半導(dǎo)體器件復(fù)習(xí)練習(xí)題（二極管三極管場效應(yīng)管差動放大電路集成運放）

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上半導(dǎo)體基本知識和半導(dǎo)體器件（二極管、三極管、場效應(yīng)管、集成運放）一、選擇題：1、PN結(jié)外加正向電壓時，其空間電荷區(qū)（ ）。A.不變 B.變寬 C.變窄 D.無法確定2、PN結(jié)外反正向電壓時，其空間電荷區(qū)（ ）。A.不變 B.變寬 C.變窄 D.無法確定3、當(dāng)環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因為此時PN結(jié)內(nèi)部的（ ） A. 多數(shù)載流子濃度增大 B. 少數(shù)載流子濃度增大C. 多數(shù)載流子濃度減小 D. 少數(shù)載流子濃度減小4、PN結(jié)反向向偏置時，其內(nèi)電場被（ ）。A.削弱 B.增強 C.不變 D.不確定5、在絕對零度（0K）和沒有外界激發(fā)時，本征半導(dǎo)體中(

2、) 載流子。A.有 B.沒有 C.少數(shù) D.多數(shù)6、 集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以（ ）。A減小溫漂 B. 增大放大倍數(shù)C. 提高輸入電阻 D. 減小輸出電阻7、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏狀態(tài)的。A、光電二極管 B、發(fā)光二極管 C、變?nèi)荻O管 D、穩(wěn)壓管8、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，（ ）。A. 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏 B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C. 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏 D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏9、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( )， A正向?qū)▍^(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D.不確定10、抑制溫漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）電路。 A.差放 B.正弦 C.數(shù)字

3、 D.功率放大0iD/mA-4 uGS/V511、在某放大電路中，測得三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管12、某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如右圖所示，該管為（ ）。AP溝道增強型MOS管 B.P溝道結(jié)型場效應(yīng)管 C.N溝道增強型MOS管 D.N溝道耗盡型MOS管13、通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（ ）。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數(shù)大14、如右圖所示復(fù)合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，則復(fù)合后的b約

4、為（ ）。A1500 B.80 C.50 D.3015、發(fā)光二極管發(fā)光時，工作在( )。A正向?qū)▍^(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D不確定16、當(dāng)溫度升高時，二極管反向飽和電流將（ ） A. 增大 B. 減小 C. 不變 D. 等于零17、場效應(yīng)管起放大作用時應(yīng)工作在漏極特性的（ ） 。A. 非飽和區(qū) B. 飽和區(qū) C. 截止區(qū) D. 擊穿區(qū)18、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其工作在( )。A正向?qū)▍^(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū) D.飽和區(qū)19、集成運放電路采用直接耦合方式是因為 （ ）A. 可獲得較高增益 B. 可使溫漂變小C. 在集成工藝中難于制造大電容 D. 可以增大輸入電阻20、測得BJT各電

5、極對地電壓為：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。 A.截止 B.飽和 C.放大 D. 無法確定21、FET是（ ）控制器件。A. 電流 B.電壓 C.電場 D.磁場22、通常要求運算放大器帶負載能力強，在這里，負載的大小是指負載（ ）。A.電阻大 B. 功率大 C. 電壓高 D.功率小23、二極管的電流方程是（ ）。A B. C. D. 24、FET是（ ）控制器件。A. 電流 B.電壓 C.電場 D.磁場25、三極管工作在飽和狀態(tài)的條件是（ ）。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏2

6、6、測得工作在放大狀態(tài)的BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，-0.2V，-3V，則1、2、3腳對應(yīng)的三個極是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec27、穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（ ）。A.單向?qū)щ娦?B.反向擊穿性 C.電容特性 D.正向特性28、測得工作在放大狀態(tài)的BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，-0.2V，-3V，則1、2、3腳對應(yīng)的三個極是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec29、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應(yīng)當(dāng)工作于（ ）。A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài)C.正向偏置導(dǎo)通狀態(tài) D.正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)30、 當(dāng)超過下列哪個

7、參數(shù)時，三極管一定被擊穿（）A集電極最大允許功耗 B集電極最大允許電流C集基極反向擊穿電壓（） D. （）E31、若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞，好的管子應(yīng)為( )。A. 正、反向電阻相等 B. 正向電阻大 ，反向電阻小C. 反向電阻比正向電阻大很多倍 D. 正、反向電阻都等于無窮大32、電路如下圖所示，設(shè)二極管D1，D2，D3 的正向壓降忽略不計，則輸出電壓uO =（ ）。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V33、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應(yīng)當(dāng)工作于（ ）。A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài)C.正向偏置導(dǎo)通狀態(tài) D.正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)34

8、、結(jié)型場效應(yīng)管利用柵源極間所加的( )來改變導(dǎo)電溝道的電阻。A.反偏電壓 B.反向電流 C.正偏電壓 D.正向電流35、場效應(yīng)管是屬于（ ）控制型器件。 A.電壓 B.電流 C.電感 D.電容36、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應(yīng)當(dāng)工作于（ ）。 A.反向偏置擊穿狀態(tài) B.反向偏置未擊穿狀態(tài) C.正向偏置導(dǎo)通狀態(tài) D.正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)37、測量某硅BJT 各電極的對地電壓值為 ， ，該管子工作在（ ）A.放大區(qū) B.截止區(qū) C.飽和區(qū) D.無法判斷38、如圖1所示復(fù)合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，則復(fù)合后的b約為（ ）。V2V1A1500 B.80 C.50 D.30圖1

9、39、共模抑制比越大，表明電路（ ）。 A.放大倍數(shù)越穩(wěn)定 B.交流放大倍數(shù)越大 C.抑制溫漂能力越強 D.輸入信號的差模成分越大二、填空題：40、根據(jù)是否摻入雜質(zhì)，半導(dǎo)體可分為 半導(dǎo)體和 半導(dǎo)體兩大類。41、N溝道場效應(yīng)管中的載流子是 ，P溝道場效應(yīng)管中的載流子是 。42、圖1所示處于反向截止狀態(tài)的PN結(jié)，則a、b兩區(qū)分別是PN結(jié)的 區(qū)、 區(qū)。43、PN結(jié)是靠多數(shù)載流子的 運動和少數(shù)載流子的 運動形成的。44、 PN結(jié)中內(nèi)電場阻止 的擴散，推動 的漂移運動。45、二極管的特性是 ，場效應(yīng)管是 控制型器件。46、集成運放是多級 耦合放大器。47、 BJT工作在放大區(qū)時，其發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電

10、結(jié)處于 偏置。48、集成運放內(nèi)部是一個具有高放大倍數(shù)的 耦合的放大電路，故它的主要缺點是 ，為了克服這一缺點，輸入級一般采用 電路提高放大倍數(shù)，中間級一般采用 負載，放大管多用 ；為了提高功率，輸出級常采用互補對稱電路。49、BJT是 控制器件，F(xiàn)ET是 控制器件。50、用萬用表的歐姆檔對二極管進行正反兩次測量，若兩次讀數(shù)都為，則此二極管_；若兩次讀數(shù)都接近零，則此二極管_；若讀數(shù)一次很大，一次讀數(shù)小，則此二極管_。51、設(shè)如右圖電路中, D1為硅二極管, D2為鍺二極管, 則D1處于 狀態(tài), D2處于 狀態(tài), 輸出電壓Uo為 伏。圖352、 BJT工作在截止區(qū)時，其發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處

11、于 偏置。53、結(jié)型場效應(yīng)管輸入回路PN結(jié)處于 狀態(tài)，因此它的輸入電阻比雙極型三極管的輸入電阻 。54、晶體三極管的輸出特性曲線一般分為三個區(qū)，即： 、 、 ；要使三極管工作在放大區(qū)必須給發(fā)射結(jié)加 ，集電結(jié)加 。55、測得工作在放大電路中的晶體管三個電極電位分別為，則此管是 型三極管，材料為 。56、理想運放有“虛短”即指 和“虛斷”即指 兩個重要特性，“虛地”是 的特殊情況。57、二極管最主要的特性是 。58、.在選用整流二極管時，主要應(yīng)考慮參數(shù) 、 。59、在室溫下，某三極管的ICBO=8A，b=70，穿透電流為 mA 。另一只三極管的電流值：IB = 20mA時IC = 1.18mA、I

12、B = 80mA時IC = 4.78mA，該管的b = 。60、整流二極管的整流作用是利用PN結(jié)的 特性，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用PN結(jié)的 特性。三、判斷題：61、運放的輸入失調(diào)電壓UIO是兩輸入端電位之差。（ ）62、因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負電。（ ）63、本征半導(dǎo)體溫度升高后，自由電子數(shù)目增多，空穴數(shù)基本不變。（ ）64、P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，因此，P型半導(dǎo)體帶正電。（ ）65、本征半導(dǎo)體不帶電，P 型半導(dǎo)體帶正電，N 型半導(dǎo)體帶負電。（ ）66、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子。（ ）67、P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子

13、。（ ）68、BJT的值越大，放大能力越強，但在選用BJT時，并不是值越大越好。（ ）69、發(fā)射結(jié)處于反偏的BJT，它一定工作在截止區(qū)。（ ）70、BJT是由兩個PN結(jié)組合而成的，所以將兩個二極管對接，也可以當(dāng)BJT使用。（ ）71、BJT的輸入電阻rbe是對交流而言的一個動態(tài)電阻，在小信號情況下為常數(shù)。（ ）72、在三極管放大電路的三種基本組態(tài)中，共集電極放大電路帶負載的能力最強。（）73、二極管的反向偏置電壓升高時，其正向電阻增大。（）74、處于放大狀態(tài)的晶體管其基極電流同場效應(yīng)管的柵極電流差不多。（ ）75、三極管是雙極型管，屬于電流控制器件；場效應(yīng)管是單極性管，屬于電壓控制器件。（ ）

14、76、在運放電路中，閉環(huán)增益f是指廣義的放大倍數(shù)。（ ）77、二極管的反向偏置電壓升高時，其正向電阻增大。（ ）78、小功率晶體二極管2CP12的正向電流在20mA的基礎(chǔ)上增加1倍，它的兩端壓降也增加1倍。（ ）79、雙極型晶體管和場效應(yīng)管都是電流控制型器件。（ ）80、處于線性工作狀態(tài)的實際集成運放，在實現(xiàn)信號運算時，兩個輸入端對地的直流電阻必須相等，才能防止輸入偏置電流帶來誤差。（ ）四、分析作圖題：83、畫出圖中各電路的u0波形。設(shè)ui=10sint(V),且二極管具有理想特性。10KDuiRuo2uiDR10Kuo1 10K 84、電路如圖（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ3V，R的取值合適，uI的波形如圖（c）所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。 分