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1、線訂裝線XXXXXX2007 2008 學年度第2學期學院 專業(yè) 考號 姓名 核輻射探測 課程試卷(A卷、05級反應(yīng)堆工程、生物醫(yī)學工程專業(yè))考試日期:2008年6月13日 考試類別:考試 考試時間:120分鐘題號一二三四五總分得分得分閱卷人一、簡答題:(共 35 分)1帶電粒子與物質(zhì)發(fā)生相互作用有哪幾種方式?(5分) 與原子核彈性碰撞;(核阻止)(1分)與原子核的非彈性碰撞;(軔致輻射)(1分) 與核外電子彈性碰撞; (1分)與核外電子的非彈性碰撞;(電離和激發(fā))(1分) 正電子湮滅;(1分)2氣體探測器兩端收集到的離子對數(shù)和兩端外加電壓存在一定的關(guān)系。具體如下圖所示。(5分) 填空: 復合
2、區(qū)(1分)飽和區(qū)(電離室區(qū))(1分) 正比(計數(shù))區(qū)(1分) 有限正比區(qū) (1分) G-M區(qū) (1分) 注:1)有限區(qū)的0.5分 3通用閃爍體探頭的組成部件有那些?為什么要進行避光處理?(5分) 答案要點1)閃爍體(1分)、光學收集系統(tǒng)(1分)(硅油和反射層)、光電倍增管(1分)、 2)光電倍增管的光陰極(1分)具有可見光光敏性(1分),保護光電倍增管。4PN結(jié)型半導體探測器為什么要接電荷靈敏前置放大器?(5分) 答:由于輸出電壓脈沖幅度h與結(jié)電容Cd有關(guān)(1分),而結(jié)電容 隨偏壓(2分)而變化,因此當所加偏壓不穩(wěn)定時,將會使h發(fā)生附加的漲落,不利于能譜的測量;為解決該矛盾,PN結(jié)半導體探測器
3、通常不用電壓型或電流型前置放大器,而是采用電荷靈敏前置放大器。電荷靈敏放大器的輸入電容極大,可以保證 C入 >> Cd ,(2分)而 C入是十分穩(wěn)定的,從而大大減小了Cd變化的影響??梢员WC輸出脈沖幅度不受偏壓變化的影響。 注)1所有講述半導體探測器原理得1分5衡量脈沖型核輻射探測器性能有兩個很重要的指標,這兩個指標是指什么?為什么半導體探測器其中一個指標要比脈沖型氣體電離室探測器好,試用公式解釋?(5分) 答案要點:第1問: 能量分辨率(1.5分)和探測效率(1.5分) 注:1)答成計數(shù)率得1分 第2問: (1分) (1分) 6中子按能量可分為哪幾類?常用的中子探測方法有哪些?(
4、5分) 答案要點:第1問:快中子、熱中子、超熱中子、慢中子 答對3個以上得1分 第2問:核反沖法(1分)核反應(yīng)法(1分)、活化法(1分)、核裂變法(1分)7.試定性分析,分別配以塑料閃爍體及NaI(T1)閃爍晶體的兩套閃爍譜儀所測得0.662MeV g射線譜的形狀有何不同?(5分)答案:由于塑料閃爍體有效原子序數(shù)、密度及發(fā)光效率(3點得1分) 均低于NaI(T1)閃爍晶體,對測得的0.662MeV g射線譜的形狀,其總譜面積相應(yīng)的計數(shù)(得1分)、峰總比(得1分)、全能峰的能量分辨率(得1分)均比NaI(T1)閃爍晶體差,甚至可能沒有明顯的全能峰(得1分)。 注:抓住要點給分,1個要點1分得分閱
5、卷人二、證明題:(共 10 分)1試證明光子的光電效應(yīng)是光子與原子整體相互作用,而不是與自由電子發(fā)生相互作用。(5分)證明:假設(shè)光電效應(yīng)只與自由電子發(fā)生相互作用,那么應(yīng)該滿足動量和能量守恒定理。假如何光子能量E=h(得1分),動量P=h/c(得1分);根據(jù)相互作用滿足能量守恒定理,則電子能量E=h=mc2(得1分),電子動量P=(h/c2)×v(得1分); 由于電子速度小于光子速度,所以 PP(得1分),動量不守恒所以得證光子的光電效應(yīng)是光子與原子整體相互作用。2(5分)利用誤差傳遞公式 若對某放射性樣品重復測量K次,每次測量時間t相同,測得的計數(shù)為N1、N2,Nk,試證明計數(shù)率平均
6、值的統(tǒng)計誤差為:證明: 得分閱卷人三、計算題。(共 55 分)1. (5分)畫出下圖輸出電路的等效電路,并標明極性。答:評分標準:1)等效電路圖3分 具體分配,電流源、電容、電阻位置正確各得1分 2)極性 2分,只要正確標出和說明極性均得2分 注:1) 只有極性沒有等效電路圖不得分 2.(5分)試計算充Ar脈沖電離室和正比計數(shù)器對5MeV 粒子的最佳能量分辨率.(取 法諾因子,Ar的平均電離能為26.3eV)解:對充Ar脈沖電離室: 對充Ar正比計數(shù)器:3(5分)能量為1.50MeV的放射源放在鉛容器里,為了安全,必須使容器外的強度減小為原來的1/1000,試求容器壁至少需多厚。解:4.(6分
7、)當單能粒子被準直得垂直于硅P-N結(jié)探測器的表面時,單能射線峰的中心位于多道分析器的480道。然后,改變幾何條件使粒子偏離法線45°角入射,此時看到峰漂移至460道。試求死層厚度(以多道道址表示)。解:當能量為損失E0的粒子垂直入射時 0 設(shè)粒子在探測器死層內(nèi)的能量為E1則探測器靈敏體積得到的能量為(E0-E1)譜峰位在460道 E0-E1=480G (G代表能量刻度系數(shù),沒寫不扣分) (得1分)當450時 死層內(nèi)能量損失為E2 (得2分)探測器靈敏體得到的能量為(E0-E2)= 460G (得1分)(480-460)G= 得: (得1分)注:評分按步驟逐步進行。5 (6分)本底計數(shù)
8、率25計數(shù)/min,測量樣品計數(shù)率100計數(shù)/min,試求對給定總的測量時間來說凈計數(shù)率精確度最高時的最優(yōu)比值樣品測量時間和本地測量時間之比;若凈計數(shù)率的相對統(tǒng)計誤差為1,測量總時間的最小值是多少?解:沒有單位或者單位不對的扣掉1分;計算結(jié)果不對的,按步驟扣掉一半的分。6. (6分)絕對峰效率為30的NaI(T1)閃爍探測器,對57Co點源的122kev射線測量15min光電峰計數(shù)180000個。然后同樣的源置于離表面積為314平方毫米的Si(Li)探測器的表面為10記錄60min得到一個譜。如果在7.1kev的KX射線峰下面的計數(shù)為1200個,那么在這個能量時Si(Li)探測器的效率是多少?
9、(對于57Co的特征X射線和射線的強度比X/分別為:對6.40kev的K線為0.5727,對7.1kev的K線為0.7861。)解:依題意可得57Co源122kev的射線強度則7.1kev的KX射線強度為7. (6分)已知一放射源的活度A為1010貝克,假設(shè)該源各向同性地放出光子,假設(shè)射到一個G-M計數(shù)管的光子數(shù)為106/s,該G-M計數(shù)管輸出的脈沖數(shù)為104/s,還已知該G-M計數(shù)管的分辨時間為20us,求該G-M計數(shù)管的本征效率和總效率。解:計算結(jié)果不對的,按步驟扣掉這一步一半的分。8. (8分)1.詳細分析2MeV g射線在閃爍體中可產(chǎn)生哪些次級過程?2.并計算該g射線在NaI(T1)單
10、晶譜儀的輸出脈沖幅度譜上,康普頓邊緣與單逃逸峰之間的相對位置。3.并畫出下列兩種情況下該g射線在NaI(T1)單晶譜儀的輸出脈沖幅度譜圖1)NaI(T1)晶體為中等晶體時 2)NaI(T1)晶體為無限大晶體時解:1)光電效應(yīng),康普頓效應(yīng),電子對效應(yīng)。(全對得2分,不全者得1分) 2)單逸峰 E=2-0.511=1.249Mev (得1分) 散射光子最小能量= 反沖電子最大能量即康普頓邊緣 (得1分) 3)中等晶體 注:每標對1個得0.5分4)無限大晶體,畫對給全分9. (8分)設(shè)在平行板電離室中粒子的徑跡如圖所示,徑跡長度為L,假設(shè)沿徑跡各處的單位路程上產(chǎn)生的離子對數(shù)N相等,且電子的漂移速度W,試求電子的電流脈沖。LD解:分三種情況討論:1)當時,即電子全部到達正極板,電子的電流脈沖;(得2分)2)
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