-元件放置在可變照度的光場中。測量時照度由小到大,每次遞增100lx,用數(shù)字照度計校準(zhǔn),然后測量Z-元件的正向特性,記錄不同照度時的Vth、Ith、Vf 。從測試可知,光敏Z-元件的閾值點P(Vth,Ith
7、)隨著照度的增加,一直向左偏上方向移動如圖2(a),Vth隨光照增加而增大,Vf變化較小。Vth、Ith與照度L的關(guān)系參看圖3。 光敏Z-元件的正向特性還具有光生伏特現(xiàn)象,Z-元件的“正”極即光生伏特的“+”極。目前,光生伏特飽和電動勢為200mV左右,短路電流隨光照增強而增大。當(dāng)照度為100lx5000 lx時短路電流為幾微安至幾十微安。 3 光敏Z-元件反向光敏特性 把Z-元件連接在反向特性測量電路中,并把Z-元件置于可變光場中。改變光場照度,用數(shù)字照度計校準(zhǔn),測量其反向特性,即反向電壓VR與反向電流IR的關(guān)系。其特性如圖2(b)??梢钥闯銎浞聪螂娮桦S照度增加而減小,反向電流隨光照增強而變
8、大。四、 光敏Z-元件的應(yīng)用電路 光敏Z-元件有與溫敏Z-元件相似的正、反向伏安特性,溫敏Z-元件的應(yīng)用電路,在理論上都適用于光敏Z-元件??紤]到光敏Z-元件的Vth、Ith、IR有一定的溫漂,因此在光開關(guān)電路中,應(yīng)當(dāng)有抗溫度干擾的余量,在模擬應(yīng)用電路中,應(yīng)采用具有抗溫漂自動補償電路。1 M1M3轉(zhuǎn)換,輸出負階躍開關(guān)信號電路3,4 負階躍開關(guān)信號輸出電路示于圖4(a),工作過程的圖解示于圖4(b)。在無光照時,OP1為光敏Z-元件M1區(qū)特性,閾值點為P1(Vth1,Ith1),E為電源電壓,以負載電阻值RL和電源電壓E確定的直線(E,E/RL)交電壓軸為E,交電流軸為E/RL。Q1為無光照時的
9、工作點其坐標(biāo)為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓VO1VZ1E-IZ1RL 。我們選擇合適的電路參數(shù),使在照度為E2時,閾值點P1移至P2,并剛好在直線(E,E/RL)上,這時Q2與P2重合。光敏Z-元件開始進入了負阻M2區(qū),Q2點在幾微秒之內(nèi)即達到了f點5,其坐標(biāo)為f(Vf,If)。此時輸出電壓為VO2VOLVf,輸出端輸出一個負階躍開關(guān)信號。為了得到一個負階躍開關(guān)信號,在照度為L2時,工作點Q2與閾值點Vth2重合,電路中各參數(shù)必須滿足的條件可用下述狀態(tài)方程描述: EVth2Ith2RL (1) 其中,負載電阻值RL一般為12kW,選擇原則是,當(dāng)在照度L2時,Z-元件工作在M3區(qū),工作點Q2
10、的電壓為VZ2Vf,電流為IZ2If,電壓與電流之積為VfIfP,并且PPM50mW。即在功耗不大于50mW的情況下,選擇較小的RL,這個開關(guān)信號的振幅為DVO: DVOVth2-Vf (2) 公式(1)告訴我們?yōu)榱艘玫截撾A躍開關(guān)信號,E、Vth2、Ith2三者之間的關(guān)系。這時還要考慮以下幾個問題: (1)從圖3(a)知道照度L越大,Vth越小,Ith越大,IthRL也越大,DVO將下降,以至?xí)l(fā)生因振幅過小滿足不了要求的情況;另一方面,過大的照度也是不經(jīng)濟的。也就是說,照度選擇要適當(dāng)。 (2)在應(yīng)用的范圍內(nèi),在無光照不輸出負階躍開關(guān)信號的情況下,工作點Q1選擇應(yīng)盡量偏右,這樣有利于減小監(jiān)控
11、或報警照度。 (3)供電的直流電源應(yīng)是一個小功率可調(diào)電源。在照度L2監(jiān)控或報警時,其值應(yīng)與(1)式計算值相等。 2 反向應(yīng)用輸出模擬電壓信號 Z-元件反向電流極小,呈現(xiàn)一個高電阻(16MW),這個電阻具有負的光照系數(shù),并在較高電壓(3040V)下,不發(fā)生擊穿現(xiàn)象。圖5 為反向應(yīng)用電路及工作狀態(tài)解析圖??梢钥闯鲈跓o光照時,L1=0,工作點為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓為VO1,則: VO1=E-VZ1=E-IZ1RL 當(dāng)光照為L2時,伏安特性上移,工作點由Q1移至Q2(VZ2,IZ2),輸出電壓為VO2,則: VO2=E-VZ2=E-IZ2RL 反向光電壓靈敏度用SR(mV/100lx)表示
12、:(3) 3M1M3,M3M1相互轉(zhuǎn)換,輸出脈沖頻率信號 該電路僅需三個元件,用一個小電容器與Z-元件并聯(lián),再串聯(lián)一負載電阻RL,即可構(gòu)成光頻轉(zhuǎn)換器,如圖6所示,達到了用光敏Z-元件實現(xiàn)光控脈沖頻率的目的。與溫敏Z-元件脈沖頻率電路相同,在無光照時,電源通過RL對電容器充電,當(dāng)VC<Vth時,Z-元件工作在M1區(qū),當(dāng)VCVth時,Z-元件迅速由M1區(qū)經(jīng)M2區(qū)工作在M3區(qū)。M3區(qū)是低阻區(qū),電容器迅速通過Z-元件放電,當(dāng)放電至VCVf時,Z-元件脫離M3區(qū)回到M1的高阻區(qū),電源通過RL重新對電容器充電,如此周而復(fù)始重復(fù)上述過程,由輸出端輸出后沿觸發(fā)的脈沖頻率信號。信號頻率用f表示: (4)
13、tRL C 從式(4)可以看出,光照越強,Vth越小,而Vf基本不變,因而頻率上升的越高。在弱光和強光下,Vth靈敏度較低,所以頻率靈敏度也較低,在3001000lx有較高頻率靈敏度。RL值選擇范圍是8.2kW20kW,C選擇范圍是0.01mF0.22mF,E應(yīng)為(1.5 1.8) Vth。數(shù)值小的電容器振蕩頻率較高,也有較高的頻率靈敏度,電源電壓的范圍較窄;數(shù)值較大的電容器振蕩頻率較低,頻率靈敏度也較低,但電源電壓范圍寬。 五、 光敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié) 光敏Z-元件的伏安特性與溫敏Z-元件的伏安特性是極為相近的,前者的光特性與后者的溫度特性也非常相似6。 Z-元件的特性及應(yīng)用電路可以
14、概括為:一個特殊的點,即閾值點P(Vth,Ith),該點的電壓靈敏度為負,電流靈敏度為正。有二個穩(wěn)定的工作區(qū),即高阻M1區(qū),和低阻M3區(qū)。在VZ<Vth時,工作在高阻M1區(qū),在VZVth時,迅速越過負阻M2區(qū),工作在低阻M3區(qū),當(dāng)VZVf時,又恢復(fù)到高阻M1區(qū)。有三個基本應(yīng)用電路,即開關(guān)電路,反向模擬電路和脈沖頻率電路。有四個主要參數(shù):即Vth、Ith、 Vf、IR。 上述三個基本應(yīng)用電路參看表2-1、表2-2、表2-3。表2-4是表2-1中RL與Z-元件互換位置后構(gòu)成的正階躍開關(guān)電路與輸出信號波形;表2-5是表2-2中RL與Z-元件互換位置后構(gòu)成的NTC電路。 光敏Z-元件的電參數(shù)中Vf的溫度系數(shù)稍小,Vth、Ith、IR三個參數(shù)的溫度系數(shù)稍大。在要求較高的場合,應(yīng)當(dāng)采用電路補償或元件補償,使之滿足設(shè)計要求。 六、 光敏Z-元件應(yīng)用示例 1有溫度補償?shù)墓忾_關(guān)電路 該電路使用兩個光敏Z-元件,并做反向應(yīng)用,要求兩個Z-元件的反向電流相等,且反向溫度靈敏度溫漂DTR相近。其中V2避光、V1用于光照。圖7(b)為解析圖,無光照的伏安特性為V1(0lx,T1)和V2(0lx,T1)有溫度變化的伏安特性為V1(0lx,T2)和V2(0LX,T2),V
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