晶閘管的導(dǎo)通條件是什么

1、精選文檔1. 晶閘管的導(dǎo)通條件是什么？導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由什么打算？負(fù)載上電壓等于什么？晶閘管的關(guān)斷條件是什么？答：當(dāng)晶閘管承受正向電壓且在門極有觸發(fā)電流時晶閘管才能導(dǎo)通；導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由電源和負(fù)載打算；負(fù)載上電壓等于電源電壓；當(dāng)晶閘管承受反向電壓或者流過晶閘管的電流為零時，晶閘管關(guān)斷。2. 晶閘管的主要參數(shù)有那些？答：晶閘管的主要參數(shù)有：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓：在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。反向重復(fù)峰值電壓：在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。通態(tài)（峰值）電壓：這是晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓。通態(tài)平

2、均電流：穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。維持電流：使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。擎住電流：晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除動身信號后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。浪涌電流：指由于電路特別狀況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不行重復(fù)性最大正向電流。還有動態(tài)參數(shù)：開通時間、關(guān)斷時間、斷態(tài)電壓臨界上升率和通態(tài)電流臨界上升率。3. 什么叫全控型器件？答：通過把握信號既可把握其導(dǎo)通，又可把握其關(guān)斷的電力電子器件稱為全控型器件。4. 工作在開關(guān)狀態(tài)的電力電子器件的主要損耗有哪些？如何減?。看穑褐饕袑?dǎo)通時通態(tài)損耗、阻斷時斷態(tài)損耗和動態(tài)開關(guān)損耗，還有基極驅(qū)動功率損耗、截止功率損耗。降

3、低開關(guān)頻率、降低飽和導(dǎo)通壓降、減小開通和關(guān)斷時間、增加緩沖電路、加散熱器冷卻，均可減小損耗。P421. 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：參見上面第一題。2. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去把握作用，不論門極動身信號是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通，只需保持陽極電流在維持電流以上；但若利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，則晶閘管關(guān)斷。5. GTO和一般晶閘管同為PNP結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而一般晶閘管不能？答：GTO 為門極可關(guān)斷晶閘管，是晶閘管的一種派生器件，可以通過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷

4、。GTO和一般晶閘管一樣，是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部也是引出三個極，但是與一般晶閘管不同，GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個甚至數(shù)百個共陽極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起，這種特殊結(jié)構(gòu)就是為了便于實現(xiàn)門極把握關(guān)斷而設(shè)計的；在設(shè)計器件時使較大，這樣晶體管V把握靈敏，使得GTO易于關(guān)斷；并且使得更接近于1，這樣使GTO導(dǎo)通時飽和程度不深，從而為門極把握關(guān)斷供應(yīng)了條件。所述、分別為GTO內(nèi)部兩等效晶體管的電流增益。6如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)引起的損壞？答：電力MOSFET管的柵極絕緣層很薄弱，簡潔被擊穿而損壞，MOSFET的輸入電容低于泄露電容

5、，當(dāng)柵極開路時極簡潔受靜電干擾而充上超過正負(fù)20V的擊穿電壓，所以應(yīng)當(dāng)防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起損壞：1、一般不用時將其三個電極短接；2、裝配時人體、工作臺、電烙鐵必需接地，測試時全部的儀器外殼必需接地；3、電路中，柵，源極之間常并聯(lián)齊納二極管防止電壓過高；4、漏、源極間也要接受緩沖電路等措施吸取電壓。7.IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動電路各有什么特點？答：GTO：是雙極型電流驅(qū)動型器件，對觸發(fā)脈沖前沿的幅值和陡度要求高；整個觸發(fā)過程中加正門極電流；關(guān)斷需加負(fù)門極電流，對其幅值和陡度的要求更高；關(guān)斷后門極返回負(fù)偏壓。GTR：是雙極型電流驅(qū)動型器件，使GTR導(dǎo)通的基極電流

6、應(yīng)使其處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深度飽和區(qū)；關(guān)斷GTR時，施加肯定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷損耗；關(guān)斷后應(yīng)在基射極之間施加肯定幅值負(fù)偏壓。IGBT：是電壓驅(qū)動型器件，驅(qū)動電路要有較小輸出電阻，柵極驅(qū)動電壓脈沖的上升率和下降率要充分大 , 以減小開通和關(guān)斷損耗；IGBT 導(dǎo)通后 , 柵極驅(qū)動電路供應(yīng)應(yīng) IGBT 的驅(qū)動電壓和電流要具有足夠的幅值維持 IGBT 處于飽和狀態(tài)；關(guān)斷時施加肯定幅值的負(fù)驅(qū)動電壓；關(guān)斷后門極施加負(fù)偏壓。MOSFET：是電壓驅(qū)動型器件，驅(qū)動電路要有較小輸出電阻；觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；開通時以低電阻為柵極電容充電，關(guān)斷時為柵極供應(yīng)低電阻放電回路，以

7、提高功率MOSFET的開關(guān)速度；為了使電力MOSFET牢靠觸發(fā)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)高于管子的開啟電壓；關(guān)斷時施加肯定幅值的負(fù)驅(qū)動電壓；關(guān)斷后門極施加負(fù)偏壓。 8.全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么？試分析RCD緩沖電路中各原件的作用。答：緩沖電路又稱為吸取電路，其作用是抑制電力電子器件的內(nèi)因過壓、或者過流、，減小器件的開關(guān)損耗。 參看課本P39圖1-38： V開通時，Cs通過Rs向V放電，使先上一個臺階，以后因有Li，上升速度減慢；V關(guān)斷時，負(fù)載電流通過VDs向Cs分流，減輕了V的負(fù)擔(dān)，抑制了和過電壓。9.試說明IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點。答：GTR和GTO 是雙極型電流驅(qū)動器件，通流力量強(qiáng)，但開關(guān)速度較低，所需的驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路簡單；電力MOSFET是單極型電壓驅(qū)動器件，開關(guān)速度快，輸