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文檔簡介

1、泓域咨詢/白城MOSFET功率器件項目可行性研究報告目錄第一章 項目投資主體概況8一、 公司基本信息8二、 公司簡介8三、 公司競爭優(yōu)勢9四、 公司主要財務數(shù)據(jù)11公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)11公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)12五、 核心人員介紹12六、 經(jīng)營宗旨13七、 公司發(fā)展規(guī)劃14第二章 項目概述20一、 項目概述20二、 項目提出的理由22三、 項目總投資及資金構成22四、 資金籌措方案23五、 項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標23六、 項目建設進度規(guī)劃24七、 環(huán)境影響24八、 報告編制依據(jù)和原則24九、 研究范圍25十、 研究結論26十一、 主要經(jīng)濟指標一覽表26主要經(jīng)濟指標一覽表26第三章 背

2、景及必要性28一、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢28二、 功率器件應用發(fā)展機遇29三、 MOSFET器件概述34四、 實施項目攻堅,著力擴大投資39第四章 市場分析41一、 全球半導體行業(yè)發(fā)展概況41二、 功率半導體市場規(guī)模與競爭格局41第五章 建筑工程方案分析43一、 項目工程設計總體要求43二、 建設方案43三、 建筑工程建設指標44建筑工程投資一覽表45第六章 產(chǎn)品規(guī)劃方案47一、 建設規(guī)模及主要建設內容47二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領47產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表47第七章 發(fā)展規(guī)劃分析49一、 公司發(fā)展規(guī)劃49二、 保障措施55第八章 法人治理57一、 股東權利及義務57二、 董事60三、

3、 高級管理人員65四、 監(jiān)事67第九章 運營管理70一、 公司經(jīng)營宗旨70二、 公司的目標、主要職責70三、 各部門職責及權限71四、 財務會計制度74第十章 SWOT分析說明82一、 優(yōu)勢分析(S)82二、 劣勢分析(W)84三、 機會分析(O)84四、 威脅分析(T)85第十一章 原輔材料分析89一、 項目建設期原輔材料供應情況89二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理89第十二章 項目實施進度計劃91一、 項目進度安排91項目實施進度計劃一覽表91二、 項目實施保障措施92第十三章 工藝技術設計及設備選型方案93一、 企業(yè)技術研發(fā)分析93二、 項目技術工藝分析95三、 質量管理96四、

4、設備選型方案97主要設備購置一覽表98第十四章 投資估算及資金籌措100一、 編制說明100二、 建設投資100建筑工程投資一覽表101主要設備購置一覽表102建設投資估算表103三、 建設期利息104建設期利息估算表104固定資產(chǎn)投資估算表105四、 流動資金106流動資金估算表107五、 項目總投資108總投資及構成一覽表108六、 資金籌措與投資計劃109項目投資計劃與資金籌措一覽表109第十五章 項目經(jīng)濟效益111一、 基本假設及基礎參數(shù)選取111二、 經(jīng)濟評價財務測算111營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表111綜合總成本費用估算表113利潤及利潤分配表115三、 項目盈利能力分析1

5、16項目投資現(xiàn)金流量表117四、 財務生存能力分析119五、 償債能力分析119借款還本付息計劃表120六、 經(jīng)濟評價結論121第十六章 項目風險評估122一、 項目風險分析122二、 項目風險對策124第十七章 項目綜合評價127第十八章 附表129營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表129綜合總成本費用估算表129固定資產(chǎn)折舊費估算表130無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表131利潤及利潤分配表132項目投資現(xiàn)金流量表133借款還本付息計劃表134建設投資估算表135建設投資估算表135建設期利息估算表136固定資產(chǎn)投資估算表137流動資金估算表138總投資及構成一覽表139項目投資計劃與資金籌措

6、一覽表140報告說明根據(jù)Omdia的統(tǒng)計,2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.26億美元,2019年為6.05億美元,對應復合年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領域,IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中;在1700V以上的高電壓領域,IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領域。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資25079.98萬元,其中:建設投資20242.85萬元,占項目總投資的80.71%;建設期利息293.60萬元,占項目總投資的1.17%;流動資金4543.53萬元,占項目總投

7、資的18.12%。項目正常運營每年營業(yè)收入45400.00萬元,綜合總成本費用35292.82萬元,凈利潤7393.85萬元,財務內部收益率23.37%,財務凈現(xiàn)值9858.02萬元,全部投資回收期5.33年。本期項目具有較強的財務盈利能力,其財務凈現(xiàn)值良好,投資回收期合理。通過分析,該項目經(jīng)濟效益和社會效益良好。從發(fā)展來看公司將面向市場調整產(chǎn)品結構,改變工藝條件以高附加值的產(chǎn)品代替目前產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)結構。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術方案等信息,并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設計,其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。第一章 項目投資主體概況一、

8、 公司基本信息1、公司名稱:xx公司2、法定代表人:馮xx3、注冊資本:620萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼:xxxxxxxxxxxxx5、登記機關:xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期:2012-10-147、營業(yè)期限:2012-10-14至無固定期限8、注冊地址:xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍:從事MOSFET功率器件相關業(yè)務(企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目,開展經(jīng)營活動;依法須經(jīng)批準的項目,經(jīng)相關部門批準后依批準的內容開展經(jīng)營活動;不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。)二、 公司簡介公司將依法合規(guī)作為新形勢下實現(xiàn)高質量發(fā)展的基本保障,堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟利益的理念,確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略

9、定位,進一步明確了全面合規(guī)管理責任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查,加強合規(guī)風險防控,確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求,重點領域合規(guī)管理不斷強化,各部門分工負責、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立,廣大員工合規(guī)意識普遍增強,合規(guī)文化氛圍更加濃厚。公司注重發(fā)揮員工民主管理、民主參與、民主監(jiān)督的作用,建立了工會組織,并通過明確職工代表大會各項職權、組織制度、工作制度,進一步規(guī)范廠務公開的內容、程序、形式,企業(yè)民主管理水平進一步提升。圍繞公司戰(zhàn)略和高質量發(fā)展,以提高全員思想政治素質、業(yè)務素質和履職能力為核心,堅持戰(zhàn)略導向、問題導向和需求導向,持續(xù)深

10、化教育培訓改革,精準實施培訓,努力實現(xiàn)員工成長與公司發(fā)展的良性互動。三、 公司競爭優(yōu)勢(一)工藝技術優(yōu)勢公司一直注重技術進步和工藝創(chuàng)新,通過引入國際先進的設備,不斷加大自主技術研發(fā)和工藝改進力度,形成較強的工藝技術優(yōu)勢。公司根據(jù)客戶受托產(chǎn)品的品種和特點,制定相應的工藝技術參數(shù),以滿足客戶需求,已經(jīng)積累了豐富的工藝技術。經(jīng)過多年的技術改造和工藝研發(fā),公司已經(jīng)建立了豐富完整的產(chǎn)品生產(chǎn)線,配備了行業(yè)先進的設備,形成了門類齊全、品種豐富的工藝,可為客戶提供一體化綜合服務。(二)節(jié)能環(huán)保和清潔生產(chǎn)優(yōu)勢公司圍繞清潔生產(chǎn)、綠色環(huán)保的生產(chǎn)理念,依托科技創(chuàng)新,注重從產(chǎn)品結構和工藝技術的優(yōu)化來減少三廢排放,實現(xiàn)污

11、染的源頭和過程控制,通過引進智能化設備和采用自動化管理系統(tǒng)保障清潔生產(chǎn),提高三廢末端治理水平,保障環(huán)境績效。經(jīng)過持續(xù)加大環(huán)保投入,公司已在節(jié)能減排和清潔生產(chǎn)方面形成了較為明顯的競爭優(yōu)勢。(三)智能生產(chǎn)優(yōu)勢近年來,公司著重打造 “智慧工廠”,通過建立生產(chǎn)信息化管理系統(tǒng)和自動輸送系統(tǒng),將企業(yè)的決策管理層、生產(chǎn)執(zhí)行層和設備運作層進行有機整合,搭建完整的現(xiàn)代化生產(chǎn)平臺,智能系統(tǒng)的建設有利于公司的訂單管理和工藝流程的優(yōu)化,在確保滿足客戶的各類功能性需求的同時縮短了產(chǎn)品交付期,提高了公司的競爭力,增強了對客戶的服務能力。(四)區(qū)位優(yōu)勢公司地處產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),在集中供氣、供電、供熱、供水以及廢水集中處理方面積累

12、了豐富的經(jīng)驗,能源配套優(yōu)勢明顯。產(chǎn)業(yè)集群效應和配套資源優(yōu)勢使公司在市場拓展、技術創(chuàng)新以及環(huán)保治理等方面具有獨特的競爭優(yōu)勢。(五)經(jīng)營管理優(yōu)勢公司擁有一支敬業(yè)務實的經(jīng)營管理團隊,主要高級管理人員長期專注于印染行業(yè),對行業(yè)具有深刻的洞察和理解,對行業(yè)的發(fā)展動態(tài)有著較為準確的把握,對產(chǎn)品趨勢具有良好的市場前瞻能力。公司通過自主培養(yǎng)和外部引進等方式,建立了一支團結進取的核心管理團隊,形成了穩(wěn)定高效的核心管理架構。公司管理團隊對公司的品牌建設、營銷網(wǎng)絡管理、人才管理等均有深入的理解,能夠及時根據(jù)客戶需求和市場變化對公司戰(zhàn)略和業(yè)務進行調整,為公司穩(wěn)健、快速發(fā)展提供了有力保障。四、 公司主要財務數(shù)據(jù)公司合并

13、資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額8594.766875.816446.07負債總額4786.553829.243589.91股東權益合計3808.213046.572856.16公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入26762.0121409.6120071.51營業(yè)利潤4240.163392.133180.12利潤總額3475.912780.732606.93凈利潤2606.932033.411876.99歸屬于母公司所有者的凈利潤2606.932033.411876.99五、 核心人員介紹1、馮xx,中國國籍,無

14、永久境外居留權,1958年出生,本科學歷,高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長;2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長;2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理;2019年3月至今任公司董事。2、王xx,中國國籍,1977年出生,本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任,2017年8月至今任公司監(jiān)事。3、武xx,1957年出生,大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司;2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、秦xx,中國國籍,無永久境外居留權,1970年出生,碩士

15、研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。5、錢xx,中國國籍,無永久境外居留權,1961年出生,本科學歷,高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。6、田xx,中國國籍,1978年出生,本科學歷,中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。7、閆xx,中國國籍,無永久境外居留權,1971年出生,本科學歷,中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公

16、司財務經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務總監(jiān)。8、程xx,中國國籍,無永久境外居留權,1959年出生,大專學歷,高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問;2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。六、 經(jīng)營宗旨公司通過整合資源,實現(xiàn)產(chǎn)品化、智能化和平臺化。七、 公司發(fā)展規(guī)劃(一)發(fā)展計劃1、發(fā)展戰(zhàn)略作為高附加值產(chǎn)業(yè)的重要技術支撐,正在轉變發(fā)展思路,由“高速增長階段”向“高質量發(fā)展”邁進。公司順應產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢,以“科技、創(chuàng)新”為經(jīng)營理念,以技術創(chuàng)新、智能制造、產(chǎn)品升級和節(jié)能

17、環(huán)保為重點,致力于構造技術密集、資源節(jié)約、環(huán)境友好、品質優(yōu)良、持續(xù)發(fā)展的新型企業(yè),推進公司高質量可持續(xù)發(fā)展。2、經(jīng)營目標目前,行業(yè)正在從粗放式擴張階段轉向高質量發(fā)展階段,公司將進一步擴大高端產(chǎn)品的生產(chǎn)能力,抓住市場機遇,提高市場占有率;進一步加大研發(fā)投入,注重技術創(chuàng)新,提升公司科技研發(fā)能力;進一步加強環(huán)境保護工作,積極開發(fā)應用節(jié)能減排染整技術,保持清潔生產(chǎn)和節(jié)能減排的競爭優(yōu)勢;進一步完善公司內部治理機制,按照公司治理準則的要求規(guī)范公司運行,提升運營質量和效益,努力把公司打造成為行業(yè)的標桿企業(yè)。(二)具體發(fā)展計劃1、市場開拓計劃公司將在鞏固現(xiàn)有市場基礎上,根據(jù)下游行業(yè)個性化、多元化的消費特點,以

18、新技術新產(chǎn)品為支撐,加快市場開拓步伐。主要計劃如下:(1)密切跟蹤市場消費需求的變化,建立市場、技術、生產(chǎn)多部門聯(lián)動機制,提高公司對市場變化的反應能力; (2)進一步完善市場營銷網(wǎng)絡,加強銷售隊伍建設,優(yōu)化以營銷人員為中心的銷售責任制,激發(fā)營銷人員的工作積極性; (3)加強品牌建設,以優(yōu)質的產(chǎn)品和服務贏得客戶,充分利用互聯(lián)網(wǎng)宣傳途徑,擴大公司知名度,增加客戶及市場對迎豐品牌的認同感; (4)在鞏固現(xiàn)有市場的基礎上,積極開拓新市場,推進省內外市場的均衡協(xié)調發(fā)展,進一步提升公司市場占有率。2、技術開發(fā)計劃公司的技術開發(fā)工作將重點圍繞提升產(chǎn)品品質、節(jié)能環(huán)保、知識產(chǎn)權保護等方面展開。公司將在現(xiàn)有專利、

19、商標等相關知識產(chǎn)權的基礎上,進一步加強知識產(chǎn)權的保護工作,將技術研發(fā)成果整理并進行相應的專利申請,通過對公司無形資產(chǎn)的保護,切實做好知識產(chǎn)權的維護。為保證上述技術開發(fā)計劃的順利實施,公司將加大科研投入,強化研發(fā)隊伍素質,創(chuàng)新管理機制和服務機制,積極參加行業(yè)標準的制定,不斷提高企業(yè)的整體技術開發(fā)能力。3、人力資源發(fā)展計劃培育、擁有一支有事業(yè)心、有創(chuàng)造力的人才隊伍,是企業(yè)核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展的原動力。隨著經(jīng)營規(guī)模的不斷擴大,公司對人才的需求將更為迫切,人才對公司發(fā)展的支撐作用將進一步顯現(xiàn)。為此,公司將重點做好以下工作:(1)加強人才的培養(yǎng)與引進工作,培育優(yōu)秀技術人才、管理人才;(2)加強與高校間

20、的校企人才合作,充分利用高校的人才優(yōu)勢和教育資源優(yōu)勢,開展技術合作和人才培養(yǎng),全面提升技術人員的整體素質;(3)加強對基層員工的技能培訓和崗位培訓,提高勞動熟練程度和自動化設備的操作能力,有效提高勞動效率和產(chǎn)品質量。(4)積極探索員工激勵機制,進一步完善以績效為導向的人力資源管理體系,充分調動員工的積極性。4、企業(yè)并購計劃公司將抓住行業(yè)整合機會,根據(jù)自身發(fā)展戰(zhàn)略,充分利用現(xiàn)有的綜合競爭優(yōu)勢,整合有價值的市場資源,推進收購、兼并、控股或參股同行業(yè)具有一定互補優(yōu)勢的公司,實現(xiàn)產(chǎn)品經(jīng)營和資本經(jīng)營、產(chǎn)業(yè)資本與金融資本的有機結合,進一步增強公司的經(jīng)營規(guī)模和市場競爭能力。5、籌融資計劃目前公司正處于快速發(fā)

21、展期,新生產(chǎn)線建設、技術改造、科技開發(fā)、人才引進、市場拓展等方面均需較大的資金投入。公司將根據(jù)經(jīng)營發(fā)展計劃和需要,綜合考慮融資成本、資產(chǎn)結構、資金使用時間等多種因素,采取多元化的籌資方式,滿足不同時期的資金需求,推動公司持續(xù)、快速、健康發(fā)展。積極利用資本市場的直接融資功能,為公司的長遠發(fā)展籌措資金。(三)面臨困難公司資產(chǎn)規(guī)模將進一步增長,業(yè)務將不斷發(fā)展和擴大,但在戰(zhàn)略規(guī)劃、營銷策略、組織設計、資源配置,特別是資金管理和內部控制等方面面臨新的挑戰(zhàn)。同時,公司今后發(fā)展中,需要大量的管理、營銷、技術等方面的人才,也使公司面臨較大的人才培養(yǎng)、引進和合理使用的壓力。公司必須盡快提高各方面的應對能力,才能

22、保持持續(xù)發(fā)展,實現(xiàn)各項業(yè)務發(fā)展目標。1、資金不足發(fā)展計劃的實施需要足夠的資金支持。目前公司融資手段較為單一,所需資金主要通過銀行貸款解決,融資成本較高,還本付息壓力較大,難以滿足公司快速發(fā)展的要求。因此,能否借助資本市場,將成為公司發(fā)展計劃能否成功實施的關鍵。如果不能順利募集到足夠的資金,公司的發(fā)展計劃將難以如期實現(xiàn)。2、人才緊缺隨著經(jīng)營規(guī)模的不斷擴大,公司在新產(chǎn)品新技術開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營管理方面,高級科研人才和管理人才相對缺乏,將影響公司進一步提高研發(fā)能力和管理水平。因此,能否盡快引進、培養(yǎng)這方面人才將對募投項目的順利實施和公司未來發(fā)展產(chǎn)生較大的影響。(四)采用的方式、方法或途徑建立多渠道融資體

23、系,實現(xiàn)公司經(jīng)營發(fā)展目標公司擬建立資本市場直接融資渠道,改變融資渠道單一依賴銀行貸款的現(xiàn)狀,為公司未來重大投資項目的順利實施籌集所需資金,確保公司經(jīng)營發(fā)展目標的實現(xiàn)。同時,加強與商業(yè)銀行的聯(lián)系,構建良好的銀企合作關系,及時獲得商業(yè)銀行的貸款支持,緩解公司發(fā)展過程中的資金壓力。1、內部培養(yǎng)和外部引進高層次人才,應對經(jīng)營規(guī)??焖偬嵘媾R的挑戰(zhàn)公司現(xiàn)有人員在數(shù)量、知識結構和專業(yè)技能等方面將不能完全滿足公司快速發(fā)展的需求,公司需加快內部培養(yǎng)和外部引進高層次人才的力度,確保高素質技術人才、經(jīng)營管理人才以及營銷人才滿足公司發(fā)展需要。為此,公司擬采取下列措施:1、加強人力資源戰(zhàn)略規(guī)劃,通過建立有市場競爭力的

24、薪酬體系和公平有序的職業(yè)晉升機制,吸引優(yōu)秀的技術、營銷、管理人才加入公司,提升公司綜合競爭力;2、進一步完善以績效為導向的員工激勵與約束機制,努力營造團結和諧的企業(yè)文化,強化員工對企業(yè)的歸屬感和責任感,保持公司人才隊伍的穩(wěn)定性和積極性;3、加強年輕人才的培養(yǎng),建立人才儲備機制,增強公司人才隊伍的深度和厚度,形成完整有序的人才梯隊,實現(xiàn)公司可持續(xù)發(fā)展。2、以市場需求為驅動,提高公司競爭能力公司將以市場為導向,認真研究市場需求,密切跟蹤印染行業(yè)政策及最新發(fā)展動向,推動科技創(chuàng)新和加大研發(fā)投入,優(yōu)化產(chǎn)品結構,開拓高端市場,不斷提升管理水平和服務質量,豐富服務內容,完善和延伸產(chǎn)業(yè)鏈,提升公司的核心競爭力

25、和市場地位,最終實現(xiàn)公司的戰(zhàn)略發(fā)展目標。第二章 項目概述一、 項目概述(一)項目基本情況1、項目名稱:白城MOSFET功率器件項目2、承辦單位名稱:xx公司3、項目性質:擴建4、項目建設地點:xxx(以選址意見書為準)5、項目聯(lián)系人:馮xx(二)主辦單位基本情況公司秉承“誠實、信用、謹慎、有效”的信托理念,將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念,不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風險控制能力。公司堅持提升企業(yè)素質,即“企業(yè)管理水平進一步提高,人力資源結構進一步優(yōu)化,人員素質進一步提升,安全生產(chǎn)意識和社會責任意識進一步增強,誠信經(jīng)營水平進一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素質企業(yè)員工,企業(yè)品牌影響

26、力不斷提升。公司將依法合規(guī)作為新形勢下實現(xiàn)高質量發(fā)展的基本保障,堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟利益的理念,確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位,進一步明確了全面合規(guī)管理責任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查,加強合規(guī)風險防控,確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求,重點領域合規(guī)管理不斷強化,各部門分工負責、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立,廣大員工合規(guī)意識普遍增強,合規(guī)文化氛圍更加濃厚。公司注重發(fā)揮員工民主管理、民主參與、民主監(jiān)督的作用,建立了工會組織,并通過明確職工代表大會各項職權、組織制度、工作制度,進一步規(guī)范廠務公開的內容、程序、形式,企業(yè)民主管理水平進一

27、步提升。圍繞公司戰(zhàn)略和高質量發(fā)展,以提高全員思想政治素質、業(yè)務素質和履職能力為核心,堅持戰(zhàn)略導向、問題導向和需求導向,持續(xù)深化教育培訓改革,精準實施培訓,努力實現(xiàn)員工成長與公司發(fā)展的良性互動。(三)項目建設選址及用地規(guī)模本期項目選址位于xxx(以選址意見書為準),占地面積約57.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越,交通便利,規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備,非常適宜本期項目建設。(四)產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項目建設規(guī)劃,達產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設計方案為:xx件MOSFET功率器件/年。二、 項目提出的理由第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵,具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點,在高溫、高

28、壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先,由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加,第三代半導體的產(chǎn)業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn),SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元,預計到2025年將增長至15.53億美元,復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產(chǎn)業(yè)化起步階段,國內已發(fā)布多個政策積極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展,例如2019年國務院發(fā)布長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要,提出要加快培育一批第三代半導體企業(yè)。同時,我們也清醒看到面臨的困

29、難和問題:經(jīng)濟總量不大,帶動力強的大項目還不多,發(fā)展后勁和動能培育不夠;要素支撐不足,水、地、電等瓶頸制約還沒有得到根本破解;發(fā)展質量不高,財政收支矛盾突出,剛性支出壓力持續(xù)加大;改革創(chuàng)新不夠,原創(chuàng)性、突破性的成果不多,深化改革還有很多“硬骨頭”要啃。三、 項目總投資及資金構成本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資25079.98萬元,其中:建設投資20242.85萬元,占項目總投資的80.71%;建設期利息293.60萬元,占項目總投資的1.17%;流動資金4543.53萬元,占項目總投資的18.12%。四、 資金籌措方案(一)項目資本金籌措方案項目總

30、投資25079.98萬元,根據(jù)資金籌措方案,xx公司計劃自籌資金(資本金)13096.48萬元。(二)申請銀行借款方案根據(jù)謹慎財務測算,本期工程項目申請銀行借款總額11983.50萬元。五、 項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入(SP):45400.00萬元。2、年綜合總成本費用(TC):35292.82萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤(NP):7393.85萬元。4、財務內部收益率(FIRR):23.37%。5、全部投資回收期(Pt):5.33年(含建設期12個月)。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點(BEP):16486.33萬元(產(chǎn)值)。六、 項目建設進度規(guī)劃項目計劃從可行性研究報告的編制到工

31、程竣工驗收、投產(chǎn)運營共需12個月的時間。七、 環(huán)境影響本期項目采用國內領先技術,把可能產(chǎn)生污染的各環(huán)節(jié)控制在生產(chǎn)工藝過程中,使外排的“三廢”量達到最低限度,項目投產(chǎn)后不會給當?shù)丨h(huán)境造成新污染。八、 報告編制依據(jù)和原則(一)編制依據(jù)1、國家建設方針,政策和長遠規(guī)劃;2、項目建議書或項目建設單位規(guī)劃方案;3、可靠的自然,地理,氣候,社會,經(jīng)濟等基礎資料;4、其他必要資料。(二)編制原則1、政策符合性原則:報告的內容應符合國家產(chǎn)業(yè)政策、技術政策和行業(yè)規(guī)劃。2、循環(huán)經(jīng)濟原則:樹立和落實科學發(fā)展觀、構建節(jié)約型社會。以當?shù)氐馁Y源優(yōu)勢為基礎,通過對本項目的工藝技術方案、產(chǎn)品方案、建設規(guī)模進行合理規(guī)劃,提高資

32、源利用率,減少生產(chǎn)過程的資源和能源消耗延長生產(chǎn)技術鏈,減少生產(chǎn)過程的污染排放,走出一條有市場、科技含量高、經(jīng)濟效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、資源優(yōu)勢得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。3、工藝先進性原則:按照“工藝先進、技術成熟、裝置可靠、經(jīng)濟運行合理”的原則,積極應用當今的各項先進工藝技術、環(huán)境技術和安全技術,能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質量好、經(jīng)濟效益明顯。4、提高勞動生產(chǎn)率原則:近一步提高信息化水平,切實達到提高產(chǎn)品的質量、降低成本、減輕工人勞動強度、降低工廠定員、保證安全生產(chǎn)、提高勞動生產(chǎn)率的目的。5、產(chǎn)品差異化原則:認真分析市場需求、了解市場的區(qū)域性差別、針對產(chǎn)品的差異化要求

33、、區(qū)異化的特點,來設計不同品種、不同的規(guī)格、不同質量的產(chǎn)品以滿足不同用戶的不同要求,以此來擴大市場占有率,尋求經(jīng)濟效益最大化,提高企業(yè)在國內外的知名度。九、 研究范圍按照項目建設公司的發(fā)展規(guī)劃,依據(jù)有關規(guī)定,就本項目提出的背景及建設的必要性、建設條件、市場供需狀況與銷售方案、建設方案、環(huán)境影響、項目組織與管理、投資估算與資金籌措、財務分析、社會效益等內容進行分析研究,并提出研究結論。十、 研究結論由上可見,無論是從產(chǎn)品還是市場來看,本項目設備較先進,其產(chǎn)品技術含量較高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強,具有良好的社會效益及一定的抗風險能力,因而項目是可行的。十一、 主要經(jīng)濟指標一覽表主要

34、經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積38000.00約57.00畝1.1總建筑面積82078.791.2基底面積24700.001.3投資強度萬元/畝337.342總投資萬元25079.982.1建設投資萬元20242.852.1.1工程費用萬元17090.042.1.2其他費用萬元2613.982.1.3預備費萬元538.832.2建設期利息萬元293.602.3流動資金萬元4543.533資金籌措萬元25079.983.1自籌資金萬元13096.483.2銀行貸款萬元11983.504營業(yè)收入萬元45400.00正常運營年份5總成本費用萬元35292.82""6

35、利潤總額萬元9858.47""7凈利潤萬元7393.85""8所得稅萬元2464.62""9增值稅萬元2072.64""10稅金及附加萬元248.71""11納稅總額萬元4785.97""12工業(yè)增加值萬元16554.58""13盈虧平衡點萬元16486.33產(chǎn)值14回收期年5.3315內部收益率23.37%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元9858.02所得稅后第三章 背景及必要性一、 功率MOSFET的行業(yè)發(fā)展趨勢1、工藝進步、器件結構改進所帶來的變化采用新型

36、器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現(xiàn)更好的性能,從而導致采用傳統(tǒng)技術的功率器件的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產(chǎn)工藝不斷進行技術演進,當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產(chǎn)工藝演進到成熟穩(wěn)定的階段時,就會對現(xiàn)有的功率MOSFET進行替代。同時,隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升,也需要采用更高性能的功率器件以實現(xiàn)產(chǎn)品升級。因此,高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍,實現(xiàn)市場的普及。未來的5年中會出現(xiàn)新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言,溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET;屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOSFET

37、;超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統(tǒng)的VDMOS。第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵,具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點,在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先,由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加,第三代半導體的產(chǎn)業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn),SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元,預計到2025年將增長至15.53億美元,復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產(chǎn)業(yè)化起步階段,國內已發(fā)布多個政策積

38、極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展,例如2019年國務院發(fā)布長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要,提出要加快培育一批第三代半導體企業(yè)。2、功率器件集成化趨勢除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優(yōu)化外,終端領域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中,客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián),同時要考慮高溫失效和散熱問題,其封裝工藝和結構更復雜;在小功率應用場景中,功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前,工業(yè)領域仍是功率模塊的主要應用領域。隨著新能源汽車、5G技術的興起,功率器件模塊化趨勢將愈發(fā)顯著。根據(jù)Omdia預

39、測,2020-2024年分立器件市場增速為2.8%,而功率模塊市場增速為9.2%,高于分立器件市場增速。二、 功率器件應用發(fā)展機遇受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,充電樁、5G通訊基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加,高壓超級結MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁(1)發(fā)展機遇2020年,充電樁被列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間,政府工作報告中強調“建設充電樁,推廣新能源汽車,激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示,截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛,與2019年年底相

40、比增加36萬輛,增長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長,新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現(xiàn)了快速增長,截止2019年12月,全國充電基礎設施累計數(shù)量為121.9萬個,其中公共樁51.6萬個,私人樁70.3萬個,充電場站建設數(shù)量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關等具有公共服務性質的機構置辦,服務對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年,全國公共充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個,復合年增長率達到了72.9%。近幾年來,我國充電站同樣有快速發(fā)展,充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座,復合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高,

41、電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善?!靶禄ā睂Τ潆姌兜慕ㄔO驅動主要在以下幾方面:驅動公共樁建設提質且區(qū)域均衡發(fā)展,直流樁占比將持續(xù)提升,省份間差異有望縮小。推動優(yōu)質場站建設,完善配套設施申報流程辦理。推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設。促進對運營商的建設與充電運營流程支持。(2)超級結MOSFET功率器件迎來快速發(fā)展機遇充電樁按充電能力分類,以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁,交流充電樁需要借助車載充電機,充電速度較慢,一輛純電動汽車(普通電池容量)完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”,固定安裝在電動汽車外,與交流電網(wǎng)連接,通常僅需要不到2-

42、3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛,對應的充電功率分為3.5kW和7kW,其中,公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW,但整體數(shù)量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看,平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器(PowerFactorCorrection,“PFC”),其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據(jù)2016-2019年新增公共直流樁平均功率數(shù)據(jù),公共直流樁充電

43、功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大,從69.23kW提高到91.65kW,而到了2019年雖然維持上漲趨勢,但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經(jīng)基本上能夠滿足電動汽車的充電需求,故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高,達到115.76kW。預計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下,其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產(chǎn)品,具體應用于充電樁的功率因數(shù)校正(PowerFactorCorrection,“PFC”)、直流-直流變

44、換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設。據(jù)英飛凌統(tǒng)計,100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元,預計隨著充電樁的不斷建設,功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。 2、5G基站(1)5G建設規(guī)模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上,工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出,中國已累計建成5G基站71.8萬個,推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日,工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示,2021年將有序推進5G網(wǎng)絡建設及應用,加快主要城市5G覆蓋,推進共建共享,新建5G基站60萬個以上。

45、(2)5G基站拉動功率半導體需求5G建設將從四個方面拉動功率半導體需求,包括:1)5G基站功率更高、建設更為密集,帶來更大的電源供應需求;2)射頻端功率半導體用量提升;3)霧計算為功率半導體帶來增量市場;以及4)云計算拉動計算用功率半導體用量。MIMO即多進多出,指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構成多個信道的天線系統(tǒng),可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線,可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下,提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上,傳統(tǒng)網(wǎng)絡天線的通道數(shù)為2/4/8個,而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上,傳統(tǒng)MIM

46、O為2D覆蓋,信號只能在水平方向移動,不能在垂直方向移動,類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束,可以利用垂直維度空域。5G網(wǎng)絡主要部署在高頻頻段,即毫米波頻段(mmWave)。因接收功率與波長的平方成正比,毫米波的信號衰減嚴重,而發(fā)射功率又受到限制,所以5G網(wǎng)絡部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量,使用MassiveMIMO技術。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計,傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元,而過渡為MassvieMIMO天線陣列后,所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元,達到原來的4倍。與云計算相比,霧計算所采用的架構呈分布式,更接近網(wǎng)絡邊緣。霧計

47、算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應用程序集中在網(wǎng)絡邊緣的設備中,數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設備,本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。三、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管,是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點,應用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設設備、電源管理等多個領域。2019年全球MOSFET器件市場需求規(guī)模達到84.20億美元,受疫情影響,2020預計市場規(guī)模下降至73.88億美元,但預計未來全球MOSFET器件市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)回增,2024年市場規(guī)模有

48、望恢復至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場中,英飛凌排名第一,市場占有率達到24.79%,前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業(yè)中,聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十,分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計,2019年我國MOSFET器件市場規(guī)模為33.42億美元,2017年-2019年復合年均增長率為7.89%,高于功率半導體行業(yè)平均的增速。在下游的應用領域中,消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額,其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領域,主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C

49、接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET器件的市場需求,在汽車電子領域,MOSFET器件在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電機驅動等動力控制系統(tǒng),以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領域均發(fā)揮重要作用,有著廣闊的應用市場及發(fā)展前景。2019年,中國MOSFET器件市場中,英飛凌排名第一,市占率達到24.95%,前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業(yè)中,華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導體和吉林華微電子進入前十,分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結MOSFET繼二十世紀五十年代起,真空管逐漸被固體器件替代,以硅材料為基礎的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代,用

50、二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現(xiàn)。隨著功率器件在消費、醫(yī)藥、工業(yè)、運輸業(yè)中的廣泛應用,能夠降低成本且提高系統(tǒng)效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,因此在高壓領域,普通MOSFET導通阻抗大,難以滿足實際應用需要,多次注入的超級結和深槽的超級結MOSFET結構由此被提出。超級結MOSFET全稱超級結型MOSFET,是MOSFET結構設計的先進技術。該結構具備更好的導通特性,可以工作于更大的電流條件。通常情況下,高壓VDMOS采用平面柵結構。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比,因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和

51、更淡的摻雜濃度,導致其導通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇增大,額定電流同步降低。超級結MOSFET的漂移區(qū)具有多個P柱,可以補償N區(qū)中的電荷。在器件關斷時,N型外延層和P柱相互耗盡,可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓;在器件導通時,N摻雜區(qū)作為導通時的電流通路。由此,超級結結構兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加,對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸,其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件,高壓超級結MOSFET功率器

52、件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。隨著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應用領域的發(fā)展,高壓超級結MOSFET將擁有更快的市場增速。根據(jù)Omdia和Yole的統(tǒng)計及預測,2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量(折合8英寸)分別為59.7萬片與73.9萬片,年均復合增長為4.3%。其中,超級結MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片,年均復合增長率為8.1%,增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力,相對

53、于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態(tài)壓降。IGBT被廣泛應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應用需求增長,全球IGBT分立器件市場將持續(xù)擴大。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計,2019年市場規(guī)模為16.03億美元,2017-2019年復合年均增長率為11.73%,2024年市場規(guī)模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領域中,英飛凌銷售額排名第一,市占率高達30.22%,前十大公司合計占比達到75.42%,中國廠商中,吉林華微電子進入前十,市占率為2.41%。根據(jù)Omdia

54、的統(tǒng)計,2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.26億美元,2019年為6.05億美元,對應復合年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領域,IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中;在1700V以上的高電壓領域,IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領域。2019年,中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一,市占率為24.28%,前十大公司合計占比達到69.57%,中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十,市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚,未來進口替代空間巨大,目

55、前在部分領域已經(jīng)實現(xiàn)了技術突破和國產(chǎn)化。此外,在新能源汽車領域,IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展,IGBT產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。四、 實施項目攻堅,著力擴大投資增強項目意識,開展招商引資、項目建設、投產(chǎn)達效三個“百日攻堅”,持續(xù)加大投資強度。強化項目謀劃。在融入國內國際“雙循環(huán)”中搶抓機遇,圍繞揚優(yōu)勢、補短板、破瓶頸,謀劃對外可招商、向上可爭取的億元以上重大項目120個以上,工業(yè)項目超過50%。強化項目招商。按照“產(chǎn)業(yè)樹”理念,圍繞建鏈延鏈補鏈強鏈,狠抓產(chǎn)業(yè)鏈招商、園區(qū)招商和環(huán)境招商,引進一批投資強度大、科技含量高、帶動能力強的重大項目,招商落地

56、億元以上項目必保30個。強化項目服務。項目中心提級管理,政府主要領導擔任項目中心主任。加強項目統(tǒng)籌,推行“項目長制”,完善“秘書制”,提高難題破解率、項目開工率、資金到位率、項目入統(tǒng)率和投資完成率。抓好梅花三期、鎮(zhèn)賚檸檬酸等項目建設,各縣(市、區(qū))、開發(fā)區(qū)(園區(qū))必保投產(chǎn)超億元制造業(yè)項目2個以上。強化項目承載能力建設。推動市縣兩級開發(fā)區(qū)創(chuàng)新發(fā)展,深化體制機制改革,抓好基礎設施和服務體系建設,爭創(chuàng)國家綠色產(chǎn)業(yè)示范基地。規(guī)劃選址零碳工業(yè)示范園區(qū),爭取白城工業(yè)園區(qū)設立省級化工園區(qū)。開工洮北高載能高技術產(chǎn)業(yè)示范園、鎮(zhèn)賚食品加工產(chǎn)業(yè)園,加快大安清潔能源省級化工產(chǎn)業(yè)園、洮南生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)園建設,支持通榆打造全省新能源產(chǎn)業(yè)示范園,帶動縣域經(jīng)濟在全省爭先進位。市直開發(fā)區(qū)(園區(qū))要發(fā)揮表率,大干快上抓項目,力爭市本級工業(yè)總量在全市占比達到50%。第四章 市場分析一、

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