版圖技巧總結(jié)

1、【版圖學(xué)習(xí)筆記】一 Candence操作二 DESIGN RULE三 各器件簡述四 版圖技巧五 布局布線六 版圖流程七 ELLA的心得 Candence操作一進入版圖工作環(huán)境：1.進入unit ：Xmanger1.3.9XbrowserEDA4用戶名密碼2 界面上右鍵toolsterminal3 在layout目錄輸入icfb 登陸Candenceicfb后面加“ & ”的作用是之后可以繼續(xù)在Shell窗口操作命令 4 在icfb窗口 toolslibrary manager選擇library，cell，view。如果是新建，則FILEnew里面新建。 5在icfb窗口的toolsli

2、brary path 可以加庫二最常用快捷鍵：f:全景圖ctrlz：放大shiftz：縮小shiftf：詳細版圖（非symbol）u：undow：上一界面i：調(diào)用器件q：看屬性 r：畫矩形 p：固定長度的可折線 l：lable 標注端口、電源、地等。所標識的金屬層，用該層TEXT層標識。如，M6層金屬則選擇M6TEXT層。 s:拉伸收縮 ShiftC：把線斷開（注意：先選中線，再操作） ShiftM: merge（同上，先選中線） k：標尺 shiftk：取消標尺器件旋轉(zhuǎn)：q選rotate度數(shù)Apply 對于已選器件：“M“ 左鍵 右鍵旋轉(zhuǎn)g:格點 鼠標在各格點移動 一般不用 如果取消，則再按

3、一次“g”shift+x: 進入調(diào)用器件的下層 shiftb：返回上層F3：在選擇了操作命令后，按F3可以顯示旋轉(zhuǎn)，寬度調(diào)整等被操作器件特性。該鍵很有用。Undo默認為一步。若要增加次數(shù)，在ICFB窗口的OPTIONS里選擇USER PREFERENCES，改變undo次數(shù)。三Layout環(huán)境界面常用操作左邊的窗口為“LSW”窗口。AV:all view NV:no view AS:all select NS:none select（在連線時，可以先選NV，所有層次都看不見，再選中需要連線的層次，則版圖上只顯示該層，方便連線。需要修改時，可以選NS,再選擇需要修改的層次，方便改動。按右鍵選擇活

4、動的層次。）下面為各層?？勺约盒薷模砑觿h除。常見操作快捷方式已在上文歸納。以下是版圖設(shè)計過程中一些遇到問題后總結(jié)的操作打散單元：EDIT->HIERARCHY->FLATTEN->FLATTEN PCELLS完成版圖后標端口：CREAT->PINS FROM LABLESDRC以后找錯誤：VERITY->MARKERS->FINDS操作中，先按“s”，再選擇需要strentch的部分，再拉伸。Shiftc操作中，需要先選中需要CUT的線條。在做GUARDRING里面，可以選擇NDIFF_M1，選擇一定的row和coloum，注意此時選擇其中的”CONTAC

5、T“的行和列，這樣就可以直接構(gòu)成guarding。二.DESING RULES 根據(jù)各不同工藝，DESIGN RULES各不相同。但大致尺寸仍然類似。規(guī)則也基本相同。經(jīng)過DRC，最容易出問題的：1. 最小延伸：主要指多晶硅必須伸出有源區(qū)2. 最小寬度：在線畫好后，添加CONTACT與VIA等時，可能會因為位置擺放問題導(dǎo)致最小線寬不符合要求。3. 最小間距：不僅要注意各層自己的間距，如METEL1與METEL1連線間間距，還要注意不同層之間間距符合設(shè)計規(guī)則。4. 最小包圍：由于要滿足內(nèi)層的最小寬度以及外層與內(nèi)層的最小包圍，因此在連接部分等處要求內(nèi)層材料比原先寬度增加一些。5. PSUB WITH

6、OUT TAB：P襯底需要接地本次DRC下來總結(jié)： Via四周距離 一端必須大于規(guī)則距離，另三端大于最小包圍。 P襯底接地和NWELL里接高必須和器件小于20UM 最高層金屬間距稍大0.44 其他為0.28 電容兩極板需要用第六層引線出來，若用第五層，則它會認為是電容板的一層，報錯。 三各器件簡述1.MOS管2.三極管3.電容4.電阻5.電感在很多工藝庫中，以上器件都是可以調(diào)用的。因此不需要自己畫。如果沒有可以調(diào)用的器件，就按照design rule中對各層的定義，自己繪制器件。本次流片所用到的器件： 四版圖技巧Z1對敏感線的處理 對敏感線來說，至少要做到的是在它的走線過程中盡量沒有其他走線和

7、它交叉。因為走線上的信號必然會帶來噪聲，交錯糾纏的走線會影響敏感線的信號。 對于要求比較高的敏感線，則需要做屏蔽。具體的方法是，在它的上下左右都連金屬線，這些線接地。比如我用M3做敏感線，則上下用M2和M4重疊一層，左右用M3走，這些線均接地。等于把它像電纜一樣包起來。2匹配問題的解決 電路中如果需要匹配，則要考慮對稱性問題。比如1：8的匹配，則可以做成3×3的矩陣，“1”的放在正中間，“8”的放在四周。這樣就是中心對稱。如果是2：5的匹配，則可以安排成AABABAA的矩陣。 需要匹配和對稱的電路器件，擺放方向必須一致。周圍環(huán)境盡量一致。3噪聲問題的處理 噪聲問題處理的最常用方法是在

8、器件周圍加保護環(huán)。 Nmos管子做在襯底上 因此周圍的guardring是Pdiff，在版圖上是一層PPLUS,上面加一層DIFF，用CONTACT連M1。Pdiff接低電位。Pmos管子做在NWELL里面 因此周圍的GUARDING是Ndiff，在版圖上先一層NPLUS，上面加一層DIFF，用CONTACT連M1。Ndiff接高電位。在一個模塊周圍為了和其他模塊隔離加的保護環(huán)，用一圈NWELL，里面加NDIFF，接高電位。電阻看類型而定，做在P襯底上的周圍接PDIFF型guarding接地；做在NWELL里面的則周圍接NDIFF型guarding接高電位。各種器件，包括管子，電容，電感，電阻

9、都要接體電位。如果不是RF型的MOS管，則一般盡量一排N管一排P管排列，每排或者一堆靠近的同類型管子做一圈GUARDING，在P管和N管之間有走線不方便打孔的可以空出來不打。4版圖對稱性當電路需要對稱的時候，需要從走線復(fù)雜度，面積等方面綜合考慮。常見的對稱實現(xiàn)方式： 一般的，畫好一半，折到另一半去，復(fù)制實現(xiàn)兩邊的對稱。 如果對稱性要求高的，可以用質(zhì)心對稱的方式，把管子拆分成兩個，四個甚至更多。 如把一個管子拆成兩個 可以AB BA的方式 如果有四個管子，可以各拆成三個，用ABCDABCDABCD的方式 五布局布線布局布線是一個全局問題。在畫較大的電路時候是很重要的。首先確定各模塊的位置，在確定

10、位置的時候需要考慮的問題主要有：各輸入輸出之間的連線最短，最方便；各模塊接出去連PAD的各端口方便；高頻線距離盡量短；輸入輸出之間相隔比較遠等。這些問題需要在著手畫各模塊之前先有個安排。在畫好各模塊后擺放時會做調(diào)整，但大局不變。連線一般的規(guī)則是單數(shù)層金屬和雙數(shù)層金屬垂直，比如一三五層連水平；二四六層連垂直。但這樣的主要目的是各層能方便走線，排得密集。所以也不是死規(guī)則，在布線較稀疏的情況下可以做適量變通。在布線時最重要的問題是考慮電路的各支路電流問題。首先要明確各支路電路的峰值，這樣就能確定金屬線的最小寬度。確保整條支路不會被電流過大而燒斷。當然連線也不能太寬，這樣的話電容會大。電路中如果畫到電

11、流源可以離得較遠，因為電流源理想的時候電阻無窮大，這就意味著電流源連出來的線可以長一些，因為不需考慮連線太長電阻太大的問題。 六版圖流程 整體布局各模塊布局模塊布線各模塊通過DRC，LVS整體布線整體通過DRC,LVS，通過天線效應(yīng)DRC提取后仿參數(shù)DRC：在線的有DIVA 只需把.rul文件放在相應(yīng)目錄下 直接在線跑 Dracula：非在線LVS：也有DIVA,DRACULA等。本次使用calibre進行l(wèi)vs。具體流程如下：1 版圖生成GDS文件。在icfb窗口的“file”中選“export”的“stream”2 生成netlist。在ADS中的“tool”里export網(wǎng)表3 用LVS

12、文件，修改其中對應(yīng)的layyout和netlist文件名稱。把以上三個文件放在同一目錄下。EDA中在該目錄下跑CALIBRE命令： calibre（空格）lvs（空格）做lvs的文件名在生成的lvs.rep中找錯誤。注意：layout中，gnd和vdd作為pin。Pin只用.txt對應(yīng)的metal標識。在跑好LVS后，要在版圖上對應(yīng)的地方找到可能的錯誤，需要以下步驟：在icfb窗口： load“/calivre.skl”CalibreSetupSocket在lvs路徑 caliber rve svdb&在【svdb】窗口 setuplayout viewer 七ELLA的心得1關(guān)于電路

13、的問題畫模擬版圖首先要注意的是線寬問題。每條支路上的電流是多少要問清電路設(shè)計者。對于比較大電流的支路，線寬一定要滿足電流，但也不能太寬，否則寄生電容肯定會大?？梢圆捎脦讞l金屬線上下重疊并聯(lián)的方式，這樣的話寬度小了電流又能滿足。畫版圖的時候也不能一味埋頭苦畫，遠抱著質(zhì)疑的態(tài)度。比如判斷設(shè)計者給出的電流是否正確可信，給出的結(jié)構(gòu)和器件尺寸是否合理等。這就需要對電路知識有很好的了解，懂電路來畫版圖才有意思。2關(guān)于ESD的問題 一般的工藝模型里可能會提供ESD模型。但是本次流片并沒有。ESD需要自己畫。參考文件中給出ESD的設(shè)計規(guī)則，有些是DRC做不出來的，需要自己注意。ESD需要在輸入輸出口，電源和地

14、之間，不同的電源之間等都做，而且結(jié)構(gòu)不同。對于柵直接接到PAD的電路，需要特別注意。在柵往外接的時候接一個200歐姆的電阻，這樣電流進來的時候不容易將柵極擊穿。在該PAD兩邊最好放GND和VDD的pad，這樣電流容易往兩邊走。3關(guān)于濾波電容問題在電路的空隙地方填入濾波電容。具體接法是：NMOS管的源漏接地，柵接電源；PMOS管的源漏接電源，柵接地。本次電路中濾波電容采用mm模型，管子做成10um×10um，四周圍相應(yīng)的GUARDRING。4關(guān)于天線效應(yīng)第一層金屬在接?xùn)艜r候如果面積很大就會收集離子使得電位升高而擊穿柵氧層。此時應(yīng)該將第一層金屬斷開，往上連接，最好連到最高層。如果需要走第一層就再連回來。5關(guān)于電源線和地線問題電源線和地線一般在60um左右。但是線寬超出20um工藝上有問題因此需要打孔。本次電路的處理方式是沒有打孔，將線接成三根20um的從pad引出來，布線時，按照Vdd gnd vdd gnd vdd gnd 這樣間隔的布線。整個版圖的電源和地線呈網(wǎng)格狀，這樣壓降小，穩(wěn)定。6學(xué)會看參考文件總的文件是guideline 里面有一些規(guī)定。不像DRC那樣必須遵守。這次沒有仔細看。關(guān)于DRC,LVS,LPE等的相關(guān)文件在給出的文件里都有。DESIGN RULE 等文件需要在畫之前先有了解。在畫之前應(yīng)該