模擬電子技術(shù)課程習(xí)題 基本放大電路

1、第二章 基本放大電路2.1 在基本放大電路的三種組態(tài)中，輸入電阻最大的放大電路是 A.共射放大電路 B.共基放大電路 C.共集放大電路 D.不能確定 2.2在基本共射放大電路中，負(fù)載電阻RL減小時，輸出電阻RO將 A.增大 B.減少 C.不變 D.不能確定 2.3 在三種基本放大電路中，輸入電阻最小的放大電路是 A.共射放大電路 B.共基放大電路 C.共集放大電路 D.不能確定 2.4在電路中我們可以利用 實現(xiàn)高內(nèi)阻信號源與低阻負(fù)載之間較好的配合。 A 共射電路 B 共基電路 C 共集電路 D 共射-共基電路2.5 在基本放大電路的三種組態(tài)中，輸出電阻最小的是 A.共射放大電路 B.共基放大電

2、路 C.共集放大電路 D.不能確定 2.6 在由NPN晶體管組成的基本共射放大電路中，當(dāng)輸入信號為1kHz,5mV的正弦電壓時，輸出電壓波形出現(xiàn)了底部削平的失真，這種失真是 A. 飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真2.7以下電路中，可用作電壓跟隨器的是 A差分放大電路 B共基電路C共射電路 D共集電路2.8 晶體三極管的關(guān)系式iE=f(uEB)|uCB代表三極管的 A.共射極輸入特性 B.共射極輸出特性 C.共基極輸入特性 D.共基極輸出特性 2.9 對于圖2.9所示的復(fù)合管，穿透電流為 （設(shè)ICEO1、ICEO2分別表示T1、T2管的穿透電流）A. ICEO= ICEO2 &

3、#175;ICEO B. ICEO=ICEO1+ICEO2 C. ICEO=（1+b2）ICEO1+ICEO2 D. ICEO=ICEO1 圖2.9 2.10 在由PNP晶體管組成的基本共射放大電路中，當(dāng)輸入信號為1kHz,5mV的正弦電壓時，輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，這種失真是 B. 飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真2.11對于基本共射放大電路， Rb減小時，輸入電阻Ri將 A.增大 B.減少 C.不變 D.不能確定 2.12在基本共射放大電路中，信號源內(nèi)阻RS減小時，輸入電阻Ri將 A.增大 B.減少 C.不變 D.不能確定 2.13 在三種基本放大電路中，電壓增

4、益最小的放大電路是 A.共射放大電路 B.共基放大電路 C.共集放大電路 D.不能確定 2.14 在三種基本放大電路中，電流增益最小的放大電路是 A.共射放大電路 B.共基放大電路 C.共集放大電路 D.不能確定 2.15 某放大電路的負(fù)載開路時的輸出電壓為4V，接入3KW的負(fù)載電阻后輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為 。2.16 雙極型晶體管工作在放大區(qū)的偏置條件是發(fā)射結(jié) 、集電結(jié) 。2.17 對于基本共射放大電路，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況(a.增大，b.減小，c.不變)，選擇正確的答案填入空格。1、Rb減小時，輸入電阻Ri 。2、Rb增大時，輸出電阻Ro 。

5、3、信號源內(nèi)阻Rs增大時，輸入電阻Ri 。4、信號源內(nèi)阻Rs減小時，電壓放大倍數(shù) 。5、負(fù)載電阻RL增大時，電壓放大倍數(shù) 。6、負(fù)載電阻RL減小時，輸出電阻Ro 。2.18 選擇正確的答案填空。1、復(fù)合管的額定功耗是 。(a.各晶體管額定功耗之和；b.前面管子的額定功耗；c.后面管子的額定功耗；d.各晶體管額定功耗的平均值)2、復(fù)合管的反向擊穿電壓等于 。(a.各晶體管反向擊穿電壓之和；b.前面管子的反向擊穿電壓；c.后面管子的反向擊穿電壓；d.各晶體管反向擊穿電壓值中的較小者)3、復(fù)合管的集電極最大允許電流等于 。(a.各晶體管集電極最大允許電流之和；b.前面管子的集電極最大允許電流；c.后

6、面管子的集電極最大允許電流；d.各晶體管集電極最大允許電流值中的較小者)4、有兩個放大倍數(shù)相同、輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大。在負(fù)載開路的條件下測得A的輸出電壓小。這說明A的 。a.輸入電阻大 b.輸入電阻小c.輸出電阻大 d.輸出電阻小2.19 在實驗桌上放有下列儀器：A、WQ-2-A型直流穩(wěn)壓電源：輸出電壓在030V范圍內(nèi)可調(diào)；B、FG-163型函數(shù)發(fā)生器：可產(chǎn)生正弦波、三角波、方波等信號，頻率范圍為0.0001Hz20MHz，輸出電阻約為50；C、DA-16型晶體管毫伏表：頻率范圍為20Hz1MHz，輸入電阻在頻率為1kHz時大于1MQ，輸入電

7、容為5070pF；D、DT-830型數(shù)字萬用表：交、直流擋的輸入電阻均為10M，交流電壓擋的頻率范圍45500Hz，輸入電容為100pF；E、CS-1830型示波器：頻率范圍為030MHz，輸入電阻為1M，輸入電容為23pF。問測量放大電路的下列性能指標(biāo)需用哪些儀器設(shè)備？（只需寫出上述儀器設(shè)備的標(biāo)號，如A、B等）1、靜態(tài)工作點： 2、電壓放大倍數(shù)： 3、輸入電阻： 4、輸出電阻： 5、上限截止頻率（預(yù)計約1MHz）： 2.20 為了測量交流放大電路的電壓放大倍數(shù)，需要在放大電路的輸入端加進10mV的正弦信號。問下列幾種獲取信號的方法是否正確？為什么？1、調(diào)整信號發(fā)生器的電壓幅度，利用信號發(fā)生器

8、上的表頭指示和衰減倍數(shù)產(chǎn)生10mV的正弦電壓，然后將它加到放大電路的輸入端。2、調(diào)整信號發(fā)生器的電壓幅度，利用晶體管毫伏表測量其輸出端電壓，從而得到10mV信號。然后將它接到放大電路的輸入端。3、先將尚無輸出電壓的信號發(fā)生器連接到放大電路的輸入端，然后由小到大地調(diào)節(jié)信號源的電壓幅度，用晶體管毫伏表測量其大小，使之達(dá)到10mV。2.21 某同學(xué)為驗證基本共射放大電路電壓放大倍數(shù)與靜態(tài)工作點的關(guān)系，在線性放大條件下對同一個電路測了四級數(shù)據(jù)。試找出其中錯誤的一組。a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37Vb.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62Vc.Ic=1.5mA，Ui=1

9、0mV，Uo=0.96Vd.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V2.22 判斷下列說法是否正確，對的畫，錯的畫×。1、晶體管的輸入電阻rbe是一個動態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點無關(guān)。（ ）2、在基本共射放大電路中，若晶體管的增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)地增大一倍。 （ ）3、共集放大電路的電壓放大倍數(shù)總是小于1，故不能用來實現(xiàn)功率放大。（ ）4、只有當(dāng)兩個晶體管的類型相同（都為NPN管或都為PNP管）時才能組成復(fù)合管。 （ ）5、復(fù)合管的類型（NPN或PNP）與組成它的最前面的管子類型相同。（ ）6、只要把兩個晶體管的復(fù)合管，一定可以提高管子的輸入電阻。 （ ）7、復(fù)合管的值

10、近似等于組成它的各晶體管值的乘積。 （ ）8、復(fù)合管的空透電流等于組成它的各晶體管的空透電流之和。 （ ）9、兩個同類晶體管（例如都是NPN管）復(fù)合，由于兩管的UBE疊加，受溫度的影響增大，所以它產(chǎn)生的漂移電壓比單管大。 （ ）10、由于場效應(yīng)管的柵極幾乎不取電流，所以兩個場效應(yīng)管不能組成復(fù)合管。（ ）11、由于場效應(yīng)管的柵極幾乎不取電流，所以場效應(yīng)管與雙極型晶體管也不能級成復(fù)合管。 （ ）2.23 用兩個晶體管分別組成下面的兩種復(fù)合管：1、輸入電阻與單管相同的NPN型復(fù)合管；2、輸入電阻明顯增大的PNP型復(fù)合管。3、用一個NPN和一PNP型晶體管，分別組成一個NPN和一個PNP型的復(fù)合管；4

11、、用兩個NPN型晶體管組成一個NPN型的復(fù)合管。2.24 通常功率管的電流放大系數(shù)較小，而小功率管的較大，現(xiàn)需要一個較大而基-射極電壓UBE溫漂較小的NPN型大功率管，擬采用復(fù)合管的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。試畫出該復(fù)合管的接線圖。2.25 設(shè)圖2.25所示電路中各電容對交流信號可視為短路，晶體管的b=50，rbb=200W,UBEQ=0.6V,求： 1） 靜態(tài)工作點ICQ、UCEQ 各為多少？2） 輸入電阻Ri ,輸出電阻Ro各為多少？3） 電壓放大倍數(shù)Au為多少？ 圖2.252.26 在圖2.26的電路中，T1、T2特性相同，且b很大，求IC2和UCE2 的值。設(shè)UBE=0.6V。 圖2.262.27 判斷如圖2.27a、b所示電路是否可能對正弦信號實現(xiàn)放大，不能放大的說明原因。 圖2.27a 圖2.27b228設(shè)圖2.28所示電路中各電容對交流信號可視為短路，晶體管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6,求: .求靜態(tài)工作點ICQ=? .該電路的輸入電阻Ri輸出電阻Ro各為多少? .該電路的電壓放大倍數(shù)Au為多少? 圖2.282.29在右圖2.29所示電路中，設(shè)Vcc=12V，Rc=5.1K，R1=R2=150K，Rs=300，RL=，晶體管的b=49，rb