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1、第2課時(shí)原子核外電子的排布專題2第一單元原子核外電子的運(yùn)動(dòng)學(xué)習(xí)目標(biāo)定位1.熟知原子核外電子排布的“兩原理一規(guī)那么。2.知道原子核外電子排布的軌道能量順序,會(huì)正確書(shū)寫原子核外電子排布式和軌道表示式。新知導(dǎo)學(xué)達(dá)標(biāo)檢測(cè)內(nèi)容索引新知導(dǎo)學(xué)新知導(dǎo)學(xué)1.能量最低原理能量最低原理(1)能量最低原理基態(tài)原子的核外電子在各個(gè)原子軌道上的排布方式應(yīng)使整個(gè)原子體系的能量 。最低一、核外電子的排布原理由上圖可知,各軌道的能量上下順序,可由以下公式得出:ns(n2)f(n1)dE(4f)E(4s)E(3d)B.E(3d)E(4s)E(3p)E(3s)C.E(4s)E(3s)E(2s)E(4s)E(4f)E(3d)解析解析
2、原子核外電子排布的軌道能量順序?yàn)?s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p可選出答案。答案解析例例2判斷以下說(shuō)法正誤判斷以下說(shuō)法正誤(正確的打正確的打“,錯(cuò)誤的打,錯(cuò)誤的打“)(1)N:1s22s2 違背了洪特規(guī)那么違背了洪特規(guī)那么()(2)Ca:1s22s22p63s23p63d2違背了能量最低原理違背了能量最低原理()(3)Ar:1s22s22p63s23p44s2違背了泡利不相容原理違背了泡利不相容原理()(4)Si:1s22s22p63s33p1違背了泡利不相容原理違背了泡利不相容原理()答案1.電子排布式電子排布式(1)用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電
3、子數(shù),這就是電子排用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子數(shù),這就是電子排布式。寫出以下基態(tài)原子的電子排布式:布式。寫出以下基態(tài)原子的電子排布式:16S: ;20Ca: ;26Fe: ;29Cu: 。1s22s22p63s23p4二、原子核外電子排布的表示方法1s22s22p63s23p64s21s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p63d104s1(2)為了防止電子排布式書(shū)寫過(guò)于繁瑣,把內(nèi)層電子到達(dá)稀有氣體構(gòu)造的局部寫成“原子實(shí),以相應(yīng)稀有氣體的元素符號(hào)外加方括號(hào)表示,得到簡(jiǎn)化的電子排布式。上述四種原子的簡(jiǎn)化電子排布式為 ; ; ; 。(3)在簡(jiǎn)化的電子排布
4、式中,省去相應(yīng)的稀有氣體的元素符號(hào)后剩下的局部稱為外圍電子排布式。上述四種原子的外圍電子排布式為 ; ; ; 。Ne3s23p4Ar4s2Ar3d64s2Ar3d104s13s23p44s23d64s23d104s12.軌道表示式軌道表示式(1)將每一個(gè)原子軌道用一個(gè)方框表示,在方框內(nèi)標(biāo)明基態(tài)原子核外電子分布的式子稱為軌道表示式。以鋁原子為例,軌道表示式中各符號(hào)、數(shù)字的意義為(2)寫出以下基態(tài)原子的軌道表示式:O: ;Na: 。(3)在軌道表示式中也可以用圓圈表示一個(gè)原子軌道,如Na: 或?qū)懗蒒e 。3.原子構(gòu)造示意圖原子構(gòu)造示意圖(1)原子構(gòu)造示意原子構(gòu)造示意(簡(jiǎn)簡(jiǎn))圖:圓圈內(nèi)數(shù)字表示質(zhì)子數(shù)
5、,弧線表示電子層,弧圖:圓圈內(nèi)數(shù)字表示質(zhì)子數(shù),弧線表示電子層,弧線內(nèi)數(shù)字表示該電子層中的電子數(shù)。線內(nèi)數(shù)字表示該電子層中的電子數(shù)。(2)寫出以下原子或離子的構(gòu)造示意圖:寫出以下原子或離子的構(gòu)造示意圖:K: ;Fe: ;Mg2: ;Cl: 。相關(guān)視頻歸納總結(jié)歸納總結(jié)1.電子排布式和軌道表示式反映的是基態(tài)原子即處于最低能量狀態(tài)的原子的電子排布情況,它們相互關(guān)聯(lián),可以非常方便地相互轉(zhuǎn)換。2.雖然電子排布是遵循構(gòu)造原理的,但書(shū)寫電子排布式時(shí)應(yīng)按照電子層的順序書(shū)寫。如鐵原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d64s2,而不寫作1s22s22p63s23p64s23d6。3.主族元素的最外層電子
6、就是外圍電子。過(guò)渡元素的外圍電子一般包括最外層的s電子和次外層的d電子,有的還包括倒數(shù)第三層的f電子。4.簡(jiǎn)單離子是原子得失一定數(shù)目電子后的產(chǎn)物。在表達(dá)陰、陽(yáng)離子的核外電子排布情況時(shí),務(wù)必注意離子與原子之間的電子數(shù)目的關(guān)系。5.(1)電子排布式的書(shū)寫:元素符號(hào);軌道符號(hào);軌道順序按電子層由里到外和s、p、d、f的順序;電子個(gè)數(shù)(右上角標(biāo)出)。注意電子排布式與外圍電子排布式的區(qū)別。(2)軌道表示式的書(shū)寫格式:元素符號(hào);軌道框(一個(gè)軌道一個(gè)框,能量一樣的軌道連在一起);電子自旋狀態(tài)(用“表示);軌道符號(hào)。p、d等如有空軌道也要畫(huà)出。例例3以下表示式錯(cuò)誤的選項(xiàng)是以下表示式錯(cuò)誤的選項(xiàng)是 A.Mg2的軌
7、道表示式:的軌道表示式: B.Na的構(gòu)造示意圖:的構(gòu)造示意圖: C.24Cr的外圍電子排布式:的外圍電子排布式:3d54s1D.C的電子排布式:的電子排布式:1s22s12p3答案解析解析解析Mg2含有含有10個(gè)核外電子,電子排布式為個(gè)核外電子,電子排布式為1s22s22p6,軌道表,軌道表示式為示式為 故故A正確;正確;鈉離子核內(nèi)有鈉離子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子,核外有個(gè)質(zhì)子,核外有2個(gè)電子層,第一層上有個(gè)電子層,第一層上有2個(gè)電子、個(gè)電子、第二層上有第二層上有8個(gè)電子,其構(gòu)造示意圖為個(gè)電子,其構(gòu)造示意圖為 ,故,故B正確;正確;原子序數(shù)為原子序數(shù)為24,說(shuō)明原子核外電子數(shù)為,說(shuō)明原子核外電子數(shù)為2
8、4,根據(jù)構(gòu)造原理、洪特規(guī),根據(jù)構(gòu)造原理、洪特規(guī)那么特例得到電子排布式為那么特例得到電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,外圍電子排布,外圍電子排布式為式為3d54s1,故,故C正確;正確;D項(xiàng)違反能量最低原理,所以項(xiàng)違反能量最低原理,所以C的電子排布式為的電子排布式為1s22s22p2,錯(cuò)誤。,錯(cuò)誤。例例4根據(jù)錳原子的核外電子排布,答復(fù)以下問(wèn)題。根據(jù)錳原子的核外電子排布,答復(fù)以下問(wèn)題。(1)寫出基態(tài)寫出基態(tài)Mn2電子排布式電子排布式_。(2)畫(huà)出錳原子的價(jià)層電子的軌道表示式:畫(huà)出錳原子的價(jià)層電子的軌道表示式:_。(3)在錳原子的核外電子中,有在錳原子的核外電子中,有_種運(yùn)動(dòng)狀
9、態(tài)不同的電子;共有種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;共有_對(duì)對(duì)成對(duì)電子;有成對(duì)電子;有_個(gè)成單電子;最高化合價(jià)為個(gè)成單電子;最高化合價(jià)為_(kāi)價(jià)。價(jià)。答案1s22s22p63s23p63d5251057易錯(cuò)警示(1)電子排布式的書(shū)寫順序與核外電子進(jìn)入軌道的順序不同。電子排布式的書(shū)寫順序按電子層由里到外和s、p、d、f的順序,而核外電子進(jìn)入軌道的順序按照基態(tài)原子在原子軌道上的排布順序。(2)基態(tài)原子失電子時(shí),由外層向里層,同層那么按能級(jí)由高到低順序失電子。如Cr(Ar3d54s1)Cr3(Ar3d3)原子核外電子排布學(xué)習(xí)小結(jié) 排布規(guī)律 表示方法能量最低原理泡利不相容原理洪特規(guī)那么電子排布式軌道表示式原子構(gòu)造示意
10、圖達(dá)標(biāo)檢測(cè)達(dá)標(biāo)檢測(cè)1.以下表示氦原子構(gòu)造的化學(xué)用語(yǔ)中,對(duì)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)描述最詳盡的是 A.He B. C.1s2 D. 答案解析解析解析A項(xiàng)只能表示最外層電子數(shù);B項(xiàng)只表示核外的電子分層排布情況;C項(xiàng)具體到各能層的電子數(shù);而D項(xiàng)包含了能層數(shù)、原子軌道以及電子的自旋方向,故該項(xiàng)正確。1234562.描述硅原子核外電子運(yùn)動(dòng)說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是 A.有4種不同的伸展方向B.有14種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子C.有5種不同能量的電子D.有5種不同的運(yùn)動(dòng)區(qū)域答案解析123456解析硅原子為解析硅原子為14號(hào)元素,電子排布式為號(hào)元素,電子排布式為1s22s22p63s23p2,共,共2種軌道,種軌道,s軌道為球形,只有
11、軌道為球形,只有1種伸展方向,種伸展方向,p軌道有軌道有3種伸展方向,那么有種伸展方向,那么有4種不種不同的伸展方向,故同的伸展方向,故A正確;正確;硅原子為硅原子為14號(hào)元素,那么核外有號(hào)元素,那么核外有14種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,故種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,故B正確;正確;硅原子電子排布式為硅原子電子排布式為1s22s22p63s23p2,所以有,所以有5種不同能量的電子,故種不同能量的電子,故C正確;正確;硅原子核外有硅原子核外有3個(gè)電子層,所以有個(gè)電子層,所以有3種不同的運(yùn)動(dòng)區(qū)域,故種不同的運(yùn)動(dòng)區(qū)域,故D錯(cuò)誤。錯(cuò)誤。1234563.以下電子排布式表示基態(tài)原子電子排布的是 A.1s22s22p
12、63s13p3B.1s22s22p63s23p63d104s14p1C.1s22s22p63s23p63d24s1D.1s22s22p63s23p63d104s24p1答案解析解析解析基態(tài)核外電子排布應(yīng)該是1s22s22p63s23p2,A錯(cuò)誤;基態(tài)核外電子排布應(yīng)該是1s22s22p63s23p63d104s2,B錯(cuò)誤;基態(tài)核外電子排布應(yīng)該是1s22s22p63s23p63d14s2,C錯(cuò)誤;1s22s22p63s23p63d104s24p1符合原子核外電子排布規(guī)律,D正確。1234564.(2021深州中學(xué)期中)以下關(guān)于鈉元素的幾種表達(dá)式錯(cuò)誤的選項(xiàng)是 A.Na的軌道表示式: B.Na的構(gòu)造示
13、意圖: C.Na的電子排布式:1s22s22p63s1D.Na的簡(jiǎn)化電子排布式:Na3s1答案解析123456解析解析Na的簡(jiǎn)化電子排布式為Ne3s1。即上一周期的稀有氣體(元素符號(hào))該原子的價(jià)電子排布。5.元素X的原子最外層電子排布為nsn1npn2,那么X元素的原子序數(shù)為 A.9 B.10 C.17 D.18123456答案解析解析解析n12,那么,那么n3,即最外層電子排布為,即最外層電子排布為3s23p5,為氯元素。,為氯元素。6.答復(fù)以下問(wèn)題(1)如果在3p軌道上有3個(gè)電子,那么它們應(yīng)排布為(軌道表示式)_,而不能排布為因?yàn)檫@違背了_,也不能排布成 因?yàn)檫@違背了_。如果3p軌道上有4個(gè)電子,有人認(rèn)為可以排布為 ,你認(rèn)為是否正確,說(shuō)明理由_。123456泡利不相容原理和洪特規(guī)那么洪特規(guī)那么不正確,因?yàn)橹挥?個(gè)3p軌道答案解析123456解析解析若3p軌道上有3個(gè)電子,則它們應(yīng)排布為 不能排布為 因?yàn)檫@違背了泡利不相容原理(一個(gè)軌道最多只能容納2個(gè)電子)和洪特規(guī)則(當(dāng)電子排布在能量相同的各個(gè)軌道時(shí),原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同);若3p能級(jí)上有4個(gè)電子,則應(yīng)排布成 (2)氮原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為_(kāi)。答案解析123456解
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