材料結(jié)構(gòu)表征作業(yè)答案

1、材料結(jié)構(gòu)表征作業(yè)答案答：答：1.1.用平行的直線將代表構(gòu)成晶體的所有原子的格點連接用平行的直線將代表構(gòu)成晶體的所有原子的格點連接起來構(gòu)成的網(wǎng)格稱為晶格起來構(gòu)成的網(wǎng)格稱為晶格. . 對于簡單晶格，由一個格點沿著各個方向按一定的平移對于簡單晶格，由一個格點沿著各個方向按一定的平移周期進展平移就可以得到整個晶格。對于復式晶格，由一個周期進展平移就可以得到整個晶格。對于復式晶格，由一個格點沿著各個方向按一定的平移周期進展平移就可以得到子格點沿著各個方向按一定的平移周期進展平移就可以得到子晶格，多個子晶格套構(gòu)得到整個晶格。這就是晶格的周期性。晶格，多個子晶格套構(gòu)得到整個晶格。這就是晶格的周期性?？臻g點陣

2、可以描述其周期性?？臻g點陣可以描述其周期性。2.2.簡單格子是由同一類等同原子構(gòu)成的晶格，其物理學原胞簡單格子是由同一類等同原子構(gòu)成的晶格，其物理學原胞僅包含一個原子；復式格子是由兩類或兩類以上的等同原子僅包含一個原子；復式格子是由兩類或兩類以上的等同原子構(gòu)成的晶格，其物理學原胞包含兩個或兩個以上的原子。等構(gòu)成的晶格，其物理學原胞包含兩個或兩個以上的原子。等同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都一樣的同一種原子。同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都一樣的同一種原子。 3. 3. 空間點陣是一個從晶體構(gòu)造中由等同原子抽象出的幾空間點陣是一個從晶體構(gòu)造中由等同原子抽象出的幾何點在空間周期性分布形成的無限

3、陣列或概括地表示晶體何點在空間周期性分布形成的無限陣列或概括地表示晶體構(gòu)造中等同點周期排列規(guī)律的無限大空間幾何圖形。構(gòu)造中等同點周期排列規(guī)律的無限大空間幾何圖形。BravaisBravais格子的選取原那么格子的選取原那么 布拉菲格子的選取原那么：布拉菲格子的選取原那么：1 1所選單位格子應能所選單位格子應能夠反映整個晶體對稱性點陣固有的點群對稱性；夠反映整個晶體對稱性點陣固有的點群對稱性； 2 2所選單位格子的平面角盡可能為直角，基矢單位格子的所選單位格子的平面角盡可能為直角，基矢單位格子的棱邊長度盡可能相等；棱邊長度盡可能相等；3 3單位格子的體積盡可能小。單位格子的體積盡可能小。 有四種

4、根本類型：簡單、體心、面心和底心。有四種根本類型：簡單、體心、面心和底心。 共有共有1414種布拉菲格子。種布拉菲格子。 4. 4. 描述晶體構(gòu)造周期性和對稱性的單元叫晶體學原胞或描述晶體構(gòu)造周期性和對稱性的單元叫晶體學原胞或晶胞。晶胞。 晶體構(gòu)造被它所具有的平行六面體形狀的晶體構(gòu)造被它所具有的平行六面體形狀的BravaisBravais單位格子所劃出來的那一局部晶體構(gòu)造稱為晶胞單位格子所劃出來的那一局部晶體構(gòu)造稱為晶胞 。 用晶格常數(shù)用晶格常數(shù)a,b,c, ,)a,b,c, ,)來描述其形狀和來描述其形狀和大小。大小。 5. 5. 根據(jù)晶體對稱性，晶體可以分為三斜、單斜、正交、根據(jù)晶體對稱性

5、，晶體可以分為三斜、單斜、正交、三方、四方、六方和立方。三方、四方、六方和立方。）所以晶面指數(shù)為（得到分別代入晶面方程）；（將晶面上三個點的坐標111) 1( :1:1:2121tlzkyhx01/22/1111100lkhtkhtlkhth6. 晶面上三點晶面上三點1 0 0;1 1 1;1/2 1/2 0,求所在晶面的晶面求所在晶面的晶面指數(shù)指數(shù)hkl和該晶面族中最靠近原點的晶面在三個晶和該晶面族中最靠近原點的晶面在三個晶軸上的分數(shù)截距。軸上的分數(shù)截距。該晶面族中最靠近原點的該晶面族中最靠近原點的晶面在三個晶軸上的分數(shù)晶面在三個晶軸上的分數(shù)截距分別為截距分別為1，1，-1。作業(yè)作業(yè)2 2H

6、KLHKLHKLgdcLbKaHg1,*解：1. 利用倒易矢量定義和根本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。利用倒易矢量定義和根本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。作業(yè)作業(yè)3 3222222*22*22*22*2/ )(1/ 1,/ 1;)()(1cLaKHcLbKaHdccabacbacLbKaHcLbKaHggdHKLHKLHKLHKL111111、g g120120，均在過原點的倒易面上，求該倒易面對，均在過原點的倒易面上，求該倒易面對應晶帶軸應晶帶軸r r的指數(shù)的指數(shù)uvwuvw3.3.求兩晶帶求兩晶帶r111r111和和r110r110構(gòu)成的交面。構(gòu)成的交面。4.4.畫出簡立方晶格倒易面畫出簡立方

7、晶格倒易面 (110)(110)* * 上的五個點。上的五個點。(1-10),(001)(1-10),(001)112)101(第二章第二章 作業(yè)作業(yè)4 1 x射線穿過物質(zhì)時可發(fā)生哪三種根本過程？射線穿過物質(zhì)時可發(fā)生哪三種根本過程？2 散射分為哪兩種？用于散射分為哪兩種？用于x射線衍射分析的是哪種散射？射線衍射分析的是哪種散射？3 x射線吸收常伴隨效應有哪些？在這些效應中產(chǎn)生的反響射線吸收常伴隨效應有哪些？在這些效應中產(chǎn)生的反響被照物質(zhì)化學成分的訊號有哪些？被照物質(zhì)化學成分的訊號有哪些？4 質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關(guān)？質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關(guān)？5 吸收限的定義及應用。吸收限的

8、定義及應用。答：答：1.散射、吸收和透射。散射、吸收和透射。2. 相干散射和非相干散射；相干散射。相干散射和非相干散射；相干散射。3. 光電效應和俄歇效應；光電子、俄歇電子和熒光光電效應和俄歇效應；光電子、俄歇電子和熒光x射線。射線。4. m 為質(zhì)量吸收系數(shù)，為質(zhì)量吸收系數(shù)，t為為x射線穿透物質(zhì)的厚度。射線穿透物質(zhì)的厚度。 質(zhì)量吸收系數(shù)表示單位重量物質(zhì)對質(zhì)量吸收系數(shù)表示單位重量物質(zhì)對X射線強度的衰減程度。射線強度的衰減程度。5. m隨隨的變化是不連續(xù)的，其間被鋒利的突變分開。的變化是不連續(xù)的，其間被鋒利的突變分開。 m突變對應的波長為吸收限。吸收限與原子能級的精細構(gòu)突變對應的波長為吸收限。吸收

9、限與原子能級的精細構(gòu)造對應。如造對應。如L系有三個亞層，有三個吸收限。系有三個亞層，有三個吸收限。 應用：應用：1濾波片的選擇，濾波片的選擇，2陽極靶的選擇，陽極靶的選擇，3激發(fā)電壓激發(fā)電壓的計算，的計算，4利用吸收限作原子內(nèi)層能級圖利用吸收限作原子內(nèi)層能級圖ttTmeIeII0/033ZKm第三章第三章 作業(yè)作業(yè) 5-61.1.寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶試樣衍射把戲形成的原因。試樣衍射把戲形成的原因。2.2.計算計算CuCu面心立方晶體構(gòu)造的構(gòu)造因子，并討論消光面心立方晶體構(gòu)造的構(gòu)造因子，并討論消光條件。條件。3.3.計算

10、計算NaClNaCl面心立方點陣的構(gòu)造因子。并討論消光條面心立方點陣的構(gòu)造因子。并討論消光條件。件。 (NaCl(NaCl的晶體構(gòu)造可以看成兩個面心立方晶格沿晶軸平的晶體構(gòu)造可以看成兩個面心立方晶格沿晶軸平移移1/21/2基矢基矢a a或或b b或或c c大小套構(gòu)而成的。晶胞中包含兩大小套構(gòu)而成的。晶胞中包含兩類原子類原子NaNa和和ClCl。) )解：解：1.HKLgss0布拉格方程的矢量式布拉格方程的矢量式-衍射矢量方程：衍射矢量方程：根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，粉末多晶體衍射的厄瓦爾德圖根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，粉末多晶體衍射的厄瓦爾德圖解應如下圖。由于粉末多晶晶?？臻g取向的隨機分布，解應如下圖。

11、由于粉末多晶晶?？臻g取向的隨機分布，倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反射球倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反射球的交線是一個圓，從這個交線圓向反射球心連線形成衍的交線是一個圓，從這個交線圓向反射球心連線形成衍射線圓錐，錐頂角為射線圓錐，錐頂角為44。2. 面心點陣的每個晶胞中有面心點陣的每個晶胞中有4個同類原子，其坐標為個同類原子，其坐標為000，1/2 1/2 0， 1/2 0 1/2， 0 1/2 1/221212sin2cos2njjjjjnjjjjjHKLLZKYHXfLZKYHXfF當當H、K、L全為奇數(shù)或偶數(shù)時，那么全為奇數(shù)或偶數(shù)時，那么H+K、H+K、K+L均

12、為偶數(shù)，這時：均為偶數(shù)，這時：當當H H、K K、L L中有中有2 2個奇數(shù)一個偶數(shù)或個奇數(shù)一個偶數(shù)或2 2個偶數(shù)個偶數(shù)1 1個奇?zhèn)€奇數(shù)時，那么數(shù)時，那么H+KH+K、H+LH+L、K+LK+L中總有中總有兩項為奇數(shù)一項為偶數(shù)，此時：兩項為奇數(shù)一項為偶數(shù)，此時：)(hsin)cos(heeF2Cl22ClhiClh21i2ClNaCl2FFFFFFFFNaNaClNaNa面心面心面心面心3.當當H、K、L全為偶數(shù)或奇數(shù)時，全為偶數(shù)或奇數(shù)時，ClNa2ClNa2Cl4f4f4f4f)cos(h2NaClNaNaClFFFF消光 當當H、K、L奇偶混合時，奇偶混合時，0)cos(h02Cl2FFF

13、FNaNaCl面心消光0 0 ，R185mm，求薄膜的厚度，求薄膜的厚度0.150mm。2. A和和B兩組元組成的固溶體中，含量為兩組元組成的固溶體中，含量為x的的B原子的固溶體原子的固溶體A1-xBx的點陣參數(shù)為的點陣參數(shù)為0.5195nm，A和和B組元的的點陣常數(shù)分別為組元的的點陣常數(shù)分別為0.5206nm和和0.5096nm。用。用Vegard定律定律求固溶體的組分求固溶體的組分x=0.10。)2(cos2Rt%100ABAxaaaax第四章第四章 作業(yè)作業(yè)6-9 3.用點陣參數(shù)法測定相圖相界的主要原理是什么？用點陣參數(shù)法測定相圖相界的主要原理是什么？ 答：用點陣參數(shù)法測定相圖的相界的主

14、要原理是答：用點陣參數(shù)法測定相圖的相界的主要原理是: 隨合金成分的變化，物相的點陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。隨合金成分的變化，物相的點陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。具體說是兩點：第一，在單相區(qū)點陣參數(shù)隨成分變化顯著，具體說是兩點：第一，在單相區(qū)點陣參數(shù)隨成分變化顯著，而同一成分該物相的點陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，在而同一成分該物相的點陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，在雙相區(qū)某相的點陣參數(shù)隨溫度而變化而不隨合金的成分變化。雙相區(qū)某相的點陣參數(shù)隨溫度而變化而不隨合金的成分變化。 4.點陣常數(shù)準確測定時為什么選用高角度衍射線條？點陣常數(shù)準確測定時為什么選用高角度衍射線條？答：因為答：因為 ，所以在測量誤

15、差，所以在測量誤差一定一定的條件下，的條件下，越大越大 ，點陣常數(shù)的相對誤差越小。因，點陣常數(shù)的相對誤差越小。因此進展點陣常數(shù)的準確測定時要選擇高角度的衍此進展點陣常數(shù)的準確測定時要選擇高角度的衍射線條。射線條。 ),(立方晶系aactgdd 5.點陣常數(shù)準確測定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？點陣常數(shù)準確測定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？ 1儀器設(shè)計和實驗方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶儀器設(shè)計和實驗方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶然誤差和系統(tǒng)誤差。然誤差和系統(tǒng)誤差。 2探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或計算法消除系統(tǒng)誤差求得準確值。計算法消除系統(tǒng)誤差求得準確

16、值。6.某次實驗測得數(shù)據(jù)如下，請標出是什么晶體構(gòu)造，并計算出某次實驗測得數(shù)據(jù)如下，請標出是什么晶體構(gòu)造，并計算出對應的晶面指數(shù)。對應的晶面指數(shù)。面心面心立方立方構(gòu)造構(gòu)造7. 定性相分析的依據(jù)：任何一種結(jié)晶物質(zhì)都具有特定的晶體構(gòu)定性相分析的依據(jù)：任何一種結(jié)晶物質(zhì)都具有特定的晶體構(gòu)造，在一定波長的造，在一定波長的X射線照射下，每種晶體物質(zhì)都給出自己射線照射下，每種晶體物質(zhì)都給出自己特有的衍射把戲。每一種晶體物質(zhì)和它的衍射把戲都是一一特有的衍射把戲。每一種晶體物質(zhì)和它的衍射把戲都是一一對應的。多相試樣的衍射把戲是由它和所含物質(zhì)的衍射把戲?qū)?。多相試樣的衍射把戲是由它和所含物質(zhì)的衍射把戲機械疊加而成

17、。機械疊加而成。 通常用通常用d晶面間距表征衍射線位置和晶面間距表征衍射線位置和I衍射線相對強度衍射線相對強度的數(shù)據(jù)代表衍射把戲。用的數(shù)據(jù)代表衍射把戲。用d-I數(shù)據(jù)作為定性相分析的根本判據(jù)。數(shù)據(jù)作為定性相分析的根本判據(jù)。8. 定量分析的根本原理：定量分析的根本原理： 定量相分析的理論根底對于單一物相而言，物相的衍射強度定量相分析的理論根底對于單一物相而言，物相的衍射強度與該物相參加衍射的體積成正比。與該物相參加衍射的體積成正比。 在多相物質(zhì)衍射把戲中，由于吸收的影響，某一相的衍射強在多相物質(zhì)衍射把戲中，由于吸收的影響，某一相的衍射強度與該相參加衍射的體積不再成線性關(guān)系。在多相物質(zhì)定量度與該相參

18、加衍射的體積不再成線性關(guān)系。在多相物質(zhì)定量相分析方法中，要想從衍射強度求得各相的含量，必須處理相分析方法中，要想從衍射強度求得各相的含量，必須處理樣品吸收的影響。這是定量相分析中處理的主要問題。衍生樣品吸收的影響。這是定量相分析中處理的主要問題。衍生出多種方法，如出多種方法，如k值法、內(nèi)標法、絕熱法等。絕熱法實用方值法、內(nèi)標法、絕熱法等。絕熱法實用方程如下：程如下：2jjjVCKI niijiAjAAKIKI1/9.9.試樣：由剛玉試樣：由剛玉A A、莫萊石、莫萊石M M、石英、石英Q Q和方和方解石解石C C四個相組成，各待測相的參比強度四個相組成，各待測相的參比強度 復合樣中各峰的強度，復

19、合樣中各峰的強度，IMIM120+210120+210=922=922， ICIC101101=6660=6660， IAIA113113=4829=4829求各相的百分含量。求各相的百分含量。 16. 9,08. 8,47. 2CAQAMAKKK8604)1110(QI69941 .72710653 .373482916.9666008.8860447.2922148291niijiKI%0.6969941/4829/1niijiAAAAKIKI%3.5699447.2/922/1niijiMAMMKIKI%2.15699408.8/8604/1niijiQAQQKIKI%5 .106994

20、16. 9/6660/1niijiCACCKIKI解：解：10. 10. 用柯西分布法計算晶粒大小和晶格畸變，原始數(shù)用柯西分布法計算晶粒大小和晶格畸變，原始數(shù)據(jù)如下?lián)缦?：nmDDD21)10318. 7/(154056. 0)sin4cos/(100 . 4468. 15927. 0sinsin4cos-cossin41cossin41cos31114212211222111）（02322201311191.46,10986. 830.21,10225. 7bBbB解：將數(shù)據(jù)代入公式1. Al, 1. Al, 面心立方構(gòu)造面心立方構(gòu)造FCCFCC,a=0.44049nm,a=0.44049

21、nm,RA=RB=16.2mm,Rc=26.5mm,RA=RB=16.2mm,Rc=26.5mm,( RA RB0, ( RA RC0,( RA RB0, ( RA RC0,求求A A、B B、C C等的指數(shù)和等的指數(shù)和LL。第五章第五章 作業(yè)作業(yè)11 8:3:3:)( : )( : )(:321232323222222212121232221NNNLKHLKHLKHRRR)220() 111 ()111(nm12mm. 4344049/. 0*2 .16N/RaRdL2. 2. 什么是襯度？透射電子襯度像的形成機制有哪些？什么是襯度？透射電子襯度像的形成機制有哪些？3. 3. 什么是明場像和

22、暗場像？它們之間有何關(guān)系？什么是明場像和暗場像？它們之間有何關(guān)系？4. 4. 等厚條紋和等傾條紋的特點及其襯度來源？等厚條紋和等傾條紋的特點及其襯度來源？5. 5. 晶體的不完整性包括哪幾個方面？不完整晶體的襯晶體的不完整性包括哪幾個方面？不完整晶體的襯度來源是什么度來源是什么? ?位錯、層錯像的特點？位錯、層錯像的特點？ 3. 明場像明場像上述采用物鏡光欄將衍射束擋掉，只讓透上述采用物鏡光欄將衍射束擋掉，只讓透射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場成像，所得射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場成像，所得的圖象稱為明場像。的圖象稱為明場像。 暗場像暗場像用物鏡光欄擋住透射束及其余衍射束，而用物鏡

23、光欄擋住透射束及其余衍射束，而只讓一束強衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗只讓一束強衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗場成像，所得圖象為暗場像。場成像，所得圖象為暗場像。 只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場像與暗場像之分，只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場像與暗場像之分，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，即在明場下是亮線，在暗場下其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，即在明場下是亮線，在暗場下那么為暗線，其條件是，此暗線確實是所用的操作反那么為暗線，其條件是，此暗線確實是所用的操作反射斑引起的。射斑引起的。 電子衍射襯度的表達式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量電子衍射襯度的表達式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量的改變，襯度改變，

24、這是等傾條紋產(chǎn)生的原因。強度將隨的改變，襯度改變，這是等傾條紋產(chǎn)生的原因。強度將隨偏離參量偏離參量s s變化而呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，衍射強度變化而呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，衍射強度在在s=0s=0處有強度的主極大處有強度的主極大, ,主極大的半寬高為主極大的半寬高為1/t 1/t 。 5. 5. 由于晶體的不完整性，附加位相因子由于晶體的不完整性，附加位相因子eiei的引入將使的引入將使缺陷附近點陣發(fā)生畸變的區(qū)域應變場內(nèi)的衍射強度不缺陷附近點陣發(fā)生畸變的區(qū)域應變場內(nèi)的衍射強度不同于無缺陷的區(qū)域相當于理想晶體從而在衍射圖象中同于無缺陷的區(qū)域相當于理想晶體從而在衍射圖象中獲得相應的襯度。不完整

25、包括由于晶體取向關(guān)系的改變獲得相應的襯度。不完整包括由于晶體取向關(guān)系的改變而引起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起而引起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起的晶體不完整性。的晶體不完整性。 位錯線像總是出現(xiàn)在它的實際位置的某一側(cè)位錯線像總是出現(xiàn)在它的實際位置的某一側(cè),說明其襯度說明其襯度本質(zhì)上是由位錯附近的點陣畸變所產(chǎn)生的本質(zhì)上是由位錯附近的點陣畸變所產(chǎn)生的,叫做叫做“應變場應變場襯度襯度. 位錯線像總是有一定的寬度位錯線像總是有一定的寬度(一般在一般在30-100左右左右). 衍射強度隨層錯所在位置的深度衍射強度隨層錯所在位置的深度t1周期變化，周期為周期變化，周期為1/s

26、 ，與層錯的類型無關(guān)，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余與層錯的類型無關(guān)，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余弦函數(shù)。層錯的衍襯象表現(xiàn)為一組平行于樣品外表和層錯弦函數(shù)。層錯的衍襯象表現(xiàn)為一組平行于樣品外表和層錯交線的明暗相間的條紋；層錯條紋的強度總是中心對稱的，交線的明暗相間的條紋；層錯條紋的強度總是中心對稱的，這一點是層錯條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點；當這一點是層錯條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點；當層錯面平行樣品外表時將不顯示襯度。層錯面平行樣品外表時將不顯示襯度。1.1.什么是化學位移？它與哪些因素有關(guān)？什么是化學位移？它與哪些因素有關(guān)？2.XPS2.XPS譜上的光電子主線的特點及光電子線的伴

27、線有哪些？譜上的光電子主線的特點及光電子線的伴線有哪些？3.XPS3.XPS定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？化學位移化學位移:同種原子由于處于不同的化學環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結(jié)合能的變同種原子由于處于不同的化學環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結(jié)合能的變化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。與研究原子結(jié)合的原子的電負性對化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。與研究原子結(jié)合的原子的電負性對化學位移的影響較大；當某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時，它的結(jié)合能將化學位移的影響較大；當某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時，它的結(jié)合能將發(fā)生變化。發(fā)生變化。XPS定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強度比對附錄中的結(jié)合能數(shù)據(jù)；定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強度比對附錄中的結(jié)合能數(shù)據(jù)；Cx = (Ix/Sx)/( Ii/Si) 1 1. .熱分析的主要方法及其區(qū)別熱分析的主要方法及其區(qū)別 2.2.根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？ 3.3.升溫速率如何影響差熱分析曲線中峰的形狀、位置升溫速率如何影響差熱分析曲線中峰的形狀、位置及相鄰峰的分辨率以及基線？及相鄰峰的分辨率以及基線？ 4.4.差熱分析有哪些方面的應用？差熱分析有哪些方面的