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1、模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)PN結(jié)的形成及特性PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性PN結(jié)的形成什么是PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)的電容效應(yīng) PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性 PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性PN結(jié)定義結(jié)定義 在N型半導體和P型半導體交界面處形成的帶電薄層。又稱空間電荷區(qū)、阻擋層、勢壘區(qū)。PN結(jié)的形成結(jié)的形成漂移運動擴散運動和漂移運動達到動態(tài)平衡，形成了PN結(jié)。擴散運動 PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性PNPN結(jié)加不同極性電壓，表現(xiàn)不同特性 正向電壓：正向電壓：P區(qū)接高電位，N區(qū)接低電位 正偏壓PN結(jié)變窄擴散漂移多子擴散電流IF結(jié)論（正向電壓）：結(jié)論（正向電壓）：PN結(jié)導通，導通電阻小

2、，產(chǎn)生正結(jié)導通，導通電阻小，產(chǎn)生正向電流向電流IF，方向，方向PN，數(shù)值大。，數(shù)值大。正向電壓時內(nèi)外電場反向PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性反向電壓：反向電壓：P區(qū)接低電位，N區(qū)接高電位(反向偏壓、反偏) 反偏壓PN結(jié)變寬漂移為主少子漂移電流IR反向電壓時內(nèi)外電場同向結(jié)論（反向電壓）：結(jié)論（反向電壓）：PN結(jié)截止，大電阻特性，產(chǎn)生反結(jié)截止，大電阻特性，產(chǎn)生反向電流向電流IR，方向，方向NP，數(shù)值很小，數(shù)值很小PN結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦訮N結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性所謂電容效應(yīng)指的是它能儲存電荷，且外加電壓發(fā)生變化，所儲存的電荷量隨之而變。結(jié)電容特性：結(jié)電容特性： 正比于結(jié)面積，低頻時不起作用，高頻時起作用。 結(jié)電容不是常量，若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去 單向?qū)щ娦?。?yīng)低頻工作，有最高工作頻率fM限制。結(jié)

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