檢測(cè)室硅塊檢測(cè)流程

1、Ipcq檢測(cè)室硅塊檢測(cè)流程：硅塊轉(zhuǎn)入外觀檢驗(yàn)垂直度檢驗(yàn)邊寬/長(zhǎng)度檢驗(yàn)導(dǎo)電類型檢驗(yàn)電阻率檢驗(yàn)紅外探傷檢驗(yàn)少子壽命檢驗(yàn)硅塊判定硅塊轉(zhuǎn)出硅塊檢驗(yàn)操作指導(dǎo)步驟1. 外觀檢驗(yàn)1.1 確認(rèn)所送硅塊的箭頭標(biāo)示是否清楚，每個(gè)硅塊的隨工單信息填寫(xiě)是否完整，且與硅塊表面標(biāo)示信息（硅錠號(hào)與硅塊號(hào)）是否一致，以及確認(rèn)邊角料的數(shù)量。1.2與制造部送檢人員共同確定每個(gè)硅塊的外觀質(zhì)量狀況，如有崩邊、崩塊等外觀問(wèn)題，使用游標(biāo)卡尺測(cè)量缺陷的長(zhǎng)度（沿硅錠的長(zhǎng)晶方向測(cè)量），并把這些信息準(zhǔn)確填寫(xiě)在品質(zhì)記錄表上和對(duì)應(yīng)的硅塊隨工單上。2. 垂直度檢測(cè)2.1 抽樣方法：小硅塊（16塊）測(cè)A1,C6,C11,A16;大硅塊測(cè)A1,C7,C1

2、3,C19.A25,進(jìn)行檢測(cè)硅塊垂直度。2.2 使用萬(wàn)能角度尺測(cè)量硅塊四個(gè)側(cè)面的垂直度，即相鄰兩側(cè)面間的垂直度，每個(gè)抽樣硅塊測(cè)量任意三個(gè)角的垂直度，每個(gè)角從硅塊頭部到尾部至少均為測(cè)量三次，并將檢測(cè)數(shù)據(jù)記錄于硅塊檢測(cè)記錄表中。2.3 將萬(wàn)能角度尺兩臂緊貼硅塊相鄰兩側(cè)面，若臂于硅塊表面接觸存在空隙，判定硅塊為“S”型硅塊。3邊寬/長(zhǎng)度檢驗(yàn)3.1 使用游標(biāo)卡尺（精確度=>0.02mm）測(cè)量抽樣硅塊的邊寬尺寸，每個(gè)硅塊測(cè)相鄰兩邊寬，用游標(biāo)卡尺的量爪在硅塊的兩側(cè)面進(jìn)行測(cè)量使硅塊的各部位邊寬尺寸都測(cè)量到。3.2 如發(fā)現(xiàn)有某一硅塊邊寬尺寸超出標(biāo)準(zhǔn)，必須加抽該硅塊所在多晶硅錠位置的垂直兩條線的其他硅塊的

3、邊寬尺寸。3.3 使用直尺（精確度=>1mm）測(cè)量所有硅塊的長(zhǎng)度；選擇硅塊尾部至頭部中的一棱邊，使用直尺測(cè)量此棱邊的長(zhǎng)度，測(cè)量完后在所測(cè)量的棱邊上做記號(hào)，并檢驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄于硅塊檢測(cè)記錄表中。4. 導(dǎo)電類型檢驗(yàn)4.1 使用半導(dǎo)體導(dǎo)電類型檢測(cè)儀全檢硅塊各側(cè)面的導(dǎo)電類型，即硅塊的P/N類型。4.2測(cè)量時(shí)硅塊任選一側(cè)面為測(cè)量面，依據(jù)測(cè)量的長(zhǎng)度選取測(cè)試點(diǎn)，選取測(cè)試點(diǎn)的方式根據(jù)多晶硅錠電阻率抽樣記錄表中長(zhǎng)度的百分比進(jìn)行選定。（備注：1.使用直尺確定對(duì)應(yīng)尺寸的測(cè)試點(diǎn)。2.測(cè)試點(diǎn)須在硅塊側(cè)面的中部，即邊寬中心線正負(fù)25mm內(nèi)。）4.3 使用半導(dǎo)體導(dǎo)電類型測(cè)試儀在選取的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行導(dǎo)電類型檢測(cè)， 并將檢測(cè)數(shù)據(jù)

4、記錄于多晶硅錠電阻率抽樣記錄表中。5 電阻率檢驗(yàn)5.1 使用電阻率測(cè)試儀檢驗(yàn)硅塊的電阻率大小，小錠硅塊按照A1，C6,B9,C11,A16進(jìn)行抽樣檢測(cè);大錠硅塊按照A1,C7,C13,C19,A25進(jìn)行抽樣檢測(cè)。5.2 測(cè)量是硅塊人選一側(cè)面，依據(jù)測(cè)量的長(zhǎng)度選取測(cè)試點(diǎn)，選取測(cè)試點(diǎn)的方式根據(jù)多晶硅錠的電阻率抽樣記錄表中長(zhǎng)度的百分比進(jìn)行選定。（備注：1：使用直尺確定對(duì)應(yīng)尺寸的測(cè)試點(diǎn)。2：測(cè)試點(diǎn)必須在硅塊側(cè)面的中部，即邊寬中心線正負(fù)25mm內(nèi)）5.3 使用電阻率測(cè)試儀在選取的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行電阻率測(cè)試，讀取測(cè)試儀上顯示的電阻率大小，并將檢驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄于多晶硅錠電阻率抽樣記錄表中；計(jì)算平均值并記錄于硅塊檢測(cè)記錄

5、表中。5.4 測(cè)試注意事項(xiàng)：電阻率測(cè)試點(diǎn)選取后，頭部第一個(gè)測(cè)試點(diǎn)處不需要測(cè)試，其它選取點(diǎn)都需要測(cè)試。6 紅外探傷6.1 使用紅外探傷測(cè)試儀全檢硅塊內(nèi)部缺陷狀況。6.2 硅塊測(cè)試準(zhǔn)備：用無(wú)水乙醇將測(cè)試硅塊的四個(gè)側(cè)面擦拭干凈，將擦拭干凈的硅塊放在紅外探傷測(cè)試臺(tái)上，放置方向?yàn)榈撞砍?，頭部朝上。6.3 確認(rèn)內(nèi)部缺陷：通過(guò)內(nèi)部缺陷影像圖，確定硅塊內(nèi)部存在缺陷后，觀察內(nèi)部缺陷在圖像監(jiān)控器上的位置，是用記號(hào)筆在硅塊的表面做好標(biāo)識(shí)；用記號(hào)筆在黑色陰影部分的上下邊緣處畫(huà)標(biāo)識(shí)線，上下畫(huà)線處要求陰影部分2-3mm（備注：內(nèi)部缺陷在距硅塊頭部或尾部20mm內(nèi)，不需要畫(huà)線）。6.4 缺陷圖像保存：將檢驗(yàn)硅塊內(nèi)部存在的

6、缺陷圖像保存在測(cè)試儀內(nèi)。6.5 標(biāo)明缺陷范圍：完成該硅塊四個(gè)側(cè)面檢測(cè)后，將硅塊搬到工作臺(tái)上依照標(biāo)識(shí)線劃線標(biāo)識(shí)，缺陷長(zhǎng)度20mm時(shí)，使用直尺把以上所有短線標(biāo)識(shí)畫(huà)長(zhǎng)，并用直尺（精確度=>1mm）量出缺陷的長(zhǎng)度，并標(biāo)明原因、長(zhǎng)度于硅塊表面。6.6 圖像保存注意事項(xiàng)：以下標(biāo)識(shí)硅塊必須保存：1.大硅塊中的B2、C7、C12、C17、B22必須保存四個(gè)側(cè)面圖片。2.小硅塊中的B2、C6、C10、B14必須保存四個(gè)側(cè)面圖片。7 少子壽命檢驗(yàn)7.1 使用少子壽命測(cè)量?jī)x抽樣檢測(cè)硅塊少子壽命，具體抽樣方法依照多晶硅塊Lofetome抽樣方法進(jìn)行抽樣檢測(cè)。抽樣方法如圖：7.2 硅塊測(cè)試準(zhǔn)備：用無(wú)水乙醇將測(cè)試硅

7、塊的一個(gè)側(cè)面擦拭干凈，再放入測(cè)試儀器平臺(tái)上；放入時(shí)，擦拭的側(cè)面朝上，硅塊的頭部放在測(cè)試員的左側(cè)，使測(cè)試儀從硅塊的頭部開(kāi)始測(cè)試。7.3 硅塊少子壽命測(cè)試:依照WT-2000p少子壽命測(cè)試儀操作說(shuō)明WT-2000少子壽命測(cè)試儀操作說(shuō)明測(cè)試該側(cè)面的少子壽命，并將少子壽命圖像保存在電腦對(duì)應(yīng)的文件夾中；測(cè)試完畢后，按以上方法測(cè)試該硅塊相對(duì)側(cè)面的少子壽命，并將少子壽命值記錄在硅塊檢測(cè)記錄表上。7.4 少子壽命分析：其余抽樣硅塊的少子壽命按照以上操作檢測(cè)，完成后把此錠抽樣硅塊的少子壽命圖像全部打開(kāi)，綜合分析此錠的少子壽命質(zhì)量狀況（要求：頭尾各20mm以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命最小值=>2us，不符合

8、要求的區(qū)域需要標(biāo)識(shí)去除）。8 硅塊判定與檢驗(yàn)記錄填寫(xiě)8.1 結(jié)合硅塊各檢測(cè)項(xiàng)目的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行綜合分析，判定硅塊是否流入下一工序，具體判定標(biāo)準(zhǔn)依照多晶硅塊判定標(biāo)準(zhǔn)操作。8.2 按照檢測(cè)結(jié)果頭、尾如需去除的長(zhǎng)度大于20mm，需由IPQC檢測(cè)人員畫(huà)標(biāo)識(shí)線；需去除的長(zhǎng)度小于等于25mm，則不需要畫(huà)標(biāo)識(shí)線。8.3 依據(jù)判定結(jié)果填寫(xiě)此硅錠的邊角料相關(guān)信息，并標(biāo)于邊角料袋上。8.4 將檢驗(yàn)結(jié)果填寫(xiě)在多晶硅錠隨工單的硅塊檢測(cè)欄中，以及多晶硅切割加工隨工單中的IPQC檢驗(yàn)結(jié)果欄中，并蓋IPQC待定章。8.5 檢驗(yàn)報(bào)表審核后，IPQC MIS 錄入人員將檢驗(yàn)數(shù)據(jù)輸入MIS系統(tǒng)。9 粘膠前硅塊檢驗(yàn)9.1 送檢確認(rèn)1

9、. 確認(rèn)所送硅塊的標(biāo)識(shí)書(shū)是否正確，每個(gè)硅塊有無(wú)對(duì)應(yīng)隨工單，硅塊隨工單上是否蓋有IPQC合格章（藍(lán)色）或IPQC待定章（紅色）。如有發(fā)現(xiàn)異常，需立刻通知送檢人員處理，并確認(rèn)處理結(jié)果是否正確。2. 與制造部門(mén)的硅塊送檢人員確認(rèn)每個(gè)硅塊的外觀質(zhì)量狀況，如有崩邊、崩塊、臺(tái)階等外觀問(wèn)題應(yīng)當(dāng)面與其確認(rèn)并在對(duì)應(yīng)的隨工單上標(biāo)明準(zhǔn)確信息。3. 通過(guò)對(duì)比隨工單上的IPQC判定信息和硅塊頭尾信息確認(rèn)硅塊是否按照要求去頭尾。如有異常，需按以下方法處理：a. 硅塊去頭尾尺寸比要求去頭尾尺寸偏小時(shí)，需通知硅塊送檢人員按要求再去一次頭尾，并再次送檢。b. 硅塊去頭尾尺寸比要求去頭尾尺寸偏多時(shí)，要求送檢人員在隨工單上寫(xiě)明造成

10、原因后，可流入下一檢驗(yàn)工序。4. 幾何尺寸檢驗(yàn)a. 用直尺（精確度=>1mm）測(cè)量所有硅塊長(zhǎng)度標(biāo)識(shí)點(diǎn)處的硅塊長(zhǎng)度，并確認(rèn)硅塊長(zhǎng)度測(cè)量數(shù)據(jù)和隨工單上硅塊長(zhǎng)度數(shù)據(jù)是否一致。如發(fā)現(xiàn)測(cè)量數(shù)據(jù)和隨工單上硅塊長(zhǎng)度數(shù)據(jù)有偏差，須挑出并要求送檢人員返工硅塊長(zhǎng)度測(cè)量。b. 用游標(biāo)卡尺（精確度=>0.02mm）測(cè)量硅塊的邊寬尺寸，每個(gè)硅塊測(cè)量相鄰的兩個(gè)邊寬；測(cè)量時(shí)使用游標(biāo)卡尺的量爪在硅塊的兩側(cè)面前后滑動(dòng)，使硅塊的每一段邊寬尺寸都測(cè)量到。c. 用游標(biāo)卡尺（精確度=>0.02mm）分別測(cè)量硅塊四條直角邊的倒角尺寸；每條從頭到尾至少測(cè)量三處。d. 測(cè)量時(shí)將相應(yīng)測(cè)量數(shù)據(jù)記錄在硅塊幾何尺寸檢測(cè)記錄表上，同

11、時(shí)將外觀不良現(xiàn)象記錄于外觀欄。多晶硅快判定標(biāo)準(zhǔn)類別檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)工具抽樣方法判定/處置外觀崩邊、崩塊、裂紋、裂痕、鋸縫、線痕硅塊頭部和尾部20mm以內(nèi)的崩邊、崩塊、裂紋、裂痕、鋸縫、線痕目視/游標(biāo)卡尺/直尺全檢合格硅塊頭尾部20以外硅塊中部的崩邊、崩塊長(zhǎng)度150mm，深度1.5mm打磨硅塊頭尾部20以外硅塊中部的崩邊、崩塊長(zhǎng)度>150mm，深度>1.5mm不合格/回爐硅塊頭尾部20mm以外硅塊中部的裂紋、裂痕150mm去除缺陷部分，流入下工序硅塊頭尾部25mm以外硅塊中部的裂紋、裂痕>150mm不合格，回爐硅塊頭尾部20mm以外硅塊中部的線痕打磨尺寸垂直度（菱形/S形）

12、125/156規(guī)格硅塊的棱角度數(shù)：90°±0.25°萬(wàn)能角度尺抽檢合格硅塊的棱角度數(shù)>90.25°打磨89°硅塊的棱角度數(shù)<89.75°打磨硅塊的棱角度數(shù)<89°回爐邊寬125規(guī)格125規(guī)格：125±0.5mm游標(biāo)卡尺抽檢合格硅塊邊寬尺寸>125.50mm打磨硅塊邊寬尺寸<124.50mm去除缺陷部分，流入下工序156規(guī)格156規(guī)格：156±0.5mm合格硅塊邊寬尺寸>156.50mm打磨硅塊邊寬尺寸<155.50mm去除缺陷部分，流入下工序電性能導(dǎo)電類型P型P/

13、N型測(cè)試儀抽檢合格N型部分長(zhǎng)度100mm去除N型和PN結(jié)部分，流入下工序N型部分長(zhǎng)度>100mm回爐電阻率0.53cm電阻率測(cè)試儀抽檢合格硅塊電阻率<0.5cm去除缺陷部分硅塊電阻率>cm標(biāo)示隔離紅外探傷無(wú)裂紋、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶紅外探傷測(cè)試儀全檢合格硅塊頭尾部裂紋、雜質(zhì)、陰影20mm硅塊頭尾部20mm以內(nèi)區(qū)域有黑點(diǎn)20mm<硅塊頭尾的裂紋、雜質(zhì)、陰影長(zhǎng)度125mm去除缺陷部分，流入下工序硅塊頭尾部20mm以外的硅塊中部區(qū)域有黑點(diǎn)硅塊頭尾部的裂紋、雜質(zhì)、陰影長(zhǎng)度>125mm回爐硅塊的微晶長(zhǎng)度150mm標(biāo)示清楚后流入下工序硅塊的微晶長(zhǎng)度>150mm回爐少子

14、壽命頭尾各20mm以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命最小值2uS頭尾各20mm以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命小于2uS的長(zhǎng)度100mm頭尾各20mm以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命小于2uS的長(zhǎng)度>100mm備注：1. 送檢的每一批次硅塊需清洗干凈，硅塊上無(wú)污水，并附有每一硅塊的隨工單。2. 缺陷長(zhǎng)度是指影響切片的有效長(zhǎng)度，按照硅錠的長(zhǎng)晶方向測(cè)量。3. 同一根硅塊有多處缺陷時(shí)，結(jié)合所有的缺陷后綜合判定處置，如硅塊剩余的可切片長(zhǎng)度小于100mm，硅塊直接做回爐處理。4. 每一批次硅塊的抽檢方法依照各種規(guī)格的硅塊檢驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)中方法抽樣。5. 少子壽命的去除長(zhǎng)度以同一截面2/3以上寬度的少子壽命最小值2uS為準(zhǔn)。6. 硅塊如有電性能項(xiàng)目不良，該硅塊同區(qū)域的其他硅塊判定處理與該硅塊相同。Day 1 A1 B2Day 3 B3 B4Day 2 A5 B6 C7Day 1 C8 C9 B10Day 4 B11Day 3 C12 C13Day 2 C14Day 1 B15 B16 C17Day 4 C18 C19 B20Day 3 A21 B22Day 2 B23 B24Day 4 A257. 對(duì)外加工合同的硅塊依合同的要求檢驗(yàn)