電磁爐工作原理=電路圖

1、電磁爐工作原理簡介 1.1 電磁加熱原理 電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將 50/60Hz 的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為 20-40KHz 的高頻電壓，高速變化的電流流過線圈會產(chǎn)生高速變化的磁場，當(dāng)磁場內(nèi)的磁力線通過金屬器皿 ( 導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料 ) 底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。 1.2 47 系列筒介 47 系列是由正夫人旗下中山電子技術(shù)開發(fā)制造廠設(shè)計(jì)開發(fā)的全新一代電磁爐 ,面板 有 LED 發(fā)光二極管顯示模式、 LED 數(shù)碼顯示模式、 LCD 液晶顯示模式、 V

2、FD 瑩光顯示模式、 TFT 真彩顯示模式機(jī)種。操作功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動(dòng)恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約開 / 關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動(dòng)泡茶、自動(dòng)煮飯、自動(dòng)煲粥、自動(dòng)煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱功率有 500W3400W 的不同機(jī)種 , 功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的 90%, 并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動(dòng)恒定。 200240V 機(jī)種電壓使用范圍為 160260V, 100120V 機(jī)種電壓使用范圍為 90135V 。全系列機(jī)種均適用于 50 、 60Hz 的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為 -23 45 。電控功能有鍋具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開 / 短路保護(hù)、 2 小時(shí)不按鍵 (

3、忘鉀機(jī) ) 保護(hù)、 IGBT 溫度限制、 IGBT 溫度過高保護(hù)、低溫環(huán)境工作模式、 IGBT 測溫傳感器開 / 短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、 VCE 抑制、 VCE 過高保護(hù)、過零檢測、小物檢測、鍋具材質(zhì)檢測。 47 系列須然機(jī)種較多 , 且功能復(fù)雜 , 但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣 , 區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及 CPU 程序不同而己。電路的各項(xiàng)測控主要由一塊 8 位 4K 內(nèi)存的單片機(jī)組成 , 外圍線路簡單且零件極少 , 并設(shè)有故障報(bào)警功能 , 故電路可靠性高 , 維修容易 , 維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示 , 對應(yīng)檢修相關(guān)單元電路 , 大部分均可輕易解決。 二、電磁爐工作原理分析

4、2.1 特殊零件簡介 2.1.1 LM339 集成電路 LM339 內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為 6mV 的電壓比較器 , 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí) (+ 輸入端電壓高于 - 入輸端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管截止 , 此時(shí)輸出端相當(dāng)于開路 ; 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí) (- 輸入端電壓高于 + 輸入端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通 , 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低 , 此時(shí)輸出端為 0V 。 2.1.2 IGBT 絕緣雙柵極晶體管 (Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度

5、和MOSFET等電壓激勵(lì)場控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的 IGBT, 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 IGBT有三個(gè)電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。 從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。 IGBT的特點(diǎn): 1.電流密度大, 是MOSFET的數(shù)十倍。 2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動(dòng)功率極小, 驅(qū)動(dòng)電路簡單。 3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和

6、BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會受損壞。 5.開關(guān)速度快, 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開關(guān)損耗僅為GTR的30%。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。 目前 458 系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的 IGBT, 它們的參數(shù)如下 : (1) SGW25N120- 西門子公司出品 , 耐壓 1200V,

7、 電流容量 25 時(shí) 46A,100 時(shí) 25A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時(shí)須配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SKW25N120 。 (2) SKW25N120- 西門子公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時(shí) 46A,100 時(shí) 25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時(shí)將原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (3) GT40Q321- 東芝公司出品 , 耐壓 1200V,

8、電流容量 25 時(shí) 42A,100 時(shí) 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時(shí)請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (4) GT40T101- 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 時(shí) 80A,100 時(shí) 40A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時(shí)須配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321,

9、 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 GT40T301 。 (5) GT40T301- 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 時(shí) 80A,100 時(shí) 40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 時(shí)請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (6) GT60M303 - 東芝公司出品 , 耐壓 900V, 電流容量 25 時(shí) 120A,100 時(shí) 60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。 (7)

10、 GT40Q323- 東芝公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時(shí) 40A,100 時(shí) 20A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時(shí)請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (8) FGA25N120- 美國仙童公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時(shí) 42A,100 時(shí) 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時(shí)請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 2.2

11、電路方框圖 2.3 主回路原理分析 時(shí)間 t1t2 時(shí)當(dāng)開關(guān)脈沖加至 IGBTQ1 的 G 極時(shí) , IGBTQ1 飽和導(dǎo)通 , 電流 i1 從電源流過 L1, 由于線圈感抗不允許電流突變 . 所以在 t1t2 時(shí)間 i1 隨線性上升 , 在 t2 時(shí)脈沖結(jié)束 , IGBTQ1 截止 , 同樣由于感抗作用 ,i1 不能立即突變 0, 于是向 C3 充電 , 產(chǎn)生充電電流 i2, 在 t3 時(shí)間 ,C3 電荷充滿 , 電流變 0, 這時(shí) L1 的磁場能量全部轉(zhuǎn)為 C3 的電場能量 , 在電容兩端出現(xiàn)左負(fù)右正 , 幅度達(dá)到峰值電壓 , 在 IGBTQ1 的 CE 極間出現(xiàn)的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓

12、+ 電源電壓 , 在 t3t4 時(shí)間 ,C3 通過 L1 放電完畢 ,i3 達(dá)到最大值 , 電容兩端電壓消失 , 這時(shí)電容中的電能又全部轉(zhuǎn)化為 L1 中的磁能 , 因感抗作用 ,i3 不能立即突變 0, 于是 L1 兩端電動(dòng)勢反向 , 即 L1 兩端電位左正右負(fù) , 由于 IGBT 內(nèi)部阻尼管的存在 ,C3 不能繼續(xù)反向充電 , 而是經(jīng)過 C2 、 IGBT 阻尼管回流 , 形成電流 i4, 在 t4 時(shí)間 , 第二個(gè)脈沖開始到來 , 但這時(shí) IGBTQ1 的 UE 為正 ,UC 為負(fù) , 處于反偏狀態(tài) , 所以 IGBTQ1 不能導(dǎo)通 , 待 i4 減小到 0,L1 中的磁能放完 , 即到

13、t5 時(shí) IGBTQ1 才開始第二次導(dǎo)通 , 產(chǎn)生 i5 以后又重復(fù) i1i4 過程 , 因此在 L1 上就產(chǎn)生了和開關(guān)脈沖 f(20KHz30KHz) 相同的交流電流。 t4t5 的 i4 是 IGBT 內(nèi)部阻尼管的導(dǎo)通 電流 , 在高頻電流一個(gè)電流周期里 ,t2t3 的 i2 是線盤磁能對電容 C3 的充電電流 ,t3t4 的 i3 是逆程脈沖峰壓通過 L1 放電的電流 ,t4t5 的 i4 是 L1 兩端電動(dòng)勢反向時(shí) , 因的存在令 C3 不能繼續(xù)反向充電 , 而經(jīng)過 C2 、 IGBT 阻尼管回流所形成的阻尼電流 ,IGBTQ1 的導(dǎo)通電流實(shí)際上是 i1 。 IGBTQ1 的 VCE

14、電壓變化 : 在靜態(tài)時(shí) ,UC 為輸入電源經(jīng)過整流后的直流電源 ,t1t2,IGBTQ1 飽和導(dǎo)通 ,UC 接近地電位 ,t4t5, IGBT 阻尼管導(dǎo)通 ,UC 為負(fù)壓 ( 電壓為阻尼二極管的順向壓降 ),t2t4, 也就是 LC 自由振蕩的半個(gè)周期 ,UC 上出現(xiàn)峰值電壓 , 在 t3 時(shí) UC 達(dá)到最大值。 以上分析證實(shí)兩個(gè)問題 : 一是在高頻電流的一個(gè)周期里 , 只有 i1 是電源供給 L 的能量 , 所以 i1 的大小就決定加熱功率的大小 , 同時(shí)脈沖寬度越大 ,t1t2 的時(shí)間就越長 ,i1 就越大 , 反之亦然 , 所以要調(diào)節(jié)加熱功率 , 只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度 ; 二是 LC 自

15、由振蕩的半周期時(shí)間是出現(xiàn)峰值電壓的時(shí)間 , 亦是 IGBTQ1 的截止時(shí)間 , 也是開關(guān)脈沖沒有到達(dá)的時(shí)間 , 這個(gè)時(shí)間關(guān)系是不能錯(cuò)位的 , 如峰值脈沖還沒有消失 , 而開關(guān)脈沖己提前到來 , 就會出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使 IGBTQ1 燒壞 , 因此必須使開關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。 2.4 振蕩電路 (1) 當(dāng) PWM 點(diǎn)有 Vi 輸入時(shí)、 V7 OFF 時(shí) (V7=0V), V5 等于 D6 的順向壓降 , 而當(dāng) V5V6 時(shí) ,V7 轉(zhuǎn)態(tài)為 OFF,V6 亦降至 D6 的順向壓降 , 而 V5 則由 C16 、 D6 放電。 (3) V5 放電至小于 V6 時(shí) , 又重復(fù) (1)

16、形成振蕩。 “ G 點(diǎn)輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時(shí)間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小”。 2.5 IGBT 激勵(lì)電路 振蕩電路輸出幅度約 4.1V 的脈沖信號 , 此電壓不能直接控制 IGBT 的飽和導(dǎo)通及截止 , 所以必須通過激勵(lì)電路將信號放大才行 , 該電路工作過程如下 : (1) V8 OFF 時(shí) (V8=0V),V8V9,V10 為低 ,Q81 截止、 Q4 導(dǎo)通 ,+18V 通過 R23 、 Q4 和 Q1 的 E 極加至 IGBT 的 G 極 ,IGBT 導(dǎo)通。 2.6 PWM 脈寬調(diào)控電路 CPU 輸出 PWM 脈沖到由 R30 、 C27 、 R31

17、組成的積分電路 , PWM 脈沖寬度越寬 ,C28 的電壓越高 ,C29 的電壓也跟著升高 , 送到振蕩電路 (G 點(diǎn) ) 的控制電壓隨著 C29 的升高而升高 , 而 G 點(diǎn)輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時(shí)間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小。 “ CPU 通過控制 PWM 脈沖的寬與窄 , 控制送至振蕩電路 G 的加熱功率控制電壓，控制了 IGBT 導(dǎo)通時(shí)間的長短 , 結(jié)果控制了加熱功率的大小”。 2.7 同步電路 市電經(jīng)整流器整流、濾波后的 310V 直流電，由 R15+R14 、 R16 分壓產(chǎn)生 V3,R1+R17 、 R28 分壓產(chǎn)生 V4, 在高頻電流的一個(gè)周

18、期里 , 在 t2t4 時(shí)間 ( 圖 1), 由于 C14 兩端電壓為上負(fù)下正 , 所以 V3V5,V7 OFF(V7=0V), 振蕩沒有輸出 , 也就沒有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極 , 保證了 Q1 在 t2t4 時(shí)間 不會導(dǎo)通 , 在 t4t6 時(shí)間 ,C3 電容兩端電壓消失 , V3V4, V5 上升 , 振蕩有輸出 , 有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極。以上動(dòng)作過程 , 保證了加到 Q1 G 極上的開關(guān)脈沖前沿與 Q1 上產(chǎn)生的 VCE 脈沖后沿相同步。 2.8 加熱開關(guān)控制 (1) 當(dāng)不加熱時(shí) ,CPU 17 腳輸出低電平 ( 同時(shí) CPU 10 腳也停止 PWM 輸出 ), D

19、7 導(dǎo)通 , 將 LM339 9 電壓拉低 , 振蕩停止 , 使 IGBT 激勵(lì)電路停止輸出 ,IGBT 截止 , 則加熱停止。 開始加熱時(shí) , CPU 17 腳輸出高電平 ,D7 截止 , 同時(shí) CPU 10 腳開始間隔輸出 PWM 試探信號 , 同時(shí) CPU 通過分析電流檢測電路和 VAC 檢測電路反饋的電壓信息、 VCE 檢測電路反饋的電壓波形變化情況 , 判斷是否己放入適合的鍋具 , 如果判斷己放入適合的鍋具 ,CPU10 腳轉(zhuǎn)為輸出正常的 PWM 信號 , 電磁爐進(jìn)入正常加熱狀態(tài) , 如果電流檢測電路、 VAC 及 VCE 電路反饋的信息 , 不符合條件 ,CPU 會判定為所放入的鍋

20、具不符 (2) 或無鍋 , 則繼續(xù)輸出 PWM 試探信號 , 同時(shí)發(fā)出指示無鍋的報(bào)知信息 ( 見故障代碼表 ), 如 30 秒鐘內(nèi)仍不符合條件 , 則關(guān)機(jī)。 2.9 VAC 檢測電路 AC220V 由 D17 、 D18 整流的脈動(dòng)直流電壓通過 R40 限流再經(jīng)過， C33 、 R39 C32 組成的型濾波器進(jìn)行濾波后的電壓，經(jīng) R38 分壓后的直流電壓，送入 CPU 6 , 根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化 ,CPU 會自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令。 (1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi) , 否則停止加熱 , 并報(bào)知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (2) 配合電流檢測電路、 VCE 電路反饋的信息 , 判

21、別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié) ) 。 (3) 配合電流檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息 , 調(diào)控 PWM 的脈寬 , 令輸出功率保持穩(wěn)定。 “電源輸入標(biāo)準(zhǔn) 220V 1V 電壓 , 不接線盤 (L1) 測試 CPU 第 6 腳電壓 , 標(biāo)準(zhǔn)為 2.65V 0.06V ”。 2.10 電流檢測電路 電流互感器 CT1 二次測得的 AC 電壓 , 經(jīng) D1D4 組成的橋式整流電路整流、 R12 、 R13 分壓， C11 濾波 , 所獲得的直流電壓送至 CPU 5 腳 , 該電壓越高 , 表示電源輸入的電流越大 , CPU 根據(jù)監(jiān)測

22、該電壓的變化 , 自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令 : (1) 配合 VAC 檢測電路、 VCE 電路反饋的信息 , 判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié) ) 。 (2) 配合 VAC 檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息 , 調(diào)控 PWM 的脈寬 , 令輸出功率保持穩(wěn)定。 2.11 VCE 檢測電路 將 IGBT(Q1) 集電極上的脈沖電壓通過 R1+R17 、 R28 分壓 R29 限流后，送至 LM339 6 腳 , 在 6 腳上獲得其取樣電壓 , 此反影了 IGBT 的 VCE 電壓變化的信息送入 LM339, LM339 根據(jù)監(jiān)測該電壓的變

23、化 , 自動(dòng)作出電壓比較而決定是否工作。 (1) 配合 VAC 檢測電路、電流檢測電路反饋的信息 , 判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié) ) 。 (2) 根據(jù) VCE 取樣電壓值 , 自動(dòng)調(diào)整 PWM 脈寬 , 抑制 VCE 脈沖幅度不高于 1050V( 此值適用于耐壓 1200V 的 IGBT, 耐壓 1500V 的 IGBT 抑制值為 1300V) 。 (3) 當(dāng)測得其它原因?qū)е?VCE 脈沖高于 1150V 時(shí) ( 此值適用于耐壓 1200V 的 IGBT, 耐壓 1500V 的 IGBT 此值為 1400V), LM339 立即停止工作

24、( 見故障代碼表 ) 。 2.12 浪涌電壓監(jiān)測電路 當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時(shí) , 由 D17 、 D18 和整流橋 DB 內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個(gè)二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓，當(dāng)電源突然有浪涌電壓輸入時(shí) , 此電壓通過 R41 、 C34 耦合 , 再經(jīng)過 R42 分壓， R44 限流 C35 濾波后的電壓，控制 Q5 的基極，基極為 高電平時(shí) , 電壓 Q5 基極 ,Q5 飽和導(dǎo)通 ,CPU 17 的電平通過 Q5 至地 ,PWM 停止輸出，本機(jī)停止工作 ; 當(dāng) 浪涌脈沖過后 , Q5 的基極為 低電平 ,Q5 截止 , CPU 17 的電平通過 Q5 至地 , CP

25、U 再重新發(fā)出加熱指令。 2.13 過零檢測 當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時(shí) , 由 D17 、 D18 和整流橋 DB 內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個(gè)二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過 R40 限流再經(jīng)過， C33 、 R39 C32 組成的型濾波器進(jìn)行濾波后的電壓，經(jīng) R38 分壓后的電壓，在 CPU 6 則形成了與電源過零點(diǎn)相同步的方波信號 ,CPU 通過監(jiān)測該信號的變化 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令。 2.14 鍋底溫度監(jiān)測電路 加熱鍋具底部的溫度透過微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻 , 該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化 ( 溫度 / 阻值祥見熱敏電阻溫度分

26、度表 ), 熱敏電阻與 R4 分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化 , 即加熱鍋具的溫度變化 , CPU 8 腳通過監(jiān)測該電壓的變化 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 : (1) 定溫功能時(shí) , 控制加熱指令 , 另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內(nèi)。 (2) 當(dāng)鍋具溫度高于 270 時(shí) , 加熱立即停止 , 并報(bào)知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (3) 當(dāng)鍋具空燒時(shí) , 加熱立即停止 , 并報(bào)知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (4) 當(dāng)熱敏電阻開路或短路時(shí) , 發(fā)出不啟動(dòng)指令 , 并報(bào)知相關(guān)的信息 ( 見故障代碼表 ) 。 2.15 IGBT 溫度監(jiān)測電路 IGBT 產(chǎn)生的溫度透過散熱片傳至緊貼其

27、上的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻 TH, 該電阻阻值的變化間接反影了 IGBT 的溫度變化 ( 溫度 / 阻值祥見熱敏電阻溫度分度表 ), 熱敏電阻與 R8 分壓點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化 , 即 IGBT 的溫度變化 , CPU 通過監(jiān)測該電壓的變化 , 作出相應(yīng)的動(dòng)作指令 : (1) IGBT 結(jié)溫高于 90 時(shí) , 調(diào)整 PWM 的輸出 , 令 IGBT 結(jié)溫 90 。 當(dāng) IGBT 結(jié)溫由于某原因 ( 例如散熱系統(tǒng)故障 ) 而高于 95 (2) 時(shí) , 加熱立即停止 , 并報(bào)知信息 ( 祥見故障代碼表 ) 。 (3) 當(dāng)熱敏電阻 TH 開路或短路時(shí) , 發(fā)出不啟動(dòng)指令 , 并報(bào)知相關(guān)的信息 ( 祥見故障代碼表 ) 。 (4) 關(guān)機(jī)時(shí)如 IGBT 溫度 50 ,CPU 發(fā)出風(fēng)扇繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)指令 , 直至溫度 50 , 風(fēng)扇停轉(zhuǎn) ; 風(fēng)扇延時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)期間 , 按 1 次關(guān)機(jī)鍵 , 可關(guān)閉風(fēng)扇 ) 。 (5) 電磁爐剛啟動(dòng)時(shí) , 當(dāng)測得環(huán)境溫度 0 ,CPU 調(diào)用低溫監(jiān)測模式加熱 1 分鐘 ,30 秒鐘后再轉(zhuǎn)用正常監(jiān)測模式 , 防止電路零件因低溫偏離標(biāo)準(zhǔn)值造成電路參數(shù)改變而損壞 電磁爐。 2.16 散熱系統(tǒng) 將 IGBT 及整流器 BG