雙向可控硅的知識

1、雙向可控硅 百科名片雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。 產(chǎn)品命名雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”? 雙向可控硅三端：TRIode(取前三個字母) 交流半導體開關(guān)：ACsemiconductorswitch (取前兩個字母) 以上兩組名詞組合成“TRIAC” 中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。 由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。 雙向：Bi-directional(取第一個字母) 控制：Controlled(取第一個字母) 整流器：Rectifier(

2、取第一個字母) 再由這三組英文名詞的首個字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。 雙向：Bi-directional(取第一個字母) 三端：Triode(取第一個字母) 由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。 代表型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣

3、型/雙向可控硅； 雙向可控硅Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。 而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如： 四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等； 四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等； ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號最后一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅

4、”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、等等。 至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA， 型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA； PHILIPS公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始

5、誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明 一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數(shù)值。1 元件簡介一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似 雙向可控硅于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

6、 可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。 可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 產(chǎn)品分類可控硅有多種分類方法。 （一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

7、 （三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。 封裝形式常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、

8、TO-252等。 構(gòu)造原理盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A600V)、BCM3AM(3A600V)、2N6075(4A600V)，MAC218-10(8A800V)等。大功率雙向可 雙向可控硅控硅大多采用RD91型封裝。 雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽

9、極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)ā?產(chǎn)品特性雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。2 觸發(fā)電路將兩只單向可控硅SCRl、S

10、CR2反向并聯(lián)再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了 雙向可控硅一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。 S

11、CR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A1000V)，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負載，應增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護，防止負載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應電壓損壞可控硅。 工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。 當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。

12、 2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=1ib1=12ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。 由于可控硅只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，條件如下： A、從關(guān)斷到導通1、陽極電位高于是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。 B、維持

13、導通1、陽極電位高于陰極電位，2、陽極電流大于維持電流，兩者缺一不可。 C、從導通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位，2、陽極電流小于維持電流，任一條件即可。 觸發(fā)導通 在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋作用的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。 產(chǎn)品判別雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 1、單、雙向可控硅

14、的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋） 雙向可控硅，可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于16A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應

15、指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回位置，則表明可控硅良好。 對于16A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。 對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應

16、發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。 測量方法在實際應用時，規(guī)定采用I+、I-、-三種方式，且以I+和-兩種方式用得最廣，下面采用這兩種方式進行判別，并以最常見的小功率雙向可控硅為例。 (1)判別電極首先確定T2：兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個電極，并輪流改換接法，直至找到顯示值為011V(該電壓在此記為T1與G之間的壓降Ugt1)時，空置的電極即為T2。 其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2，黑表棒接觸其余兩極中的任一個(暫且假定為T1)，萬用表應顯示溢出。接著將紅表棒滑向另一電極(暫且假定為G)，使得紅表棒短接這兩個電極

17、，如果顯示值比Ugt1略低，說明管子已被觸發(fā)導通(I+觸發(fā)方式)，證明以上假定成立，即黑表棒接的即是T 雙向可控硅1。如果在紅表棒滑向另極后顯示值為Ugt1，則只需將黑表棒改接至另一未知極重復上述步驟， 定能得出正確結(jié)果。 (2)觸發(fā)性能判別雙向晶閘管需要考察兩個方向的工作狀況，下面分別介紹。 紅表棒接T2，黑表棒接T1，此時應顯示溢出(關(guān)斷狀態(tài))。把紅表棒滑向G，并且使T2與G這兩極接通，此時管子將進入導通狀態(tài)，應顯示比Ugt1略低的數(shù)值。接著，在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離G，對于觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子來說，此時管子仍然維持導通狀態(tài)，顯示值比觸發(fā)導通時的略大，但低于Ugt1。 再

18、用紅表棒接觸T1、黑表棒接解T2，此時應顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩極時，管子將導通，顯示值比Ugt1略低。與上個方向相同，當黑表棒脫離G后，那些觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導通狀態(tài)。 實測一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM(3A600V)，首先判別電極：紅、黑表棒在管子任意兩電極間測量，當測得為0578V即Ugt1時，便確定未與表棒相接的一極為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片，通常它與T2極相連，此特征也可作為判別T2的依據(jù)。作為驗證，測得T2與散熱片間為0V，故T2判別正確。又將紅表棒接T2，黑表棒任接其余兩極之一，此時顯示溢出。在紅表棒短接T2和懸空的電極時顯

19、示0546V，該電壓小于Ugt1=0578V，故黑表棒所接為T1，另一極則為G。 觸發(fā)性能判別：紅表棒接T2、黑表棒接T1，顯示溢出(管子關(guān)斷)。使紅表棒短接T2與G，此時顯示0546V(管子導通)，當紅表棒脫離G極時顯示0558V，顯然，該值大于導通電壓，而又小于Ugt1，管子處于維持導通狀態(tài)。在檢測相反方向的觸發(fā)性能時，所得結(jié)果與上述極為接近，證明管子性能良好。 參數(shù)符號 IT(AV)-通態(tài)平均電流VDRM-通態(tài)重復峰值電壓VRRM-反向重復峰值電壓IRRM-反向重復峰值電流IDRM-斷態(tài)重復峰值電流IF(AV)-正向平均電流VTM-通態(tài)峰值電壓Tjm-額定結(jié)溫VGT-門極觸發(fā)電壓VISO

20、-模塊絕緣電壓IH-維持電流Rthjc-結(jié)殼熱阻IGT-門極觸發(fā)電流di/dt-通態(tài)電流臨界上升率ITSM-通態(tài)一個周波不重復浪涌電流dv/dt-斷態(tài)電壓臨界上升率伏安特性反向特性當控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅 雙向可控硅速增加，特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生永久性反向。 正向特性當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向

21、阻斷狀態(tài)，當電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性。 這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏，可控

22、硅便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)-通態(tài)，此時，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似 檢測方法DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器 利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時還檢查觸發(fā)能力。 判定T2極G極與T1極靠近，距T2極較遠。因此，GT1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，采用TO220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2極。 區(qū)分G極和T1極(1)找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中

23、某一腳為Tl極，另一腳為G極。 (2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負觸發(fā)信號，電阻值應為十歐左右，證明管子已經(jīng)導通，導通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導通狀態(tài)。 黃金規(guī)則規(guī)則1.為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流IGT，直至負載電流達到IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。 規(guī)則2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。 雙向可控硅規(guī)則3.設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3象限（WT2-，+）。規(guī)則4.為減少雜波吸收，門極連線長度

24、降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1k或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 規(guī)則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。 規(guī)則6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負載上串聯(lián)電感量為幾H的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。 規(guī)則7.選用好的門極觸發(fā)

25、電路，避開3象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。 規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個幾H的無鐵芯電感，或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。 規(guī)則9.器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 規(guī)則10.為了長期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的最高環(huán)境溫度。 典型應用雙向晶閘管可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實現(xiàn)交流調(diào)壓、電機調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，

26、它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。僅當小磁鐵移近時JAG吸合，使雙向晶閘管導通，將負載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時間僅幾微秒，所以開關(guān)的壽命很長。 現(xiàn)在可控硅應用市場相當廣闊，可控硅應用在自動控制領(lǐng)域，機電領(lǐng)域，工業(yè)電器及 雙向可控硅家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應用。更重要的是，可控硅應用相當穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)，可以說是鮮少變化的。無論其他的元

27、件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴大的可控硅的應用市場，減少了投資的風險。隨著消費類電子產(chǎn)品的熱銷，更為可控硅提供了銷售空間。 推出兩款可優(yōu)化消費電子產(chǎn)品性能的新型標準三端雙向可控硅開關(guān)元件，這兩種三端雙向可控硅開關(guān)采用先進的平面硅結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有很高的可靠性，加上在導通狀態(tài)下的損耗最多僅為1.5V，因而可達致高效率。這兩種產(chǎn)品的目標應用領(lǐng)域包括：洗衣機、吸塵器、調(diào)光器、遙控開關(guān)和交流電機控制設(shè)備。 過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器(AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護電路(RC吸收網(wǎng)絡)。當加上輸入信號VI(一般為高電

28、平)、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTLCMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。 雙向可控硅可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實現(xiàn)交流調(diào)壓、電機調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。 產(chǎn)品區(qū)別雙向和單向可控硅的區(qū)別。 普通晶閘管（又稱可控硅）是一種大功率半導體器件，主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。 單向可控硅通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特

29、性，一只雙向可控硅的工作原理，可等效兩只同型號的單向可控硅互相反向并聯(lián)，然后串聯(lián)在調(diào)壓電路 雙向可控硅中實現(xiàn)其可控硅交流調(diào)壓的。 可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistor，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等特點，它是大功率形狀型半導體器件，廣泛應用于電力、電子線路中。 一、可控硅的特性 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。有陽極A、陰極中、控制極G三個引腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引腳。 單向，就是當經(jīng)過可控硅電流單向流動。所以當電流反向時候，可控硅就不通，膚淺的說也就講其兩邊的電路短開了，所以它的用途之

30、一就是用來穩(wěn)流(你想，交變電電流不是方向要變嗎，就只有一個方向的可以過了)。雙向的嘛,就是怎么樣都通，可以空來穩(wěn)壓。 當然可控硅最主要的作用之一就是穩(wěn)壓穩(wěn)流。 注意事項交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點，對提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。 1：靈敏度 雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱 雙向可控硅作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的最小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度最高，(b)觸發(fā)靈敏度最低，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。 2：可控硅過載的保護 可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極