MOS管的電容特性

1、由于器件里的耗盡層受到了電壓影響，電容Cgs和Cgd隨著所加電壓的變化而變化。然而相對于Cgd，Cgs受電壓的影響非常小，Cgd受電壓影響程度是Cgs的100倍以上。如圖10所示為一個從電路角度所看到的本征電容。受柵漏和柵源電容的影響，感應(yīng)到的dv/dt會導(dǎo)致功率管開啟。圖10. 功率管的本征電容 簡單的說，Cgd越小對由于dv/dt所導(dǎo)致的功率管開啟的影響越少。同樣Cgs 和Cgd形成了電容分壓器，當(dāng)Cgs 與Cgd比值大到某個值的時候可以消除dv/dt所帶來的影響，閾值電壓乘以這個比值就是可以消除dv/dt所導(dǎo)致功率管開啟的最佳因數(shù)，APT功率MOS

2、FET在這方面領(lǐng)先這個行業(yè)。 Ciss ：輸入電容將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成，或者Ciss = Cgs +Cgd當(dāng)輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可以關(guān)斷。因此驅(qū)動電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時有著直接的影響。Coss ：輸出電容將柵源短接，用交流信號測得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯(lián)而成，或者Coss = Cds +Cgd對于軟開關(guān)的應(yīng)用，Coss非常重要，因為它可能引起電路的諧振Crss

3、60;：反向傳輸電容在源極接地的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =?Cgd反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關(guān)的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數(shù)，他還影響這關(guān)斷延時時間。圖11是電容的典型值隨漏源電壓的變化曲線.圖11. APT50M75B2LL的電容VS電壓曲線 電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。Qgs, Qgd, 和 Qg ：柵電荷柵電荷值反應(yīng)存儲在端子間電容上的電荷，既然開關(guān)的瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設(shè)計柵驅(qū)動電路時經(jīng)常要考慮柵電荷的影響。請看圖12，Qgs從0電荷開始到第一個拐點處，Qgd是從第一個拐點到第二個拐點之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點到vGS等于一個特定的驅(qū)動電壓的部分。漏電流和漏源電壓的變化對柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的變化。測試條件是規(guī)定好的。柵電荷的曲線圖體現(xiàn)在數(shù)據(jù)表中，包括固定漏電流和變化漏源電壓情況下所對應(yīng)的柵電荷變化曲線。在圖12中平臺電壓VGS(pl)隨著電流