手機(jī)三級維修手冊

1、1手機(jī)的特點(diǎn)Ø 支持雙頻EGSM900 / DCS1800 Phase 2；Ø 支持全速率、半速率和增強(qiáng)全速率(FR,HR,EFR)語音編碼；Ø 支持增強(qiáng)速率的SIM 卡（3V）；Ø 主芯片采用Infineon E-Gold+（PMB6850）、E-Power(PMB6810)和Smarti+(PMB6253)；Ø 射頻電路采用傳統(tǒng)超外差式電路結(jié)構(gòu)，具有接收穩(wěn)定，動態(tài)范圍寬，靈敏度髙，元器件少，成本低等優(yōu)點(diǎn)，高集成度，PCB 上全部元件約200 個(gè)。2手機(jī)的無線指標(biāo)Ø 工作頻帶:EGSM900 移動電話機(jī)發(fā)：880915MHz； 移動

2、電話機(jī)收：925960MHz；DCS1800 移動電話機(jī)發(fā)：17101785MHz；移動電話機(jī)收：18051880MHz；Ø 載頻間隔：200kHz；Ø 支持信道：EGSM:(975-1023,0-124)共174 信道；DCS：（512885）共374 信道；Ø 雙工頻率間隔：GSM900：45MHz；DCS1800：95MHz；Ø 雙工時(shí)差：發(fā)射落后接收3 時(shí)隙；Ø 數(shù)據(jù)調(diào)制方式：0.3 GMSK；Ø 發(fā)射機(jī)輸出功率：EGSM:5-33dBm；DCS：0-30dBm；Ø 發(fā)射功控級別：EGSM:5(33dBm)-19(5

3、dBm),STEP：2dBDCS:0(30dBm)-15(0dBm),STEP:2dB ；Ø 接收靈敏度： EGSM:優(yōu)于-102dBm（RBER<2%）DCS:優(yōu)于-100dBm（RBER<2%）；Ø 頻率誤差：<0.1ppm；Ø 峰值相位誤差：<20deg；Ø 均值相位誤差：<5deg ；3整機(jī)系統(tǒng)構(gòu)成整機(jī)系統(tǒng)框圖如下圖：31 所示在GSM 手機(jī)中，整機(jī)電路結(jié)構(gòu)可分為：1) 射頻處理部分（RF）;2) 基帶及邏輯控制部分（Baseband）3.1 射頻處理部分（RF）射頻部分電路主要功能:射頻部分一般指手機(jī)電路的模擬射頻

4、、中頻處理部分，包括天線系統(tǒng)、發(fā)送通路、接收通路、模擬調(diào)制、解調(diào)以及GSM 信道調(diào)諧用的頻率合成器等。射頻部分電路主要完成無線信號的接收與發(fā)送，負(fù)責(zé)與基站之間通過空中接口的話音和信令的雙向傳輸。具體的說，接收電路完成對接收到的基站高頻信號的AGC 放大，混頻和解調(diào)，產(chǎn)生一定幅度的模擬基帶I/Q 信號，送基帶電路做進(jìn)一步處理。而發(fā)射電路完成對基帶送來的模擬基帶I/Q 信號的調(diào)制，上變頻和功率放大,產(chǎn)生符合GSM 規(guī)范要求的突發(fā)脈沖信號通過天線發(fā)射到基站。射頻電路與基帶電路的接口為模擬基帶I/Q 信號。射頻電路的性能將直接影響到手機(jī)的信號傳輸質(zhì)量。A321 GSM 雙頻手機(jī)射頻電路原理框圖如下圖：

5、32 所示由上圖：32 可以看出，射頻電路主要由一塊髙集成度收發(fā)芯片PMB6253(SMARTI+)外加一些濾波器，VCO，PA 和天線開關(guān)等構(gòu)成。射頻電路包括：(1) 接收機(jī)；(2) 發(fā)射機(jī)；(3) 鎖相環(huán)頻率合成器3.1.1 接收機(jī)本機(jī)型射頻接收機(jī)電路采用傳統(tǒng)超外差式電路結(jié)構(gòu)，接收中頻為360MHz，具有接收穩(wěn)定，動態(tài)范圍寬，靈敏度髙等特點(diǎn)。接收機(jī)電路主要由天線及其匹配電路，天線開關(guān)（X4）,GSM 接收聲表濾波器（BPF2）及其匹配電路，DCS 接收聲表濾波器（BPF3）及其匹配電路,GSM/DCS 接收高頻LNA ， MIXER(混頻器)，接收中頻聲表濾波器（BPF1）,IFPGC(中

6、頻可編程增益放大器)，I/Q 解調(diào)器及BBPGC(基帶可編程增益放大器)，以及前端切換邏輯（T3、T4）共同構(gòu)成。其中LNA、MIXER、IFPGC、I/Q 解調(diào)器及BBPGC 已經(jīng)集成在收發(fā)芯片IC1（SMARTI）里面,接收機(jī)電路將接收到的EGSM925960MHz 或DCS18051880MHz 的射頻信號經(jīng)過以上器件的放大和變換之后轉(zhuǎn)換成67.708KHz 的模擬基帶I/Q 信號送基帶電路的IC7（EGOLD+）作A/D 變換和進(jìn)一步的數(shù)字信號處理。其中接收信號的AGC 放大通過3 wire Bus（EN，DA, CLK）可編程控制。由基帶邏輯控制電路（EGOLD+）通過3 wire

7、Bus 實(shí)現(xiàn)對接收機(jī)及AGC 的控制。3.1.2 發(fā)射機(jī)發(fā)射機(jī)電路由I/Q 調(diào)制器，發(fā)射中頻帶通濾波器，發(fā)射上變頻鎖相環(huán)路，TXVCO(X3),發(fā)射混頻,發(fā)射功率放大（IC3）和功控環(huán)路(IC5 和IC4)等構(gòu)成。其中I/Q 調(diào)制器、鎖相環(huán)的鑒相器和發(fā)射混頻器已經(jīng)集成到IC1（SMARTI+）。發(fā)射機(jī)電路完成將基帶部分送來的模擬I/Q 信號變換成EGSM880-915MHz 或DCS1710-1785MHz 的射頻信號，并放大到基站所要求的功率在相應(yīng)時(shí)隙發(fā)送給基站。其中發(fā)射中頻為424MHz/428MHz（當(dāng)發(fā)射信道為781819 時(shí)TXIF 為428MHz）。3.1.3 鎖相環(huán)頻率合成器鎖相

8、環(huán)頻率合成器由鑒頻鑒相器PFD，CP（Charge Pump），環(huán)路濾波器LF，VCO和反饋支路的可編程分頻器構(gòu)成。在射頻主IC1(SMARTI+)里面集成了合成信道頻率所需的一本振（LO1）鎖相環(huán)（其中LO1 VCO 和環(huán)路濾波器在外面）和I/Q 調(diào)制解調(diào)所需的二本振鎖相環(huán)（其中環(huán)路濾波器在外面）。鎖相環(huán)合成信道頻率通過3 wire Bus可編程控制，邏輯控制電路（EGOLD+）通過3 wire Bus 向鎖相環(huán)反饋支路的可編程分頻器置不同的信道數(shù)據(jù)，通過改變分頻器的分頻比來產(chǎn)生不同的本振頻率，從而選擇不同的接收/發(fā)射信道。接收和發(fā)射時(shí)一二本振鎖相環(huán)頻率合成關(guān)系如下表：31 和下圖：33 所

9、示：3.2 基帶及邏輯控制部分（Baseband）基帶及邏輯控制部分電路主要功能：基帶及邏輯控制電路主要完成對接收和發(fā)送基帶信號的數(shù)字信號處理和整機(jī)系統(tǒng)的邏輯控制，包括對RF 部分，電源管理及充電部分以及各輸入/輸出（I/O）接口（包括鍵盤掃描，顯示部分，音頻輸入/輸出，SIM 卡，串行下載接口等）的控制和管理。當(dāng)接收的時(shí)候基帶電路將RF 部分送來的差分模擬基帶I/Q 信號（IR,IRX,QR,QRX）進(jìn)行GMSK 解調(diào)即A/D 變換變成數(shù)字信號，然后送DSP 作進(jìn)一步的數(shù)字信號處理，包括信道均衡，解密，去交織，信道解碼，話音解碼得到數(shù)字音頻信號,數(shù)字音頻信號接著進(jìn)行數(shù)模變換（D/A）和模擬音

10、頻放大去推動receiver 發(fā)出聲音；當(dāng)發(fā)送的時(shí)候基帶電路將microphone 輸入的模擬音頻信號進(jìn)行放大濾波和A/D 變換變成數(shù)字音頻信號，然后送DSP 作進(jìn)一步的處理，包括話音壓縮編碼（FR,ERF,HR），信道編碼，交織，加密，信道均衡和GMSK 調(diào)制，變成差分的模擬基帶I/Q 信號（IT,ITX,QT,QTX）送RF 部分處理?；鶐Ъ斑壿嬁刂圃砜驁D如下圖：34 所示由上圖：34 可以看出，基帶及邏輯控制電路由一塊主IC PMB6850(EGOLD+)，電源管理IC PMB6810（EPOWER），存儲器（FLASH,RAM,EEPROM）和一些外圍電路構(gòu)成。其中主IC EGOLD

11、+包括DSP（OAK+）和MCU(C166CBC)，是整機(jī)的控制核心和基帶信號處理核心?；鶐Ъ斑壿嬁刂齐娐钒ǎ海?） 音頻及數(shù)字信號處理部分；（2） 程序存儲及邏輯控制部分；（3） 鍵盤及顯示部分；（4） 電源管理及充電控制部分；（5） SIM 卡接口部分；（6） 和弦音樂及MMI 人機(jī)接口部分3.2.1 音頻及數(shù)字信號處理部分該部分電路完成收發(fā)音頻信號的放大，A/D,D/A 變換，以及數(shù)字信號處理：話音編解碼，信道編解碼，交織與去交織，加解密，信道均衡，GMSK 調(diào)制與解調(diào)，整個(gè)信號處理過程在EGOLD（IC7）內(nèi)部完成，與射頻接口為I/Q 信號線A/AX,B/BX。音頻接口信號線為rec

12、eiver1，receiver2，mic1 或耳機(jī)。3.2.2 程序存儲及邏輯控制部分本機(jī)的存儲電路由一塊IC8 FLASH 來完成，包括32M FLASH（64M），4M SRAM(8M)和eeprom，F(xiàn)LASH 中存儲了最重要的GSM 通信協(xié)議軟件和整機(jī)控制程序以及MMI 人機(jī)操作界面軟件，EGOLD+中的MCU 通過運(yùn)行FLASH 中的相關(guān)軟件來協(xié)調(diào)整機(jī)的運(yùn)作，包括對RF 和各I/O 接口的控制以及對用戶操作的響應(yīng)。MCU 通過地址線Adr0Adr22 和數(shù)據(jù)線Data0Data15 以及片選信號CSRAM,讀寫請求信號RDQ,WRQ 來訪問FLASH 或SRAM，通過控制線TXON,

13、PLLON,TX900_RX1800,TX1800_RX900,AFC,PALEVEL,3 wire bus（EN,DA,CLK）,TEMP 來對RF 部分電路進(jìn)行控制和管理;通過EPOWER_SCL,EPOWER_SDA(I2C 總線)實(shí)現(xiàn)對EPOWER 的控制和管理。3.2.3 鍵盤及顯示部分本機(jī)鍵盤矩陣為6行×4列，最多支持24按鍵。其中kp0kp5為鍵盤掃描電路的行輸出，kp6kp9為鍵盤掃描電路列輸入，MCU通過檢測鍵盤矩陣中行列的導(dǎo)通狀況來判斷用戶的按鍵操作；基帶電原理圖中三極管T7是手機(jī)關(guān)機(jī)和退出操作檢測開關(guān)管（參見基帶電原理圖）。LCD顯示屏通過FPC 與主板相連接，

14、由E-GOLD（IC7）負(fù)責(zé)對顯示屏進(jìn)行顯示控制?？刂萍皵?shù)據(jù)信號包括：（1） 黑白雙屏機(jī)：V3V：LCD供電DISP_SCLK：串行時(shí)鐘信號DISP_SID ：串行數(shù)據(jù)DISP_RS：指令/數(shù)據(jù)控制線：低電平DISP_SID傳送控制指令，髙電平DISP_SID傳送顯示數(shù)據(jù)DISP_RST：LCD復(fù)位信號，由EGOLD+對其復(fù)位DISP_CS_MAIN：主屏片選信號DISP_CS_SUB：小屏片選信號（2） 彩色雙屏機(jī)：V3V：LCD供電DISP_CS_MAIN：主屏片選信號DISP_CS_SUB：小屏片選信號DISP_RST：LCD復(fù)位信號RDQ：LCD讀請求信號WRQ：LCD寫請求信號LED

15、_MAIN_EN：主屏背光燈使能信號LED_SUB_EN：小屏背光燈使能信號DATA0DATA7：顯示并行數(shù)據(jù)線ADR1；ADR7：顯示地址線E-GOLD通過這些控制及數(shù)據(jù)線來控制顯示屏的顯示內(nèi)容。LCD 顯示部分接口原理請參見整機(jī)電原理圖中基帶部分。3.2.4 電源管理及充電控制部分電源管理電路負(fù)責(zé)整機(jī)的供電，為射頻，基帶及接口電路提供所需的電壓供給。其電原理圖如下圖：35 所示由上圖：35 可以看出，電源管理及充電電路由一塊集成電路IC6 PMB6810（EPOWER）、充電控制管T6、充電檢測/涓流充電管D2 以及外圍濾波電路構(gòu)成。電源管理IC 工作的時(shí)候可以為射頻和基帶電路提供以下穩(wěn)定

16、電壓：(1) 基帶供電：V_SD : 1.92V 給EGOLD（IC7）數(shù)字邏輯部分供電VANA： 2.39V 給EGOLD 模擬電路部分供電VINT： 2.62V 給EGOLD 接口部分電路供電V3V： 2.85V 給FLASH（IC8）供電，同時(shí)也給LCD 供電。VSIM： 2.85V 給SIM 卡供電VRTC： 1.942.5V 給EGOLD 的實(shí)時(shí)鐘電路(32.768KHz)供電，同時(shí)給后備電池BATT1 充電，該電壓即使手機(jī)處于關(guān)機(jī)狀態(tài)也存在，以確保手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)內(nèi)部時(shí)鐘仍能運(yùn)行。(2) 射頻供電：VCC_VCXO： 2.85V 為射頻電路的13M 晶振提供工作電壓。RF2V8： 2.8

17、5V 供給射頻電路除了PA 和13M 晶體以外的所有有源器件，包括SMARTI+,RFVCO(X2),TXVCO(X3),天線開關(guān)的切換邏輯，Power Controller IC4.射頻電路的PA（IC3）由于是大功率器件，所以由電池電壓VBAT 直接供電。電源管理IC 的工作狀態(tài)由EGOLD 通過I2C 總線（EPOWER_SCL,EPOWER_SDA）進(jìn)行控制，由信號管腳ON 激活工作，RESET 是復(fù)位信號，用于開機(jī)時(shí)對EGOLD 和FLASH進(jìn)行復(fù)位，當(dāng)用戶按了開機(jī)鍵ON/OFF 時(shí)，電池電壓VBAT 加到EPOWERON 管腳，EPOWER開始工作輸出各路電壓以及復(fù)位信號，基帶及射

18、頻各電路因得到工作電壓而紛紛工作起來，包括13M,32.768KHz 實(shí)時(shí)鐘，EGOLD+,FLASH,LCD 等，此時(shí)EGOLD 和FLASH 因?yàn)镋POWER 輸出的復(fù)位信號而先進(jìn)行復(fù)位，然后EGOLD 執(zhí)行內(nèi)置的BOOT 引導(dǎo)程序進(jìn)行開機(jī)自檢， 包括硬件自檢和軟件自檢， 自檢通過以后EGOLD 通過I2C 總線（EPOWER_SCL,EPOWER_SDA）向EPOWER 發(fā)送開機(jī)維持信號，讓EPOWER 維持各路輸出電壓，此時(shí)用戶可以松開ON/OFF 開機(jī)鍵，EGOLD 調(diào)用FLASH 的相關(guān)軟件實(shí)現(xiàn)開機(jī)和網(wǎng)絡(luò)搜索。充電電路充電電路原理框圖如下圖：36 所示該手機(jī)支持開機(jī)和關(guān)機(jī)兩種狀態(tài)充

19、電。當(dāng)外部有充電器接到DC 插孔（J3）時(shí)，會被E-POWER 的管腳7（VDDCH） 檢測到。當(dāng)手機(jī)電池電壓髙于3V時(shí)，EPOWER可以工作（當(dāng)電池電壓低于3V時(shí)EPOWER將不能工作），手機(jī)處于正常充電模式，E-POWER 內(nèi)部的T2管導(dǎo)通，從而將充電控制管腳#4（VCHC）下拉至低電平，此時(shí)場效應(yīng)管T6導(dǎo)通，于是充電器輸出的直流充電電流通過D3和電阻Rsense開始給電池充電，電池電壓開始上升。在基帶電原理圖中，電池電壓VBAT通過電阻R33和R34分壓送到EGOLD的VBAT管腳進(jìn)行ADC(詳見基帶電原理圖)，E-GOLD通過檢測VBAT的ADC值可以知道當(dāng)前的電池電壓，然后通過I2C

20、總線對充電實(shí)行監(jiān)控，若電池充滿E-GOLD將T2基極變?yōu)榈碗娖?，從而EPOWER管腳4（VCHC）因電阻R2的上拉作用而為髙電平，場效應(yīng)管T6截至，此時(shí)充電停止。當(dāng)手機(jī)電池電壓低于3V時(shí)，此時(shí)EPOWER無法正常工作，因而邏輯控制電路(EGOLD)也無法正常工作，但EPOWER里面的預(yù)充電電路可以工作，手機(jī)處于預(yù)充電模式（這種情況多出現(xiàn)在電池儲藏時(shí)間過長或者過度放電），此時(shí)充電適配器的電流由EPOWER的管腳7（VDDCH）流過內(nèi)部的預(yù)充電控制管T3再由管腳VCHS經(jīng)由電阻Rsense給電池小電流充 電，充電電流為3050mA，直到電池電壓上升到超過3V時(shí)，充電模式轉(zhuǎn)為正常模式。注意：處于預(yù)充

21、電模式時(shí)，手機(jī)屏幕上沒有任何指示！因?yàn)檫壿嬁刂齐娐愤€未工作！關(guān)機(jī)充電和開機(jī)充電原理相同，只是在關(guān)機(jī)狀態(tài)下，E-GOLD 未執(zhí)行其它程序，使手機(jī)仍處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。另外跟充電密切相關(guān)的一個(gè)參數(shù)：電池溫度，會影響手機(jī)對充電的控制，從上圖：35中可以看出，電池連接器J2的第2腳（電池溫度檢測腳）連到了EGOLD的電池溫度檢測ADC，同時(shí)該管腳還通過一個(gè)電阻R30連到了VINT（2.62V），電池溫度檢測原理為：在電池的保護(hù)板里面有一個(gè)溫敏電阻NTC由電池溫度檢測腳（J2的2腳）連到了電池的地（負(fù)極），NTC的電阻會隨著電芯的溫度而變化，電壓VINT經(jīng)過電阻R30和NTC的分壓送到了EGOLD進(jìn)行ADC，

22、隨著電池溫度的變化，該檢測電壓也隨著變化，EGOLD通過識別該電壓的變化可以知道電池的當(dāng)前溫度。該電壓的ADC在生產(chǎn)的時(shí)候要進(jìn)行校準(zhǔn)。出于安全和對電池的保護(hù)，電池溫度只有在5050之間才能進(jìn)行充電，溫度超過該范圍，EGOLD將關(guān)斷充電電路！所以在維修的時(shí)候出現(xiàn)不充電不妨測量一下該電壓是否正常！如該管腳接觸不良或?qū)Φ囟搪?，手機(jī)將不能充電！3.2.5 SIM 卡接口部分本機(jī)型手機(jī)僅支持3V SIM 卡，在開機(jī)時(shí)，E-GOLD 與SIM 卡通信的各輸出腳(CCIO、CCCLK、CCRST)送出脈沖信號，在插入SIM 卡開機(jī)后，SIM 卡收到E-GOLD的脈沖信號后，作出回應(yīng)，E-GOLD 收到響應(yīng)信

23、號后，確認(rèn)SIM 卡的存在，開始與SlM 卡進(jìn)行通信，進(jìn)行用戶鑒權(quán)等有關(guān)SlM 卡的操作. SIM 卡接口電路電路較為簡單，請參考整機(jī)電原理圖中基帶部分.3.2.6 和弦音樂及MMI 人機(jī)接口部分本機(jī)型支持16和弦/40和弦鈴聲，和弦鈴聲部分電路圖如下圖：37所示和弦鈴聲電路主要由YAMAHA和弦IC YMU762(759)，（R14,C130,IC2構(gòu)成的振蕩電路），IC10 LDO供電管，和外圍分立電路構(gòu)成。主要完成和弦音樂的合成，將EGOLD送來的鈴流數(shù)據(jù)合成悅耳的音樂送SPEAKER播放。MMI人機(jī)接口電路主要包括Microphone（麥克風(fēng)）、Receiver（聽筒）、Speaker

24、（鈴聲器）Earphone（耳機(jī)）、Motor（馬達(dá)）、backlight（背光燈）、7彩指示燈，Keyboard & LCD(前面已述及)。MMI接口中涉及的控制信號線如下：(1) EAR_DETECT：外接免提耳機(jī)檢測信號，髙電平：音頻輸入輸出為手機(jī)內(nèi)部麥克風(fēng)和聽筒；低電平：音頻輸入輸出為免提耳機(jī)；(2) VIBRATOR：振動馬達(dá)驅(qū)動信號，髙電平馬達(dá)將轉(zhuǎn)動；(3) LED_G、LED_B、LED_O：七彩燈驅(qū)動信號，髙電平相應(yīng)顏色的燈將點(diǎn)亮；(4) SP1,SP2：來自和弦IC9的音頻信號，送SPEAKER.；(5) 鍵盤背光燈和LCD背光燈驅(qū)動請參見基帶電路原理圖。4. 維修指

25、南手機(jī)出現(xiàn)故障的情況主要有以下幾種：不能下載程序；不能開機(jī)；不能建立呼叫（包括無接收，不發(fā)射）；不能充電;接收/發(fā)射功率異常；無聲音；無振動；無顯示；漏電；不識卡等。在整個(gè)手機(jī)電路系統(tǒng)中，所有的線路我們可以分成三種：供電線，控制線和信號線。在分析故障的時(shí)候，對于有源器件，我們應(yīng)該遵從先查供電線，再查控制線，最后查信號線的原則，逐步排除故障。在分析射頻電路故障的時(shí)候應(yīng)該先排除接收電路故障，再排除發(fā)射電路的故障。檢查手機(jī)各電路供電電源是否正常的時(shí)候我們可以使用萬用表或示波器，檢查控制線的控制信號的時(shí)候我們可以使用示波器；對于信號線，如果是高頻信號（比如接收/發(fā)射的射頻信號，收發(fā)中頻信號），我們可以

26、用頻譜分析儀在頻域上測量信號的幅度，如果是低頻信號（比如收發(fā)I/Q信號，RTC等），我們可以用示波器測量信號的時(shí)域波形。4.1 常見故障的檢修流程4.4 常見故障的檢修實(shí)例1） 故障現(xiàn)象: 不能下載程序故障分析：(1) 下載的通路可能有問題,即電原理圖上從download1、download2（MIC2、EP2） 到E-GOLD上的RXD0、TXD0 之間的下載通路。但檢查發(fā)現(xiàn)該電路正常。(2) TCXO(13MHz 參考時(shí)鐘)是否工作正常，檢查發(fā)現(xiàn)13Mhz 沒有輸出且其工作電壓(2.85V)也沒有，于是查E-POWER 的VCC-VCXO 發(fā)現(xiàn)其沒有輸出，吹焊E-POWER 后，重新下載程

27、序成功。2） 故障現(xiàn)象：不能下載程序故障分析：接通電源，整機(jī)電流在35mA左右，正常時(shí)應(yīng)該在10mA到20mA之間，測L3上有正常13M的參考時(shí)鐘信號，手動觸發(fā)時(shí)發(fā)現(xiàn)電流維持在35mA不變，測量數(shù)據(jù)的發(fā)送（Tx）通道上TP5到J7的3腳電阻為1K，數(shù)據(jù)接收（Rx）通道上TP6到J7的4腳電阻為47K，判斷數(shù)據(jù)發(fā)送和接收通道都正常，故障應(yīng)該出現(xiàn)在IC7（EGOLD）上，因?yàn)槭莿倧腟MT下來的新板，IC7壞掉的可能性不大，重新吹焊IC7后正常。3） 故障現(xiàn)象： 不能下載程序故障分析：接通電源，整機(jī)電流在15mA左右，電流正常，測L3上有正常13M的參考時(shí)鐘信號，手動觸發(fā)時(shí)電流升大到40mA左右，由

28、此判斷手機(jī)已經(jīng)和電腦建立連接，數(shù)據(jù)發(fā)送和接收通道都應(yīng)該正常，IC7（EGOLD）也已經(jīng)工作，問題可能出在IC8上，重新吹焊IC8后正常。4） 故障現(xiàn)象：無法DOWNLOAD 程序故障分析：下載的時(shí)候可以觸發(fā)，但很快提示FLASH not support，很可能是FLASH虛焊或損壞，重新焊接FLASH 后可以下載程序。5） 故障現(xiàn)象：無法DOWNLOAD 程序故障分析：下載的時(shí)候觸發(fā)不了（boot fail），電流源有10 幾毫安的電流，所以很可能是手機(jī)的供電系統(tǒng)有問題，逐一檢查EPOWER 各路輸出電壓，都正常，再測量13M 輸出，也正常，但當(dāng)測量13M_BB 的時(shí)候沒有信號，說明EGOLD

29、 得不到工作時(shí)鐘而無法工作，因?yàn)?3M_BB 是從SMARTI 出來的，所以懷疑SMARTI虛焊，用風(fēng)槍吹一吹SMARTI 后13M_BB 正常，可以下載了。6） 故障現(xiàn)象：不能開機(jī)故障分析：接通電源，整機(jī)電流為12mA，按開機(jī)鍵后，電流沒有明顯的變化，LED閃一下即滅，用示波器測L5 有13M_BB 的參考時(shí)鐘信號送往IC7，重新下載程序能正常下程序，但是下完后故障依舊，由此判斷問題應(yīng)該出在IC7及其外圍電路上，測XTAL1時(shí)，發(fā)現(xiàn)沒有32.768K的時(shí)鐘信號輸出，換XTAL1后，有時(shí)鐘信號輸出，手機(jī)能正常開機(jī)。7） 故障現(xiàn)象：不能開機(jī)故障分析：接通電源，整機(jī)電流為15mA，按開機(jī)鍵后，電流

30、沒有明顯的變化，用示波器測L5 有13M_BB的參考時(shí)鐘信號送往IC7，重新下載程序時(shí)也下載失敗，而且觸發(fā)時(shí)沒有電流變化，由此判斷故障出在IC7上，重新吹焊IC7，故障依舊，換IC7后，重新下載程序成功，手機(jī)開關(guān)機(jī)也正常。8） 故障現(xiàn)象：不能開機(jī)故障分析：接通電源，電流接近短路電流，由此估計(jì)手機(jī)內(nèi)部出現(xiàn)短路，按以往的經(jīng)驗(yàn)，短路故障多出現(xiàn)在PA IC3上，判斷方法是將IC3的電源通道上L11去掉，如果電流還是短路，即短路點(diǎn)不是在IC3上，如果電流恢復(fù)正常，即短路點(diǎn)是在IC3上，取下L11后，電流恢復(fù)正常，由此應(yīng)該是PA短路，焊下IC3后，量IC3的電源腳跟地為0歐姆，重新?lián)QIC3后，復(fù)原L11，

31、電流恢復(fù)正常，手機(jī)能正常工作。9） 故障現(xiàn)象：開機(jī)后找不到網(wǎng)絡(luò)故障分析：開機(jī)后找不到網(wǎng)絡(luò)的原因較多，但大致可以按收發(fā)電路兩條主線去找原因，且在通常情況下發(fā)射電路出現(xiàn)故障的概率要大的多。且發(fā)射部分主要檢查PLL、PA 和天線開關(guān)。有關(guān)這些部分的電路資料請參閱前面RF 部分的原理介紹。此處僅介紹一實(shí)例。在綜測儀上用手機(jī)建立呼叫時(shí)，發(fā)現(xiàn)手機(jī)的工作電流只有4OmA 左右（在穩(wěn)壓電源的面板上觀察），此應(yīng)該是手機(jī)的PA 沒有工作。重新焊接后能建立呼叫，但又發(fā)現(xiàn)各個(gè)等級功率不正常，檢查PA 的控制回路，發(fā)現(xiàn)檢波二極管D1 反向電阻很小，更換后重新建立呼叫，輸出功率恢復(fù)正常。10） 故障現(xiàn)象：不能呼叫故障分析

32、：裝上SIM卡，開手機(jī)后，能正常找到網(wǎng)，但是不能呼叫對方，也不能呼上本機(jī)，由故障現(xiàn)象看，手機(jī)能找到網(wǎng)說明手機(jī)的接收是正常的，問題應(yīng)該出在發(fā)射通道上，把手機(jī)置于常發(fā)狀態(tài)，用示波器測量TxVCO X3 的3腳有正常的1.2V 直流控制信號，判斷IC1已經(jīng)正常工作，按以前的經(jīng)驗(yàn)，問題出現(xiàn)在PA（IC3）的可能性比較大，用頻譜儀測IC3沒有相應(yīng)的輸出信號，所以應(yīng)該是IC3沒有工作，而這種故障一般是由于IC3虛焊所至，重新吹焊IC3后手機(jī)正常。11） 故障現(xiàn)象：不能呼叫故障分析：裝上SIM卡，開手機(jī)后，手機(jī)不能正常找到網(wǎng)，測量天線連接器J1 正常，把手機(jī)置于常收狀態(tài)，用示波器檢測R1上的四路差分IQ信號

33、A、AX、B、BX都正常，測接收通道的1次本振X2的5腳，即TP27有1.15V左右的直流信號，測2次本振TP29時(shí)，發(fā)現(xiàn)信號波形是類似于紋波的的不規(guī)則波形，正常時(shí)應(yīng)該是0.8V2.25V左右的直流信號，由此判斷2次本振工作不正常，由于2次本振工作是在芯片IC1里完成，外圍電路只有C21、C24、R11，檢查時(shí)發(fā)現(xiàn)C24出現(xiàn)虛焊，重新吹焊C24后，手機(jī)恢復(fù)正常。12) 故障現(xiàn)象：不能呼叫故障分析：用維修軟件在測試模式試圖與綜測儀建立呼叫的時(shí)候Idle 不了，說明接收機(jī)有問題，強(qiáng)制手機(jī)進(jìn)入非信令（inline 模式）突發(fā)接收狀態(tài)，用頻譜儀測量接收前端射頻信號正常，再 測接收中頻信號，發(fā)現(xiàn)測不到接

34、收中頻信號，這時(shí)測量3wirebus（EN,DA,CLK）發(fā)現(xiàn)EGOLD 送出的3wirebus 控制信號正常，但有一路EN 信號在經(jīng)過排阻R1 之后測不到，用萬用表測量排阻R1 的EN 支路，發(fā)現(xiàn)電阻為無窮大，說明該電阻已壞，更換排阻R1 之后故障排除。13） 故障現(xiàn)象：不能呼叫故障分析：用維修軟件與綜測儀呼叫的時(shí)候Idle不了，說明接收機(jī)有問題，強(qiáng)制手機(jī)發(fā)接收狀態(tài)，用頻譜儀測量接收前端射頻信號正常，再測接收中頻信號正常，但當(dāng)測量I/Q信號的時(shí)候發(fā)現(xiàn)有一路I/Q信號幅度比較弱，用萬用表測量排阻R2阻值正常，懷疑排阻R2虛焊，用風(fēng)槍吹吹，居然好了。14） 故障現(xiàn)象：BUZZER 不響故障分析：

35、手機(jī)播放鈴聲時(shí)，BUZZER 沒有聲音，換新BUZZER后，故障依舊，由此排除是BUZZER 壞的原因，用示波器檢測T9的輸入端1 腳，有正常的鈴聲電壓信號，但是4 腳沒有輸出信號，判斷故障出在鈴聲推動場管T9上，重新吹焊T9，故障依舊，換新的T9后，手機(jī)能正常播放鈴聲。15） 故障現(xiàn)象：通話Receiver 沒聲音故障分析：撥通電話，對方聽不到自己說話聲，自己也聽不到對方的說話聲，檢查Receiver正常，外圍電路也沒發(fā)現(xiàn)問題，但是當(dāng)用耳機(jī)通話時(shí)，卻能聽到對方的聲音，對方也能正常聽到自己的聲音，重新下載軟件后，故障依舊，由此估計(jì)手機(jī)通話時(shí)切換出現(xiàn)問題，也就是手機(jī)處于耳機(jī)通話狀態(tài)，不能切換到R

36、eceiver及MIC通話方式， L14的好壞直接影響通話的切換，檢查發(fā)現(xiàn)L14出現(xiàn)虛焊現(xiàn)象，重新吹焊L14后通話正常。16） 故障現(xiàn)象：通話Receiver 有干擾聲故障分析：手機(jī)在通話過程中，Receiver 能聽到明顯的“咝咝”響的干擾聲，而且不隨位置的變化而變化，檢查Receiver及外圍電路都沒發(fā)現(xiàn)異常，用耳機(jī)通話時(shí)正常，重新下載軟件后，故障沒有改善，判斷可能是手機(jī)MIC性能不好，在通話中出現(xiàn)對Receiver串音干擾，換新的MIC后通話再沒有干擾聲，手機(jī)工作正常。17） 故障現(xiàn)象：Vibrator 不震動故障分析：手機(jī)打開震動報(bào)警方式，來電時(shí)不能震動報(bào)警，換新的Vibrator 故

37、障依舊，排除是Vibrator 壞，把手機(jī)打開震動狀態(tài)，檢測Vibrator 的1 腳有3.8V 左右的供電電壓，T1 的6 腳也有3.8V 左右，由此判斷是T1 沒有導(dǎo)通的緣故，導(dǎo)致6 腳不能變成低電位，所以Vibrator 不能運(yùn)行，測T1 的2 腳，由IC7 送來的控制T1 導(dǎo)通的信號正常，所以問題應(yīng)該出在T1 不能導(dǎo)通上，重新吹焊后故障依舊，換新的T1，故障排除，手機(jī)震動報(bào)警方式正常。18） 故障現(xiàn)象：GSMLEV5 發(fā)射電流大，功率低故障分析：用小功率建立呼叫，把功率逐漸曾大到LEV5，電流上升到450mA 左右，功率只有30dBm 左右，強(qiáng)制手機(jī)進(jìn)入非信令突發(fā)發(fā)射狀態(tài)，用示波器測量

38、PALEVEL控制信號正常，測量VAPC（TP19）,電壓幅度達(dá)到2.7V，難怪電流那么大，再測量功率檢測反饋信號（IC4 第4 腳），幾乎測不到反饋信號，所以問題出在功率檢測反饋支路，很可能耦合器（IC5）虛焊或損壞，吹吹IC5，再建立呼叫，功率電流都正常了！19) 故障現(xiàn)象：從GSM 切換到DCS 掉話故障分析：試圖在DCS 頻段上建立呼叫（可以IDLE：說明DCS 接收正常），無法建立呼叫,強(qiáng)制手機(jī)在DCS 頻段非信令突發(fā)發(fā)射，測量3wirebus PLLON 正常（其實(shí)不測也知道正常，因?yàn)镚SM 是正常的），測量LO1,LO2 正常，CPTX 正常，但TXVCO 無輸出，再測量TXVCO 的BAND 控制腳，發(fā)現(xiàn)為低電平（不對，DCS 應(yīng)該為髙電平），BAND 信號來自SMARTI，所以測量SMARTI BSW（4 腳），發(fā)現(xiàn)BSW腳有髙電平輸出，毫無疑問，SMARTI 虛焊了（PCB 斷線的可能性很?。?，所以吹吹SMARTI，DCS