第01章電介質(zhì)的電氣強(qiáng)度_第1頁
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1、第一篇電介質(zhì)的電氣強(qiáng)度1電介質(zhì)的電介質(zhì)在電氣中作為絕緣材料使用,按其物質(zhì)形態(tài),可分為:Ø 氣體介質(zhì)Ø 液體介質(zhì)Ø 固體介質(zhì)29外絕緣:由氣體介質(zhì)(空氣)和固體絕緣(絕緣子)聯(lián)合9內(nèi)絕緣:由固體介質(zhì)和液體介質(zhì)聯(lián)合3電氣的外絕緣和內(nèi)絕緣9弱電場(chǎng):電場(chǎng)強(qiáng)度比擊穿場(chǎng)強(qiáng)小得多電介質(zhì)的極化、電導(dǎo)、介質(zhì)損耗等電氣現(xiàn)象9強(qiáng)電場(chǎng):電場(chǎng)強(qiáng)度等于或大于起始放電場(chǎng)強(qiáng)或擊穿場(chǎng)強(qiáng)電介質(zhì)的放電、閃絡(luò)、擊穿特性4不場(chǎng)下電介質(zhì)的電氣現(xiàn)象研究氣體放電的目的:ü 了解氣體在高電壓(強(qiáng)電場(chǎng))作用下逐步由電介質(zhì)演變成導(dǎo)體的物理過程ü 掌握氣體介質(zhì)的電氣強(qiáng)度ü 學(xué)會(huì)如何選擇合適

2、的絕緣距離以及如何提高氣體間隙的擊穿電壓5第一章 氣體放電的基本物理過程ü 了解氣體擊穿電壓與電場(chǎng)分布、電壓種類、氣體狀態(tài)的電氣中常用氣體作為絕緣介質(zhì),常用的氣體介質(zhì):空氣、SF6及其混合氣體6研究氣體放電的目的(續(xù)):氣體放電過程:在電場(chǎng)作用下,氣隙中帶電粒子的形成和過程。問題的提出:1、氣隙中帶電粒子是如何形成的?2、氣隙中的導(dǎo)電通道是如何形成的?3、氣隙中導(dǎo)電通道形成后是如何維持持續(xù)放電的?7一、帶電粒子在氣體中的各種粒子在氣體中時(shí)不斷地相互碰撞,任一粒子在1cm的行程中所遭遇的碰撞次數(shù)與氣體分子的半徑和關(guān)。有行程中的碰撞次數(shù)的即為該粒子的平均自倒數(shù) l由行程長(zhǎng)度。81.平均行

3、程1.平均行程公式由氣體動(dòng)力學(xué)可知,平均行程長(zhǎng)度:rPTk:氣體分子半徑kTl=:大氣pr2P:氣溫:常數(shù)9在外界因素作用下,其從處在距核較近的低能態(tài)軌道躍遷到離核較遠(yuǎn)的較高能態(tài)的軌道,這個(gè)過程稱為激勵(lì)。如果獲得的外加能量足夠大,其將擺脫核的約束而成為。102.激勵(lì)在外界因素作用下,其核的約束而成為受到激勵(lì),這一現(xiàn)象擺脫稱為電離。被分解成兩種帶電粒子和正離子。使能。電離出來所需的最小能量稱為電離113.電離在電場(chǎng)作用下,被而獲得動(dòng)能。當(dāng)電子的動(dòng)能滿足如下條件時(shí),將引起碰撞電離:m1³v 2Weei2me的質(zhì)量;ve的速度;Wi氣體分子的電離能。碰撞電離的形成與電場(chǎng)強(qiáng)度和平均的大小有關(guān)

4、行程12電離形式一:碰撞電離當(dāng)氣體分子受到光輻射時(shí),如光子能量滿足下面條件,將引起光電離,分解成和正離子:n ³常數(shù)hWih6.62×10-27爾格·秒。h頻率(光是頻率不同的電磁輻射,也具有粒子性,稱)13電離形式二:光電離導(dǎo)致氣體光電離的光子可以由自然界(如空中的紫外線、宇宙射線等)或人為照射(如紫外線、x射線等)提供,也可以由氣體放電過程本身產(chǎn)生。14光子的產(chǎn)生一切因氣體熱狀態(tài)引起的電離過程稱為熱電離。:9隨著溫度升高氣體分子動(dòng)能增加引起的碰撞電離;9高溫下高能熱輻射光子引起的光電離。15電離形式三:熱電離a、正離子碰撞陰極正離子碰撞陰極時(shí)使逸出金屬(傳遞的

5、能量要大于逸出功)。逸出的有一個(gè)和。時(shí)才能出正離子結(jié)為,其余的成為因此正離子必須碰撞出一個(gè)以上現(xiàn)。b、光電效應(yīng)金屬表面受到光的照射,于逸出功時(shí),金屬表面放射出的能量大。16電離形式四:金屬(陰極)的表面電離c、強(qiáng)場(chǎng)放射(冷放射)當(dāng)陰極附近所加外電場(chǎng)足夠強(qiáng)時(shí),使陰極放射出d、熱放射當(dāng)陰極被加熱到很高溫度時(shí),其中的獲得巨大動(dòng)能,逸出金屬。17電離形式四:金屬(陰極)的表面電離(續(xù))正離子和負(fù)離子或相遇,發(fā)生電荷的傳遞而互相中和、還原為分子的過程稱為復(fù)合過程。在帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合過程會(huì)以光子的形式能量,產(chǎn)生光輻射。這種光輻射在一定條件下有可能成為導(dǎo)致電離的因素(如流柱理論中二次起因)。崩的184.帶電質(zhì)

6、點(diǎn)的復(fù)合在外電離因素作用下,從陰極產(chǎn)生的第一個(gè)起始從電場(chǎng)獲得一定動(dòng)能后,會(huì)碰撞電離出一個(gè)第二代,這兩個(gè)作為新的第一代,又將電離出新的第二代電,這樣一代一代不斷增加,如同冰山上發(fā)生雪崩一崩。19子,這時(shí)空間已四個(gè)的過程,會(huì)使帶電質(zhì)點(diǎn)迅樣。這一劇增的流稱為二、氣體放電過程的描述:崩理論崩理論崩具顯,集中在崩頭,尾部為正離子20為了定量分析氣隙中氣體放電過程,引入三個(gè)系數(shù):系數(shù):代表一個(gè)沿著電場(chǎng)方向行經(jīng)1cm9長(zhǎng)度,平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù);ü b系數(shù):代表一個(gè)正離子沿著電場(chǎng)方向行經(jīng)1cm長(zhǎng)度,平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù);系數(shù):表示折合到每個(gè)碰撞陰極表面的正離9子,使陰極金屬表面平均出的數(shù)。21

7、崩理論崩中數(shù)目的計(jì)算ü 一個(gè)產(chǎn)生的從陰極到陽極數(shù)N:dòa dxa ed=Ne0ü 一個(gè)從陰極到陽極產(chǎn)生的正離子數(shù)為:e a d-122ü 輝光放電:整個(gè)空間發(fā)光,電流壓、電源功率??;霓虹燈小;低氣9火花放電:有收細(xì)的發(fā)光放電通道、貫穿兩極的斷續(xù)的明亮火花;大氣壓下、電源功率小9電暈放電:緊貼尖電極周圍有一層暈光;極不均勻場(chǎng)23氣體放電的主要形式ü 刷狀放電:從電暈放電電極中伸出許多較明亮的細(xì)放電通道;極不均勻場(chǎng)9電弧放電:放電通道和電極的溫度都很高,電流率大大,電路有短路特征;電源功24氣體放電的主要形式(續(xù))Ø 外施電壓小于U0時(shí)

8、,間隙內(nèi)電流數(shù)值很小,間隙還未被擊穿,這時(shí)電流要依靠外電離因素來維持,如果取消外電離因素,電流將消失。這類放電稱為非自持放電。25非自持放電Ø 當(dāng)電壓達(dá)到U0 后,氣體中發(fā)生了強(qiáng)烈的電離,電流劇增,其中的電離只靠電場(chǎng)的作用自行維持,不再需要外電離因素。這種放電形式稱為自持放電。26自持放電Ø 均勻電場(chǎng):任意位置的自持放電將迅速引起氣體間隙擊穿,放電的起始電壓U0為擊穿電壓;Ø 非均勻電場(chǎng):當(dāng)電壓達(dá)到U0后,出現(xiàn)電暈,U0為電暈起始電壓,電壓繼續(xù)升高,相繼出現(xiàn)刷狀放電、火化放電(或電弧放電)。27放電的發(fā)展過程氣體擊穿的兩個(gè)基本理論:¾理論¾流注

9、理論28均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿過過程過程:對(duì)應(yīng)于起始形成崩的過程;數(shù)N一個(gè)從陰極到陽極產(chǎn)生的:dòadxa ed=Ne029過程:發(fā)射二次描述了離子崩到達(dá)陰極后,將引起陰極的過程。一個(gè)正離子從陰極轟出的個(gè)數(shù):e a dg(-1)擊穿過程:上述兩個(gè)過程交替重復(fù)進(jìn)行,數(shù)目越來越多,最終導(dǎo)致?lián)舸1罋庀稉舸?0機(jī)理(續(xù))e a d -(g)³11自持放電條件:表示由過程在陰極上重新發(fā)射一個(gè),這時(shí)不再需要外電離因素,就能使電離維持發(fā)展了,即轉(zhuǎn)入自持放電。理論的實(shí)質(zhì):碰撞電離是氣體放電的主要,二次極表面溢出條件。來源于正離子撞擊陰極表面,使陰,溢出是維持氣體放電的必要31機(jī)理的結(jié)論1、簡(jiǎn)

10、述崩理論。2、什么是自持放電和非自持放電?3、簡(jiǎn)述機(jī)理和結(jié)論。本節(jié)完32思考題第一章氣體放電的基本物理過程(續(xù))33物理學(xué)家在理論提出之前從實(shí)驗(yàn)中得出P與極間距離 d擊穿電壓是氣壓的乘積(或氣d與極間距離 d體相對(duì)的乘積)的函數(shù)34定律擊穿電壓有最小值35定律形成自持放電需要達(dá)到一定的電離數(shù)a d,而這又決定于碰撞次數(shù)與電離概率的乘積,如果d固定,則當(dāng)p增大時(shí),碰撞次數(shù)將增加,而電離概率將減小。因此在某個(gè)p值下a d 有最大值,從而擊穿電壓達(dá)到最??;另一方面,如果p固定,則當(dāng)d增大時(shí),碰撞次數(shù)將增加,而E=U/d減小,電離概率減小,因此在某個(gè)d值下a d 有最大值,從而擊穿電壓達(dá)到最小值36擊

11、穿電壓有最小值的解釋定律可知,由于在P很大或P很根據(jù)小時(shí),擊穿電壓都較高,可采用提高氣壓或降低氣壓到高度真空來提高氣隙的擊穿電壓機(jī)理在 Pd定律與較小時(shí)相一致37定律適用范圍:低氣壓,短氣隙,pd<200cm.mmHg工程上pd較大:實(shí)際與理論的差別:放電外形:放電在整個(gè)間隙中均勻連續(xù)(輝光),而火花放電帶有分支的明亮細(xì)通道放電時(shí)間:由正離子遷移率計(jì)算出的放電時(shí)間比實(shí)際火花放電時(shí)間長(zhǎng)得多陰極材料:理論上有關(guān),實(shí)際中無關(guān)38機(jī)理的適用范圍碰撞電離:形成崩,是維持自持放電的主要因素空間光電離:形成衍生要因素崩,是維持自持放電的主空間電荷畸變電場(chǎng)的作用:為衍生崩創(chuàng)造了條件流注:由大量正負(fù)離子混

12、合形成的等離子體通道(導(dǎo)電性能良好)擊穿過程:崩流注發(fā)展延伸擊穿39流注機(jī)理崩前方和尾部處的電場(chǎng)增強(qiáng), 強(qiáng)場(chǎng)區(qū)的中間部分場(chǎng)強(qiáng)小,復(fù)合產(chǎn)生光電離E: 外加電場(chǎng)exE¢: 正空間電荷與負(fù)極板產(chǎn)生的電場(chǎng)E¢¢:正空間電荷與負(fù)空間電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)E¢¢¢:負(fù)空間電荷與正極板產(chǎn)生的電場(chǎng):空間電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)與外加電場(chǎng)疊加E后的實(shí)際電場(chǎng)40崩空間電荷對(duì)電場(chǎng)的畸變初崩頭部放出的光子在崩頭前方和崩尾后方引起空間光電離并形成二次崩,以及它們和初崩匯合的過程當(dāng)外施電壓為氣隙最低擊穿電壓時(shí),光子在崩尾衍,從正極板出發(fā)。41正流注的產(chǎn)生電極間所加電壓等于自持放電

13、起始電壓,初崩跑完這個(gè)氣隙,其頭部才能積聚到足夠的數(shù)而引起流注(a) 初崩跑完整個(gè)氣隙后流注(b)出現(xiàn)流注的區(qū)域從陽極向陰極方向推移(c)流注放電所產(chǎn)生的等離子通道短接了兩個(gè)電極,氣隙被擊穿。42從崩到流注的轉(zhuǎn)換自持放電條件:起始崩頭部電荷數(shù)量足以畸變電場(chǎng)造成足夠的空間光電離g e a d=1g是一常數(shù),工程上認(rèn)為:a d=20Pd定律與流注機(jī)理在較大時(shí)相一致43流注機(jī)理的結(jié)論放電外形:衍生崩的發(fā)展具有不同的方位,所以流注的推進(jìn)不可能均勻,隨機(jī)性使其曲折分支;放電時(shí)間:光子以光速傳播,衍生崩跳躍式發(fā)展,因此放電發(fā)展時(shí)間很短;陰極材料的影響:維持放電的是光電離而不是表面電離,因而與陰極材料無關(guān)。

14、44流注理論對(duì) Pd 很大空間時(shí)放電現(xiàn)象的解釋極不均勻電場(chǎng)中氣體擊穿的發(fā)展過程現(xiàn)實(shí)和工程中常見的氣體放電4546均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)示意圖a、顯著的極性效應(yīng):施加電壓的極性對(duì)放電過擊穿電壓影響很大b、較長(zhǎng)的放電時(shí)延:需要足夠的發(fā)展時(shí)間(電壓要持續(xù)一定時(shí)間才可擊穿)c、短間隙、長(zhǎng)間隙、超長(zhǎng)間隙各不相同d、可能出現(xiàn)各種放電形式:電暈、刷狀、火花、弧光放電等e、只能用流注機(jī)理來解釋471、極不均勻電場(chǎng)擊穿的特點(diǎn)隨著加在間隙上電壓的提高,間隙中的放電過程為:崩 流注 主放電(擊穿)482、短間隙的擊穿過程(以棒 板間隙為例)正極性電暈起始電壓高;負(fù)極性電暈起始電壓低正負(fù)難以形 成流注容易形成 流注4

15、9 板間隙極性效應(yīng)1正極性擊穿電壓低;負(fù)極性擊穿電壓高負(fù)正流注逐步頓 挫發(fā)展:流注順利持續(xù)發(fā)展50 板間隙極性效應(yīng) 2:(棒 板間隙距離大于1米)9在長(zhǎng)間隙放電中,流注匯集,形成通道狀且不斷發(fā)展,稱為先導(dǎo)放電先導(dǎo)通道中由于電流較大,溫度很高,出現(xiàn)熱電離,因而電導(dǎo)更大,可以將電極的電位傳到先導(dǎo)通道的端部9513、長(zhǎng)間隙中的先導(dǎo)放電9先導(dǎo)發(fā)展的速度和回路中電阻有很大關(guān)系,發(fā)展越來越快523、長(zhǎng)間隙中的先導(dǎo)放電(續(xù))崩 流注 先導(dǎo) 主放電(擊穿)先導(dǎo)形成:a、電場(chǎng)極不均勻、施加電壓很高b、棒極周圍產(chǎn)生大量流注并向棒極匯聚c、匯聚的流注通道電流很大,發(fā)熱,產(chǎn)生熱電離 先導(dǎo)通道:在棒極前方造成的熾熱的等

16、離子體通道,具有相當(dāng)高的電導(dǎo)和很小的軸向電場(chǎng)534、長(zhǎng)間隙的擊穿過程a、極性效應(yīng):正先導(dǎo)順利持續(xù)發(fā)展;負(fù)先導(dǎo)逐級(jí)頓挫發(fā)展正棒擊穿電壓低b、先導(dǎo)的實(shí)質(zhì)是繼流注發(fā)展起來的二次過程,在放電發(fā)展過程中建立了熾熱的導(dǎo)電通道,使得長(zhǎng)間隙的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)低于短間隙c、擊穿電壓隨間隙的增長(zhǎng)而趨于飽和545、長(zhǎng)間隙擊穿的特點(diǎn)9當(dāng)先導(dǎo)頭部流注即將到達(dá)板極時(shí),立刻有一個(gè)放電過程從 板 極 向 棒 極 發(fā)展,稱為主放電556、極不均勻電場(chǎng)中的主放電過程9主放電發(fā)展速度比先導(dǎo)快得多9主放電通道溫度更 高 , 明 亮 得多,電導(dǎo)更大, 回路具有短路性質(zhì)566、極不均勻電場(chǎng)中的主放電過程a、電暈放電現(xiàn)象:尖極周圍有發(fā)光層,

17、可聽到咝咝聲,聞到臭氧氣味b、空間電荷的作用:外層的空間電荷與尖極極性相同,使得電暈層中的場(chǎng)強(qiáng)基本不變,使放電趨于c、兩種形式:形式崩形式(電極很尖)和流注577、極不均勻電場(chǎng)中的電暈放電d、脈沖現(xiàn)象:外層空間電荷阻止放電發(fā)展,形成有規(guī)律的脈沖;進(jìn)入刷狀放電后, 形成隨機(jī)脈沖e、發(fā)展過程:無規(guī)律小電流有規(guī)律重復(fù)脈沖脈沖頻率增大轉(zhuǎn)入持續(xù)電暈,無脈沖現(xiàn)象隨機(jī)脈沖進(jìn)入刷狀放電,出現(xiàn)58極不均勻電場(chǎng)中的電暈放電(續(xù))1、簡(jiǎn)述流注機(jī)理和結(jié)論。2、流注理論和較。理論各自適用的條件比3、極不均勻電場(chǎng)擊穿有哪些特點(diǎn)?4、簡(jiǎn)述長(zhǎng)間隙的放電過特點(diǎn)。5、簡(jiǎn)述極不均勻電場(chǎng)中的主放電過程。本節(jié)完59思考題第一章 氣體放

18、電的基本物理過程60¾沿面放電的概念¾沿面放電界面電場(chǎng)分布與特點(diǎn)¾沿面放電電壓的影響因素¾固體表面有水膜時(shí)的沿面放電(濕閃放電)¾絕緣子污染狀態(tài)下的沿面放電(污閃放電)¾污閃事故的對(duì)策61第八節(jié) 沿面放電及防污對(duì)策沿面放電:指沿氣體介質(zhì)與固體介質(zhì)的交界面上發(fā)展的一種特殊的氣體放電現(xiàn)象氣體中沿著固體絕緣表面放電的形式有:沿面:尚未發(fā)生擊穿的放電形式沿面閃絡(luò):沿面擊穿的放電現(xiàn)象一、沿面放電概念電中絕緣子、套管等固體絕緣在機(jī)械上對(duì)高壓導(dǎo)體起固定作用,又在電氣上起絕緣作用,其絕緣狀況關(guān)系到整個(gè)電的可靠運(yùn)行。1、絕緣子:導(dǎo)體與地之間絕緣和連接支

19、柱絕緣子懸式絕緣子可能發(fā)生沿面放電的電氣電流互感器氧化鋅避雷器2、瓷套:用作電氣內(nèi)絕緣的容器變壓器套管3、套管:用作穿過電器外殼和墻體電容式穿墻套管663、套管:用作穿過電器外殼和墻體Ø 固體介質(zhì)擊穿:一旦發(fā)生擊穿,即意味著不可逆轉(zhuǎn)地喪失絕緣功能。Ø 沿介質(zhì)表面發(fā)生閃絡(luò):由于大多數(shù)絕緣子以電瓷、等硅酸鹽材料組成,所以沿著它們的表面發(fā)生放電或閃絡(luò)時(shí),的外絕緣,導(dǎo)致絕緣子的永久性損壞。電均為自恢復(fù)絕緣,因?yàn)榻^緣子閃絡(luò)或空氣間隙擊穿后,只要切除電源,它們的絕緣性能都能很快地自動(dòng)徹底恢復(fù)。絕緣功能的喪失可以分為以下兩種情況沿固體介質(zhì)表面的閃絡(luò)電壓不但比固體介質(zhì)本身的擊穿電壓低得多,

20、而且也比極間距離相同的純氣隙的擊穿電壓低不少。輸電線路和變電所外絕緣的實(shí)際絕緣水平取決于它的沿面閃絡(luò)電壓。它與燥、潮濕或清潔、污染有較大表面的干。沿面放電的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象¾干閃放電¾濕閃放電¾污閃放電沿面閃絡(luò)電壓很低,閃絡(luò)可能在工作電壓下發(fā)生¾放電氣體沿面放電的主要類型界面電場(chǎng)分布可分為3種典型情況,見下圖二、沿面放電界面電場(chǎng)分布與特點(diǎn)Ø (a)固體介質(zhì)處于均勻電場(chǎng)中,界面與電力線平行,這種情況工程實(shí)際中少見,但實(shí)際中 會(huì)遇到不少固體介質(zhì)處于稍不均勻電場(chǎng)的情況。放電現(xiàn)象與均勻場(chǎng)相似均勻電場(chǎng)中的固體介質(zhì)Ø (b)固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中,且

21、界面電場(chǎng)的垂直分量En比平行于表面的切線分量Et要大得多(套管)72極不均勻電場(chǎng)中的固體介質(zhì)Ø (c)固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中,但大部分界面上的電場(chǎng)切線分量Et大于垂直分量En(支柱絕緣子)73極不均勻電場(chǎng)中的固體介質(zhì)圖(a) 平板電場(chǎng)電極間一塊固體介質(zhì),沿面閃絡(luò)電壓比純空氣時(shí)下降很多,如下:Ø 大氣中的潮氣吸附到固體介質(zhì)的表面形成膜,電極表面集聚了電荷,沿面電壓變得不均勻, 降低了閃絡(luò)電壓。Ø 固體介質(zhì)與電極表面接觸不良,小氣隙Ø 固體表面電阻的不均勻和粗糙不平造成電場(chǎng)畸變。(一)均勻和稍不均勻電場(chǎng)中的沿面放電(套管)機(jī)理:帶電離子撞擊介質(zhì)表面,使局

22、部溫度升高,導(dǎo)致熱電離外施電壓升高電壓超過某一值電壓再升高一些電暈放電輝光放電放電沿面閃絡(luò)(二)極不均勻電場(chǎng)且具有強(qiáng)垂直分量時(shí)的沿面放電理論分析等值電路:由固體介質(zhì)表面電阻, 比電容和體積電阻表面電阻Rs :介質(zhì)的表面電阻比電容C0:介質(zhì)表面面積面積對(duì)另一電極(導(dǎo)桿)的電容體積電阻G1:與C0并聯(lián)的介質(zhì)體積電阻(略去)(二)極不均勻電場(chǎng)且具有強(qiáng)垂直分量時(shí)的沿面放電理論分析U虛線為 C00時(shí)的 電壓分布x0介質(zhì)表面電壓不均勻分布:由于靠近處的Rs中流過的電流大于遠(yuǎn)離法蘭處的Rs中的電流;在附近,電場(chǎng)強(qiáng)度大,其垂直分量也大,此處容易發(fā)生放電(二)極不均勻電場(chǎng)且具有強(qiáng)垂直分量時(shí)的沿面放電放電特點(diǎn)放電

23、在交流和沖擊電壓下很明顯99隨著電壓的增加,長(zhǎng)度增加得很快,單靠加長(zhǎng)沿面距離來提高閃絡(luò)電壓的效果很差9壓越大處套管的外徑和壁厚越大,放電電(二)極不均勻電場(chǎng)且具有強(qiáng)垂直分量時(shí)的沿面放電提高措施ü 減小比電容C0:加大處套管的外徑和壁厚,也可采用介電常數(shù)較小的介質(zhì),以介質(zhì)表面電壓分布的不均勻程度,如用瓷油組合絕緣代替瓷介質(zhì)等ü 減小絕緣表面電阻Rs:通過減小介質(zhì)表面電阻率實(shí)現(xiàn),如在套管靠近接地處涂半導(dǎo)體釉等,以使此處壓降逐漸減小,防止出現(xiàn)放電過早(二)極不均勻電場(chǎng)且具有強(qiáng)垂直分量時(shí)的沿面放電支柱絕緣子平均閃絡(luò)場(chǎng)強(qiáng)比均勻電場(chǎng)時(shí)低得多;另一方面,由于界面上電場(chǎng)垂直分量很弱,因此出

24、現(xiàn)熱電離和放電這種絕緣子的干閃絡(luò)電壓(表面干燥、清潔時(shí)),基本上隨極間距離的增大而提高(三)極不均勻電場(chǎng)中垂直分量很弱時(shí)的沿面放電(四)三種典型界面電場(chǎng)分布對(duì)沿面放電特性的影響(一)固體介質(zhì)材料如右圖,取決于材料的親水性或憎水性三、沿面放電電壓的影響因素(二)電場(chǎng)型式(三)大氣條件放電電壓與電場(chǎng)型式有很大99氣壓增大時(shí),閃絡(luò)電壓增加不多溫度的影響與純空氣間隙相似,但不如純空氣間隙顯著9濕度小于40時(shí)無影響,大于40時(shí)由水分在介質(zhì)表面的凝結(jié)狀況確定(四)固體介質(zhì)表面狀況淋雨、污穢、覆冰等情況下,沿面放電的特點(diǎn)三、沿面放電電壓的影響因素(濕閃放電)由于雨淋時(shí),絕緣子表面上的水膜大都是不均勻和不連續(xù)

25、的,因而造成有水膜覆蓋的表面電導(dǎo)大,無水膜處的表面電導(dǎo)小,絕大部分外加電壓由干表面來承受四、固體表面有水膜時(shí)的沿面放電(1)沿濕表面AB和干表面BCA發(fā)展,絕緣子濕閃電壓為干閃時(shí)的4050(2) 沿濕表面AB和空氣間隙BA發(fā)展,空氣間隙BA中只有分散的雨滴,絕緣子濕閃電壓下降很多(3) 沿濕表面AB和水流BB 發(fā)展,傘裙間的氣隙被連續(xù)的水流所短接,濕閃電壓降低到很低的數(shù)值絕緣子在雨中可能的閃絡(luò)途徑閃絡(luò)形成過程:(1)絕緣子表面上的污層在毛毛雨、霧、露等不利天氣時(shí),被水分濕潤(rùn),電導(dǎo)大增,工作電壓 下泄漏電流大增,有些污層被烘干,出現(xiàn)干區(qū)。(2)干區(qū)電阻比其余濕污層電阻大很多,此時(shí)整個(gè)絕緣子上的電壓幾乎都集中在干區(qū)上;干區(qū) 間隙不大,場(chǎng)強(qiáng)很大,首先出現(xiàn)電暈或輝光放電;五、絕緣子污染狀態(tài)下的沿面放電(3)由于此時(shí)泄漏電流較大,電暈或輝光放電很容易轉(zhuǎn)變?yōu)榫植侩娀。唤^緣子表面上不斷 延伸發(fā)展局部電?。ǚQ為爬電),一旦達(dá)到某 一臨界長(zhǎng)度時(shí),自動(dòng)貫穿兩極,形成沿面閃絡(luò),此時(shí)相應(yīng)的電壓稱為污閃電壓。污閃過程:積污受潮干區(qū)形成電暈放

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