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1、 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀CNLT-1補(bǔ)償中子測(cè)井儀使用說(shuō)明書吉艾科技(北京)股份公司 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀目目 錄錄1. 概述概述.11.1 儀器外觀.11.2 儀器技術(shù)指標(biāo).21.3 儀器功能.22. 電路描述電路描述.32.1 探測(cè)器總成.32.2 探測(cè)器.32.3 電路.33. 檢測(cè)和刻度檢測(cè)和刻度.43.1 通訊測(cè)試.43.2 中子電路高壓.53.3 長(zhǎng)、短源距計(jì)數(shù)測(cè)試.63.4 CNLT 刻度.73.5 儀器通斷測(cè)試.83.6 刻度.104. 機(jī)械組裝機(jī)械組裝.114.1 組裝金屬絕熱瓶.144.2 組裝機(jī)械件.215. 常見(jiàn)故障與檢查常見(jiàn)故障與檢查.21 GILEE 補(bǔ)償
2、中子測(cè)井儀11. 概述概述1.1 儀器外觀儀器外觀 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀21.2 儀器技術(shù)指標(biāo)儀器技術(shù)指標(biāo)部件號(hào):9146000000最高工作溫度:200最高工作壓力:140MPa最大適用井眼:609.6mm最小適用井眼:120.6mm儀器凈長(zhǎng)度:2312.6mm運(yùn)輸長(zhǎng)度:2780.6mm儀器外徑:92mm最大測(cè)速:9m/min測(cè)量范圍及測(cè)量誤差要求:測(cè)量范圍:-3100PU測(cè)量誤差:0.5PU(測(cè)量值在 7PU 以下) ,7%(測(cè)量值在 7PU 以上)可重復(fù)性:1.5PU(石灰?guī)r孔隙度為 15%)橫向分辨率:304.8mm,在孔隙度為 15%的灌水裸眼井中為 200mm垂直分辨率:71
3、1.2mm(對(duì)比目的層上下所選的合適地層)測(cè)量點(diǎn)短源距:635mm長(zhǎng)源距:762mm最大拉伸力:122000 磅最大壓縮力:78000 磅電纜要求:7 芯電纜纜芯使用情況: 1:交流供電 2:M2/M 5 傳輸方式 3:M2/M 5 傳輸方式 4:交流供電 5:M2/M 5 傳輸方式 6:M2/M 5 傳輸方式 7:沒(méi)用 10:沒(méi)用工作電壓和電流:180VAC,6-10mA探測(cè)器類型:正比計(jì)數(shù)器源類型:Am241-Be源強(qiáng)度:18 居里4.5MeV(散射中子)1.3 儀器功能儀器功能補(bǔ)償中子測(cè)井儀是放射性測(cè)井儀器的一種。它有兩個(gè)不同源距的熱中子-超熱中子的探測(cè)器,通過(guò)長(zhǎng)、短源距探測(cè)器的計(jì)數(shù)率比
4、值來(lái)確定地層的孔隙度。該儀器可兼容地面系統(tǒng),在裸眼井和套管井中均能使用。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀32. 電路描述電路描述2.1 儀器使用須知儀器使用須知1. 該儀器功耗極?。?00mW 左右) ,電流不足 10mA。因此,單獨(dú)檢測(cè)該儀器,下面不同時(shí)掛接其他儀器時(shí),地面供電電壓不要超過(guò) 180VAC,以免儀器因電壓過(guò)高而損壞。2. 保溫瓶使用 當(dāng)儀器無(wú)異常情況時(shí),需對(duì)金屬絕熱瓶進(jìn)行定期檢測(cè),定檢周期為 6 個(gè)月。 當(dāng)儀器出現(xiàn)異常情況時(shí),需對(duì)金屬絕熱瓶做溫度試驗(yàn)進(jìn)行檢測(cè)。 金屬絕熱瓶的溫度試驗(yàn)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為:工作溫度 200;恒溫 4 小時(shí)瓶?jī)?nèi)升溫60或者末溫85。當(dāng)溫度試驗(yàn)結(jié)果不合格時(shí),金屬絕熱
5、瓶視為報(bào)廢,需更換新金屬絕熱瓶。本公司金屬絕熱瓶保修期為 3 年,保修期以外引起的儀器損壞不在保修之列。2.2 電路原理框圖電路原理框圖地面系統(tǒng)處 理 器PWM高 壓變 壓 器高壓電路探 頭HE-3 管信號(hào)放大電 源 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀42.3 探測(cè)器探測(cè)器LS、SS 探測(cè)器為高壓3He 正比計(jì)數(shù)管.探測(cè)器內(nèi)部包含有一陽(yáng)極,該陽(yáng)極固定在一充滿3He 高壓氣體的金屬柱體內(nèi)。陽(yáng)極上加有+1150VDC 的偏置電壓,陰極為柱體的金屬外殼(與公共地相連),這樣在陽(yáng)極和陰極之間形成一強(qiáng)電磁場(chǎng)。地層中的熱中子進(jìn)入探測(cè)器后被氦原子俘獲,生成質(zhì)子和氚粒子。當(dāng)上述這些帶正電的粒子通過(guò)中性的氦原子時(shí),外層
6、電子被剝失掉,而這些電子則在強(qiáng)電磁場(chǎng)的作用下被加速奔向陽(yáng)極,帶正電的氦原子則向陰極移動(dòng)。上述電子在向陽(yáng)極移動(dòng)過(guò)程中又不停的與周圍其它氦原子碰撞產(chǎn)生次生離子對(duì),這一過(guò)程不斷重復(fù)直到陽(yáng)極附近的電子發(fā)生雪崩生成一負(fù)的輸出脈沖.通常在探測(cè)器內(nèi)加入一些驟冷氣體如 CO2 來(lái)控制放電程度。探測(cè)器的輸出電量通常很小,約為 34pico-Coulombs.經(jīng)電壓轉(zhuǎn)換及信號(hào)放大后得到的脈沖與所探測(cè)到的中子的幅度特征相對(duì)應(yīng)。雖然輸出脈沖中也會(huì)夾雜有伽馬射線和熱燥聲的貢獻(xiàn),但與熱中子相比,要小的多,通過(guò)鑒別電路可以消除其影響。2.4 電路電路板描述及檢測(cè)板描述及檢測(cè)2.4.1 通訊板通訊板該電路板上 TRM5 和
7、TRM6 分別接 3514 下傳命令線 27、28. TRM2、TRM4 分別接貫通線 29、30. TRM1、TRM3 分別接貫通線 31、32. GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀52.4.2 處理板處理板該電路板主要功能是儀器通訊控制、高壓控制、信號(hào)處理。電路板上:1)+5V 和 GND 是電路供電電源 5 伏直流電輸入端2)高壓控制信號(hào)為正弦波信號(hào)2.4.3 比較板和驅(qū)動(dòng)板比較板和驅(qū)動(dòng)板 比較板驅(qū)動(dòng)板 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀6說(shuō)明:驅(qū)動(dòng)板主要是驅(qū)動(dòng)處理板的高壓控制信號(hào)供給高壓變壓器。 比較板主要是將放大的長(zhǎng)、短源距信號(hào)比較后送往處理板2.4.3 高壓板高壓板該電路主要功能是 TRM1、TR
8、M2 接收高壓變壓器的信號(hào),同時(shí)在經(jīng)過(guò)倍壓整流,產(chǎn)生高壓,正常工作每級(jí)電容上的直流電壓為:80-100 伏。2.4.4 信號(hào)一級(jí)放大板信號(hào)一級(jí)放大板該電路主要是將高壓供給 HE-3 管同時(shí)接收 HE-3 管原始信號(hào),并放大送給二級(jí)放大板。電路板上 LSD_IN2 和 G 點(diǎn)是長(zhǎng)源距信號(hào)接入點(diǎn);SSD_IN2 和 G 是短源距信號(hào)接入點(diǎn)。原始信號(hào)均為負(fù)脈沖信號(hào)。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀72.4.5 信號(hào)二級(jí)放大板信號(hào)二級(jí)放大板該電路板主要是接收初級(jí)放大后再二級(jí)放大,之后送往比較板2.4.6 電路板間連線圖電路板間連線圖 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀82.5 地面測(cè)試地面測(cè)試 2.5.1 通訊測(cè)
9、試通訊測(cè)試說(shuō)明:57 地面選擇 z617K OCT,該 oct 為譜中子儀器專用 組合方式:地面系統(tǒng)+TCS+CNLT 將 TCS、CNLT 儀器和地面系統(tǒng)連接好,加上交流電壓至 chv 為 180V,打開(kāi)通訊窗口,查看 CNLT 通訊情況。 和其他中子不同的是,譜中子通訊窗口有 M2M5,控制窗口 2446XA 0 控制 M2, 2446XA 2 控制 M5。2.5.2 中子儀器參數(shù)調(diào)節(jié) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀9該窗口由地面系統(tǒng) TOOL 菜單下 控制其中:TM、TA 分別為溫度乘系數(shù)和溫度加系數(shù)R100 ,R70,R52,R32,R21,R15,R7,R3,MCF 為刻度系數(shù),刻度時(shí)需
10、要調(diào)節(jié)SSTH:短源距門檻 LSTH:長(zhǎng)源距門檻 LLDS:短源距門限 LLDL:長(zhǎng)源距門限 TMS:短源距采樣時(shí)間 TML:長(zhǎng)源距采樣時(shí)間 HV:高壓控制系數(shù)門檻值調(diào)節(jié)依據(jù)是,譜窗口內(nèi)沒(méi)有干擾;門限值調(diào)節(jié)依據(jù)是控制在整個(gè)譜占道數(shù)的下 1/3處。例如圖三圖四。采樣時(shí)間調(diào)節(jié)參數(shù)是保證增大該參數(shù)時(shí)譜峰向右移動(dòng),直到譜峰向左移動(dòng)。這個(gè)點(diǎn)的參數(shù)即為合適的采樣時(shí)間參數(shù)。高壓控制系數(shù)保證譜波形如圖一圖二所示。圖一圖二圖三圖四 2.5.3 長(zhǎng)、短源距計(jì)數(shù)長(zhǎng)、短源距計(jì)數(shù) 將電路和 He-3 管都接好,通電通訊后,打開(kāi)窗口。 查看 lsn、ssn 時(shí),我們需要打開(kāi) processed curves 窗口 GIL
11、EE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀10 2.6 通斷測(cè)試通斷測(cè)試2.6.1 貫通線圖貫通線圖靜態(tài)時(shí),如果周末沒(méi)有放射性物質(zhì),lsn、ssn 的計(jì)數(shù)都應(yīng)該為 0,有時(shí)候由于環(huán)境的影響,可能有 10 個(gè)以下的計(jì)數(shù),也是正常的。如果出現(xiàn)左圖所示有上萬(wàn)個(gè)計(jì)數(shù),是不正常的,需要重新調(diào)節(jié)查找原因。當(dāng)在儀器上放上中子源物質(zhì)時(shí),lsn、ssn 會(huì)有計(jì)數(shù)產(chǎn)生,源越強(qiáng)計(jì)數(shù)越大。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀11圖圖 3.5.1 儀器貫通線接線圖儀器貫通線接線圖 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀122.6.2 儀器通斷儀器通斷 工具:萬(wàn)用表(上 1 表示上接頭 1 號(hào)芯;下 1:下接頭 1 號(hào)芯)插座芯號(hào)插座芯號(hào)合格值合格值插座芯號(hào)插座
12、芯號(hào)合格值合格值上 1 下 1R1上 17 下 7R1上 4 下 4R1上 27 下 27R1上 8 下 8R1上 28 下 28R1上 9 下 9R1上 29 下 29R1上 10下 10R1上 30 下 30R1上 11 下 11R1上 31 下 31R1上 12下 12R1上 32 下 32R1上 13 下 13R1上 14 下 14R1上 15 下 15R1上 16 下 16R輸入源號(hào),START 讀計(jì)數(shù) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀19 讀完數(shù)后 在筆記本或紙上記下 DTC SSN/LSN 的值 如中的2.71970 ,記錄為 R21,做完主刻不用 SAVE。 2. 主刻做完分別做 5
13、2 點(diǎn),32 點(diǎn),14.8 點(diǎn),6.7 點(diǎn),2.9 點(diǎn)的校驗(yàn) 每次分別在筆記本或紙上記下 DTC SSN/LSN 的值R52、R32、R15、R7、R3 3. 52,32,21,14.8,6.7,2.9 分別對(duì)應(yīng)的R52、R32、R21、R15、R7、R3 大致成線性關(guān)系,根據(jù)線性關(guān)系計(jì)算出 100,70 分別對(duì)應(yīng)的 R100、R70 值4. 將 R100 ,R70,R52,R32,R21,R15,R7,R3 各數(shù)值輸入到參數(shù)表中對(duì)應(yīng)位置,同時(shí)將 MCF 值寫成 1.0323 一同在寫到參數(shù)表,然后點(diǎn) Download 將參數(shù)寫入儀器內(nèi)部.5. 儀器刻度1.重新插入 21 點(diǎn)對(duì)應(yīng)的減速棒輸入儀
14、器號(hào)做主刻,若測(cè)得孔隙度在范圍內(nèi)則保存 SAVE. 如果 CORRECTION FACTOR 不在范圍 0.9700-1.0700 內(nèi),則調(diào)節(jié)參數(shù)表窗口中的 MCF 的值 使之在范圍內(nèi),最后保存主刻文檔。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀202.同樣方法依次做 52 點(diǎn),32 點(diǎn),14.8 點(diǎn),6.7 點(diǎn),2.9 點(diǎn)的校驗(yàn),如果有點(diǎn)(32)值超范圍,對(duì)應(yīng)調(diào)節(jié)(R32)并保存.6. 刻度完畢。備注:備注:儀器標(biāo)定完成后,下次再次刻度時(shí),不需要從新標(biāo)定,只要直接刻儀器標(biāo)定完成后,下次再次刻度時(shí),不需要從新標(biāo)定,只要直接刻度就可以,如果個(gè)別點(diǎn)超標(biāo),調(diào)節(jié)相應(yīng)參數(shù)就成。度就可以,如果個(gè)別點(diǎn)超標(biāo),調(diào)節(jié)相應(yīng)參數(shù)就
15、成。4. 機(jī)械組裝機(jī)械組裝金屬絕熱瓶裝配圖(9146010000) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀21附表一附表一 金屬絕熱瓶部件清單金屬絕熱瓶部件清單序號(hào)名稱部件號(hào)數(shù)量單位描述備注(1)鎖緊帽01053200001個(gè)(2)鎖緊頭01043200001個(gè)(3)O 形密封圈02258753332個(gè)易損件(4)金屬絕熱瓶上接頭91460110101個(gè)(5)螺釘010112041027個(gè)(6)隔熱管91460110501個(gè)(7)金屬絕熱瓶91460110201個(gè)(8)吸熱體91460110301個(gè)(9)減震塊91460030501個(gè)(10)螺釘01011104204個(gè)(11)電路板骨架914601104
16、11個(gè)(12)探頭外殼91460030701個(gè)(13)長(zhǎng)氦氙管套筒91460110421個(gè)(14)長(zhǎng)氦氙管91460532101個(gè)(15)長(zhǎng)氦氙管底座06190000001個(gè)(16)螺釘010112030812個(gè)(17)短氦氙管外殼91460110431個(gè)(18)短氦氙管套筒91460110441個(gè)(19)短氦氙管91460531101個(gè)(20)螺釘01011203202個(gè)(21)O 形密封圈02430951231個(gè)易損件(22)短氦氙管底座91460110451個(gè)(23)O 形密封圈02430951201個(gè)易損件(24)O 形密封圈02430952261個(gè)易損件(25)減震座91460110
17、461個(gè)(26)減震墊91460031401個(gè)(27)螺釘01011103141個(gè)(28)金屬絕熱瓶下接頭91460110602個(gè)(29)插座03211128001個(gè)(30)螺釘01011103404個(gè)(31)定位銷91460110701個(gè)(32)電路板91460415001個(gè)(33)電源模塊02072500001個(gè) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀224.1 組裝金屬絕熱瓶組裝金屬絕熱瓶注:注:當(dāng)儀器無(wú)異常情況時(shí),需對(duì)金屬絕熱瓶進(jìn)行定期檢測(cè),定檢周期為當(dāng)儀器無(wú)異常情況時(shí),需對(duì)金屬絕熱瓶進(jìn)行定期檢測(cè),定檢周期為6個(gè)月。個(gè)月。當(dāng)儀器出現(xiàn)異常情況時(shí),需對(duì)金屬絕熱瓶做溫度試驗(yàn)進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)儀器出現(xiàn)異常情況時(shí)
18、,需對(duì)金屬絕熱瓶做溫度試驗(yàn)進(jìn)行檢測(cè)。金屬絕熱瓶的溫度試驗(yàn)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為:金屬絕熱瓶的溫度試驗(yàn)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為:工作溫度工作溫度200;恒溫;恒溫4小時(shí)瓶?jī)?nèi)升溫小時(shí)瓶?jī)?nèi)升溫60或者末溫或者末溫85。當(dāng)溫度試驗(yàn)結(jié)果不合格時(shí),金屬絕熱瓶視為報(bào)廢,需更換新金屬絕熱瓶。本公當(dāng)溫度試驗(yàn)結(jié)果不合格時(shí),金屬絕熱瓶視為報(bào)廢,需更換新金屬絕熱瓶。本公司金屬絕熱瓶保修期為司金屬絕熱瓶保修期為3年,保修期以外引起的儀器損壞不在保修之列。年,保修期以外引起的儀器損壞不在保修之列。注:參考金屬絕熱瓶裝配圖(9146010000)1、準(zhǔn)備好高壓板、處理板(檢查各電路板和變壓器是否焊接好) 。2、組裝探測(cè)器:先將 O 形密封圈(21)
19、和 O 形密封圈(23)裝入短氦氙管底座(22)中,之后將套筒(18)裝入短氦氙底座中。將短氦氙管(19)裝入套筒中;然后將整體放入短氦氙管外殼中,并擰上固定短氦氙管外殼和短氦氙管的螺釘,以及固定短氦氙管底座和短氦氙管外殼的螺釘。注意裝氦氙管時(shí)要防止弄壞氦氙管底部的氣塞,同時(shí)氦氙管要防止重敲。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀23在短氦氙管的長(zhǎng)、短觸頭上焊上導(dǎo)線。在長(zhǎng)氦氙管(14)的長(zhǎng)、短觸頭上焊上導(dǎo)線,然后將長(zhǎng)氦氙管與長(zhǎng)氦氙管套筒堵頭用螺釘固定好,注意擰螺釘前要墊上紅色小墊圈。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀24在長(zhǎng)氦氙管套筒(13)內(nèi)裝上 O 形密封圈,將長(zhǎng)氦氙管(14)裝入長(zhǎng)氦氙管套筒(13)中,
20、然后裝上長(zhǎng)氦氙管底座(15) 。將組裝好的長(zhǎng)、短氦氙管固定好,注意:使短氦氙管引出的導(dǎo)線從長(zhǎng)氦氙管套筒端口的過(guò)線孔中穿出。然后將短氦氙管引出的導(dǎo)線沿著長(zhǎng)氦氙管外表面的凹槽鋪好,并用高溫膠帶粘好。在減震座(25)上裝好 O 形密封圈(24)后將其裝到短氦氙管底座上,并擰上十字槽盤頭螺釘(27)固定;注意擰螺釘時(shí)要在螺紋和螺釘處涂上一定量的 RTV 防退。3、吸熱體和骨架的連接以及導(dǎo)線的布局:將焊好線的電源模塊(33)裝入吸熱體(8)中,注意裝入前電源模塊要纏上高溫膠帶;將電源模塊引出的導(dǎo)線從吸熱體內(nèi)部穿過(guò),然后將吸熱體(8)和電路板骨架(11)用螺釘固定好,再將焊好線的高壓板和處理板暫時(shí)固定到電
21、路骨架(11)上。將引出的導(dǎo)線從隔熱管(6)內(nèi)部穿過(guò)后集中焊上 14 芯插座,然后將隔熱管 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀25(6)和吸熱體(8)用螺釘固定好,注意隔熱管內(nèi)塞入足夠的隔熱棉。將裝好 19 芯轉(zhuǎn)換板的金屬絕熱瓶上接頭(4)與隔熱管(6)用螺釘固定好。將電路骨架(11)與組裝好的探測(cè)器用螺釘固定好,并將骨架上的電路板完全固定好。裝上探頭外殼(12) ,并將探頭外殼(12)和吸熱體(8)用螺釘固定好。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀264、電路探測(cè)器總成(金屬絕熱瓶總成)與金屬絕熱瓶的安裝:檢查做好的金屬絕熱瓶總成。將金屬絕熱瓶總成裝入金屬絕熱瓶(7)內(nèi),然后將金屬絕熱瓶與金屬絕熱瓶上接頭(
22、4)用螺釘固定好。將扁平線上的 19 芯插座與 19 芯轉(zhuǎn)換板上的 19 芯插頭對(duì)接好,并涂上RTV;再將引出的 14 芯插頭和 14 芯插座對(duì)接好,兩側(cè)涂上 RTV,并粘上高溫膠帶,防止使用過(guò)程中插頭插座分開(kāi),接觸不良。 GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀27裝配總圖(9146000000) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀28附表二附表二 機(jī)械件部件清單機(jī)械件部件清單序號(hào)名稱部件號(hào)數(shù)量單位描述備注157 護(hù)帽01189571001個(gè)2插座卡圈01032100001個(gè)3插座03211132321個(gè)4O 形密封圈02430952301個(gè)易損件4AO 形密封圈02430952301個(gè)易損件5拉環(huán)0107000
23、0001個(gè)6上接頭91460612001個(gè)7O 形密封圈02430952331個(gè)易損件7AO 形密封圈02430952331個(gè)易損件8下接頭91460614001個(gè)9O 形密封圈02430952301個(gè)易損件1057 堵頭01289571001個(gè)11彈簧01090100001個(gè)12螺釘01011204083個(gè)13彈簧套01100100001個(gè)14頂蓋01110100001個(gè)15補(bǔ)償中子儀外殼91460613001個(gè)16金屬絕熱瓶組件91460300001套17O 形密封圈02430952331個(gè)18插頭03311028001個(gè)19螺釘01011103458個(gè)20中子源組件91460040001
24、個(gè)21O 形密封圈02430952311個(gè)易損件21AO 形密封圈02430952311個(gè)易損件22插座座91460050001個(gè)23螺釘01011103101個(gè)24插座03211032001個(gè)2532 芯承壓塊03132891111個(gè)26卡圈01032200001個(gè) GILEE 補(bǔ)償中子測(cè)井儀294.2 組裝機(jī)械件組裝機(jī)械件注:參考裝配總圖(9146000000)(1)對(duì)儀器外殼進(jìn)行耐壓試驗(yàn)。(2)試驗(yàn)合格后對(duì)所有部件進(jìn)行清理,然后用空氣泵吹干,使所有部件表面無(wú)鐵屑、灰塵、油污。(3)組裝。1、 做線。在中子源組件 20 上裝好 O 形密封圈 17 和 21 后,將貫通線穿過(guò)中子源組件 20 并在貫通線兩端焊上銅針。注意:做線前要對(duì)貫通線進(jìn)行絕緣檢測(cè)。注意:做線前要對(duì)貫通線進(jìn)行絕緣檢測(cè)。2、在貫通線上靠近屏蔽體的一端焊上 28 芯公頭,然后將屏蔽體裝到中子源組件 20 中
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