半導(dǎo)體物理習(xí)題及答案

1、復(fù)習(xí)思考題與自測(cè)題1 .原子中的電子和晶體中電子受勢(shì)場(chǎng)作用情況以及運(yùn)動(dòng)情況有何不同,原子中內(nèi)層電子和外層電子參與共有化運(yùn)動(dòng)有何不同。答：原子中的電子是在原子核與電子庫(kù)倫相互作用勢(shì)的束縛作用下以電子云的形式存在，沒(méi)有一個(gè)固定的軌道；而晶體中的電子是在整個(gè)晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的共有化電子，在晶體周期性勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。當(dāng)原子互相靠近結(jié)成固體時(shí)，各個(gè)原子的內(nèi)層電子仍然組成圍繞各原子核的封閉殼層和孤立原子一樣;然而，外層價(jià)電子則參與原子間的相互作用，應(yīng)該把它們看成是屬于整個(gè)固體的一種新的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。組成晶體原子的外層電子共有化運(yùn)動(dòng)較強(qiáng)，其行為與自由電子相似，稱為準(zhǔn)自由電子，而內(nèi)層電子共有化運(yùn)動(dòng)較弱，其行為與孤立原子的電

2、子相似。2 .描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念,用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動(dòng)有何局限性。答：引進(jìn)有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)律時(shí)，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用。慣性質(zhì)量描述的是真空中的自由電子質(zhì)量，而不能描述能帶中不自由電子的運(yùn)動(dòng)，通常在晶體周期性勢(shì)場(chǎng)作用下的電子慣性運(yùn)動(dòng)，成為有效質(zhì)量3 .一般來(lái)說(shuō),對(duì)應(yīng)于高能級(jí)的能帶較寬,而禁帶較窄,是否如此，為什么？答：不是，能級(jí)的寬窄取決于能帶的疏密程度，能級(jí)越高能帶越密，也就是越窄；而禁帶的寬窄取決于摻雜的濃度，摻雜濃度高，禁帶就會(huì)變窄，摻雜濃度

3、低，禁帶就比較寬。4 .有效質(zhì)量對(duì)能帶的寬度有什么影響，有人說(shuō)："有效質(zhì)量愈大，能量密度也愈大，因而能帶愈窄.是否如此，為什么？答：有效質(zhì)量與能量函數(shù)對(duì)于K勺二次微商成反比，對(duì)寬窄不同的各個(gè)能帶，1(k)隨k的變化情況不同，能帶越窄，二次微商越小，有效質(zhì)量越大，內(nèi)層電子的能帶窄，有效質(zhì)量大；外層電子的能帶寬，有效質(zhì)量小。5 .簡(jiǎn)述有效質(zhì)量與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系；答：能帶越窄，有效質(zhì)量越大，能帶越寬，有效質(zhì)量越小。6 .從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場(chǎng)對(duì)電子的作用效果有什么不同；答：在能帶底附近，電子的有效質(zhì)量是正值，在能帶頂附近，電子的有效質(zhì)量是負(fù)值。在外電F作用下，

4、電子的波失壞斷改變，f=hdk,其變化率與外力成正比，因?yàn)殡娮觗t的速度與k有關(guān)，既然k狀態(tài)不斷變化，則電子的速度必然不斷變化。7 .以硅的本征激發(fā)為例，說(shuō)明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，為什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來(lái)所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度？答：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因?yàn)殡娮右獢[脫束縛就能從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)時(shí)候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。2 .為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質(zhì)量的空穴來(lái)描述？答：空穴是一個(gè)假想帶正電的粒子，在外加電場(chǎng)中，空穴在價(jià)帶中的躍遷類比當(dāng)水池中氣泡從水池底部上升時(shí)，氣泡上升相當(dāng)于同體積的水隨氣泡的上升而下

5、降。把氣泡比作空穴，下降的水比作電子，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)空穴的價(jià)帶中，能量較低的電子經(jīng)激發(fā)可以填充空穴，而填充了空穴的電子又留下了一個(gè)空穴。因此，空穴在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，實(shí)質(zhì)是價(jià)帶中多電子系統(tǒng)在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的另一種描述。因?yàn)槿藗儼l(fā)現(xiàn)，描述氣泡上升比描述因氣泡上升而水下降更為方便。所以在半導(dǎo)體的價(jià)帶中，人們的注意力集中于空穴而不是電子。3 .有兩塊硅單晶，其中一塊的重量是另一塊重量的二倍.這兩塊晶體價(jià)帶中的能級(jí)數(shù)是否相等，彼此有何聯(lián)系？答：相等，沒(méi)任何關(guān)系4 .為什么極值附近的等能面是球面的半導(dǎo)體，當(dāng)改變磁場(chǎng)方向時(shí)只能觀察到一個(gè)共振吸收峰。答：各向同性。5 .金剛石晶體結(jié)構(gòu)和閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的晶向?qū)ξ锢硇再|(zhì)的影響

6、。6 .典型半導(dǎo)體的帶隙。一般把禁帶寬度等于或者大于2.3ev的半導(dǎo)體材料歸類為寬禁帶半導(dǎo)體，主要包括金剛石，SiC,GaN,金剛石等。26族禁帶較寬，46族的比較小，如硫化鉛，硒化鉛（0.3ev）,35族的碑化化（1.4ev）。第二章1. 說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е拢译婋x能的數(shù)值較??？答：被雜質(zhì)束縛的電子或空穴的能量狀態(tài)稱為雜質(zhì)能級(jí)，電子脫離雜質(zhì)的原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程成為雜質(zhì)電離，使這個(gè)多余的價(jià)電子掙脫束縛成為導(dǎo)電電子所需要的能量成為雜質(zhì)電離能。雜質(zhì)能級(jí)離價(jià)帶或?qū)Ф己芙?，所以電離能數(shù)值小。2. 純錯(cuò)，硅中摻入川或V族元素后，

7、為什么使半導(dǎo)體電學(xué)性能有很大的改變？雜質(zhì)半導(dǎo)體（p型或n型）應(yīng)用很廣，但為什么我們很強(qiáng)調(diào)對(duì)半導(dǎo)體材料的提純？答：因?yàn)閾饺搿被騐族后，雜質(zhì)產(chǎn)生了電離，使得到導(dǎo)帶中得電子或價(jià)帶中得空穴增多，增強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。極微量的雜質(zhì)和缺陷，能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響，當(dāng)然，也嚴(yán)重影響著半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。3. 把不同種類的施主雜質(zhì)摻入同一種半導(dǎo)體材料中,雜質(zhì)的電離能和軌道半徑是否不同?把同一種雜質(zhì)摻入到不同的半導(dǎo)體材料中（例如鍺和硅）,雜質(zhì)的電離能和軌道半徑又是否都相同？答：不相同4. 何謂深能級(jí)雜質(zhì)，它們電離以后有什么特點(diǎn)？答：雜質(zhì)電離能大，施主能級(jí)遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底，受主能級(jí)遠(yuǎn)離價(jià)帶

8、頂。特點(diǎn)：能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)。5. 為什么金元素在鍺或硅中電離后可以引入多個(gè)施主或受主能級(jí)？答：因?yàn)榻鹗巧钅芗?jí)雜質(zhì)，能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級(jí)，因此，金在硅鍺的禁帶往往能引入若干個(gè)能級(jí)。6. 說(shuō)明摻雜對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。答：在純凈的半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)后，可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。摻雜半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。例如，在常溫情況下，本征Si中的電子濃度和空穴濃度均為1.5X1010cm3。當(dāng)在Si中摻入1.0X1016cm3后，半導(dǎo)體中的電子濃度將變?yōu)?.0X1016cm3,而空穴濃度將近似為2.25X104cm3。半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子

9、，而少數(shù)載流子是空穴。7. 說(shuō)明半導(dǎo)體中淺能級(jí)雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)的作用有何不同？答：深能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起復(fù)合中心或陷阱的作用。淺能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起施主或受主的作用8. 什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。答：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時(shí)，施主和受主將先相互抵消，剩余的雜志最后電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償，若施主電子剛好填充受主能級(jí)，雖然雜質(zhì)很多，但不能向?qū)Ш蛢r(jià)帶提供電子和空穴，這種現(xiàn)象稱為雜質(zhì)的高度補(bǔ)償。利用雜質(zhì)補(bǔ)償效應(yīng)，可以根據(jù)需要改變半導(dǎo)體中某個(gè)區(qū)域的導(dǎo)電類型，制造各種器件。9. 什么是半導(dǎo)體的共摻雜答：摻入兩種或兩種元素以上10. 用氫原子模型計(jì)算雜質(zhì)電離能第三章1

10、. 半導(dǎo)體處于怎樣的狀態(tài)才能叫處于熱平衡狀態(tài)，其物理意義如何？載流子激發(fā)和載流子復(fù)合之間建立起動(dòng)態(tài)平衡時(shí)稱為熱平衡狀態(tài)，這時(shí)電子和空穴的濃度都保持一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值，處在這中狀態(tài)下的導(dǎo)電電子和空穴稱為熱平衡載流子。2. 什么是能量狀態(tài)密度能帶中能量E付近每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)。3. 什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別？在怎樣的條件下前者可以過(guò)渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述？統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)描述的事熱平衡狀態(tài)下電子在允許的量子態(tài)如何分布的一個(gè)統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)。當(dāng)E-EF>>kT寸，前者可以過(guò)度到后者。4. 說(shuō)明費(fèi)米能級(jí)的物理意義，根據(jù)費(fèi)米能

11、級(jí)位置如何計(jì)算半導(dǎo)體中電子和空穴濃度，如何理解費(fèi)米能級(jí)是摻雜類型和摻雜程度的標(biāo)志。費(fèi)米能級(jí)的意義：當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)，也不對(duì)外界做功的情況下，系統(tǒng)增加一個(gè)電子所引起的系統(tǒng)自由能的變化，等于系統(tǒng)的化學(xué)能。n型摻雜越高，電子濃度越高，EFM越高。5. 在半導(dǎo)體計(jì)算中,經(jīng)常應(yīng)用這個(gè)條件把電子從費(fèi)米能級(jí)統(tǒng)計(jì)過(guò)渡到玻耳茲曼統(tǒng)計(jì),試說(shuō)明這種過(guò)渡的物理意義。E-EF>>kTW,量子態(tài)為電子占據(jù)的概率很小，適合于波爾茲曼分布函數(shù)，泡利原理失去作用，兩者統(tǒng)計(jì)結(jié)果變得一樣了。6. 寫(xiě)出半導(dǎo)體的電中性方程，此方程在半導(dǎo)體中有何重要意義？電子濃度等于空穴濃度。意義：平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體體內(nèi)是電中性的。7.

12、半導(dǎo)體本征載流子濃度的表達(dá)式及其費(fèi)米能級(jí)載流子濃度：ni=n0p0=(NcNv)1/2exp(-Eg/2kT)費(fèi)米能級(jí)：Ei=Ef=(Ec+Ev)/2+(3kT/4)*ln(mp/mn)8. 若n型硅中摻入受主雜質(zhì)，費(fèi)米能級(jí)升高還是降低？若溫度升高當(dāng)本征激發(fā)起作用時(shí),費(fèi)米能級(jí)在什么位置，為什么？費(fèi)米能級(jí)降低了。費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能級(jí)以上。9. 如何理解分布函數(shù)與狀態(tài)密度的乘積再對(duì)能量積分即可求得電子濃度？根據(jù)公式和常識(shí)，必然是這樣。10. 為什么硅半導(dǎo)體器件比鍺器件的工作溫度高？硅的禁帶寬度比鍺大，且在相同溫度下，鍺的本征激發(fā)強(qiáng)于硅，很容易就達(dá)到較高的本征載流子濃度，使器件失去性能。11. 當(dāng)

13、溫度一定時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)主要由什么因素決定？試把強(qiáng)n,弱n型半導(dǎo)體與強(qiáng)p,弱畔導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)比較。決定因素：摻雜濃度，摻雜能級(jí)，導(dǎo)帶的電子有效態(tài)密度等。費(fèi)米能級(jí)比較：強(qiáng)n弱n本征弱p強(qiáng)p12. 如果向半導(dǎo)體中重?fù)绞┲麟s質(zhì),就你所知會(huì)出現(xiàn)一些什么效應(yīng)？費(fèi)米能級(jí)深入到導(dǎo)帶或者價(jià)帶中13. 半導(dǎo)體的簡(jiǎn)并化判據(jù)Ec-Ef=0第四章1. 試從經(jīng)典物理和量子理論分別說(shuō)明載流子受到散射的物理意義。經(jīng)典：電子在運(yùn)動(dòng)中和晶格或者雜質(zhì)離子發(fā)生碰撞導(dǎo)致載流子速度的大小和方向發(fā)生了改變。量子理論：電子波仔半導(dǎo)體傳播時(shí)遭到了散射。2. 半導(dǎo)體的主要散射機(jī)制。電離雜質(zhì)散射；晶格振動(dòng)散射，包括

14、聲子波和光學(xué)波散射；其他因素散射：等能谷散射，中性雜質(zhì)散射，位錯(cuò)散射，合金散射，等。3. 比較并區(qū)別下述物理概念:電導(dǎo)遷移率，漂移遷移率和霍耳遷移率。電導(dǎo)遷移率：漂移遷移率：載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度，運(yùn)動(dòng)得越快，遷移率越大；運(yùn)動(dòng)得慢，遷移率小霍爾遷移率：Hall系數(shù)RHW電導(dǎo)率°的乘積，即IRHI°,具有遷移率的量綱，Hall遷移率醫(yī)假際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率醫(yī)，因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率4. 什么是聲子?它對(duì)半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)起什么作用?聲子是晶格振動(dòng)的簡(jiǎn)正模能量量子，聲子可以產(chǎn)生和消滅，有相互作用的聲子數(shù)不守恒，聲子動(dòng)量的守恒律也不同于一

15、般的粒子，并且聲子不能脫離固體存在。電子在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)若發(fā)生晶格振動(dòng)散射，則會(huì)發(fā)出或者吸收聲子，使電子動(dòng)量發(fā)生改變，從而影響到電導(dǎo)率。5. 平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率平均自由程：電子在受到兩次散射之間所走過(guò)的平均距離；平均自由時(shí)間：電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間；散射幾率:用來(lái)描述散射的強(qiáng)弱，代表單位時(shí)間內(nèi)一個(gè)載流子受到散射的次數(shù)。6. 幾種散射機(jī)制同時(shí)存在，總的散射幾率總散射概率等于多種散射概率之和。7. 一塊本征半導(dǎo)體樣品,試描述用以增加其電導(dǎo)率的兩個(gè)物理過(guò)程。提高遷移率和和提高本征載流子濃度8. 如果有相同的電阻率的摻雜鍺和硅半導(dǎo)體,問(wèn)哪一個(gè)材料的少子濃度高，為什么？錯(cuò)的

16、少子濃度高。由電阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和錯(cuò)本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別，可以算出鍺的少子濃度高。9. 硅電阻率與溫度的關(guān)系圖10. 光學(xué)波散射和聲學(xué)波散射的物理機(jī)構(gòu)有何區(qū)別？各在什么樣晶體中起主要作用？光學(xué)波散射：彈性散射，散射前后電子能量基本不變。主要在離子性晶體中起作用聲學(xué)波散射：非彈性散射，散射前后電子能量發(fā)生改變。主要在共價(jià)性晶體中起作用。11. 說(shuō)明本征鍺和硅中載流子遷移率隨溫度增加如何變化？遷移率隨溫度的升高逐漸降低12. 電導(dǎo)有效質(zhì)量和狀態(tài)密度有效質(zhì)量有何區(qū)別？它們與電子的縱向有效質(zhì)量和橫向有效質(zhì)量的關(guān)系如何？當(dāng)導(dǎo)帶底的等能面不是球面時(shí)，不同方向的電導(dǎo)的有效質(zhì)

17、量就不同，且態(tài)密度分布可能不同，通過(guò)把不同的電導(dǎo)有效質(zhì)量進(jìn)行加權(quán)平均，就可以換算得到狀態(tài)密度的有效質(zhì)量。13. 對(duì)于僅含一種雜質(zhì)的鍺樣品,如果要確定載流子符號(hào)、濃度、遷移率和有效質(zhì)量，應(yīng)進(jìn)行哪些測(cè)量？進(jìn)行霍爾系數(shù)測(cè)量和回旋共振法測(cè)有效質(zhì)量。14. 解釋多能谷散射如何影響材料的導(dǎo)電性。多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同，當(dāng)電子從一能谷躍遷到另一能谷時(shí)，遷移率會(huì)減低，導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。15. 解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？耿氏振蕩來(lái)源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長(zhǎng)度。16. 半導(dǎo)體本征吸收與本征光電導(dǎo)本征吸收：半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到

18、導(dǎo)帶。又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。17.光電導(dǎo)靈敏度與光電導(dǎo)增益因子光電導(dǎo)靈敏度：?jiǎn)挝还庹斩人鸬墓怆妼?dǎo)增益因子：銅一種材料由于結(jié)構(gòu)不同，可以產(chǎn)生不同的光電導(dǎo)效果，用增益因子來(lái)表示光電導(dǎo)的增強(qiáng)。第五章1. 區(qū)別半導(dǎo)體平衡狀態(tài)和非平衡狀態(tài)有何不同？什么叫非平衡載流子？什么叫非平衡載流子的穩(wěn)定分布？半導(dǎo)體的熱平衡狀態(tài)是相對(duì)的，有條件的。如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡狀態(tài)。處于非平衡態(tài)的半導(dǎo)體比平衡態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱為非平衡載流子。2. 摻雜、改變溫度和光照激發(fā)均能改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，它們之間有何區(qū)別？

19、試從物理模型上予以說(shuō)明。摻雜：增加濃度，溫度：增加本征載流子光照：產(chǎn)生非平衡載流子，增加載流子數(shù)目3. 在平衡情況下，載流子有沒(méi)有復(fù)合這種過(guò)程？為什么著重討論非平衡載流子的復(fù)合過(guò)程？有，4. 為什么不能用費(fèi)米能級(jí)作為非平衡載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)而要引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)？費(fèi)米能級(jí)和準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)有何區(qū)別？11. 愛(ài)因斯坦關(guān)系的推導(dǎo)當(dāng)熱平衡狀態(tài)受到外界影響，遭到破壞,使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài),不再存在統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí),因?yàn)橘M(fèi)米能級(jí)和統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)都是指熱平衡狀態(tài)下。而分別就價(jià)帶和導(dǎo)帶中的電子來(lái)說(shuō),它們各自基本上處于平衡狀態(tài),導(dǎo)帶和價(jià)帶之間處于不平衡狀態(tài)，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是不重合的。5. 在穩(wěn)定不變的光照下，半導(dǎo)體中電子和空穴

20、濃度也是保持恒定不變的，但為什么說(shuō)半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)？光照是外部條件，6. 說(shuō)明直接復(fù)合、間接復(fù)合的物理意義。直接：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的直接躍遷而引起的電子和空穴的復(fù)合消失過(guò)程間接復(fù)合：電子空穴通過(guò)禁帶中的能級(jí)復(fù)合；7. 區(qū)別:復(fù)合效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，復(fù)合中心和陷阱中心，俘獲和復(fù)合，俘獲截面和俘獲幾率。復(fù)合效應(yīng)：陷阱效應(yīng)：積累非平衡載流子的作用。相應(yīng)的雜質(zhì)和缺陷為陷阱中心8. 非輻射復(fù)合主要有哪幾種？非輻射復(fù)合：表面復(fù)合；深能級(jí)復(fù)合；俄歇（Auger）復(fù)合；9. 載流子的壽命非平衡載流子濃度減少到1/e所經(jīng)歷的時(shí)間。10. 擴(kuò)散流密度與穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程單位時(shí)間通過(guò)單位面積的粒子數(shù)稱為擴(kuò)散流密度；參

21、考P1655-81P170-171E -E非簡(jiǎn)異半導(dǎo)體串衙狀忐下軋流子的分布：/=& exp(- -t) 因?yàn)榇嬖诟郊育g也分卜qV(x)導(dǎo)得底發(fā)生移動(dòng)：Ec 今 Ec- qV(x)困此有:,、 u r E r F(x) Ef %(k)= * exp- -kJ求導(dǎo)敷得到L寫(xiě)1利用：條)=引'住)dxL。代入公式;(IX得到曼因斯坦關(guān)架式:4612.連續(xù)性方程中各項(xiàng)的物理意義及其典型器件結(jié)構(gòu)的解第1項(xiàng)一由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，單位時(shí)間單位體積中積累的空穴數(shù)；第2,3項(xiàng)一由于漂移運(yùn)動(dòng)，單位時(shí)間單位體積中積累的空穴數(shù);第4項(xiàng)一由于其它某種因素單位時(shí)間單位體積中產(chǎn)生的空穴數(shù)(產(chǎn)生率);第5項(xiàng)一為由于存在復(fù)合過(guò)程單位時(shí)間單位體積中復(fù)合消失的空穴數(shù);第六章1 .平衡pn結(jié)有什么特點(diǎn)，畫(huà)出勢(shì)壘區(qū)中載流子漂移運(yùn)