IGBT的檢測(cè)方法

1、測(cè)試方法（晶川）：萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面：若IGBT損壞一般可以測(cè)出；但是若IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其他雷同）IGBT 的 EC 之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)，即損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其他雷同）新IGBT紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔1-2無(wú)窮大斷路2-1無(wú)窮大斷路4-3無(wú)窮大斷路3-4無(wú)窮大斷路8-10無(wú)窮大斷路10-80.447

2、M0.3249-8無(wú)窮大斷路8-90.448M0.3245-4無(wú)窮大斷路4-5無(wú)窮大斷路3-1無(wú)窮大斷路1-3無(wú)窮大斷路測(cè)試方法：用萬(wàn)用表二極管檔位測(cè)量IGBT，除下圖所示外，測(cè)得結(jié)果均為無(wú)窮大。如果測(cè)得IGBT三個(gè)引腳間電阻均很小，則說(shuō)明該管已經(jīng)擊穿損壞；若測(cè)得IGBT三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大，說(shuō)明該管已經(jīng)開(kāi)路損壞。實(shí)際維修中IGBT多為擊穿損壞。檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡(jiǎn)易方法1、 判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1K擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得

3、阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。2、 判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10K擋，用黑表筆接IGBT 的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。3、 注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用

4、表?yè)茉赗×10K擋，因R×1K擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。變頻器、軟起動(dòng)器、PLC、人機(jī)界面、低壓電器、電氣自動(dòng)化工程、恒壓供水設(shè)備、音樂(lè)噴泉控制系統(tǒng)、變頻器維修等。電話傳真：http:/ E-mail：西安銀海機(jī)電科技開(kāi)發(fā)公司(西安變頻器維修中心)IGBT的定義：IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的代號(hào)。也稱為絕緣門極晶體管。由于IGBT內(nèi)具有寄生晶

5、閘管，所以也稱作絕緣門極晶閘管。由于它將功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和功率晶體管（GTR）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又有通態(tài)電壓低、耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。因此，很適合作焊接電源的逆變開(kāi)關(guān)用。給逆變焊接電源的發(fā)展帶來(lái)更廣闊前景。絕緣門極雙極型晶體管本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層。因此，國(guó)際電工委員會(huì)IEC規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發(fā)射極E，漏極引出的電極端稱為集電極C。 GECN溝道IGBT的圖形符號(hào)如下： IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)施加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使其開(kāi)通。反之，施加反向柵極

6、電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使其關(guān)斷。IGBT的檢測(cè)方法：移去IGBT的連線，觀察IGBT的外觀是否有損壞。檢查IGBT的G1-E1和G2-E2之間是否導(dǎo)通，如果導(dǎo)通，則IGBT損壞。l 用9V電池給門極G（）和發(fā)射極E（）施加正電壓，測(cè)量集電極C和發(fā)射極E的導(dǎo)通情況。l 用9V電池給門極G（）和發(fā)射極E（）施加反向電壓，以使IGBT關(guān)斷。l 用指針式萬(wàn)用表測(cè)量E1C1、E2C2間的導(dǎo)通情況，應(yīng)為E1C1、E2C2方向單向?qū)ā?萬(wàn)用表檢測(cè)IGBT管的方法     這里以單個(gè)igbt管為例（內(nèi)含阻尼二極管），igbt管的好壞可用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量pn結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將igbt管三只引腳短路放電，使igbt的ce腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度；數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)試ce兩腳正反壓降，正常情況下，igbt管的c、e極間正向壓降約為0350.7v間都是好的,反相電壓為無(wú)窮大。           （內(nèi)不含阻尼二極管），igbt管的c、e極間正向,反相壓降均為無(wú)窮大。    如果測(cè)得igbt管三個(gè)引腳間壓降很小，igbt管以壞；若測(cè)得igbt管ce引腳間壓降均為無(wú)窮