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文檔簡介

1、單極型晶體管場效應管 單極型晶體管單極型晶體管2-4-1 結型場效應管結型場效應管雙、單極型晶體管區(qū)別 1)雙極型：屬電流控制型 2)單極型：屬電壓控制型 場效應管分類(FET) 1)結型（JFET）: “P溝道”，空穴導電 “N溝道”，電子導電 2)絕緣柵型（MOS）：“增強型PMOS、NMOS” “耗盡型PMOS、NMOS”1.結構與符號N溝道耗盡層P+P+漏極D柵極G源極SDGS圖3-1 JFET的結構示意圖及其電路符號P溝道耗盡層NN漏極D柵極G源極SDGS(a)(b)(a) N溝道 (b) P溝道 導通條件N溝道：uGS0、uDS 0 P溝道：uGS0、uDS UGS(th) 0 P

2、MOSuGSUGS(th) 0 UGS(th)“開啟電壓”，即溝道形成的最小電壓 增強型MOS管所特有 2）耗盡型MOS管制造時內部已存在一個導電溝道 當uGS=0、uGS0時電流為常量IDSS稱“漏極 飽和電流” 當uGS= UGS(off)時原有導電溝道夾斷不導電 UGS(off) “夾斷電壓”，耗盡型MOS管所特有 3）其它類型場效應管工作特性見書P63BCII2-4-3 場效應管特性參數(shù)場效應管特性參數(shù)1. 開啟電壓UGS(th)和夾斷電壓UGS(off) 當uDS一定時，使iD為某一最小值（剛導通）時所外加 的G-S電壓 增強型存在UGS(th) 耗盡型存在UGS(off)2.飽和漏

3、電流IDSS 耗盡型管特有參數(shù)，且為當uGS=0時的漏電流3.低頻跨導gm反映了柵源電壓uGS對漏極電流iD的控制能力4.極限參數(shù) IDM：最大漏極電流。工作時允許的最大漏極電流。 PDM：最大耗散功率。PDMuDSiD U(BR)DS：漏源擊穿電壓 U(BR)GS：柵源擊穿電壓2-4-4 場效應管與三極管性能比較場效應管與三極管性能比較半導體三極管場效應管導電結構既利用多數(shù)載流子，又利用少數(shù)載流子，故稱為雙極型器件 只利用多數(shù)載流子工作稱為單極型器件 導電方式多子濃度擴散與少子漂移多子漂移控制方式電流控制（IBIC）電壓控制（UGSID）放大系數(shù)（=20200）gm（15mA/V）類型PNP、NPNP溝道、N溝道受溫度影響大小噪聲較大較小抗輻射能力差強制造工藝較復雜簡單，特別是MOS管，易于集成器件名稱性能課前復習及提問課前復習及提問： 1）NPN管在放大狀態(tài)下各極電位的關系？ 2）三極管在共射、共集組態(tài)下的電流關系？ 3）三極管的三個工作區(qū)是什么？ 4）NPN、 PNP管的區(qū)別？思考題思考題：P67 1、2作業(yè)題作業(yè)題

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