ROM存儲(chǔ)器內(nèi)涵EPROM2716存儲(chǔ)器地介紹

1、字線2宇線1字地址譯得器10-3i-0«-If-«-Ty11 1 , V位 蛇 1廟 線/ 1位 線>3 3 1'呵位 線.>L課堂教學(xué)實(shí)施方案授課時(shí)間:課 題：只讀存儲(chǔ)器ROM主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)5.3只讀存儲(chǔ)器ROM指在微機(jī)系統(tǒng)的在線運(yùn)行過程中，只能 對(duì)其進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫操作的一類 存儲(chǔ)器,在不斷發(fā)展變化的過程中，ROMS 件也產(chǎn)生了掩模 ROM PROMEPROMEEPROM 等各種不同類型。一、掩模ROM如圖4-11所示，是一個(gè)簡單的 4X 4 位的MOS ROM儲(chǔ)陣列，采用單譯碼方式。 這時(shí)，有兩位地址輸入，經(jīng)譯碼后，輸出四 條字選擇線，每條

2、字選擇線選中一個(gè)字，此 時(shí)位線的輸出即為這個(gè)字的每一位此時(shí)，若有管子與其相連（如位線 1 和位線4）,則相應(yīng)的MOST就導(dǎo)通，這些 位線的輸出就是低電表平，表示邏輯“ 0”; 而沒有管子與其相連的位線（如位線 2和 位線3）,則輸出就是高電平，表示邏輯“1”。 二、可編程的ROMcc浮空多A, SiO2晶硅柵 Al .D aN基體上位線EPROM I掩,K ROM勺存儲(chǔ)單元在生產(chǎn)完成之后, 其所保存的信息就已經(jīng)固定下來了，這給(a)（b）RO使用者帶來了不便。為了解決這個(gè)矛盾，設(shè)計(jì)制造了一種可由用戶通過簡易設(shè)備寫入信息的 器件，即可編程的ROM又稱為PROMPROM勺類型有多種，我們以二極管破

3、壞型 PROM；例來說明其存儲(chǔ)原理這種PROMf儲(chǔ)器在出廠時(shí)，存儲(chǔ)體中每條字線和位線的交叉處都是兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管的PN結(jié)，字線與位線之間不導(dǎo)通，此時(shí)，意味著該存儲(chǔ)器中所有的存儲(chǔ)內(nèi)容均為“1”。如果用戶需要寫入程序，則要通過專門的 PROMT入電路，產(chǎn)生足夠大的電流把要寫入“ 1”的那個(gè)存儲(chǔ)位上的二極管擊穿，造成這個(gè) PN結(jié)短路，只剩下順向的二極管跨連字線和位線，這時(shí)，此位就意味著寫入了 “1”。讀出的操作同掩模ROM除此之外，還有一種熔絲式 PROM用戶編程時(shí)，靠專用寫入電路產(chǎn)生脈沖電流，來燒斷指 定的熔絲，以達(dá)到寫入“ 1”的目的。對(duì)PRO陳講，這個(gè)寫入的過程稱之為固化程序。由于擊穿的二

4、極管不能再正常工作，燒斷后的 熔絲不能再接上，所以這種 RO幡件只能固化一次程序，數(shù)據(jù)寫入后，就不能再改變了。三、 可擦除可編程的ROM1 .基本存儲(chǔ)電路可擦除可編程的ROW稱為EPROM它的基本存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)和工作原理如圖4-12所示。與普通的P溝道增強(qiáng)型MOSI路相似，這種EPROW路在N型的基片上擴(kuò)展了兩個(gè)高濃度 的P型區(qū)，分別引出源極（S）和漏極（D）,在源極與漏極之間有一個(gè)由多晶硅做成的柵極，但 它是浮空?qǐng)D圖4-12 P 溝道EPROM!構(gòu)示意圖的，被絕緣物SiO2所包圍。在芯片制作完成時(shí)，每個(gè)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O上都沒有電荷，所以管子內(nèi)沒有導(dǎo)電溝道，源極與漏極之間不 導(dǎo)電，其相應(yīng)的等效電

5、路如圖4-12（b）所示，此時(shí)表示該存儲(chǔ)單元保存的信息為“ 1”。向該單元寫入信息“ 0”:在漏極和源極（即S）之間加上十25V的電壓，同時(shí)加上編程脈沖 信號(hào)（寬度約為50ns）,所選中的單元在這個(gè)電壓的作用下，漏極與源極之間被瞬時(shí)擊穿，就會(huì) 有電子通過SiO2絕緣層注入到浮動(dòng)?xùn)?。在高壓電源去除之后，因?yàn)楦?dòng)?xùn)疟籗iO2絕緣層包圍，所以注入的電子無泄漏通道，浮動(dòng)?xùn)艦樨?fù)，就形成了導(dǎo)電溝道，從而使相應(yīng)單元導(dǎo)通，此時(shí)說 明將0寫入該單元。消除存儲(chǔ)單元中所保存的信息：必須用一定波長的紫外光照射浮動(dòng)?xùn)牛关?fù)電荷獲取足夠 的能量，擺脫SiO2的包圍，以光電流的形式釋放掉，這時(shí)，原來存儲(chǔ)的信息也就不存在了。

6、由這種存儲(chǔ)單元所構(gòu)成的 ROM#儲(chǔ)器芯片，在其上方有一個(gè)石英玻璃的窗口，紫外線正是 通過這個(gè)窗口來照射其內(nèi)部電路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外線照射l520分鐘。2 . EPROMS片 Intel 2716Intel2716 是一種2Kx 8的EPROlW儲(chǔ)器芯片，雙列直插式封裝，24個(gè)引腳，其最基本的 存儲(chǔ)單元，就是采用如上所述的帶有浮動(dòng)?xùn)诺腗OS管，其它的典型芯片有l(wèi)etel 2732/27128/27512 等。（1） .芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)Intel 2716 存儲(chǔ)器芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖 4-13（b）所示，其主要組成部分包括：A71、24A6223A5322A4421A3520A26

7、19A1 718Ao817Oog16。11015O21114地1213VCCA 8AgVppOEAioCEO7O6O5O4O3f 二二二三 止一 U入輸址*A OA輸出允許片選和編程邏輯y譯碼x譯碼數(shù)據(jù)輸出OoO7*輸出緩沖y 門*-16K Bit 存儲(chǔ)矩陣(a)引腳分配圖(b)內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖圖4-13 Intel 2716的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳分配?存儲(chǔ)陣列；Intel2716存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)陣列由2Kx8個(gè)帶有浮動(dòng)?xùn)诺腗O第構(gòu)成，共可保 存2Kx 8位二進(jìn)制信息；? X譯碼器：又稱為行譯碼器，可對(duì) 7位行地址進(jìn)行譯碼；? Y譯碼器：又稱為列譯碼器，可對(duì) 4位列地址進(jìn)行譯碼；?輸出允許、片選和編程邏

8、輯：實(shí)現(xiàn)片選及控制信息的讀 /寫；?數(shù)據(jù)輸出緩沖器：實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出數(shù)據(jù)的緩沖。(2).芯片的外部結(jié)構(gòu)：Intel2716具有24個(gè)引腳，其引腳分配如圖4-13(a)所示，各引腳的功能如下：? Ai。A:地址信號(hào)輸入引腳，可尋址芯片的 2K個(gè)存儲(chǔ)單元；? O7O：雙向數(shù)據(jù)信號(hào)輸入輸出引腳；? CE :片選信號(hào)輸入引腳，低電平有效，只有當(dāng)該引腳轉(zhuǎn)入低電平時(shí)，才能對(duì)相應(yīng)的芯片進(jìn)行操作；? OE：數(shù)據(jù)輸出允許控制信號(hào)引腳，輸入，低電平有效，用以允許數(shù)據(jù)輸出；? Vcc： +5v電源，用于在線的讀操作；? VPP: +25v電源，用于在專用裝置上進(jìn)行寫操作；? GND 地。.Intel2716的工作方式與操

9、作時(shí)序讀方式這是Intel2716連接在微機(jī)系統(tǒng)中的主要工作方式。在讀操作時(shí)，片選信號(hào)CE應(yīng)為低電平,輸出允許控制信號(hào)OE也為低電平其時(shí)序波形如圖4-14所示。讀周期由地址有效開始，經(jīng)時(shí)間tACC后，所選中單元的內(nèi)容就可由存儲(chǔ)陣列中讀出，但能 否送至外部的數(shù)據(jù)總線，還取決于片選信號(hào) ce和輸出允許信號(hào)OEo時(shí)序中規(guī)定，必須從CE有 效經(jīng)過tcs時(shí)間以及從OE有效經(jīng)過時(shí)間toE,芯片的輸出三態(tài)門才能完全打開，數(shù)據(jù)才能送到數(shù) 據(jù)總線。圖4-14 Intel2716讀時(shí)序波形上述時(shí)序圖中參數(shù)的具體地址參考有關(guān)的技術(shù)手冊(cè)。CE除了讀方式外，2716還有如作方式：OE禁止方式；備用方式；輸出寫入方式；

10、校核方式;編程。四、電可擦除可編程序的 RO(Electronic Erasible Programmable ROM);若VG的極性相反也可以使電荷從浮動(dòng)電可擦除可編程序的 ROM&稱為EEPROMI3 PROMPRO雌子的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4-15所示。 它的工作原理與EPRO覺似，當(dāng)浮動(dòng)?xùn)派蠜]有電荷 時(shí)，管子的漏極和源極之間不導(dǎo)電，若設(shè)法使浮動(dòng) 柵帶上電荷，則管子就導(dǎo)通。在 UPROMfr,使浮 動(dòng)?xùn)艓想姾珊拖ル姾傻姆椒ㄅcEPROW是不同的。在E2PROW,漏極上面增加了一個(gè)隧道二 極管，它在第 二柵與漏極之間的電壓 VG的作用下（在電場(chǎng)的作 用下），可以使電荷通過它流向浮動(dòng)?xùn)牛?/p>

11、即起編程作用） 柵流向漏極（起擦除作用），而編程與擦除所用的電流是極小的，可用極普通的電源就可供給 VGE2PROM1另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是：擦除可以按字節(jié)分別進(jìn)行（不像 EPROM擦除時(shí)把整個(gè)芯片的內(nèi)容 全變成“1”）。由于字節(jié)的編程和擦除都只需要10ms并且不需特殊裝置，因此可以進(jìn)行在線的 編程寫入。常用的典型芯片有 2816/2817/2864等。五、快擦型存儲(chǔ)器（F1ash Memory）快擦型存儲(chǔ)器是不用電池供電的、高速耐用的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它以性能好、功耗 低、體積小、重量輕等特點(diǎn)活躍于便攜機(jī)（膝上型、筆記本型等）存儲(chǔ)器市場(chǎng)，但價(jià)格較貴?？觳列痛鎯?chǔ)器具有EEPROM特點(diǎn)，又可在計(jì)算機(jī)內(nèi)

12、進(jìn)行擦除和編程，它的讀取時(shí)間與DRA 相似，而寫時(shí)間與磁盤驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)?？觳列痛鎯?chǔ)器有5V或12V兩種供電方式。對(duì)于便攜機(jī)來講, 用5V電源更為合適?？觳列痛鎯?chǔ)器操作簡便，編程、擦除、校驗(yàn)等工作均已編成程序，可由配 有快擦型存儲(chǔ)器系統(tǒng)的中央處理機(jī)予以控制。快擦型存儲(chǔ)器可替代EEPROM在某些應(yīng)用場(chǎng)合還可取代SRAM尤其是對(duì)于需要配備電池后 援的SRA源統(tǒng)，使用快擦型存儲(chǔ)器后可省去電池?？觳列痛鎯?chǔ)器的非易失性和快速讀取的特點(diǎn)， 能滿足固態(tài)盤驅(qū)動(dòng)器的要求，同時(shí)，可替代便攜機(jī)中的ROM以便隨時(shí)寫入最新版本的操作系統(tǒng)。 快擦型存儲(chǔ)器還可應(yīng)用于激光打印機(jī)、條形碼閱讀器、各種儀器設(shè)備以及計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備中。

13、典型的芯片有27F256/28F016/28F020等。5. 4. 2存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展及其與系統(tǒng)總線的連接微機(jī)系統(tǒng)的規(guī)模、應(yīng)用場(chǎng)合不同，對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量、類型的要求也必 不相同，一般情況下，需要用不同類型，不同規(guī)格的存儲(chǔ)器芯片，通過適當(dāng)?shù)?硬件連接，來構(gòu)成所需要的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，這就是本節(jié)所需要討論的內(nèi)容。一、 存儲(chǔ)器芯片與CPU勺連接1. 引言在微型系統(tǒng)中，CPU寸存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫操作，首先要由地址總線給出地 址信號(hào)，選擇要進(jìn)行讀/寫操作的存儲(chǔ)單元，然后通過控制總線發(fā)出相應(yīng)的讀 /寫 控制信號(hào)，最后才能在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。所以，存儲(chǔ)器芯片與CPU之間的連接，實(shí)質(zhì)上就是其與系統(tǒng)總線的連接，包

14、括：? 地址線的連接；? 數(shù)據(jù)線的連接；? 控制線的連接；在連接中要考慮的問題有以下幾個(gè)方面：2. CPU總線的負(fù)載能力在設(shè)計(jì)CPUS片時(shí)，一般考慮其輸出線的直流負(fù)載能力，為帶一個(gè) TTL 負(fù)載。現(xiàn)在的存儲(chǔ)器一般都為 MOSI路，直流負(fù)載很小，主要的負(fù)載是電容 負(fù)載，故在小型系統(tǒng)中，CPU可以直接與存儲(chǔ)器相連的，而較大的系統(tǒng)中， 若CPU勺負(fù)載能力不能滿足要求，可以（就要考慮 CPUtt否帶得動(dòng)，需要時(shí) 就要加上緩沖器，）由緩沖器的輸出再帶負(fù)載。3. CPU勺時(shí)序和存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合問題CPUS取指和存儲(chǔ)器讀或?qū)懖僮鲿r(shí)，是有固定時(shí)序的，用戶要根據(jù)這些來確定對(duì)存儲(chǔ)器存取 速度的要求，或在

15、存儲(chǔ)器已經(jīng)確定的情況下，考慮是否需要Tw周期，以及如何實(shí)現(xiàn)。4,存儲(chǔ)器的地址分配和片選問題內(nèi)存通常分為RA防口 ROMS大部分，而RAMZ分為系統(tǒng)區(qū)（即機(jī)器的監(jiān)控程序或操作系統(tǒng)占 用的區(qū)域）和用戶區(qū)，用戶區(qū)又要分成數(shù)據(jù)區(qū)和程序區(qū)，ROM勺分配也類似，所以內(nèi)存的地址分 配是一個(gè)重要的問題。另外，目前生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片，單片的容量仍然是有限的，通?？偸且?由許多片才能組成一個(gè)存儲(chǔ)器，這里就有一個(gè)如何產(chǎn)生片選信號(hào)的問題。5.控制信號(hào)的連接CPUft與存儲(chǔ)器交換信息時(shí)，通常有以下幾個(gè)控制信號(hào)（對(duì)8088/8086來說）：TO/M（IQZ M ）, RD, WR以及WAIT信號(hào)。這些信號(hào)如何與存儲(chǔ)器要求的

16、控制信號(hào)相連， 以實(shí)現(xiàn)所需的控制功能。二、存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片擴(kuò)展的方法有以下兩種：1 .存儲(chǔ)器芯片的位擴(kuò)充適用場(chǎng)合：存儲(chǔ)器芯片的容量滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求,但其字長小于存儲(chǔ)器系統(tǒng) 的要求。例1用1KX 4的2114芯片構(gòu)成IKX8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由于每個(gè)芯片的容量為1K,故滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量要求。但由于每個(gè)芯片只能提供4位數(shù)據(jù)，故需用2片這樣的芯片，它們分別提供4位數(shù)據(jù)至系統(tǒng)的數(shù)據(jù)總線，以滿足存儲(chǔ)器系 統(tǒng)的字長要求。設(shè)計(jì)要點(diǎn)：將每個(gè)芯片的10位地址線按引腳名稱一一并聯(lián)，按次序逐根接至系統(tǒng)地址總線的低10位。數(shù)據(jù)線則按芯片編號(hào)連接，1號(hào)芯片的4位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的 D0-D

17、3, 2號(hào)芯片 的4位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的 D-D7。兩個(gè)芯片的WE端并在一起后接至系統(tǒng)控制總線的存儲(chǔ)器寫信號(hào)（如CPM 8086/8088,也可 由WR和IQ/M或IQ/M的組合來承擔(dān)）。CS引腳也分別并聯(lián)后接至地址譯碼器的輸出，而地址譯碼器的輸入則由系統(tǒng)地址總線的高位 來承擔(dān)。具體連線見圖4-16。當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，系統(tǒng)根據(jù)高位地址的譯碼同時(shí)選中兩個(gè)芯片，而地址碼的低位也同時(shí)到 達(dá)每一個(gè)芯片，從而選中它們的同一個(gè)單元。在讀/寫信號(hào)的作用下，兩個(gè)芯片的數(shù)據(jù)同時(shí)讀出， 送上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出，或者同時(shí)將來自數(shù)據(jù)總線上的字節(jié)數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器。A11M/IO A10 A9 A08

18、088 wrD0D3 D4D7YoA譯碼器A02114(1)CS9A .2114A0(2) WEI/OI/OWEI/O I/O（假設(shè)只考慮16圖4-16用2114組成1KX 8的存儲(chǔ)器連線根據(jù)硬件連線圖，我們還可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下:位地址）地址碼芯片的地址范圍A15 . A12 A 11 A 10 A 9 . A 0XX 00 000 0 0 0 H:：XX 00 110 3 F F H:x表示可以任選值，在這里我們均選 0。這種擴(kuò)展存儲(chǔ)器的方法就稱為位擴(kuò)展，它可以適用于多種芯片，如可以用 8片2164A組成 一個(gè)64Kx 8的存儲(chǔ)器等。2 .存儲(chǔ)器芯片的字?jǐn)U充適用場(chǎng)合：

19、存儲(chǔ)器芯片的字長符合存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求.但其容量太小。例2用2Kx 8的2716A存儲(chǔ)器芯片組成8Kx 8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由千每個(gè)芯片的字長為8位，故滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的字長要求。但由于每個(gè)芯片只能提供2K個(gè)存儲(chǔ)單元，故需用4片這樣的芯片，以滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量要求。設(shè)計(jì)要點(diǎn)：同位擴(kuò)充方式相似。先將每個(gè)芯片的11位地址線按引腳名稱一一并聯(lián)，然后按次序逐根接至系統(tǒng)地址總線的低11位。將每個(gè)芯片的8位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的 D0-D7O兩個(gè)芯片的 衛(wèi)端并在一起后接至系統(tǒng)控制總線的存儲(chǔ)器讀信號(hào)（這樣連接的原因同位擴(kuò)充方式），它們的CE引腳分別接至地址譯碼器的不同輸出，地址譯碼器的輸入則由系統(tǒng)地址

20、總線的高位 來承擔(dān)。連線見圖4-17。A12A11M/IOA10A08088 rdD0 D7*譯碼器3 2 10YYYYA10CEA0 2176 OEOo O7圖4-17用2716組成8KX 8的存儲(chǔ)器連線當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，根據(jù)高位地址的不同，系統(tǒng)通過譯碼器分別選中不同的芯片，低位地址 碼則同時(shí)到達(dá)每一個(gè)芯片，選中它們的相應(yīng)單元。在讀信號(hào)的作用下，選中芯片的數(shù)據(jù)被讀出， 送上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出。同樣，根據(jù)硬件連線圖，我們也可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下表：(假設(shè)只考慮16位地址)地址碼芯片的地址范圍對(duì)應(yīng)芯片編號(hào)Ais . A 13 A12 A11 A 10 A 9 .

21、A 0XX 0 0 0 000 0 0 0 H27M6-1XX 0 0 1 110 7 F F HXX 0 1 0 000 8 0 0 H2：16-2XX 0 1 1 110 F F F HXX 1 0 0 001 0 0 0 H2：16-3XX 1 0 1 111 7 F F HXX 1 1 0 001 8 0 0 H2716-4XX 1 1 1 11 .1 F F F Hx表示可以任選值，在這里我們均選 0這種擴(kuò)展存儲(chǔ)器的方法就稱為字?jǐn)U展，它同樣可以適用于多種芯片，如可以用 8片27128(16kX8)組成一個(gè)128Kx 8的存儲(chǔ)器等。3.同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充與字?jǐn)U充適用場(chǎng)合：存儲(chǔ)器芯片的字長和

22、容量均不符合存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求,這時(shí)就需要用多片這樣的芯 片同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充和字?jǐn)U充，以滿足系統(tǒng)的要求。例3用1KX 4的2114芯片組成2Kx 8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由于芯片白字長為4位，因此首先需用采用位擴(kuò)充的方法，用兩片芯片組成1KX 8的存儲(chǔ)器。再采用字?jǐn)U充的方法來擴(kuò)充容量，使用兩組經(jīng)過上述位擴(kuò)充的芯片組來完成。設(shè)計(jì)要點(diǎn)：每個(gè)芯片的10根地址信號(hào)引腳直接接至系統(tǒng)地址總線的低 10位，每組兩個(gè)芯片的4 位數(shù)據(jù)線分別接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的高/低四位。地址碼的A10、Ai經(jīng)譯碼后的輸出，分別作為兩組 芯片的片選信號(hào)，每個(gè)芯片的WE控制端直接接到CPU的讀/寫控制端上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的讀/ 寫控制。硬

23、件連線如圖4-18圖4-18 用2114組成2Kx 8的存儲(chǔ)器連線當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，根據(jù)高位地址的不同，系統(tǒng)通過譯碼器分別選中不同的芯片組，低位地址碼則同時(shí)到達(dá)每一個(gè)芯片組，選中它們的相應(yīng)單元。在讀/寫信號(hào)的作用下，選中芯片組的數(shù)據(jù)被讀出，送上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出，或者將來自數(shù)據(jù)總線上的字節(jié)數(shù)據(jù)寫入 芯片組。同樣，根據(jù)硬件連線圖，我們也可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下：（假設(shè)只考慮16位地址）地址碼芯片組的地址范圍對(duì)應(yīng)芯片組編號(hào)Al5 . A 13 A 12 A 11 A 10 A 9 . A 0XXX 0 0 000 0 0 0H2114-1XXX 0 0 110 3 F

24、F:HXXX 0 1 000 4 0 (H2114-2XXX 0 1 110 7 FF:HX表示可以任選值，在這里我們均選 0思考：從以上地址分析可知、此存儲(chǔ)器的地址范圍是 0000H-07FFH如果系統(tǒng)規(guī)定存儲(chǔ)器的地址 范圍從0800H開始，并要連續(xù)存放，對(duì)以上硬件連線圖該如何改動(dòng)呢？由于低位地址仍從 0開始，因此低位地址仍直接接至芯片組。于是，要改動(dòng)的是譯碼器和高位地址的連接。我們可以將兩個(gè)芯片組的片選輸入端分別接至譯碼器的丫2和丫3輸出端，即當(dāng)Al、A10為10時(shí)，選中2114-1,則該芯片組的地址范圍為 0800H-0BFFH,而當(dāng)Ai、A10為11時(shí)， 選中2114-2,則該芯片組的

25、地址范圍為0C00H-0FFFH同時(shí)，保證高位地址為0（即A15-A12為0）。這樣，此存儲(chǔ)器的地址范圍就是 0800H-0FFFHT。（具體連線自A10 .o一去后一頁 己考慮）r以上例子所采用的片選控制的譯碼方式稱為全譯碼方式,前一頁這種譯碼電路較復(fù)雜，但是，由此選中的每一組的地址是確定MREQ且唯一的。有時(shí)，為方便起見，也可以直接用高位地址（如A。一A15中的任一位）來控制片選端。例如用A0來控制，如圖所示。粗看起來，這兩組的地址分配與全譯碼時(shí)相同，但是當(dāng)用A。這一個(gè)信號(hào)作為片選控制時(shí)，只要A° = 0, A11A5可為任意值都選中第一組；而只要A0=1, AiA5可為任意值都選中第二組。 這種選片控制方式稱為線選法。線選法節(jié)省譯碼電路，設(shè)計(jì)簡單，但必須注意此時(shí)芯片的地址分布以及各自的地址重疊區(qū)， 以免出現(xiàn)錯(cuò)誤。例4 一個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括2K RAM?0 8K ROM分別用1KX 4的2114芯片和2Kx 8的2716芯片 組成。要求ROM勺地址從1000H開始，RAM勺地址從3000H開始。完成硬件連線及相應(yīng)的地址分 配表。圖4-20 2K RAM 和8K ROMS儲(chǔ)器系統(tǒng)