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1、2016級(jí)晶體X射線衍射部分考試復(fù)習(xí)提綱第五章晶體學(xué)基礎(chǔ)1 .晶體結(jié)構(gòu)與空間點(diǎn)陣晶體:是結(jié)構(gòu)基元(原子、離子或分子等)在三維空間作有規(guī)則、周期性重復(fù)排列的固體,具有格子構(gòu)造。晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本重復(fù)單元。空間點(diǎn)陣:從晶體結(jié)構(gòu)抽象出來(lái)的,描述結(jié)構(gòu)基元空間分布周期性的幾何點(diǎn),稱(chēng)為晶體的空間點(diǎn)陣(正點(diǎn)陣)。幾何點(diǎn)為陣點(diǎn)。14種布拉菲點(diǎn)陣,7種品系七個(gè)晶系及有關(guān)特征品系特征對(duì)稱(chēng)元素晶啦特點(diǎn)空間點(diǎn)陣型式立方品系4個(gè)按立方體對(duì)前線取向的3幣:旋轉(zhuǎn)軸n=b=c«=P=¥=90劭單立方立方體心立方面心八門(mén)IIH豕6重對(duì)稱(chēng)軸a=&=90*p¥=1虎單六萬(wàn)四方品系4中:對(duì)稱(chēng)軸

2、30a-bc口二0二¥二90.位飲四體心四方1:方品系3市對(duì)稱(chēng)軸口=P90摘單六方R七人方正交品系2r更相卜白的對(duì)你面或3個(gè)互相塞直的2堂對(duì)稱(chēng)軸aHb#c口=g=y=90"簡(jiǎn)單正交C心正交體心正文面心正交1中1:R擊HH樂(lè)21時(shí)稱(chēng)軸熏酒林而HbW匕a4¥筒單單斜匚心中.科三斜木系無(wú)一_簡(jiǎn)單單科2 .晶面、晶面指數(shù)、間距晶面:在點(diǎn)陣中由結(jié)點(diǎn)構(gòu)成的平面。晶面指數(shù):國(guó)際上通用的是密勒(Miller)指數(shù),即用hkl)表示待標(biāo)晶面的晶面指數(shù)。晶面間距:一組平行晶面(hkl)中兩個(gè)相鄰平面間的垂直距離稱(chēng)為晶面間距,用dhkl表示。它與晶胞參數(shù)和晶面指標(biāo)有關(guān)。晶面指數(shù)越高,面

3、間距越小,晶面上粒子的密度(或陣點(diǎn)的密度)也越小.只有(hkl)小,d(hkl)大,即陣點(diǎn)密度大的晶面(粒子間距離近,作用能大,穩(wěn)定)才能被保留下來(lái)。直間距與晶胞點(diǎn)陣參數(shù)之間的關(guān)系(hkl)代表一組相互平行的晶面,任意兩個(gè)相鄰的晶面的面間距都相等.對(duì)正交品系立方晶系六方品系3 .晶面族:在同一晶體點(diǎn)陣中,有若干組晶面是可以通過(guò)一定的對(duì)稱(chēng)變化重復(fù)出現(xiàn)的等同晶面,它們的面間距與晶面上結(jié)點(diǎn)分布完全相同。這些空間位向性質(zhì)完全相同的晶面的集合,稱(chēng)為晶面族。用hkl表示。4 .倒易點(diǎn)陣倒易點(diǎn)陣:是在晶體點(diǎn)陣的基礎(chǔ)上按一定對(duì)應(yīng)關(guān)系建立起來(lái)的空間幾何圖形,是晶體點(diǎn)陣的另一種表達(dá)形式。為了區(qū)別有時(shí)把晶體點(diǎn)陣空間

4、稱(chēng)為正空間。倒易空問(wèn)中的結(jié)點(diǎn)稱(chēng)為倒易點(diǎn)。倒易矢量:從倒易點(diǎn)陣原點(diǎn)向任一倒易陣點(diǎn)所連接的矢量叫倒易矢量,表示為:r*=ha*+kb*+lc*倒易陣點(diǎn)用它所代表的晶面指數(shù)標(biāo)定。倒易矢量的基本性質(zhì):(1»例外先住的方向垂直于正點(diǎn)漳中的(hkl)品而用J(hkl)(2)倒易矢量的長(zhǎng)度予于(hkl】品hkf如果正點(diǎn)陣與倒易點(diǎn)陣具有同一坐標(biāo)原點(diǎn),則正點(diǎn)陣中的一個(gè)晶面在倒易點(diǎn)陣中就變成了一個(gè)陣點(diǎn)(倒易點(diǎn))。正點(diǎn)陣中晶面取向和面間距只須倒易矢量一個(gè)參量就能表示。練習(xí)題:金屬鎮(zhèn)立方晶胞中(111)晶面的晶面間距d1r為2.035A,求其(220)晶面間距d切.利用:也-+#-求得;加=dXRl+i=2

5、.03爐鳳*525A于是:小二,“二=八246A十2-十0一作業(yè)題:?在一正交晶系坐標(biāo)中,畫(huà)出(110)、(I05)、(II1)晶面。?推算出立方晶系晶面(hkl)的面間距公式。?畫(huà)出七大品系十四種布拉菲晶胞空間點(diǎn)陣形式。第六章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)1. X射線簡(jiǎn)介】,晶體結(jié)構(gòu)分析:人類(lèi)研究物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)的第一種方法口,2,物相定性分析,3,物相定量分析 4,晶粒大小分析結(jié)晶度分析 5,非晶態(tài)結(jié)構(gòu)分析, 6t宏觀應(yīng)力與微觀應(yīng)力分析 7,擇優(yōu)取向分析2. X射線的本質(zhì)是電磁輻射,與可見(jiàn)光完全相同,僅是波長(zhǎng)短而已,因此具有波粒二象性一一粒子性和波動(dòng)性。波動(dòng)性表現(xiàn)在用品體做衍射光柵可以觀察到X射線的衍射現(xiàn)象

6、。硬X射線波長(zhǎng)較短能量高,穿透性強(qiáng),適用于金屬部件的無(wú)損探傷及金屬物相分析;軟X射線波長(zhǎng)較長(zhǎng)能量較低,穿透性弱,可用于非金屬分析。拉止特征表現(xiàn)為以光子形式輻射和吸收時(shí)具有一定的質(zhì)量、能量和動(dòng)量,表現(xiàn)形式為在于物質(zhì)相互作用時(shí)交換量子化的能量。X射線的頻率V、波長(zhǎng)入以及其光子的能量e、動(dòng)量p之間存在如下關(guān)系:1 heh式中h普朗克常數(shù),cX射線的速度。3. X射線的產(chǎn)生原理:高速運(yùn)動(dòng)的電子與物體碰撞時(shí),發(fā)生能量交換,電子的運(yùn)動(dòng)受阻失去動(dòng)能,其中一小部分能量轉(zhuǎn)變?yōu)閄射線,而絕大部分能量轉(zhuǎn)變成熱能使物體溫度升高。產(chǎn)生條件:產(chǎn)生自由電子;使電子作定向的高速運(yùn)動(dòng);在其運(yùn)動(dòng)的路徑上設(shè)置一個(gè)障礙物,使電子突然

7、減速或停止。4. X射線譜連續(xù)X射線:具有連續(xù)波長(zhǎng)的X射線,構(gòu)成連續(xù)X射線譜,與可見(jiàn)光相似,也稱(chēng)多色X射線譜。產(chǎn)生機(jī)理:能量為eV的電子與陽(yáng)極靶的原子碰撞時(shí),電子失去自己的能量,其中部分以光子的形式輻射,碰撞一次產(chǎn)生一個(gè)能量為h的光子,這樣的光子流即為X射線。單位時(shí)間內(nèi)達(dá)到陽(yáng)極靶面的電子數(shù)目是極大量的,絕大多數(shù)電子要經(jīng)歷多次碰撞,產(chǎn)生能量各不相同的輻射,因此出現(xiàn)連續(xù)X射線譜。連續(xù)X射線譜在短波方向有一個(gè)波長(zhǎng)極限,稱(chēng)為短波限,是由電子碰撞就耗盡能量所產(chǎn)生的X射線,之與管電壓有關(guān),不受其他因素的影響。X射線強(qiáng)度:垂直X射線傳播方向的單位面積上在單位時(shí)間內(nèi)所通過(guò)的光子數(shù)目的能量總和,單位J/cm2s

8、。連續(xù)X射線強(qiáng)度的最大值在1.5°,而不在0處連續(xù)X射線隨X射線管電壓的變化:標(biāo)識(shí)X射線:是在連續(xù)譜的基礎(chǔ)上疊加若干條具有一定波長(zhǎng)的譜線,它和可見(jiàn)光中的單色相似,稱(chēng)單色X射線。當(dāng)電壓達(dá)到臨界電壓時(shí),標(biāo)識(shí)譜線的波長(zhǎng)不再變,強(qiáng)度隨電壓增加。標(biāo)識(shí)X射線譜的頻率和波長(zhǎng)值取決于陽(yáng)極靶物質(zhì)的原子能級(jí)結(jié)構(gòu),是物質(zhì)的固有特性,即莫塞萊定律。產(chǎn)生機(jī)理:標(biāo)識(shí)X射線譜的產(chǎn)生機(jī)理與陽(yáng)極物質(zhì)的原子內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。原子系統(tǒng)內(nèi)的電子按泡利不相容原理和能量最低原理分布于各個(gè)能級(jí)。在電子轟擊陽(yáng)極的過(guò)程中,當(dāng)某個(gè)具有足夠能量的電子將陽(yáng)極靶原子的內(nèi)層電子擊出時(shí),于是在低能級(jí)上出現(xiàn)空位,系統(tǒng)能量升高,處于不穩(wěn)定激發(fā)態(tài)。較

9、高能級(jí)上的電子向低能級(jí)上的空位躍遷,并以光子的形式輻射出標(biāo)識(shí)X射線譜。5. X射線與物質(zhì)相互作用X射線與物質(zhì)相互作用時(shí),產(chǎn)生各種不同和復(fù)雜的過(guò)程。就其能量轉(zhuǎn)化而言,X射線通過(guò)物質(zhì)時(shí),一部分被散射,一部分被吸收,一部分透過(guò)物質(zhì)繼續(xù)沿原來(lái)的方向傳播。散射:相干散射一一并未損失X射線的能量,知識(shí)改變了它的傳播方向;非相干散射一一突出的表現(xiàn)出X射線的微粒特性,只能用量子理論來(lái)描述。會(huì)增加連續(xù)背影,給衍射圖像帶來(lái)不利影響,特別對(duì)輕元素。吸區(qū):X射線能量在通過(guò)物質(zhì)時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪芰浚琗射線發(fā)生了能量損耗。物質(zhì)對(duì)X射線的非熱能的吸收主要是由原子內(nèi)部的電子躍遷而引起的,這個(gè)過(guò)程中發(fā)生X射線的光電效應(yīng)和俄歇

10、效應(yīng)。光電效應(yīng)-一熒光X射線;產(chǎn)生光電效應(yīng),X射線光子波長(zhǎng)必須小于吸收限,即引起原子內(nèi)層躍遷的最低能量。俄歇效應(yīng)-俄歇電子的能量與激發(fā)源的能量無(wú)關(guān),只取決于物質(zhì)原子的能級(jí)結(jié)構(gòu),每種元素都有自己的特征俄歇電子能譜。故可利用俄歇電子能譜做元素的成分分析。X射線與物質(zhì)相互作用的總結(jié)X射線衍射的方法:(1)勞厄方法(2)衍射儀法作業(yè)題:1 .試計(jì)算波長(zhǎng)0.71?(MoKx)和1.54?(Cu&)的X射線束,其頻率和每個(gè)量子的能量?2 .連續(xù)和標(biāo)識(shí)X射線產(chǎn)生機(jī)理?3 .X射線本質(zhì)是什么?4 .總結(jié)X射線與物質(zhì)相互作用過(guò)程。第七章.X射線衍射原理1(衍射條件)1.晶體衍射兩要素包括兩個(gè)要素:(1)

11、衍射方向,即衍射線在空間的分布規(guī)律,由晶胞大小、類(lèi)別和位向決定(hkl)。(2)衍射強(qiáng)度,即衍射線束的強(qiáng)度,取決于原子的種類(lèi)和它們?cè)诰О械南鄬?duì)位置。2.勞厄方程(從一維點(diǎn)陣出發(fā))精品文檔交流11(2)三維空間點(diǎn)陣衍射的條件設(shè)空間點(diǎn)陣的三個(gè)平移向量為a*和c,入射的X射線與它們的文角分別為%和人,衍射方向與它們的交角分別為0和¥.根顯上述討於可知,衍射角ci,。和Y在x,y,z三個(gè)軸上應(yīng)滿足以下條件:ra(cosa-cosa(J=IIXB-cos3u)=KX、c(cos¥-cosY仆)=LXH.K,L,=0,±1,±2t式中人為波長(zhǎng),H、KL均為格數(shù),H

12、KL稱(chēng)為衍射指標(biāo)口上式稱(chēng)為勞埃(Laue)方程桁Q指標(biāo)和晶面指桁不同,晶面指標(biāo)走互質(zhì)的整數(shù),衍射指標(biāo)都是整數(shù)但不更是互質(zhì)的.為了區(qū)別梃見(jiàn),在以下的討詼中我們用hkl梟表示晶面指標(biāo).原子直線點(diǎn)陣產(chǎn)生衍射的條件:二£7(COSZZ-coscz0)=HZIft里由POA和3 .布拉格方程(從平面點(diǎn)陣出發(fā))2dsinn(d:鏡面間距;n為整數(shù),稱(chēng)為反射級(jí)數(shù);為入射線或反射線與反射面的夾角,稱(chēng)為掠射角,由于它等于入射線與衍射線夾角的一半,故又稱(chēng)為半衍射角,把2稱(chēng)為衍射角;入射線波長(zhǎng))4 .衍射矢量方程和厄爾瓦德圖解作業(yè)題:1 .X射線衍射兩要素。2 .布拉格方程及每部分所代表的意義。3 .干涉

13、指數(shù)和晶面指數(shù)有什么區(qū)別?答:晶面(hkl)的n級(jí)反射面n(hkl),用(HKD表示,稱(chēng)為反射面或者干涉面。(hkl)是晶體中實(shí)際存在的晶面,(HKD僅僅是為了是問(wèn)題簡(jiǎn)化而引入的虛擬晶面。干涉面的面指數(shù)稱(chēng)為干涉指數(shù),一般有公約數(shù)。當(dāng)n=1,干涉指數(shù)變?yōu)榫嬷笖?shù)。4 .一簡(jiǎn)單立方晶胞參數(shù)為0.3165nm,使用Cu&(1.54?),衍射線中最高晶面指數(shù)(指H2+K+L2為最大的晶面指數(shù))能到多少?5 .要使某個(gè)晶體的衍射數(shù)量增加,該選用短波X射線還是長(zhǎng)波X射線?第七章衍射原理2(衍射強(qiáng)度)21 .結(jié)構(gòu)因子:IFhklIe產(chǎn)生衍射的充分條件:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子Fhkl0由于結(jié)構(gòu)因子為

14、零而是衍射線消失的現(xiàn)象稱(chēng)為系統(tǒng)消光,包括點(diǎn)陣消光,結(jié)構(gòu)消光。2 .謝樂(lè)公式:半高寬(tmd,m為晶面數(shù)d為晶面間距)(在強(qiáng)度一半tcos高度對(duì)應(yīng)的一個(gè)強(qiáng)度峰的半高寬)說(shuō)明衍射寬度與晶塊在反射晶面法線方向上的尺度成反比,利用衍射峰的寬度可以測(cè)定晶塊大小。作業(yè)題:X射線衍射兩要素。布拉格方程及每部分所代表的意義。干涉指數(shù)和晶面指數(shù)有什么區(qū)別?第八章X射線衍射實(shí)驗(yàn)方法及應(yīng)用1.衍射實(shí)驗(yàn)方法(ABCA.勞厄法也稱(chēng)固定單晶法。用連續(xù)X射線譜作為入射光源,單晶體固定不動(dòng),入射面與各衍射面的夾角也固定不動(dòng),靠衍射面選擇不同波長(zhǎng)的X射線來(lái)滿足布拉格方程。產(chǎn)生的衍射線表示了各衍射面的方位,故此法能反映晶體的取向

15、和對(duì)稱(chēng)性。B.旋轉(zhuǎn)晶體法也稱(chēng)旋轉(zhuǎn)單晶法或周轉(zhuǎn)法。用單色X射線作為入射光源,單晶體繞一晶軸(通常垂直于入射方向)旋轉(zhuǎn),靠連續(xù)改變各衍射面與入射線的夾角來(lái)滿足布拉格方程。利用此法可作單晶的結(jié)構(gòu)分析和物相分析。C.粉末晶體法也稱(chēng)粉末法或多晶體法。用單色X射線作為入射光源,入射線以固定方向射到多品粉末或多晶塊狀樣品上,靠粉晶中各晶粒取向不同的衍射面來(lái)滿足布拉格方程。由于粉晶含有無(wú)數(shù)的小晶粒,各晶粒中總有一些晶面與入射線的夾角滿足衍射條件,這相當(dāng)于8是變量。因此,粉晶法是利用多品樣品中各晶粒在空間的無(wú)通常用d(晶面間距表征衍射線位置)和I(衍射線相對(duì)強(qiáng)度)的數(shù)據(jù)代表衍射花樣。用d-I數(shù)據(jù)作為定性相分析的

16、基本判據(jù)。規(guī)取向來(lái)滿足布拉格方程而產(chǎn)生衍射的 在本質(zhì)上都應(yīng)該相同。D.照相法(1)平面底片法(勞厄)(計(jì)算題) 從平板照相可以大概計(jì)算點(diǎn)陣面間距。 衍射的衍射環(huán)半徑為L(zhǎng),可以得到:只要同種晶體,它們所產(chǎn)生的衍射花樣已知試樣到底片的距離為D,某一(hkl )tg2由L和D求出9角,再由Bragg公式 求出點(diǎn)陣面間距dhki。(2) Debye-Scherrer 法(3)衍射儀法:顯示衍射峰的位置,衍射峰的強(qiáng)度,衍射峰的形狀(寬化), 從而可以知道樣品的物相、結(jié)構(gòu)、晶粒度等。2.物相分析物相分析:利用X射線衍射的方法對(duì)試樣中由各種元素形成的具有確定結(jié)構(gòu)的化 合物(物相),進(jìn)行定性和定量分析。X射線

17、物相分析給出的結(jié)果,不是試樣的 化學(xué)成分,而是由各種元素組成的具有固定結(jié)構(gòu)的物相。基本原理:任何一種結(jié)晶物質(zhì)都具有特定的晶體結(jié)構(gòu),在一定波長(zhǎng)的X射線照射下,每種晶體物質(zhì)都給出自己特有的衍射花樣。 每一種晶體物質(zhì)和它的衍射花樣 都是一一對(duì)應(yīng)的。多相試樣的衍射花樣是由它和所含物質(zhì)的衍射花樣機(jī)械疊加而 成。定性相分析方法是將由試樣測(cè)得的d-I數(shù)據(jù)組與已知結(jié)構(gòu)物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)d-I數(shù)據(jù)組(PDF卡片)進(jìn)行對(duì)比,以鑒定出試樣中存在的物相。定性相分析一般的步驟:a.獲得衍射花樣:可以用德拜照相法,透射聚焦照相法和衍射儀法。b.計(jì)算面間距d值和測(cè)定相對(duì)強(qiáng)度值。定性相分析以2<90°的衍射線為主要依

18、據(jù)。c.檢索PDF卡片:人工檢索或計(jì)算機(jī)檢索d.最后判定:判定唯一準(zhǔn)確的PDF卡片。物相定量分析的具體方法:?jiǎn)尉€條法,外標(biāo)法,內(nèi)標(biāo)法,K值法和絕熱法,直接比較法,聯(lián)立方程法。3.結(jié)晶信息研究衍射峰的五個(gè)基本要素:a.衍射峰位置是衍射面網(wǎng)間距的反映,即布拉格定理b.衍射強(qiáng)度是物相自身衍射能力強(qiáng)弱的衡量指標(biāo)及在混合物當(dāng)中百分含量的函數(shù)c.半高寬及形態(tài)是晶體大小的函數(shù)d.衍射峰對(duì)稱(chēng)性是光源聚斂性、樣品吸收性、儀器機(jī)械裝置等因素。X射線衍射理論指出,晶格畸變和晶塊細(xì)化均使倒易空間的選擇反射區(qū)增大,從而導(dǎo)致衍射線加寬,通常稱(chēng)之為物理加寬。在實(shí)測(cè)中伴隨有儀器寬度。晶粒大小的測(cè)定:Scherrer公式:Lh

19、ki&8乙(為X射線波長(zhǎng);為布拉格角;B為衍射峰最大值的半高寬,單位為弧度;BcosLhkl為垂直于衍射面(hkl)方向的微晶尺寸)衍射寬化主要影響因素:儀器因素引起增寬;K雙線引起寬化;晶格畸變引起寬化。作業(yè)題:由平板照相法測(cè)得結(jié)晶聚合物X=13.85mm(110);15.65(200);25.82(020);29.37(011)。已知樣品到底片距離L=35mmX為衍射環(huán)至中心距。若假定此結(jié)晶聚合物屬正交晶系,試求a,b,c,及d110,200,020。某種纖維100衍射(位置在28=25.78。)經(jīng)過(guò)各種校正后,量得其半高寬為2.72。請(qǐng)求出晶粒尺寸,并請(qǐng)指出所求得的是纖維什么方向

20、的晶粒尺寸?(X光波長(zhǎng)為1.5418?)掌握物相定性分析的原理。理解平面底片照相方法的幾何關(guān)系。第九章X射線光電子能譜(XPS1 .基本概念X射線光電子能譜:以X射線為激發(fā)光源,通過(guò)檢測(cè)由固體物質(zhì)表面逸出的光電子能量、強(qiáng)度、角分布等來(lái)獲取物質(zhì)表面元素組成及化學(xué)環(huán)境等信息的一種技術(shù)。電子結(jié)合能(Eb)代表原子中電子與核電荷(Z)之間相互作用強(qiáng)度。它是體系的初態(tài)原子有n個(gè)電子和終態(tài)原子由n-1和電子(離子)和一自由光電子間能量的簡(jiǎn)單差Eb=E(n-1)-E(n)實(shí)際應(yīng)用:由于只有表面處的光電子才能從固體中逸出,因而測(cè)得的電子結(jié)合能必然反映了表面化學(xué)成分的情況,這也是光電子能譜儀的基本測(cè)試原理?;瘜W(xué)

21、位移:原子因所處化學(xué)環(huán)境不同而引起的內(nèi)層電子結(jié)合能變化在譜圖上表現(xiàn)為譜峰的位移的這種現(xiàn)象稱(chēng)為化學(xué)位移。如果原子的初態(tài)能量發(fā)生變化,例如,與其他原子化學(xué)成鍵,則次原子中的電子結(jié)合能就會(huì)改變,Eb的變化Eb稱(chēng)為化學(xué)位移。實(shí)際應(yīng)用:由化學(xué)位移的大小可以確定元素所處的狀態(tài),因此,利用化學(xué)位移值可以分析元素的化合價(jià)和存在形式。2 .XPS原理及工作流程由于只有表面處的光電子才能從固體中逸出,因而測(cè)得的電子結(jié)合能必然反應(yīng)了表面化學(xué)成份的情況。這正是光電子能譜儀的基本測(cè)試原理疊曲產(chǎn)能量分析器冷艇器1.7LX和豐博將+» 件 Mot eiO XPS的工作原理上0 XPS的工作流程:樣品叱電f產(chǎn)生日程

22、工3 .XPS應(yīng)用根據(jù)電子結(jié)合能,可以鑒別樣品表面化學(xué)元素的種類(lèi);根據(jù)化學(xué)位移,可以鑒別元素的化學(xué)環(huán)境(價(jià)鍵連接狀態(tài),化合價(jià));根據(jù)峰高,可以得出化學(xué)元素的含量及同種元素不同化學(xué)環(huán)境的含量。主要應(yīng)用有:元素定性分析,元素定量分析,化合物結(jié)構(gòu)鑒定。A.元素定性分析:盡管X射線可穿透樣品很深但只有樣品接近表面一薄層發(fā)射出的光電子逃逸出來(lái),電子的逃逸深度和非彈性散射自由程為同一數(shù)量級(jí)范圍。元素組成鑒別:給出表面元素組成,鑒別某特定元素的存在性。主要依據(jù)是組成元素的光電子的特征能量值具唯一性。方法:通過(guò)測(cè)定譜中不同元素內(nèi)層光電子峰的結(jié)合能直接進(jìn)行元素定性分析。包括全譜掃描和窄譜掃描。B.元素定量分析:

23、XPS定量分析的關(guān)鍵是要把所觀測(cè)到的信號(hào)強(qiáng)度轉(zhuǎn)變成元素的含量即將譜峰面積轉(zhuǎn)變成相應(yīng)元素的含量。定義譜峰下所屬面積為譜線強(qiáng)度。C.化合物結(jié)構(gòu)鑒定:XPS通過(guò)測(cè)定內(nèi)層電子能級(jí)譜的化學(xué)位移,推知原子結(jié)合狀態(tài)和電子分布狀態(tài)。一定元素的內(nèi)層電子結(jié)合能會(huì)隨原子的化學(xué)態(tài)(氧化態(tài)晶格位和分子環(huán)境等)發(fā)生變化一一即化學(xué)位移,這一化學(xué)位移的信息時(shí)元素狀態(tài)分析與相關(guān)結(jié)構(gòu)分析的主要依據(jù)。除惰性氣體元素與少數(shù)位移較小的元素外,大部分元素的單質(zhì)態(tài)氧化態(tài)與還原態(tài)之間都有明顯的化學(xué)位移。4.XPS特點(diǎn)及試驗(yàn)方法?XPS能夠分析除了氫,氨以外的所有元素。?測(cè)定精確到0.1at%,?空間分辨率為100um分析深度在1.5nm左右。?XPS的樣品一般是5mm*5mm*1mm?XPS分析室的真空度可以達(dá)到10E-9Pa,因此樣品要干燥,不能釋放氣體。

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