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文檔簡介
1、微電子電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)三 觸發(fā)器的電路結(jié)構(gòu)與仿真班級 姓名 學(xué)號 指導(dǎo)老師 袁文澹一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、掌握時(shí)序電路基本特點(diǎn);2、掌握D觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)、原理及特性;二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求1、分析并仿真晶體管級CMOS D觸發(fā)器(不帶復(fù)位端); (不帶復(fù)位端的D觸發(fā)器)2、分析并仿真晶體管級CMOS D觸發(fā)器(帶復(fù)位端); (帶復(fù)位端的D觸發(fā)器)三、實(shí)驗(yàn)原理1、不帶復(fù)位端的D觸發(fā)器如圖所示為不帶復(fù)位端的始終CMOS結(jié)構(gòu)的D觸發(fā)器,該電路利用時(shí)鐘CMOS反相器構(gòu)成動態(tài)鎖存器,由兩個(gè)動態(tài)鎖存器構(gòu)成時(shí)鐘上升沿有效的D觸發(fā)器。1)當(dāng)clk處于低電平時(shí),MP2 與MN2 都導(dǎo)通,主鎖存器采樣數(shù)據(jù),D端數(shù)據(jù)反相后傳遞到
2、節(jié)點(diǎn)X的電容C1上,而MP4和MN4截止,從鎖存器保持?jǐn)?shù)據(jù),Q端電容C2保持舊數(shù)據(jù);2)當(dāng)clk處于高電平時(shí),MP2 與MN2 都截止,主鎖存器保持?jǐn)?shù)據(jù),D端數(shù)據(jù)反相后傳遞到節(jié)點(diǎn)Q的電容C2上,而MP4和MN4導(dǎo)通,從鎖存器采樣數(shù)據(jù),X端電容C1保持舊數(shù)據(jù). 2、帶復(fù)位端的D觸發(fā)器 為確保時(shí)序數(shù)字電路穩(wěn)定可靠地工作,復(fù)位電路是必不可少的一部分。本次試驗(yàn)設(shè)計(jì)的是高電平復(fù)位,即加上一個(gè)復(fù)位信號,電路會自動清零,即輸出Q=0。當(dāng)復(fù)位信號消失時(shí),電路能夠恢復(fù)正常工作,其原理與不帶復(fù)位端D觸發(fā)器原理一致,此處不再重述。 四、實(shí)驗(yàn)方法與步驟實(shí)驗(yàn)方法:計(jì)算機(jī)平臺:(在戴爾計(jì)算機(jī)平臺、Windows XP操作
3、系統(tǒng)。)軟件仿真平臺:(在VMware和Hspice軟件仿真平臺上。)實(shí)驗(yàn)步驟: 1、編寫源代碼。按照實(shí)驗(yàn)要求,在記事本上編寫相應(yīng)代碼,并以相應(yīng)的文件擴(kuò)展名存儲文件。2、打開Hspice軟件平臺,點(diǎn)擊File中的一個(gè)文件。3、編譯與調(diào)試。確定源代碼文件為當(dāng)前工程文件,點(diǎn)擊Complier進(jìn)行文件編譯。編譯結(jié)果有錯(cuò)誤或警告,則將要調(diào)試修改直至文件編譯成功。4、軟件仿真運(yùn)行及驗(yàn)證。在編譯成功后,點(diǎn)擊simulate開始仿真運(yùn)行。點(diǎn)擊Edit LL單步運(yùn)行查看結(jié)果,無錯(cuò)誤后點(diǎn)擊Avanwaves按照程序所述對比仿真結(jié)果。5、斷點(diǎn)設(shè)置與仿真。6、仿真平臺各結(jié)果信息說明.五、實(shí)驗(yàn)仿真結(jié)果及其分析1、 仿
4、真過程1) 源代碼不帶復(fù)位端的D觸發(fā)器 D.CDL: *.PARAM * LIBRARY NAME: GSMC18_OTP_SCH_M4 * CELL NAME: FFDHD1X_HV * VIEW NAME: SCHEMATIC *.SUBCKT DFF CK D Q QN XI0
5、0;CKB CK D net0 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0.28U PW=1.0U XI1 net0 net1 IVG
6、PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI2 net1 net2 IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI3 CK CKB
7、160; net2 net0 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0.28U PW=1.0U XI4 CK CKB net1 net3 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0.28U PW=1.0U XI5 net
8、3 Q IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI6 Q QB &
9、#160; IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI7 CKB CK QN net3 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0.28U PW=1.0U XI8 C
10、K CKB IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U .ENDS .SUBCKT TG1G CK CKB D Q MP0 D CKB Q VDD P
11、CH W=PW L=PL MN0 D CK Q GND NCH W=NW L=NL .ENDS .SUBCKT IVG A Z MN0 Z A GND GND NCH W=NW L=NL MP0 Z A VDD VDD PCH W=PW L=PL .ENDS
12、;d_tst.sp:*Sample netlist for GSMC .TEMP 25.0000 .param wn=1u wp=0.28u Lmin=0.28u vdd0=3.6v .lib 'gd018.l' TT .inc 'D.CDL' .global GND VDD .options list no
13、de post .tran 1n 10us X1 CK D Q QN DFF VCC VDD 0 dc vdd0 C1 Q 0 1p VCK CK 0 PULSE(0v vdd0 1ns 2ns 2ns 20ns 40ns) $依次為脈沖起始時(shí)間、上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、第
14、一次從高電平回升到低電平的時(shí)刻、周期Vd D 0 PULSE(0v vdd0 1ns 2ns 2ns 50ns 100ns) .end帶復(fù)位端的D觸發(fā)器D2.CDL:*.PARAM * * LIBRARY NAME: GSMC18_OTP_SCH_M4 * CELL NAME: FFDHD1X_HV *
15、 VIEW NAME: SCHEMATIC *.SUBCKT DFF R CK D Q QN XI0 CKB CK D net0 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0
16、.28U PW=1.0U XI1 net0 net1 IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI2 CKB R net1 CK net0 SSS
17、60; PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI3 CK CKB net1 net2 TG1G NL=0.28U NW=1.0U PL=0.28U PW=1.0U XI4 R net2 Q SSA &
18、#160;NL=0.28U NW=1.6U PL=0.28U PW=1.0U XI5 CKB CK QN net2 TG1G PL=0.28U PW=1.0U NL=0.28U NW=1.0U X
19、I6 Q QN IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U XI7 CK CKB
20、160; IVG PL=0.28U PW=1.6U NL=0.28U NW=1.0U.ENDS .SUBCKT TG1G CK CKB D Q MP0 D CKB Q VDD PCH W=PW L=PL
21、160;MN0 D CK Q GND NCH W=NW L=NL .ENDS
22、 .SUBCKT IVG A Z MN0 Z A GND GND NCH W=NW L=NL MP0 Z A VDD VDD PCH W=PW L=PL .ENDS .SUBCKT SSS A B C D Q MP0 LA A VDD VDD PC
23、H W=PW L=PL MP1 LB B LA VDD PCH W=PW L=PL MP2 Q C LB VDD PCH W=PW L=PL MN0 Q B LC GND NCH W=NW L=NL MN1 Q C
24、 LC GND NCH W=NW L=NL MN2 LC D GND GND NCH W=NW L=NL .ENDS .SUBCKT SSA A B Q MP0 LA A VDD VDD PCH W=PW L=
25、PL MP1 Q B LA VDD PCH W=PW L=PL MN0 Q A GND GND NCH W=NW L=NL MN1 Q B GND GND NCH W=NW L=NL .ENDS d_tst2.sp:*Sample netlist for GSMC .TEMP 25.0000 .para
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