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1、LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.了 利爾達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃陽公訶WWW丄IERDA.COM利余達(dá)科技有限衣司枚術(shù)一部LSD SCIENCE & TECHNOLOGY CO. LTD.NKP430 相關(guān) Q&AQuestion & answer版本號:Vl.o提交人:MSP430項目組 整理時間:2009年02月公司地址:杭州帀登云路425號杭州利爾達(dá)科技大廈Tel:0571-S8800000 Fax1頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公司W(wǎng)WW.LIERDA.COM公司地址
2、:杭州M紅厶路425號杭州利爾達(dá)科技人廈Tel:0571-S8800000 Fax:0571-S9908519第2頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.公司地址:杭州M紅厶路425號杭州利爾達(dá)科技人廈Tel:0571-S8800000 Fax:0571-S9908519第2頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.第一章:開發(fā)工具類 第二章:指令系統(tǒng) 第三章:代碼編程類 第四章:工作模式及功耗類 第五章:復(fù)位系統(tǒng)類 第六章:看門狗及定時器類 第七章:系統(tǒng)時鐘類 第八章:LCD顯示驅(qū)動類 第九章:通信類 第十章:10端II類 第十一章:FLASH存
3、儲類 第十二章:AD轉(zhuǎn)換類 第卜三章:電源類聲明:所有問題均來自網(wǎng)絡(luò),部分答案也冋樣來自網(wǎng)路,答案僅佻參考,并不能完全解決在使用中碰到的問 題。所以客戶在使用MSP430單片機(jī)時還是以實(shí)際情況來決定。如右任何就問歡迎與我們聯(lián)系:haoqiang、 gufeng、chenbing公司地址:杭州M紅厶路425號杭州利爾達(dá)科技人廈Tel:0571-S8800000 Fax:0571-S9908519第2頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公司W(wǎng)WW.LIERDA.COM公司地址:杭州市住云路425號杭州利爾達(dá)科技大廈Tel:0571-S8800000
4、Fax4頁共6 8頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公司W(wǎng)WW.LIERDA.COM開發(fā)工具類Q1:我門己做了 塊MSP430F149的試臉板,以前用卜我線進(jìn)行調(diào)試沒仃出現(xiàn)過問題,但是,最近我每次make 后用卜載線調(diào)試時,總是彈出一個窗II,給我提示:Could not find target status.然后就死到那兒了,請問這是 什么問題呢?A1:檢查Jtag I I線是否連接正常,如果JTAG I I線連接正常,可能是供電不足,目標(biāo)板加電再測試。Q2:我用的430f22x學(xué)習(xí)套件.請問在IAR Embedded
5、Workbench中仿真時如何看程序運(yùn)行時間.A2:只有軟件模擬卜可以看,VIEW-REGISTER-CYCLECOUNTQ3:請問*位nisp430仿真器和編程器仃什么區(qū)別啊?是不是我開發(fā)的時候這兩個東西都得仃?我口前用的是 msp430cg461x系列或nisp430fg461 x系列,是不是很多仿真器和編程器都不支持?A3: 一般來講,仿其器是在先期調(diào)試程序時使用的,他不會燒斷單片機(jī)熔絲,能把程序卜載到單片機(jī)屮,能 夠單步,跟蹤,快速調(diào)試。編程器就沒仃這些調(diào)試功能,就是單純把你做好的程序的編譯后文件寫到單片機(jī) 中去,就和51的編程器一樣,冇加密熔絲燒斷等功能,是在你產(chǎn)品成型后,生產(chǎn)時使用
6、的MSP430的仿真器是使用JTAG接I I的,分別冇四線制的JTAG、帶TEST腳的四線JTAG和兩線制的 SBWJTAG三種接I I, UIF I.三種都支持,并支持燒熔絲,UIF就是USB接I I的仿典;PIF不能支持SBWJTAG 接I I,也不能燒熔絲,PIF是并I I的仿真器。任何-種JTAG接I I的仿真器在燒斷熔絲后都不能再仿真和寫入, 而BSL nf以通過密碼訪問FLASH空間,讀出寫入均可,BSL是爼丨1實(shí)現(xiàn)的,但BSL不能仿真,注意部分器 件不支持BSL,如F20XX系列就不能用BSL,燒掉了熔絲就變板磚。MSP430任何系列的仿典器只耍接I I方式一致都是兼容的,比如F
7、G461X,町以使用標(biāo)準(zhǔn)的帯TEST的四 線JTAG,而F22X4也町以使用帶TEST的四線JTAG,當(dāng)然F22X4還町以選擇使用SBWJTAG,它支持兩種 JTAG接II。如果不是TI標(biāo)準(zhǔn)的430系列用JTAG仿真器那就不行了,應(yīng)該是不兼容的,不是什么“很多仿真 器和編程器都不支持”,而是專用。Q4:初次使用430單片機(jī),F(xiàn)149 °高速晶振8M,低速32K,卜墩程序時出現(xiàn)security fuse *own字樣,無 法燒錄。請各位高人指點(diǎn),應(yīng)該是哪里有問題。A4:手匚復(fù)卜位應(yīng)該某本町以解決,除非芯片熔絲貞被燒掉了。如果熔絲斷了町以用BSL方式寫入程序.Q5:運(yùn)行到斷點(diǎn)時程序不能I
8、動結(jié)束,必須廣按break.我這足程序跑飛了么?A5:是你斷點(diǎn)設(shè)置的多了吧。你在程序中,只設(shè)置這一個斷點(diǎn)試試Q6:當(dāng)在RAM中對其中一變量開辟的尺寸是512字節(jié)時,程序總占用3.5K RAM空間,可以正常燒到芯片中, 也可以正常運(yùn)行;半對同一變鼠開辟的尺寸是1024字節(jié),而苴它均未改變時.程序總占用4.0K左右RAM空間町以正常燒到芯 片中卻無法運(yùn)行!!A6;方法一將一些變量定義成noinit類型 方法二 修改IAR的cstartup.s43程序,JI體方法如卜:(iar310a為例)1 將 cstartup.s43 程序加我到用戶 fl 己的項目屮,cstartup.s43 在 iar310
9、a 的路徑如 F$TOOLKIT_DIR$srcLIB2 修改 cstartup.s43 屮的_program_start序,加入關(guān)閉看門狗的命令 MOV #Ox5A8O.&OxO12O3 在 Projcct->Options->Linkcr->Config 頁中選擇 Override default programc , Jf 將 Entry lib 設(shè)置成 program_start請問AR編譯器的s43文件用什么編輯器打開?打開IAR編譯器后就可以直接打開了;另外,記事本也可以打開Q8:怎么設(shè)置才能使2274內(nèi)部dco產(chǎn)生穩(wěn)定的16M的時鐘信匕,還仃就是2274
10、是不是提供FLL+功能!A8: 2XXX沒仃FLL+,但是TI在出廠芯片的時候已經(jīng)做過出廠測試,你只耍選擇它頭文件里的那個16M即 可Q9:程序編譯時提示:Varning|Pe001|: last line of file ends without a newline >這是怎么回事啊,應(yīng)該怎么改 呢?A9:敲個冋車就町以了Q10:過公用435/436等因?yàn)榉抡娴膬核>€和端I I都沒仃復(fù)用所以很輕松就搞定現(xiàn)在1232的仿其I I和Pl 11 肚公用的,仿真時我把第腳TEST接VCC,這樣町以卜我仿真了,可是發(fā)現(xiàn)這復(fù)用的幾個Pl I I就不能執(zhí)行其正 確的動作了,請教A10:做仿其II的復(fù)
11、用管腳在仿其時,被作為仿其功能管腳使。Qll: USB仿真器卜或匯編程序時沒仃問題,但是卜或C語言程序時,出報警信息如F:The stack plug-in failed to set a breakpoint on "main”.The stack window will not be able to display stack contents (You can change tliis setting in the Tools>Options dialog box.在調(diào)試信息窗I I出現(xiàn)operation error.All:調(diào)試c程序時在 Tools>Option
12、s dialog box 屮 stack 耍選中指向 main 函數(shù)處。匯編和c耍建不同的工程下調(diào)試。Q12:裝了 MSP-FET430UIF仿真器,但是在AQ130的Options屮.無法找到該仿真器.正常應(yīng)該冇 LPT1/LPT2/LPT3/TIUSB四個選項,為什么看不到TIUSB?A12:先看看碩件管理器中有沒有那個碘件,有則先用IAR試試.Q 13: EZ43O-RF25OO屮的USB debugging可以調(diào)試msp430其他支持Spy-Bi-Wire系列的芯片嗎?A13:可以。Q 14:用TI的USB仿真器,采用的是二線法。用SD.16采集數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)連接仿真器輸出的數(shù)據(jù)正確,而把
13、 仿真器拔去,輸出的數(shù)據(jù)就錯了。這是為什么?A14:怎么理解這個數(shù)據(jù)止確和錯誤?你怎么卜的判斷?我認(rèn)為足你接仿典器的時候目標(biāo)板是從仿真器上取 電的,拔掉仿真器是外部電源供電的,電源電壓不同,將導(dǎo)致基準(zhǔn)源改變,采樣出來的值變化會很人。Q15: sd-fet430 uif仿真器不能外供電嗎?A15: nJ*以,驅(qū)動電流較小,內(nèi)部是光MOS管,耍注意負(fù)我Q16: 430FET卜墩出現(xiàn)問題時檢查的一般思路A16:在完全確定無虛焊、短路的情況一般注意以卜爭項:公司地址:杭州市住云路425號杭州利爾達(dá)科技大廈Tel:0571-S8800000 Fax4頁共6 8頁k仿真器的2
14、. 4腳電源2、復(fù)位腳的RC電路LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公可 WWW.LIERDA.COM3、是否是SBW模式4、JTAGM用引腳時注意外部電路的影響5、外部仃功率較人的器件,當(dāng)下我時造成外部電路的功耗較人6、JTAG線不能太長,一般在20CM以內(nèi)比較介適7、如果是USB的仿其器還耍注意USB線不能人長,使用筆記本的還要注意USB上不能連接太影的負(fù)我Q17: LSD-FET430UIF仿真器,運(yùn)用IAR410軟件,器件是F1121A,無法卜載程序也無法仿克,直接將接II 線換在原來的FETP430IF上,把FET設(shè)置換成并II后就口J以,請問卜
15、,是什么原因造成的?AI7:檢査 下驅(qū)動安裝對吧,另外再檢査F USB提供的電源和USB線的信號,USB提供電源不足或USB 線的信號受到了比較強(qiáng)的干擾都會影響F載。Q18: 430加密用的密碼是屮斷向最的簡單組合呢?還是屮斷向就的加密組合?還是用的屮斷服務(wù)程序入I I地 址的簡單組合?還是用的屮斷服務(wù)程序入I地址的加密組合?A18:是入II地址的組介(存放在中斷向吊處的數(shù)據(jù)),以前是簡的組介,新的5XX就仃些復(fù)雜了,用戶門己 還可以定義密碼。Q19:我的程序編譯后.DEBUG調(diào)試顯示已成功DOWN到芯片里了,連看E2430仿冀器也能工作,但只耍把 EZ43O脫開,PCB重新上電,芯片怎么也不
16、工作.不知是什么原因?A19: 2013的RST腳接1個上拉電阻就解決問題了。Q 2 0:通過標(biāo)準(zhǔn)的BSL方式是不盂耍編寫單片機(jī)程序的?如果是的話,那門定義串II卜或的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn) 又是什么?A 20:用BSL不盂要自己編寫單片機(jī)程序,但需耍另加入兩根或4根編程線。自己寫升級程序肖接使用串I I, 但礙耍自己寫自編程程序,此方式使用方便,還町以在線人批彊升級,缺點(diǎn)是要占用FLASH空間,如果通 訊協(xié)議嚴(yán)謹(jǐn),再加上密碼保護(hù)Z炎的算法,消耗2K的FLASH資源還是比較正常的,所以小FLASH容尿 的就不推薦使用了。Q21:在編譯程序時.總是出現(xiàn)這樣的錯謀信息,該怎么樣解決呀?Errore46: Un
17、defined external "main" referred in ?cstart ( D:Program Filcsiar430LIBCLIBcl430f.r43 ) 程序沒有錯誤,是不是編譯器本身有什么問題?A21:是匯編程序時,把OPTIONS里的ASSEMxxER ONLY選上。Q22: UIF連接不到F2274, RST信號的電容已去掉,用并I能連接上,不穩(wěn)定,這是為什么?A22: F22X4支持兩種JTAG接LI,如果是UIF的話,個人建議使用SBW的,如果用4線制的話,會占用數(shù) 個復(fù)用端11,你說連不上是不是就是因?yàn)閺?fù)用端I I上連仃外圍設(shè)備造成JTAG無
18、法正常工作了呢。檢查一下。Q23:故障現(xiàn)彖:有時windows能識別,多數(shù)不能識別;提示“未知usb設(shè)備”;挑機(jī)器一換臺機(jī)器可能好使; 升級失敗;這是什么原因?A23: 1.使用IAR自動更新功能,只能通過JTAG 口重新寫入fl612程序。2.EZ430板上TUSB3410的復(fù)位腳C9電容小,增加到2uF,最好増加旁路濾波電容,以提高電源質(zhì)吊,公司地址:杭州山仔厶路425弓杭州利爾達(dá)科技人凰TelFax:0571-8990S519第5頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.廠 利爾達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃限公訶WWW丄IERDA.COMQ24:使用
19、430內(nèi)置的info flash來存放一吐配置信息。在用FcM更件仿真的時候,希里氣接手動修改memory 窗I I屮的的info flash的內(nèi)容,但是老是彈出'窗I I說這些地址是不可訪問等提示,請問有什么辦法町以在鎖件 仿真的時候,直接修改info中的內(nèi)容么?A24: flash不能直接修改。這個得用編程器,仿冀器或者軟件編程修改FLASH.你這樣就能修改FLASH那也 太iffilffiQ25: IAR如何查看生成的代碼的人小?A25:編譯后在信息窗I I就是就町以提示,如果沒仃提示,請在Tool/Options/Mcassagcs/show build message:選 為
20、All就行了。Q26:程序卜不進(jìn)去,用的仿典器是一頭并II, 頭14腳的jlag,燒的時候總說找不到設(shè)備?A26: RST連上,去掉上面的電容。Q27:給 MSP430F149 仿其的 JTAG 能給 MSP43OF2OO2 仿其嗎?我把腿都対應(yīng)上了,但程序卜不進(jìn)去,說是找不到器件以前用同樣的方法成功的給449仿真過! !難道2002用的是不同的JTAGA27:并II仿真器支持2002,不過只能使用四線JTAG方式,RST引腳必須連接,而住不要冇復(fù)位電容。Q28: 430如何將程序成功燒入? 1.燒片子的具體的順序?A28: H先option里得選擇正確的芯片型號,還耍在Debugger選項卡
21、里的driver選擇FET_Dcbuggcr,在按匸 貝欄內(nèi)的F載按鈕(快捷® ctrl+D)Q29: MSP430F22X學(xué)習(xí)板SBW用訪真器不能進(jìn)行調(diào)試?A29:原因可能兩點(diǎn)兩線制是不能用并I丨訪真器進(jìn)行調(diào)試的,必須USB訪真器兩線制RST并聯(lián)的電容建議不接,否則造成程序無法疋常卜載;Q30:在研制帯處理器的電子產(chǎn)品時,如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?A30: 一、卜面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁于擾:1、微控制器時鐘頻率特別高,總線周期特別快的系統(tǒng)。2、系統(tǒng)含有人功率,人電流驅(qū)動電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,人電流開關(guān)等。3、含微弱模擬信號電路以及高轎度A/D變換電路的系統(tǒng)。二、為增
22、加系統(tǒng)的抗電磁卡擾能力采取如卜措施:1、選用頻率低的微控制器:選用外時鐘頻率低的微控制器對以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗十?dāng)_能力。同樣頻率的方波和止弦波,方波 屮的高頻成份比止弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度,比基波小,但頻率越高越容易發(fā)射出成為 噪聲源,微控制器產(chǎn)生的最何影響的高頻噪聲人約是時鐘頻率的3倍。2、減小信號傳輸中的畸變a. 微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右,輸入電容10PF左右, 輸入阻抗相為高,高速CMOS電路的輸出端都冇相半的帶我能力,即相為人的輸出值,將一個門的輸出端通LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.廠利爾
23、達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃瞅公司W(wǎng)WW丄IERDA.COM過段很長線引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端,反射問題就很嚴(yán)重,它會引起倍號畸變,增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd>n時,就成了一個傳輸線問題,必須考慮信兮反射,阻抗匹配等問題。b、信號在印制板匕的延遲時間與引線的特件陽抗有關(guān),即與印制線路板材料的介電常數(shù)有關(guān)。町以粗略地認(rèn) 為,信兮在印制板引線的傳輸速度,約為光速的1/3到1/2 Z間。微控制器構(gòu)成的系統(tǒng)屮常用邏輯電話元件的 Tr (標(biāo)準(zhǔn)延遲時間)為3到X X Xs之間。c、在印制線路板上,信號通過一個7W的電阻和一段25cm長的引線,線上延遲時間人致在420ns之間。也 就是說,信號在印刷線路上的引線越短越
24、好,最長不宜超過25cm。而且過孔數(shù)目也應(yīng)盡最少,最好不多于2 個。d、當(dāng)信號的上升時間快丁信號延遲時間,就耍按照快電了學(xué)處理。此時??际纻鬏斁€的阻抗匹配,對丁一塊 印刷線路板上的集成塊Z間的信兮傳輸,要避免出現(xiàn)Td>Trd的情況,印刷線路板越人系統(tǒng)的速度就越不能 太快。c、用以卜結(jié)論歸納印刷線路板設(shè)計的一個規(guī)則:f、信兮在印刷板上傳輸,直延遲時間不應(yīng)人丁所用器件的標(biāo)稱延遲時間。3、減小借號線間的交義十?dāng)_:a. A點(diǎn)一個上升時間為Tr的階躍信號通過引線AB傳向B端。信號在AB線上的延遲時河是Td。在D點(diǎn), 由J* A點(diǎn)信兮的向前傳輸,到達(dá)B點(diǎn)后的信兮反射和AB線的延遲,Td時間以后會感應(yīng)
25、出一個寬度為Tr的 頁脈沖信號。在C點(diǎn).由J AB上信號的傳輸與反射,會感應(yīng)出一個寬度為信號在AB線上的延遲時間的兩 倍,即2Td的止脈沖信號。這就是侑號間的交叉干擾。T擾們;的強(qiáng)度與C點(diǎn)信號的di/at仃關(guān),與線間距離 有關(guān)。當(dāng)兩信號線不是很長時,AB上看到的實(shí)際是兩個脈沖的迭加。b、CMOS T藝制造的微控制由輸入阻抗高,噪聲高,噪聲容限也很高,數(shù)字電路是迭加100200mv噪聲并 不影響其工作若圖中AB線是一模擬信號,這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑?。如印劇線路板為四層板,其中有一 層是人面積的地,或雙面板,信號線的反面是大面積的地時,這種信號間的交叉F擾就會變小。原因是,大 面積的地減小了借兮線
26、的特性阻抗,信號在D端的反射人為減小。特性阻抗與信號線到地間的介質(zhì)的介電常 數(shù)的平方成反比,與介質(zhì)厚度的自然對數(shù)成正比。若AB線為一模擬信廿,要避免數(shù)字電路信巧線CD對AB 的十?dāng)_,AB線卜方要有人面枳的地,AB線到CD線的距離耍人J: AB線與地距離的23倍。町用局部屏蔽 地,在有引結(jié)的一而引線左右兩側(cè)布以地線。4、減小來自電源的噪聲電源在向系統(tǒng)提供能源的同時,也將其噪川加到所供電的電源上。電路中微控制器的復(fù)位線,屮斷線,以及 其它一些控制線最容易受外界噪聲的擾。電網(wǎng)上的強(qiáng)擾通過電源進(jìn)入電路,即使電池供電的系統(tǒng),電池 本身也有高頻噪聲。模擬電路屮的模擬信號更經(jīng)受不住來自電源的干擾。5、注意印
27、刷線板與元器件的高頻特性a、在高頻情況F,印刷線路板上的引線,過孔,電阻、電容、接插件的分布電感與電容等不町忽略。電容的 分布電感不對忽略,電感的分布電容不可忽略|電阻產(chǎn)生對高頻信巧的反射,引線的分布電容會起作用,當(dāng) 長度人丁噪聲頻率相應(yīng)波長的1/20時,就產(chǎn)生犬線效應(yīng),噪聲通過引線向外發(fā)射。b、印刷線路板的過孔人約引起0.6pf的電容。c、一個集成電路本身的封裝材料引入26pF電容。d、一個線路板上的接插件,520nH的分布電感。一個雙列宜桿的24引腳集成電路抒朋,引入4-XXXH 的分布電感。c、這些小的分布參數(shù)對丁這行較低頻率卜的微控制器系統(tǒng)屮是町以忽略不計的:而對丁高速系統(tǒng)必須予以特
28、別注意。公司地址:杭州市登云路425號杭州利爾達(dá)科技大廈TelFax9頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.6、元件布置要介理分區(qū)元件在印劇線路板上排列的位置要充分考慮抗干擾問JS,原則Z是各部件之間的引線要盡鼠短在布 局上,耍把模擬信號部分,高速數(shù)字電路部分,噪聲源部分(如繼電器,人電流開關(guān)籌)這三部分合理地分 開,使相互間的信號耦合為最小。7、處理好接地線a、印刷電路板上,電源線和地線最貢耍。克服電破干擾,最主要的手段就是接地。b、対雙面板,地線布置特別講究,通過采用單點(diǎn)接地法,電源和地是從電源的兩端接到
29、印刷線路板上來的, 電源 個接點(diǎn),地-個接點(diǎn)。印刷線路板上,要仃多個返回地線,這些都會聚到回電源的那個接點(diǎn)上,就是 所謂單點(diǎn)接地所謂模擬地、數(shù)寧地、人功率器件地開分,是指布線分開,而最后都匯集到這個接地點(diǎn)上來. 與印刷線路板以外的信號相連時,通常采用屏蔽電纜。對高頻和數(shù)字信號屏蔽電纜兩端都接地。低頻機(jī) 擬信號用的屏蔽電纜,一端接地為好。c、對噪川和F擾非常墩感的電路或高頻噪聲特別嚴(yán)巫的電路應(yīng)該用金屬罩屏蔽起來。8、用好去耦電容。a、好的尚頻上耦電容町以公除高到1GHZ的高頻成份。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)訃卬 刷線路板時,每個集成電路的電源,地Z間都要加一個去耦電容。玄耦電容仃
30、兩個作用:一方面是本集成電 路的蒂能電容,提供和吸收該集成電路開門關(guān)門瞬間的充放電能:另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字 電路屮典型的去耦電容為0.1 uf的去耦電容令5nH分布電感,它的并行共振頻率人約在7MHz左右,也就是 說對J: 10MHz以卜的噪聲仃較好的去耦作用,對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。b、luf, 10uf電容,并行共振頻率在20MHz以上,去除高頻率噪聲的效果要好-些。在電源進(jìn)入印刷板的地 方和一個luf或10就的去高頻電容往往是有利的,即使是用電池供電的系統(tǒng)也需耍這種電容。c、每10片左右的集成電路耍加一片充放電電容,或稱為希放電容,電容人小町選10uf。址好不
31、用電解電容, 電解電容是兩層溥膜卷起來的,這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感,最好使用膽電容或聚碳酸醞電容。d、去耦電容值的選取并不嚴(yán)格,可按C=l/f計算;即10MHz IRO.luf,對微控制器構(gòu)成的系統(tǒng),取O.l-O.Oluf 之間都可以。三、降低噪聲與電磁擾的些經(jīng)臉。1、能用低速芯片就不用鳥速的,高速芯片用在關(guān)鍵地方。2、用串一個電阻的辦法,降低控制電路上卜沿跳變速率。3、盡量為繼電器等提供某種形式的阻尼。4、使用滿足系統(tǒng)要求的最低頻率時鐘。5、時鐘產(chǎn)牛器盡最靠近到用該時鐘的器件。石英品體振蕩器外殼耍接地。6、用地線將時鐘區(qū)圈起來,時鐘線盡量短。7、I/O驅(qū)動電路盡量靠近印刷板邊,讓其
32、盡快離丿陽J刷板。對進(jìn)入?yún)n制板的陽,;要加濾波,從高噪聲區(qū)來的 信號也耍加濾波,同時用串終端電阻的辦法,減小信號反射。8、MCD無用端要接高,或接地,或定義成輸出端,集成電路I:該接電源地的端都要接,不耍懸空。9、閑置不用的門電路輸入端不要懸空,閑置不用的運(yùn)放正輸入變接地.負(fù)輸入端接輸出端。(10)印制板盡 量使用45折線而不用90折線布線以減小高頻信號對外的發(fā)射與耦介。10、印制板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū),噪聲兀件與IF噪聲元件要距離再遠(yuǎn)一吐。利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公司 WWW.LIERDA.COM11、單而板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地、電源線、地線盡錄粗,經(jīng)濟(jì)是能承受的話用多層板以減小電
33、 源,地的容生電感。12、時鐘、總線、片選信號要遠(yuǎn)離I/O線和接插件。模擬電斥輸入線、參考電壓端要盡彊遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號線,特別是時鐘。13、對A/D類器件,數(shù)字部分與模擬部分寧可統(tǒng)一下也不要交叉。14、時鐘線ififl J- I/O線比平行I/O線干擾小,時鐘元件引腳遠(yuǎn)離I/O電纜。15、元件引腳盡量短,去耦電容引腳盡量短。16、關(guān)鍵的線要盡磺粗,并在兩邊加上保護(hù)地。高速線要短耍自。17、對噪聲敏感的線不要與人電流,高速開關(guān)線平行。18、石英晶體卜面以及對噪聲敏感的器件卜面不要走線。19、弱信號電路,低頻電路周由不要形成電流環(huán)路。20、任何信號都不要形成環(huán)路,如不可避免,讓環(huán)路區(qū)盡鼠小。21、
34、每個集成電¥各-個去耦電容。每個電解電容邊上都要加一個小的高頻旁路電容。22、用人容駅的祀電容或聚酷電容而不用電解電容作電路充放電儲能電容。使用管狀電容時,外殼要接地Q31:燈關(guān)仿其器及編程器的問題:A31:對丁51系統(tǒng)來說,很容易理解編程器與仿真器的區(qū)別。通俗的說,仿真器是用來仿真調(diào)試的,編程器是用來批起生產(chǎn)時對MCU進(jìn)行燒寫冃標(biāo)代碼的。對J* MSP43O來說,無論仿其還是燒寫程序一般町以通過:JTAG/SBW/BSL接I I進(jìn)行,這些概念僅是接I I, 并不代表哪個型號的編程器和仿真器,一般JTAG/SBW接11用于仿真接11, BSL不能用于仿真,只能用于編 F氏編用器則二種
35、接II都支持。所以并不能說JTAG只支持仿真,不支持編程,這是概念借漢,JTAG僅僅是 一種接口協(xié)議而己。卜面簡單描述一卜三種接11的區(qū)別:1、JTAG是邊界掃描技術(shù),其在430內(nèi)部仃邏輯接I I給JTAG使用,內(nèi)部仃卄F個寄存器連接到430內(nèi)部的 總線上,所以JTAG可以訪問到430的內(nèi)部所仃資源,包括對FLASH的讀寫操作??梢杂枚【幊毯头抡娼覫 I。 主要連接線有 TMSfTCK/TDI/TDO/RST/TEST 等。2、SBW是SPY-BI-WIRE的簡稱。通常稱為兩線制J TAG,主耍用SBWTCK與SBWTDIO,該接II主要用 J小F 28腳的430單片機(jī)及5系列的單片機(jī)因?yàn)?8
36、腳以內(nèi)的單片機(jī)JTAG接【J與通用IO I I復(fù)用,為了給 用戶預(yù)留更多的IO, 推出SBW接II。冋樣SBW接II可以用于仿頁器與編程器。3、BSL是TI在MSP430出廠時預(yù)先固化到MCU內(nèi)部的一段代碼,有點(diǎn)類似與DSP的bootloader,但與 bootloader W明顯的區(qū)別,BSL只能用于對MCU內(nèi)部的FLASH訪問,不能對訪問其他資源。所以只能用作 編程器接11。BSL通過UART協(xié)議與編程器連接通信。編程器町以發(fā)送不同的通信命令來對MCU的存儲器 做不同的操作。BLS的啟動冇些特殊,一般430 g位Q動時PC指針指向FFFEfi位向兀 但町以通過特殊的 啟動方式可以使PC指向
37、BSL內(nèi)部固化的程序。啟動方式一般由RST與TEST (或TCK )引腳做一個稍復(fù)雜 的啟動邏輯后產(chǎn)生。4、般的MCU都仃加密功能,430如何實(shí)現(xiàn)加密的呢?外部刈430內(nèi)部的代碼讀寫只能通過上述的三種方 式,所以引入熔絲位,熔幺纟位只存在與JTAG/SBW接II邏輯內(nèi)。BSL沒冇熔線。半熔絲燒斷時(物理破壞, 且不可恢復(fù))JTAG/SBW的訪問將被禁止,此時只有BSL可以訪問而通過BSL對MCU的訪問是需要32 字節(jié)的密碼,密碼就是用戶代碼的中斷向量表。5、一 般的仿真器型號仃:UIF (USB接II,支持JTAG/SBW)、P1F (并1丨,只支持JTAG)、EZ430 (USB接 II,只
38、支持SBW模式)。專業(yè)的編程器仃GANG430 (串II, 一,拖8個冃標(biāo)板,支持JTAG/SBW及燒斷熔線 功能);筋功能編程器(JTAG/SBW/BSL及燒斷熔絲功能兒這些編程器都可以支持離線燒寫,即脫離計算機(jī) 來對H標(biāo)板燒寫。當(dāng)然也町以通過特殊的軟件用仿典器來燒寫,這炎軟件仃MSPFET. FET-PRO430等。公訶地址:杭州山住厶路425號杭州利爾達(dá)科技人廈TelFax:0571-S9908519第13頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.廠 利爾達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃限公訶WWW丄IERDA.COMQ32:最近調(diào)試程序.不知怎么老出現(xiàn)
39、卜面的問題,請問是怎么冋爭?"erase check error at address Oxi 100retry erase operation?*知道是怎么回事?A32:最可能的就是芯片電壓太低,或者芯片冇虛焊的。Q33:請問MSP430F149程序卜載時的電源耍捉供的電流為笫人?A33:這個電流主耍用T flash的擦寫。擦和寫的典空電流都是3mA。公創(chuàng)地址:杭州山住厶路425號杭州利爾達(dá)科技人限TelFax:0571-S9908519第#頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.廠 利爾達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃限公訶WWW丄IERDA.
40、COM第二章:指令系統(tǒng)Q1.IAR中怎樣描述P2OUT.3腳,#define LCD_csl P2OUT.3:對嗎?Al: 430不能位尋址,所以一般的位操作,都通過“與”來作用。#define LCD_csl (P2OUT&BIT3 )。Q2._intrinsic是什么意思A2:木征函數(shù),不是C語言標(biāo)準(zhǔn)庫,而是和MSP430匯編青接對應(yīng)的函數(shù),比如:_NOP()_EINT()LPM0引用msp430xxxx.h,默認(rèn)引用的頭文件Q3: 430屮使用C和匯編語言的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)比較?A3:嚴(yán)格來講430的C是ANSIC的一個子集,與匯編的差別主要仃:1、C有if、(do) whilex
41、switch等流程控制語句2、C冇冇限的數(shù)據(jù)格式,如char、ini、float, douxxe等3、對430最有特色的R0-R15的使用,C不如匯編4、430的C不易進(jìn)行RAM管理5、430各版本的C,互相Z間存在差異,好彖C在430上還不成熟6、C的優(yōu)點(diǎn)是在PC或PDA匕,也就是在有操作系統(tǒng)的平臺上,C的優(yōu)點(diǎn)才會表現(xiàn)出來,但那已經(jīng)不是430 的C 了,聞是C+,它有豐富的數(shù)據(jù)類型,如結(jié)構(gòu)、對象等7、匯編的缺點(diǎn),基本上就是C的優(yōu)點(diǎn),而匯編的優(yōu)點(diǎn)基本上都是C的缺點(diǎn)8、C函數(shù)仃類型限定的形參和返回值以及強(qiáng)制類型轉(zhuǎn)換,還仃格式化輸出,發(fā)揮C的這些特長,再結(jié)合結(jié)構(gòu) 化程序設(shè)計技術(shù),容易編出思路清晰、
42、結(jié)構(gòu)靈活、可移值性比較強(qiáng)的程序。匯編也可以滿足上述要求,但相 對來講耍復(fù)雜些。9、初學(xué)者建議先用匯編,山丁対碩件的操作更加W觀靈活,仃利丁對430內(nèi)部結(jié)構(gòu)的熟悉和熟悉編程思路。 等學(xué)握了 30的幵發(fā)技能,又熟悉了系統(tǒng)的介理分配資源和紐織詵源II寸再學(xué)習(xí)用c,那將使你進(jìn)步放快的時候, 因?yàn)閏對程序的結(jié)構(gòu)和調(diào)度真得很理想!10、源代碼隱藏性比較好,比較安全。Q4: MSP43O指令系統(tǒng)屮,符號尋址方式冇點(diǎn)不太理解。例如連續(xù)的兩條拆令是:MOV.B #2OHOO12HMOV.B #34H,0200H在反匯編窗I I看這兩條指令是:mov.b #0x20.0x 1112mov.b #0x?4.0x 1
43、300不理解的是:1. 為什么反匯編后指令的第二個操作數(shù)地址變成了 0x1112和0x1300?2. 上述反沢編指令似乎都在原冇的地址呈礎(chǔ)上加上了0x1100,我知道保存程序的FLASH是從0x1100開始的。 但實(shí)際在執(zhí)行上述兩條指令時,PC的值早就0x1100.符',;J址操作數(shù)地址丿2該=(PC+0012H)、(PC+0200H)。 而PC值在執(zhí)行指令屮應(yīng)該是變化的?A4: 0012H和0200H是絕對地址。問題中程序用的定立即尋址,實(shí)際上應(yīng)該用絕對尋址LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)咆片機(jī)技術(shù)仃限公詞 WWW.LIERDA.COMMOV.B #003
44、0h.&0200h 就是前而操作數(shù)前而仃 個&:沒#0030h.0200h 那么地址就應(yīng)該二PC addrress +0200(偏移駅)。反編譯出來的代碼應(yīng)該是mov.b #0x20.&0xlll2 mov.b #0x34.&0xl300 才對。Q5:在程序里循壞調(diào)用fsprint數(shù),當(dāng)循壞了兒次后程序就跑E了,是堆棧人小不夠嗎?還有sprintf到底需 要多人的堆棧,單步走了 F,發(fā)現(xiàn)它使用堆棧都不是連續(xù)的?A5:仃町能是的sprintf函數(shù)堆棧數(shù)據(jù)把跳轉(zhuǎn)地址擠掉,町以調(diào)開堆??匆徊?;Q6:問 MSP430 MOV 命令立即數(shù)尋址MOV PC+. X(PC);
45、偏移最可變址尋址MOV X(PC). Y(PC);怎么理解?A6: MOV PC+. X(PC);將PC所指單元的內(nèi)容送給PC+X所在單元,然后PC本身加I指向相鄰的卜一單元.MOV X(PC). Y(PC);將PC+X所指單元的內(nèi)容送給PC+Y所在單元問題7:數(shù)據(jù)類型Sniall.MediumXarge的區(qū)別,以及怎么訪問人0X10000的地址空間?數(shù)據(jù)放在人V 0X10000的地址空間中,怎么上訪問?同時Sniall.Medium.Largc在何處町以體現(xiàn)它們的區(qū)別? A7:町以訪問。值得注意的£ option里的General Option選項內(nèi)的數(shù)據(jù)類熨得選擇Large.程序
46、人小,RAM 使用,運(yùn)行速度都不一樣。1 .F5XX 430X2. 選擇Large small medium產(chǎn)生效果是改變指針變屆所占字肖個數(shù).IAR屮指針變駁默認(rèn)2個字節(jié),選擇large 占用4個字節(jié),那么指針就可以訪問超過64K范刖的地址.3. 可以采用IAR內(nèi)部兩數(shù),*/void _data20_write_char (unsigned long _addrunsigned char _value);void _data20_write_short(unsigned long _addr, unsigned short _value);void _data20_writcong (uns
47、igned long _addr,unsigned long _value);unsigned char _data20_rcad_char (unsigned long _addr);unsigned long _data20_readjong (unsigned long _addr);Q&關(guān)于堆棧問題問題:Errorcl6: Segment CSTACK (size: 0x50 align: 0x1) is too long for segment definition. At least 0x4 more bytes needed The proxxem occurred wh
48、ile processing thesegment placement command Z(DATA)CSTACK+_STACK_SIZE#l where at the moment of placement the xxailaxxe memory ranges were MCODE:5B4-600n 請問:這個錯誤是什么意思A8:將stack設(shè)宣減小,可通過編譯,這時stack是靜態(tài)的.而會不會出錯不是stack設(shè)置問題而是在程序運(yùn)行時動態(tài)'P.RAM占用吊人小所定.減少程序中的變最個數(shù),變最類型盡最小,夠用就可以.能減少動態(tài)運(yùn)行時RAM的占用尿Q9:浮點(diǎn)數(shù)運(yùn)算問題,既然2.2A編
49、譯器能實(shí)現(xiàn)64浮點(diǎn)位運(yùn)算,那么它的運(yùn)算程序在哪個文檔里。A9:要使用64位的浮點(diǎn)運(yùn)算需耍設(shè)置編譯器首 先選擇 project->option->general->target->douxxe floating point size選中”64”再選擇 projcct->option->XLINK->includc->library->cl430d.r43用C+的朋友要選擇dI430d.r43庫建議用整型數(shù)進(jìn)行運(yùn)算,比如像開方64位浮點(diǎn)數(shù)耍用兒十毫秒而整型數(shù)隨數(shù)據(jù)人小只耍兒微秒到兒毫秒不 等。Q10:局部變最的問題,在中斷服務(wù)程序中開中斷響應(yīng)其
50、他中斷,發(fā)現(xiàn)中斷服務(wù)中定義的局部變最老被改動, 換成全廚變最沒問題。想問一下這是啥原I大I?還想問一下c編程過程中應(yīng)注意的細(xì)節(jié)?A10:局部變彊只是暫存變彊,一般編譯器會使川通用寄器來保心這個變彊值,匯編編程的話石要圧棧操作, C語言編程的話建議把變量巾明為全局或者靜態(tài)。公創(chuàng)地址:杭州山住厶路425號杭州利爾達(dá)科技人限TelFax:0571-S990S519第13頁共68頁LSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.廠 利爾達(dá)單片機(jī)技術(shù)仃限公訶WWW丄IERDA.COMLSD MCU TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)唯片機(jī)技術(shù)仃限公訶 WWW
51、.LIERDA.COM第三章:代碼編程類Q1:我在一個子程序中定義了一個變駅,是在其頭文件中定義的,然后在主程序中包含了此頭文件,當(dāng)在主 程序屮引用此變最時,編譯器沒有報錯,但是婆DEBUG時出錯了,告訴我是redefine in main,請問這是 怎么回事呢?ai: n定不能這樣用了,相當(dāng)丁重復(fù)定義了.用外部變錄聲明町以解決這個問題你町以在頭文件中巾明(加 extern),在C文件中定義。Q2:這是我的接收函數(shù),但是當(dāng)我發(fā)送k。時,收到兩個。,發(fā)送ok時收到兩個k,這是怎么回事呢。#pragnia vector=UART 1 RX_VECTOR_interrupt void usartl_
52、rx (void)unsigned j;/IFG2 & =URXIFG1;for (j=0;jv2;)data|j = RXBUFl;j卄;if(j=2)TX_Flag = 1;IA2:程序錯了! !按你的程序,收到第一個字符K時,你將該字符填入數(shù)組,即數(shù)組內(nèi)容為K , K):收 到第二個字符0時,你將該字符項入數(shù)組,即數(shù)組內(nèi)容為0 , 0),應(yīng)該加一個判斷,判斷接收緩存里而 的數(shù)據(jù)被存了,再存第二個。Q3:問題:想要根據(jù)-個數(shù)據(jù)send,利用TAO產(chǎn)生屮斷,控制P2 I I產(chǎn)生3ms、1ms、3ms、1ms、3ms、1ms的一組方波(T'發(fā)送3ms, 'O'發(fā)
53、送1ms),但程序?qū)懗鰜砗?,發(fā)現(xiàn)執(zhí)行過程非常不穩(wěn)定,忽快忽慢。不 知道是單片機(jī)的問題還是程序的問題,請專家?guī)蛶?!附程序:void data_scnd (unsigned char send)unsigned char i:for (i=0;i<8;i卄)發(fā)送 8 位if (send&OxOl) /如果最低位為1,發(fā)送3msCCR0_189;3ms 建時CCTLO=CCIE: /打開中斷P2OUTI=BIT3; /P2 I I 變高電平公創(chuàng)地址:杭州山住厶路425號杭州利爾達(dá)科技人限TelFax:0571-S990S519第13頁共68頁LSD MCU
54、 TECHNOLOGY CO. LTD.利爾達(dá)巾片機(jī)技術(shù)仃限公訶 WWW.LIERDA.COMwhile (fIag=0); /f待屮斷處理了程序返回標(biāo)志位flag二1 flag=0: /flag清零,以便下一位的中斷 P2OUT&=B1T3; /P2 I I 變低else /當(dāng)最低位為0時 中斷1msCCR0=63;CCTLO=CCIE;P2OUTI=BIT3;while (flag=O);flag=O;P2OUT&=scnd_BIT:send=(send»l); /左移一位#pragnia vector = T1MERAO_VECTOR /TA 屮斷_interr
55、upt void TA_start(void)flag=l;/屮斷時間到,設(shè)置標(biāo)志位TAO的時鐘選用0.5M 8分頻,近似計數(shù)值63為1ms,使用連續(xù)計數(shù)方式。A3: void data_send (unsigned char send)unsigned char i;for (i=0;i<8;i+) 發(fā)送 8 位if (send&OxOl) /如果繪低位為1,發(fā)送3msCCR0=189; 3ms 定時CCTLO=CCIE; /打開中斷P20UT =BIT3; /P2 11 變高電平while (flag=0) : /等待屮斷處理子程序返回標(biāo)卷位flag=lflag二0; /fl
56、ag清零,以便下一位的中斷P20UT&二、BIT3; /P2 I I 變低else / -'lii低位為0時屮斷1msCCR0=63:CCTLO=CCIE;P20UT =BIT3;站訂e (flag二二0);flag二0;P2OUTi='BIT3;send二(send、>l) ; /左移一位仔pragma vector = TIMERAO_VECTOR ,/TA 中斷_interrupt void TA_start(void)(flag=l; 中斷時間到,設(shè)置標(biāo)志位TACTL 屮的 MCI、MCO 為 01 值Q4:求msp13的pwm捕捉下降沿的程序。A4: TACCTL2=CM1+CCIS_1+CAP;/同步捕獲模式,卜降沿捕獲TACTL二TASSEL_2+MC_2+TACLR;/ 連續(xù)計數(shù)方式,時鐘設(shè)豐為 SMCLKI/O 口也需耍設(shè)置為第二功能I I,建議看users guide和TI例程。Q5 : C 文 件 LINKER 后, 報錯 Errore46Z:Udefined external *sendl_buff*referred in sys_evet (D:sclDebugObjsys_evet. r43,請教如何町解決此問題,變
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