半導體制程及原理

1、制程及原理概述半導體工業(yè)的制造方法是在硅半導體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動態(tài)存儲器、靜態(tài)記億體、微虛理器等)，而電子元件之完成則由精密復雜的集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；IC之制作過程是應用芯片氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展，半導體制造方法亦朝著高密度及自動化生產(chǎn)的方向前進;而IC制造技術的發(fā)展趨勢，大致仍朝向克服晶圓直徑變大，元件線幅縮小，制造步驟增加，制程步驟特殊化以提供更好的產(chǎn)品特性等課題下所造成的良率控制因難方向上前進。半導體業(yè)主要區(qū)分為材料(

2、硅品棒)制造、集成電路晶圓制造及集成電路構裝等三大類，范圍甚廣。目前國內半導體業(yè)則包括了后二項，至于硅晶棒材料仍仰賴外國進口。國內集成電路晶圓制造業(yè)共有11家，其中聯(lián)華、臺積及華邦各有2個工廠，總共14個工廠，目前仍有業(yè)者繼紙擴廠中，主要分布在新竹科學園區(qū)，年產(chǎn)量逾400萬片。而集成電路構裝業(yè)共有20家工廠，遍布于臺北縣、新竹縣、臺中縣及高雄市，尤以加工出口區(qū)為早期半導體于臺灣設廠開發(fā)時之主要據(jù)點。年產(chǎn)量逾20億個。 原理簡介一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由電子濃度(n值)與其傳導率成正比。良好導體之自由電子濃度相當大(約1028個e-/m3)，絕緣體

3、n值則非常小(107個e-/m3左右)，至于半導體n值則介乎此二值之間。半導體通常采用硅當導體，乃因硅晶體內每個原子貢獻四個價電子，而硅原子內部原子核帶有四個正電荷。相鄰原子間的電子對，構成了原子間的束縛力，因此電子被緊緊地束縛在原子核附近，而傳導率相對降低。當溫度升高時，晶體的熱能使某些共價鍵斯鍵，而造成傳導。這種不完全的共價鍵稱為電洞，它亦成為電荷的載子。如圖1.l(a),(b)于純半導體中，電洞數(shù)目等于自由電子數(shù)，當將少量的三價或五價原子加入純硅中，乃形成有外質的(extrinsic)或摻有雜質的(doped)半導體。并可分為施體與受體，分述如下：1.施體(N型)當摻入的雜質為五價電子原

4、子(如砷)，所添入原子取代硅原子，且第五個價電子成為不受束縛電子，即成為電流載子。因貢獻一個額外的電子載子，稱為施體(donor)，如圖1.l(C)。2. 受體(P型)當將三價的雜質(如硼)加入純硅中，僅可填滿三個共價鍵，第四個空缺形成一個電洞。因而稱這類雜質為受體(acceptor)，如圖1.l(d)。半導體各種產(chǎn)品即依上述基本原理，就不同工業(yè)需求使用硅晶圓、光阻劑、顯影液、酸蝕刻液及多種特殊氣體為制程申的原料或添加物等，以完成復雜的集成電路制作。           &#

5、160;                                                 &#

6、160;                             圖1.1半導體構造組成制造流程半導體工業(yè)所使用之材料包含單一組成的半導體元素，如硅(Si)、鍺(Ge)(屬化學周期表上第四族元素)及多成分組成的半導體含二至三種元素，如鎵砷(GaAs)半導體是由第三族的鎵與第五族的砷所組成。在1950年代早期，鍺為主要半

7、導體材料，但鍺制品在不甚高溫情況下，有高漏失電流現(xiàn)象。因此，1960年代起硅晶制品取代鍺成為半導體制造主要材料。半導體產(chǎn)業(yè)結構可區(qū)分為材料加工制造、晶圓之集成電路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圓切割、構裝(wafer package)等三大類完整制造流程，如圖1.2所示。其中材料加工制造，是指從硅晶石原料提煉硅多晶體(polycrystalline silicon)直到晶圓(wafer)產(chǎn)出，此為半導體之上游工業(yè)。此類硅芯片再經(jīng)過研磨加工及多次磊晶爐(Epitaxial reactor)則可制成研磨晶圓成長成為磊晶晶圓，其用途更為特殊，且附加價值極高。其次晶圓之體積電路

8、制造，則由上述各種規(guī)格晶圓，經(jīng)由電路設計、光罩設計、蝕刻、擴散等制程，生產(chǎn)各種用途之晶圓，此為中游工業(yè)。而晶圓切割、構裝業(yè)系將制造完成的晶圓，切割成片狀的晶粒(dice)，再經(jīng)焊接、電鍍、包裝及測試后即為半導體成品。       圖1.2 半導體產(chǎn)業(yè)結構上、中、下游完整制造流程制程單元集成電路的制造過程主要以晶圓為基本材料，經(jīng)過表面氧化膜的形成和感光劑的涂布后，結合光罩進行曝光、顯像，使晶圓上形成各類型的電路，再經(jīng)蝕刻、光阻液的去除及不純物的添加后，進行金屬蒸發(fā)，使各元件的線路及電極得以形成，最后進行晶圓探針檢測;然后切割成

9、芯片，再經(jīng)粘著、連線及包裝等組配工程而成電子產(chǎn)品。各主要制程單元概述如下： 氧化與模附著原料晶圓在投入制程前，本身表面涂有2m厚的AI2O3，與甘油混合溶液保護之，晶圓的表面及角落的污損區(qū)域則藉化學蝕刻去除。為制成不同的元件及集成電路，在芯片長上不同的薄層，這些薄層可分為四類:熱氧化物，介質層，硅晶聚合物及金屬層。熱氧化物中重要的薄層有閘極氧化層(gate oxide;與場氧化層(field oxide)，此二層均由熱氧化程序制造。以下二化學反應式描述硅在氧或水蒸氣中的熱氧化：Si(固體) + O2(氣體) SiO2(固體)Si(固體) + 2H2O(氣體) SiO2(固體) + 2

10、H2(氣體)現(xiàn)代集成電路程序中，以氯介入氧化劑來改善氧化層的質量及Si-SiO2，接合面的性質。氯包含在氯氣、氯化氫HCl或二氯乙烷中，其將Si-SiO2，接合面的雜質反應成揮發(fā)性氯化物，多余的氯會增加介質的崩潰強度，減低接合面缺陷密度。介電質附著層主要用來隔離及保護不同種類元件及集成電路。三種常用的附著方法是:大氣壓下化學蒸氣附著(CVD)，低壓化學蒸氣附著(LPCVD)及電漿化學蒸氣附著(PCVD，或電漿附著)?；瘜W蒸氣附著生成約二氧化硅并不取代熱生長的氧化層，因為后者具有較佳的電子性質。二氧化硅層可使用不同的附著方法，其中低溫附著(300500)之氧化層由硅烷、雜質及氧氣形成。植入磷之二

11、氧化硅的化學反應為SiH4+O2SiO2+2H24PH3+5O22P2O5+6H2于中等溫度(500800)的附著，二氧化硅由四乙經(jīng)基硅，Si(OC2H5)4，在LPCVD反應器中分解形成。其分解反應為：Si(OC2H5)4SiO2+副產(chǎn)物高溫附著(900)，二氧化硅由二氯硅烷(SiCl2H2)與笑氣(N2O)在低壓下形成：SiCl2H2+2N2OSiO+2N2+2HCI氮化硅層可用作保護元件，方可作為硅氧化作用時的遮蔽層，覆蓋不欲氧化的硅晶部分，氮化硅的附著是在中等溫度(750)LPCVD程序或低溫(300)電漿CVD程序中形成。LPCVD程序中，二氯硅烷與氨在減壓下，700800間，反應生

12、成氮化硅附著，反應式為：SiCl2H2+4NH3 Si3N4+6HCl+6H2電漿PCVD程序中，氮化硅由硅烷與氨在氫電槳中反應或是硅烷在放電氮氣中生成，反應式如下：SiH4+NH3SiNH+3H22SiH4+H22SiNH十3H2硅晶聚合物，或稱聚合硅，在Metal Oxide Semiconductor(MOS)元件中用作閘極接線材料;多層金屬處理中當作導電材料;低能階接面元件中為接觸材料。方可作為擴散來源，生成低能階接面及硅晶體的歐姆接觸。其他用途包括電容及高電阻的制作。低壓反應器在600650間操作，將硅烷熱解生成硅聚合體，反應式如下：SiH4Si+2H2金屬層如鋁及硅化物用

13、來形成低電阻連接N+、P+及硅聚合物層的金屬接觸，及整流作用的金屬一半導體能障。金屬處理包含內部聯(lián)線、歐姆接觸及整流金屬二半導體接觸等金屬層的形成。金屬層可用不同方法鍍上，最重要的方法為物理蒸氣附著及化學蒸氣附著，鋁與其合金以及硅化金屬為兩種最重要的金屬。在金屬處理中，化學蒸氣附著(CVD)提供相當優(yōu)良的同型階梯涵蓋層，且一次可制成大量晶圓。最新的集成電路cVD金屬附著是應用于難熔金屬的附著。以鎢為例其熱解及還原的化學反應式：WF6W+3F2WF6+3H2W+6HF其他金屬如鉬(MO)，鉭(Ta)，及鈦(Ti)都可應用于集成電路。這些金屬的附著皆是在LPCVD反應器中進行下列氫還原反應:2MC

14、l5+5H22M+10HClM代表金屬Mo,Ta,Ti。鋁附著亦可使用有機金屬，如三異丁烷鋁:2(CH3)2CHCH23Al2Al+3H2+副產(chǎn)物集成電路金屬處理量最大的是鋁及其合金，因為兩者具備低電阻系數(shù)(Al為2.7-cm，合金為3.5-cm)，符合低電阻的要求。硅化物如TiSi2及TaSi2，其低電阻系數(shù)(50-cm)，且在整個集成電路程序中不失原有性質，表列出不同硅化物的電阻系數(shù)。表1.1 硅化物電阻系數(shù)(300°K)硅化物來源燒結溫度(。c)電阻系數(shù)(-cm)CoSil2硅聚合體金屬附著共濺射合金90090018-2025HfSi2硅聚合體金屬附著9004550MoSi2共

15、濺射合金I000100NiSi2硅聚合體金屬附著共淺射合金900900505060Pd2Si硅聚合體金屬附著4003050PtSi硅聚合體金屬附著6008002835TaSi2硅聚合體金屬附著共濺射合金1000100035455055TiSi2硅聚合體金屏附著共濺射合金900900131625Wsi2共濺射合金I00070ZrSi2硅聚合體金屬附著9003540 擴散與離子植入擴散及離子植入是用來控制半導體中雜質量的關鍵程序。擴散方法是使用植入雜質或雜質的氧化物作氣相附著，將雜質原子植入半導體晶圓的表面附近區(qū)域。雜質濃度由表面成單調遞減，雜質的分布固形取決于溫度及擴散時間。離子植入程

16、序中，雜質是以高能呈離子束植入半導體中。植入雜質的濃度在半導體內存在一高峰，雜質的分布圖形取決于離子的質量與植入能量。離子植入程序的優(yōu)點在于雜質量的精確控制，雜質分布的再重整，以及低溫下操作。擴散與離子植入之比較如圖1.3所示。雜質的擴散基本上是將半導體晶圓置于熔爐中，然后以帶雜質原子的惰性氣體通過。于硅擴散作用中，最常使用的雜質為硼、砷及磷，這三種元素在硅中的溶解度相當高。雜質的來源包含數(shù)種，有固體來源(BN，AS2O3及P2O3)，液體來源(BBr3、AsCl3及POCl3)，氣體來源(B2H6、AsH3、及PH3)。通常，以上物質由惰性氣體(如N，)輸送至半導體表面而發(fā)生還原反應。固體來

17、源的化學反應式如下反應時會往硅表面形成氧化層。2As2O3+3Si4As+3SiO2離子植入是將高能量之帶電粒子射入硅基晶中。半導體中離子植入的實際應用改變了基晶層的電子性質。植入雜質濃度在10111016離子/cm2。雜質濃度的表示法是半導體單位表面積1cm2所植入的離子數(shù)目。    圖1.3 使用擴散與離子植入技術將雜質植入半導體基晶中的比較印刻與蝕刻印刻是在覆蓋半導體芯片表面的光敏感材料薄層(稱為光阻)印上幾何鑄型。不同的光阻鑄型不止一次的印刻在晶層上，以形成元件圖樣。再經(jīng)蝕刻程序獲得各不同區(qū)，以便進行植入、擴散等前幾節(jié)所敘述的步驟。表1.2所列為

18、IC印刻方法及對應使用之光阻成分。表1.2  IC印刻方法及對應使用之光阻成分電子束印刻正光阻PMMA(聚甲基丙烯酸甲脂)，PBS(聚丁稀諷)。負光阻COP(縮水甘油丙烯酸甲脂與乙基丙稀酸酯共相聚合物)光學(uv)印刻負光阻硒化銬和銀覆蓋層X光印刻負光阻DCOPA(W烯(二氡丙基)酸及縮水廿油甲基丙烯酸酯一土二基丙烯酸酯)離子束光阻正光阻PMMA光阻化合物對輻射具敏感性，可區(qū)分為正光阻及負光阻。正光阻經(jīng)過光照后，曝光區(qū)可以化學物質(去光阻劑或顯影液)溶解除去；負光阻正好相反。正光阻的組成有三：對光敏感化合物、樹脂及有機溶劑。負光阻是含光敏感組成的高分子。表1.3列出了商業(yè)上

19、常用的IC印刻種類及其光阻型式。   表1.3  IC印刻種類及其光阻型式印刻種類型式敏感度光學Kodak 747AZ-1350JPR102負正正9 mJ/cm290mJ/cm2140mJ/cm2電子束COPGeSePBSPMMA負負正正0.3C/cm280C/cm21C/cm250C/cm2X光COPDCOPAPBSPMMA負負正正175 mJ/cm210 mJ/cm295 mJ/cm2l000mJ/cm2晶圓上光阻后，經(jīng)曝光處理，再由顯影液將曝光區(qū)的正光阻溶解、洗凈、涼干，再經(jīng)蝕刻去除曝光區(qū)的絕緣層，而未曝光區(qū)的光阻則不受蝕刻影向，最后除去剩余光阻，

20、可用溶液(如H2SO4+H2O2槽)或電漿氧化，經(jīng)此道程序，可制成設計所需之絕緣層鑄型影像。而絕緣層之鑄型影像，乃作為下個制程的遮避保護層，如離子植入未被絕緣層保護的半導體基質區(qū)域，整個集成電路的電路系統(tǒng)制程，通常須重覆地在晶圓表面作多次以上的印刻與蝕刻程序。濕法化學蝕刻乃利用液體化學物質與基質表面的特定材料反應溶出，此程序廣泛的應用于半導體制程中。最常使用的侵蝕液為硝酸(HNO3)及氫氟酸(HF)的水溶液或是醋酸(CH3COOH)溶液。SiO2+6HFH2SiF6+H2OSi+HNO3+6HFH2SiF6+HNO2+H2O+H2鎵砷半導體之蝕刻液以H2SO4-H2O2-H2O為主。另外，絕緣

21、層與金屬層之蝕刻，使用的是能溶解這些物質及其鹽類或錯化物的化學品。硅與鎵砷常見之蝕刻液列于表1.4，表1.5列出了常用作絕緣層及金屬層蝕刻的侵蝕液。  表1.4 硅與鎵砷常用之浸蝕液 表1.5 絕緣層與導電層常用之侵蝕液材料侵蝕液組成蝕刻液SiO228mlHF170mlH2O HF緩沖溶液113g NH4F 15ml HF10ml HNO3 P-蝕刻300ml H2O1000A/min   120 A/minSiN4HF緩沖溶液H3PO45 A/min100 A/minAl1mlHNO34mlCH3COOH4 ml

22、H3PO41mlH2O350 A/minAu4g KI1g I240mlH2O1m/minMo5ml H3PO42ml HNO34ml CH3COOH150mlH2O0.5m/minPt1ml HNO37mlHCl8mlH2O500 A/minW34g KH2PO413.4g KOH33g K3Fe(CN)6加入H2O至1公升1600 A/min 干法蝕刻(電漿蝕刻)乃利用低壓放電將氣體電離成電漿，所以電漿含全部或部分電離之氣體，其中有離子、電子及中子。表1.6列出兩種氣體蝕刻系統(tǒng)濺蝕刻制射程及平行臺電漿蝕刻所使用之氣體。表1.6 濺射蝕刻制程及平行臺電漿蝕刻使用之氣體濺射蝕刻制程加

23、，Ne平行臺電漿蝕刻CCI< + CICF< + HBCl3 + CICCI< + 0SF + Cl,1.3.4 晶圓切割將芯片排列組合，做成集成電路，利用閘區(qū)化切割機或鉆石刀及雷射槍來替代切割機切割晶圓，形成IC薄片，如圖1.4所示圖1.4 晶圓成品之切割程序連線打著利用金屬線連接IC芯片與基板，如圖1.5所示。 塑封為保護已連線的IC，將IC芯片封入環(huán)氧樹脂封套內。此種程序在壓模機中完成，操作溫度為180200。C，如圖1.6所示。 去筋打彎將整片連線打著完成之半產(chǎn)品自金屬線切開(即去筋)，并將基板兩側漏出之金屬線打彎成直角，如圖1.7所示。圖1.5&

24、#160; IC芯片連線打著程序圖1.6  IC芯片樹脂套封程序  圖1.7  IC芯片去今打彎程序導線電鍍在電鍍槽中將露在外面的導線，鍍上一層銅使之易于導電。此制程視產(chǎn)品品質決定需要否 浸錫與清洗將導線浸錫以利焊接，并以有機溶劑、混酸清洗去除殘余油脂，提高IC質量。 測試與包裝檢查IC芯片之電性，最后將合格之IC包裝完成。 IC制程實例半導體業(yè)集成電路制造過程十分復雜，且隨著產(chǎn)品之不同制程亦跟著改變。以下則舉一基本實例并配合圖形說明整個制程。半導體元件成品如圖1.8所示。 實例說明圖

25、1.8  半導體元件成品剖面圖 污染源及污染特性污染源概述半導體工業(yè)因產(chǎn)品不斷研發(fā)而制程亦隨著更改，從以往所采用之濕式制程到現(xiàn)在采用減壓后之氣體干式制程，及目前興起之化合物半導體研究也正迅速發(fā)展中。隨著這些技術之革新，半導體制造時所使用之酸鹼溶液、有機溶劑、特殊氣體材料之種類及數(shù)量均在增加之中，而這些制程原料大部份都其有毒性，所以應特別注意并加以防范與控制。以下乃針對此產(chǎn)業(yè)各類生產(chǎn)流程，說明廢氣、廢水及廢棄物污染來源，以期能掌握各項污染物之排放。空氣污染源半導體制造不管在硅晶圓、集成電路制造，或是IC芯片構裝，其生產(chǎn)制程相當繁雜，制程申所使用之化學物質種類亦相當多

26、，而這些化學物質或溶劑的使用是為半導體生產(chǎn)之主要空氣污染源，也因此使得半導體制造空氣污染呈現(xiàn)量少但種類繁多的特性。晶圓及集成電路制造過程中幾乎每個步驟皆分別使用各式各樣的酸鹼物質、有機溶劑及毒性氣體，而各種物質經(jīng)過反應后又形成種類頗為復雜之產(chǎn)物，各制程不同使用的化學物質亦不相同，故所有制程幾乎部可能是空氣污染源，且皆為連績排放。圖2.1中說明晶圓及集成電路制程申可能之污染源及其排放之污染物。依污染物特性予以歸類，可將晶圓及集成電路制程空氣污染區(qū)分為下列三處：1. 氧化擴散及化學蒸著沉積制程中所使用具有毒性、可燃性之氣體以及反應后所生成之氣體。2. 蝕刻及清洗制程中所產(chǎn)生之酸

27、鹼氣體。3. 黃光室制程中所產(chǎn)生之有機溶劑氣體。至于晶圓切割成芯片，再經(jīng)過一連串之構裝作業(yè)，可能之空氣污染源包括:電鍍區(qū)產(chǎn)生之酸鹼廢氣、浸錫區(qū)產(chǎn)生之錫煤煙，以及清洗過程產(chǎn)生之酸氣與有機溶劑蒸氣等三大類。圖2.2中則標示IC芯片構裝作業(yè)程序可能之空氣污染源及其排放之污染物。圖2.1  晶圓及集成電路制程中空氣污染物發(fā)生源     圖2.2  IC芯片構裝制程中空氣污染物發(fā)生源廢水污染源廢水污染源分為IC制造廠及構裝制造作業(yè)，各有不同，說明如下：1. IC制造廠廢水來源雖多且造成污染之化學

28、物質相當復雜，廢水主要為超純水清洗芯片、去光阻及刻蝕過程等程序所排出之廢水。各股廢水源及其所含的化學物質如下所示：(1)芯片清洗廢水：H2SO4、H2O2、HF、NH4OH、HCl。(2)去光阻廢水：二甲苯、乙酸丁酯、甲苯、ABS。(3)濕式蝕刻廢水：HF、NH4F、HNO3、H2O2、HCl、H2SO4、HAc、H3PO4、HBr、Al、Si。(4)洗爐管廢水：HF。(5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H2O2。(6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝制造作業(yè)主要污染源為切割、電鍍、浸錫、清洗等廢水，如圖2.3所示：各股污染源所包含的化學物質列示如下：(1

29、)切割廢水：芯片切割研磨廢水。(2)電鍍廢水：脫脂過程之有機物及電鍍程序的Cu2+、Ni2+、Zn2+、Pb2+、Ag2+、氰化物、氟化物等。(3)浸錫：廢水助焊劑。(4)清洗廢水：H2SO4、HNO3、H2O2、H3PO4。(5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl。(6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。圖2.3  IC芯片構裝過程中廢水污染物發(fā)生源 廢棄物污染源廢棄物之產(chǎn)生源及其物質分述如下：1. 包裝器材：紙箱、木箱、玻璃瓶、塑膠桶、保麗龍?zhí)畛湟r材。2. 清洗廢液：廢酸、廢鹼、廢溶劑。3. 蝕刻廢液：廢酸。4. 微影廢液：顯影廢液、微

30、影清洗廢液。5. 泵浦廢油：離子植入機、PVD、CVD、蝕刻機等真空泵之劣化油脂。6. 污泥：含氟廢水處理之污泥。7. 空氣處理廢料：無塵室空氣過濾廢濾料及毒性氣體吸附塔廢料。8. 無塵室人員使用后廢棄之口罩、手套、鞋套。9. 員工生活廢棄物：餐廳及辦公室廢棄物。10. 廢損芯片。 污染物種類及特性IC制造主要使用之化學物質半導體制造工業(yè)在產(chǎn)業(yè)史上屬危險性較高之工業(yè)，尤其是超LSI制程需經(jīng)過很多層之處理而成形，構成非常精密的回路，須于氣相中處理。同時這些處理都要在瞬間的狀態(tài)下進行，所以使用之氣體也采用化學活性高的元素，例如超LSI基于物理特性考慮，而使用金屬、半金屬及非金屬為氣體化之

31、氫化物，烷基化合物(alkyl)或低級鹵素化合物(halogen)等。制程中由氧化至清洗階段包括光罩、蝕刻、離子植入及不純物擴散等，也都需使用具有毒性之膠合劑氣體及硅烷類氣體，其供給型態(tài)如表2.1及圖2.4所示。另外一般濕式制程中的蝕刻及清洗則使用大量的酸鹼溶液，基本上有氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、鹽酸(HCIl及氨(NH3)等，使用時大都形成混合液(buffer solution)。然而制程中幾乎每個步驟都使用有機溶劑，尤其在黃光區(qū)中光阻液清洗、濕像液清除、蝕刻液清除及晶圓清洗等均使用大量有機溶劑，主要有丙酮、二氯甲烷、三氯甲烷、丙醇、甲醇、三氯

32、乙烷、丁酮、甲苯、苯、二甲苯、乙醇、乙酸甲酯、二氯乙烯及氯醛等。同一操作單元所使用之化學物質隨工廠之不同而異，而每個工廠也不一定使用所有化學物質，而本節(jié)中所列乃為工廠目前主要使用之化學物質。  表2.1 主要半導體用氣體的供給型態(tài)由以上敘述可將半導體工業(yè)所用之制程材料歸納為特殊毒性氣體、酸鹼液及有機溶劑三大類。由于所用之原料多為劇毒且具刺激性、危險性及易燃性，對人體傷害甚巨，美國安全衛(wèi)生協(xié)會(OSHA)，已對這些物質訂定安全衛(wèi)生標準加以防范，如HF曝露閥值為3ppm、HCl為5ppm、H2SO4為lmg/m3、HNO3為lmg/m3、NH3為25ppm、Cl2為l

33、ppm、ASH3為0.05ppm、pH3為0.03ppm。另外由于此行業(yè)過去使用極多之氟氨碳化物(CFCs，代表所有鹵素合成物，包括氟氯碳及氟氯烷)，這些合成物對臭氧層之破壞力十倍于氫氯碳化合物(HFCs)，因此現(xiàn)多已改用其他替代之方法，而且將完全不用CFCs類化學品。圖2.4 半導體制程主要使用氣體之種類與用途廢棄種類及特性集成電路制造隨著其制程使用不同的化學物質，所產(chǎn)生的空氣污染物種類與特性亦不同，可歸納為酸鹼廢氣、有機溶劑逸散蒸氣、特殊毒性及燃燒性氣體;如表2.2所示。 表2.2 IC制造所產(chǎn)生之空氣污染物種類與成份廢氣種類污染物成份污染源酸鹼廢氣酸氣：HF、HCl、HNO3、

34、H2SO4、CH3COOH、H3PO4、H2Cr2O7鹼氣：NH3、NaOH氧化、光罩、蝕刻、反應爐(氧化爐、擴散爐)之清洗、CVD有機溶劑廢氣二氯甲烷(CH2Cl2)、氯仿(CHCl3)、丁酮、甲苯、乙苯、丙酮、苯、二甲苯、4-甲基-2-戊酮(CH3)2CHCH2COCH3、乙酸丁酯、三氯乙烷、異丙醇、四甲基胺、氨醛、四氯乙烯、乙基苯、亞甲基二氯、丁基苯、Trans-1,2-Dichloroethene光阻液清洗、顯像液清除、蝕刻液清除、晶圓清洗毒性氣體AsH3、pH3、SiH4、B2H4、B4H10、P2O5、SiF4、CCl4、HBr、BF3、AlCl3、B2O5、AsO3、BCl3、POCl3、Cl2、HCN、SiH2Cl2氧化、光罩、蝕