第0章--納米信息材料與器件的進(jìn)展

1、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1 1納米電子信息材料與集成器件的納米電子信息材料與集成器件的進(jìn)展進(jìn)展 張懷武張懷武 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2 2目目 錄錄 一一. .電子信息材料的變革電子信息材料的變革 二二. .信息存儲(chǔ)技術(shù)變革信息存儲(chǔ)技術(shù)變革 三三. .電子材料與器件變革電子材料與器件變革-LTCC -LTCC 四四. . 材料芯片材料芯片 五五. .納米晶芯材與集成薄膜器件納米晶芯材與集成薄膜器件電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3 3

2、 一一. .電子信息材料的變革電子信息材料的變革電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4 4電子信息技術(shù)的變革電子信息技術(shù)的變革我們的信息時(shí)代我們的信息時(shí)代 計(jì)算機(jī)的發(fā)展計(jì)算機(jī)的發(fā)展 因特網(wǎng)的發(fā)展因特網(wǎng)的發(fā)展 物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展 數(shù)字家電的發(fā)展數(shù)字家電的發(fā)展 衛(wèi)星系統(tǒng)的發(fā)展衛(wèi)星系統(tǒng)的發(fā)展 現(xiàn)代軍事的發(fā)展現(xiàn)代軍事的發(fā)展0 010102020303040405050606070708080909020002000 20012001 20022002 20032003 20042004 20052005計(jì)算機(jī)計(jì)算機(jī)上網(wǎng)上網(wǎng)數(shù)字家電數(shù)字家電電子科技大學(xué)電子科技大

3、學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5 5 一、集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史一、集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史 58年，鍺年，鍺 IC 59年，硅年，硅 IC 61年，年，SSI（10 100 個(gè)元件個(gè)元件/ /芯片），芯片），RTL 62年，年，MOS IC ，TTL ，ECL 63年，年，CMOS IC 64年，線性年，線性 IC 加工尺度：微米加工尺度：微米 納米。納米。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6 6 65年，年，MSI （100 3000個(gè)元件個(gè)元件/ /芯片）芯片） 69年，年，CCD 70年，年，LSI （3000 10萬(wàn)個(gè)元件萬(wàn)個(gè)元件/ /芯片

4、），芯片），1K DRAM 71年，年，8位位 MPU IC ， 4004 72年，年，4K DRAM ，I2L IC 77年，年，VLSI（10萬(wàn)萬(wàn) 300萬(wàn)個(gè)元件萬(wàn)個(gè)元件/ /芯片），芯片），64K DRAM ， 16位位 MPU 80年，年，256K DRAM ，2 m 84年，年，1M DRAM ，1 m 85年，年，32位位 MPU ，M68020 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7 7 86年，年，ULSI（300萬(wàn)萬(wàn) 10億個(gè)元件億個(gè)元件/ /芯片），芯片）， 4M DRAM ( 8106, 91mm2, 0.8 m, 150 mm ) ，

5、 于于89年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，95年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。主要工年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。主要工 藝技術(shù)：藝技術(shù)：g 線（線（436nm）步進(jìn)光刻機(jī)、）步進(jìn)光刻機(jī)、1：10 投影曝光、投影曝光、 負(fù)性膠負(fù)性膠 正性膠、各向異性干法腐蝕、正性膠、各向異性干法腐蝕、LOCOS元件元件 隔離技術(shù)、隔離技術(shù)、LDD結(jié)構(gòu)、淺結(jié)注入、薄柵絕緣層、多晶結(jié)構(gòu)、淺結(jié)注入、薄柵絕緣層、多晶 硅或難熔金屬硅化物、多層薄膜工藝等。硅或難熔金屬硅化物、多層薄膜工藝等。 88年，年，16M DRAM（3107, 135 mm2, 0.5 m, 200 mm），）， 于于92年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，97 年達(dá)到生

6、產(chǎn)頂峰。主要年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。主要 工藝技術(shù)：工藝技術(shù)：i 線（線（365nm）步進(jìn)光刻機(jī)、選擇）步進(jìn)光刻機(jī)、選擇CVD工藝、工藝、 多晶硅化物、難熔金屬硅化物多層布線、接觸埋入、多晶硅化物、難熔金屬硅化物多層布線、接觸埋入、 化學(xué)機(jī)械拋光（化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝等。）工藝等。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)8 8 91年，年， 64M DRAM（1.4108, 198 mm2, 0.35 m, 200 mm），）， 于于94年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，99年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。主要年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。主要 工藝技術(shù)：工藝技術(shù)： i 線步進(jìn)光刻機(jī)、相移掩

7、模技術(shù)、低溫平線步進(jìn)光刻機(jī)、相移掩模技術(shù)、低溫平 面化工藝、全干法低損傷刻蝕、加大存儲(chǔ)電容工藝、面化工藝、全干法低損傷刻蝕、加大存儲(chǔ)電容工藝、 增強(qiáng)型隔離、增強(qiáng)型隔離、RTP/ /RTA工藝、高性能淺結(jié)、工藝、高性能淺結(jié)、CMP 工藝、生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)粒子監(jiān)控工藝等。工藝、生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)粒子監(jiān)控工藝等。 92年，年， 256M DRAM（5.6108, 400 mm2, 0.25 m, 200 mm） ， 于于98年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，2002年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。 主要工藝技術(shù)：準(zhǔn)分子激光（主要工藝技術(shù)：準(zhǔn)分子激光（248 nm）步進(jìn)光刻機(jī)、）步進(jìn)光刻機(jī)、 相移掩模技術(shù)、無(wú)機(jī)真空兼

8、容全干法光刻膠、相移掩模技術(shù)、無(wú)機(jī)真空兼容全干法光刻膠、 10億個(gè)元件億個(gè)元件/ /芯片），芯片）， 1 G DRAM（2.2109, 700 mm2, 0.18 m, 200 mm） ， 2000年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，2004年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。 主要工藝技術(shù)：主要工藝技術(shù)：X 射線光刻機(jī)、超淺結(jié)（射線光刻機(jī)、超淺結(jié)（0.05 m）、）、 高介電常數(shù)鐵電介質(zhì)工藝、高介電常數(shù)鐵電介質(zhì)工藝、SiC 異質(zhì)結(jié)工藝、現(xiàn)場(chǎng)異質(zhì)結(jié)工藝、現(xiàn)場(chǎng) 真空連接工藝、實(shí)時(shí)控制工藝的全面自動(dòng)化等。真空連接工藝、實(shí)時(shí)控制工藝的全面自動(dòng)化等。 97年，年， 4 G DRAM （8.8109, 98

9、6 mm2, 0.13 m, 300 mm），）， 2003年進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)。年進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1010集成電路的發(fā)展規(guī)律集成電路的發(fā)展規(guī)律 Intel 公司的創(chuàng)始人摩爾于公司的創(chuàng)始人摩爾于1975 年總結(jié)出了年總結(jié)出了 IC 工業(yè)發(fā)展的工業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要規(guī)律，即一個(gè)重要規(guī)律，即 摩爾定律：摩爾定律：IC 的集成度將每年翻一番。的集成度將每年翻一番。 1980 年摩爾定律被修改為：年摩爾定律被修改為： IC 的集成度每的集成度每1.5年翻一番，年翻一番，即每即每3年乘以年乘以4。 IC 發(fā)展的另一些規(guī)律為：發(fā)展的另一些規(guī)律

10、為： 建立一個(gè)芯片廠的造價(jià)也是每建立一個(gè)芯片廠的造價(jià)也是每3年乘以年乘以4。 線條寬度每線條寬度每 6 年下降一半。年下降一半。 芯片上每個(gè)器件的價(jià)格每年下降芯片上每個(gè)器件的價(jià)格每年下降 30% 40% 。 晶片直徑的變化：晶片直徑的變化： 60年：年：0.5英寸，英寸， 65年：年：1英寸，英寸， 70年：年：2英寸，英寸， 75年：年：3英寸，英寸， 80年：年：4英寸，英寸， 90年：年：6英寸，英寸， 95年：年：8英寸（英寸（200 mm ），）， 2000年：年：12英寸（英寸（300 mm）。）。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)11 11

11、集成電路的發(fā)展展望集成電路的發(fā)展展望 目標(biāo)：集成度目標(biāo)：集成度 、可靠性、可靠性 、速度、速度 、功耗、功耗 、成本、成本 。 努力方向：線寬努力方向：線寬 、晶片直徑、晶片直徑 、設(shè)計(jì)技術(shù)、設(shè)計(jì)技術(shù) 。 1992 1995 1998 2001 2004 2007比特/ 芯片 16 M 64 M 256 M 1 G 4 G 16 G特征尺寸（ m） 0.5 0.5 0.35 0.35 0.25 0.25 0.18 0.18 0.12 0.12 0.07 0.07晶片直徑（mm） 200 200 200 200 200 - 400200 - 400200-400200-400200- 40020

12、0- 400200 -400200 -400美國(guó)美國(guó)1992 2007 年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1212美國(guó)美國(guó)1997 - 2012 1997 - 2012 年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 比特/ 芯片 256M 1G 4G 16G 64G 256G特征尺寸特征尺寸 mm） 0.25 0.18 0.15 0.13 0.1 0.07 0.05晶片直徑晶片直徑（mmmm） 200 300 300 300 300 450 450電子

13、科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1313 材料材料設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)芯片制造芯片制造封裝封裝電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1414電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1515電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1616CrystalGrowthSlicingGraphite HeaterSi MeltSi CrystalPolishingWaferingHigh Temp.AnnealingFurnaceAnnealed WaferDefect FreeS

14、urface byAnnealing(Surface Improvement）Surface DefectMapPolished Wafer電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1717 橫向加工：圖形的產(chǎn)生與轉(zhuǎn)移（又稱為光刻，包括曝光、橫向加工：圖形的產(chǎn)生與轉(zhuǎn)移（又稱為光刻，包括曝光、 顯影、刻蝕等）。顯影、刻蝕等）。 縱向加工：薄膜制備（蒸發(fā)、濺射、氧化、縱向加工：薄膜制備（蒸發(fā)、濺射、氧化、CVD 等），等）， 摻雜（熱擴(kuò)散、離子注入、中子嬗變等）。摻雜（熱擴(kuò)散、離子注入、中子嬗變等）。 在大規(guī)模集成電路制造技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中，光刻技術(shù)的作用約在大規(guī)模集成

15、電路制造技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中，光刻技術(shù)的作用約占占2/ /3，其它技術(shù)約占，其它技術(shù)約占1/ /3 。本課程的課時(shí)分配大約也按照這一。本課程的課時(shí)分配大約也按照這一比例進(jìn)行。比例進(jìn)行。3.芯片制造芯片制造電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1818涂光刻膠（正）涂光刻膠（正）選擇曝光選擇曝光熱氧化熱氧化SiO2工藝流程舉例（制作工藝流程舉例（制作PN結(jié)）結(jié)）電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)1919去膠去膠摻雜摻雜顯影（第顯影（第1次圖形轉(zhuǎn)移）次圖形轉(zhuǎn)移）刻蝕（第刻蝕（第2次圖形轉(zhuǎn)移）次圖形轉(zhuǎn)移）NP電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)

16、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2020蒸發(fā)鍍蒸發(fā)鍍Al 膜膜光刻光刻Al 電極電極CVD 淀積淀積SiO2 膜膜光刻引線孔光刻引線孔電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2121 襯底制備襯底制備 一次氧化一次氧化 隱埋層光刻隱埋層光刻 隱埋隱埋層擴(kuò)散層擴(kuò)散 外延淀積外延淀積 熱氧化熱氧化 隔離光刻隔離光刻 隔隔離擴(kuò)散離擴(kuò)散 熱氧化熱氧化 基區(qū)光刻基區(qū)光刻 基區(qū)擴(kuò)散基區(qū)擴(kuò)散 再分布再分布及氧化及氧化 發(fā)射區(qū)光刻發(fā)射區(qū)光刻 （背面摻金）（背面摻金） 發(fā)射區(qū)擴(kuò)發(fā)射區(qū)擴(kuò)散散 再分布及氧化再分布及氧化 接觸孔光刻接觸孔光刻 鋁淀積鋁淀積 反反刻鋁刻鋁

17、 鋁合金鋁合金 淀積鈍化層淀積鈍化層 壓焊塊光刻壓焊塊光刻 中測(cè)中測(cè) 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2222二二. .半導(dǎo)體技術(shù)革命半導(dǎo)體技術(shù)革命電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2323 信息技術(shù)信息技術(shù)-半導(dǎo)體革命半導(dǎo)體革命 電子是電子是“電荷電荷”的載體，電子和空穴的輸運(yùn)研的載體，電子和空穴的輸運(yùn)研究引起究引起2020世紀(jì)電子學(xué)的一場(chǎng)革命世紀(jì)電子學(xué)的一場(chǎng)革命半導(dǎo)體晶體半導(dǎo)體晶體管產(chǎn)生！管產(chǎn)生！電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2424信息技術(shù)信息技術(shù)-晶體管革命晶體管革命

18、 電子同時(shí)是電子同時(shí)是“自旋自旋”的載體，自旋效應(yīng)的載體，自旋效應(yīng)和規(guī)律的發(fā)現(xiàn)能否引起新世紀(jì)的一場(chǎng)革和規(guī)律的發(fā)現(xiàn)能否引起新世紀(jì)的一場(chǎng)革命命產(chǎn)生自旋晶體管？產(chǎn)生自旋晶體管？ 答案是肯定的?？梢詮慕陔娮有畔㈩I(lǐng)答案是肯定的。可以從近期電子信息領(lǐng)域重大科學(xué)發(fā)現(xiàn)的三步曲予以證明域重大科學(xué)發(fā)現(xiàn)的三步曲予以證明：電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2525重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之一重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之一 計(jì)算機(jī)硬盤(pán)計(jì)算機(jī)硬盤(pán)自旋閥效應(yīng)自旋閥效應(yīng) 19881988年發(fā)現(xiàn)年發(fā)現(xiàn)GMRGMR效應(yīng)，效應(yīng)，IBMIBM的自旋閥硬盤(pán)磁頭于的自旋閥硬盤(pán)磁頭于19961996年上市，目前計(jì)算機(jī)硬盤(pán)

19、容量達(dá)年上市，目前計(jì)算機(jī)硬盤(pán)容量達(dá)100GBit100GBit電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2626 重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之二重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之二 MRAMMRAM芯片芯片自旋隧道效應(yīng)自旋隧道效應(yīng) 20002000年以來(lái)，世界頂級(jí)公司和科研機(jī)構(gòu)研發(fā)焦點(diǎn)是年以來(lái)，世界頂級(jí)公司和科研機(jī)構(gòu)研發(fā)焦點(diǎn)是自旋型自旋型MRAMMRAM存貯芯片，目前已有存貯芯片，目前已有10M Bit10M Bit數(shù)碼相機(jī)數(shù)碼相機(jī)用存貯芯片上市，用存貯芯片上市，20042004年年100MBit100MBit預(yù)計(jì)上市預(yù)計(jì)上市. .電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電

20、子科技大學(xué)2727 重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之三重大的科學(xué)發(fā)現(xiàn)之三 自旋晶體管自旋晶體管 自旋輸運(yùn)效應(yīng)自旋輸運(yùn)效應(yīng) 目前正在熱點(diǎn)研究，未來(lái)應(yīng)用最廣泛，科學(xué)性最強(qiáng)，產(chǎn)生目前正在熱點(diǎn)研究，未來(lái)應(yīng)用最廣泛，科學(xué)性最強(qiáng)，產(chǎn)生劃時(shí)代變革的頂尖研究主題；劃時(shí)代變革的頂尖研究主題； 將替代半導(dǎo)體晶體管，替代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，應(yīng)用于未來(lái)將替代半導(dǎo)體晶體管，替代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，應(yīng)用于未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)、邏輯單元等領(lǐng)域的量子計(jì)算機(jī)、邏輯單元等領(lǐng)域。 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2828-自旋晶體管的優(yōu)點(diǎn)自旋晶體管的優(yōu)點(diǎn)自旋晶體管內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力是基極的非平衡磁化，基極越薄，面積越小，晶體管

21、效應(yīng)越強(qiáng)-“納米結(jié)”的引入集成度高，自旋載流子濃度大，速度快，非易失性，電阻率低，功耗小，線性I-V特性，抗電磁干擾. .電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2929-自旋晶體管原理自旋晶體管原理eIPIBe1nMBenAdIEPPVeFss5 . 121電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3030-自旋晶體管模型自旋晶體管模型 “納米結(jié)納米結(jié)”物理模型物理模型納米結(jié)自旋晶體管納米結(jié)自旋晶體管 晶體管圖晶體管圖 納米結(jié)自旋晶體管納米結(jié)自旋晶體管電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3131

22、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3232 是一種先進(jìn)的混合電路封裝技術(shù)是一種先進(jìn)的混合電路封裝技術(shù)它是將四大無(wú)源器件，即變壓器（它是將四大無(wú)源器件，即變壓器（T T）、電容器（）、電容器（C C）、）、電感器（電感器（L L）、電阻器（）、電阻器（R R）集成，配置于多層布線基）集成，配置于多層布線基板中，與有源器件如：功率板中，與有源器件如：功率MOSMOS、晶體管、晶體管、ICIC電路模電路模塊等）共同集成為一完整的電路系統(tǒng)。塊等）共同集成為一完整的電路系統(tǒng)。有效地提高電路的封裝密度及系統(tǒng)的可靠性 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子

23、科技大學(xué)電子科技大學(xué)3333LTCCLTCC技術(shù)的概念及其分類技術(shù)的概念及其分類The character of Thick Film、LTCC、HTCC technology電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3434LTCCLTCC技術(shù)的概念及其分類技術(shù)的概念及其分類LTCCLTCC技術(shù)的研究技術(shù)的研究 設(shè) 計(jì) 技 術(shù) 生磁料帶技術(shù) 混合集成技術(shù) 混合集成混合集成生磁料帶制造生磁料帶制造電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3535LTCCLTCC技術(shù)的概念及其分類技術(shù)的概念及其分類Cross-section of LT

24、CC multilayer device showing the individual components that can be integratedIndividual components that can be integrated in LTCC電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3636LTCCLTCC技術(shù)的概念及其分類技術(shù)的概念及其分類LTCC INDUCTOR LTCC BANDPASS FILTER 3D LAYOUTLTCC INDUCTOR have been used電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科

25、技大學(xué)3737LTCCLTCC技術(shù)的概念及其分類技術(shù)的概念及其分類LTCC substrate with integrated passivesConstruction of typical LTCC mutilayer deviceConstruction of typical LTCC mutilayer device電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3838AOB在雙性復(fù)合磁電材料原子團(tuán)族設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了探在雙性復(fù)合磁電材料原子團(tuán)族設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了探索，發(fā)現(xiàn)索，發(fā)現(xiàn)ABOABO3 3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)與NiO-MnOFeONiO-MnOFeO復(fù)合可復(fù)

26、合可形成納米雙性（形成納米雙性（C,L)C,L)材料材料A.A.新理論新理論電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)3939106107108109024681012Permeability Frequency / Hz x=0.25 x=0.25 x=0.00 x=0.00 10610710810910203040506070Dielectric constant Frequency / Hz x=0.00 x=0.05 x=0.15 x=0.20 x=0.25B.新發(fā)現(xiàn)：新發(fā)現(xiàn)：不同不同母體母體的納米復(fù)合材料中，晶粒形狀不同，使材料性能的納米復(fù)合材料中，晶粒

27、形狀不同，使材料性能不同。不同。A5 SEMA5 SEM圖圖B5 SEMB5 SEM圖圖介電譜介電譜鐵磁譜鐵磁譜A-A-復(fù)合材料晶粒為片狀，復(fù)合材料晶粒為片狀，B-B-材料晶粒中有條形晶體。材料晶粒中有條形晶體。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4040 現(xiàn)象：介電常數(shù)介電常數(shù)隨復(fù)合量的增加而增大，隨復(fù)合量的增加而增大， 1MHz1MHz附近時(shí)，復(fù)合量為附近時(shí)，復(fù)合量為25wt25wt的的 比比0wt% 0wt% 大大6-76-7倍。倍。原因原因：鐵電材料與鐵磁材料復(fù)合時(shí)發(fā)生互替代化學(xué)反應(yīng)，材料中鈦礦相與尖晶石相鐵電材料與鐵磁材料復(fù)合時(shí)發(fā)生互替代化學(xué)反應(yīng)，

28、材料中鈦礦相與尖晶石相 共存，但共存，但Fe,Ni,ZnFe,Ni,Zn離子替代鈦礦相中離子替代鈦礦相中Ba,TiBa,Ti離子，相反離子，相反Ba,TiBa,Ti離子也參與替代離子也參與替代B.新發(fā)現(xiàn)新發(fā)現(xiàn)理論模擬理論模擬結(jié)果實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4141設(shè)計(jì)出網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)出網(wǎng)絡(luò)RJ-45EMIRJ-45EMI濾波器組建，可應(yīng)用于濾波器組建，可應(yīng)用于ADSL, ADSL, LANLAN和和VDSLVDSL service internet provider 雙絞線 電話交換 局 寬 帶 變 壓 器 高 通 濾 波 器 低 通 濾 波

29、器 C entral office m odem 寬 帶 變 壓 器 高 通 濾 波 器 低 通 濾 波 器 H om e m odem A D SL芯 片 A D SL芯 片 C. C. 設(shè)計(jì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)及應(yīng)用電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4242LTCCLTCC技術(shù)之國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀技術(shù)之國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀 僅以對(duì)低溫共燒片式電感器的需求為例 電子產(chǎn)品名稱電子產(chǎn)品名稱平均單機(jī)用量（只）平均單機(jī)用量（只）電子產(chǎn)品名稱電子產(chǎn)品名稱平均單機(jī)用量（只）平均單機(jī)用量（只）移動(dòng)電話手持機(jī)移動(dòng)電話手持機(jī)3030筆記本計(jì)算機(jī)筆記本計(jì)算機(jī)2424中文中文BPBP機(jī)機(jī)1010

30、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器8 8數(shù)字?jǐn)?shù)字BPBP機(jī)機(jī)1010軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器6 6錄像機(jī)錄像機(jī)2020程控交換機(jī)程控交換機(jī)2/2/線線傳真機(jī)傳真機(jī)4 4開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)電源4 4無(wú)繩電話無(wú)繩電話1212超薄超薄WALKMANWALKMAN8 8大屏幕彩電機(jī)芯大屏幕彩電機(jī)芯4 4便攜式便攜式CDCD唱機(jī)唱機(jī)7 7DVDDVD和和VCDVCD1212數(shù)字電視（機(jī)頂蓋）數(shù)字電視（機(jī)頂蓋）4040攝錄一體機(jī)攝錄一體機(jī)3535其他其他2020國(guó)內(nèi)需求情況國(guó)內(nèi)需求情況電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4343電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科

31、技大學(xué)44441 1. .傳統(tǒng)的磁光記錄傳統(tǒng)的磁光記錄： 理論極限為理論極限為100Gbit/in100Gbit/in2 2，而應(yīng)，而應(yīng) 用領(lǐng)域需求將超過(guò)用領(lǐng)域需求將超過(guò) 1000Gbit/ in1000Gbit/ in2 22.2.隨機(jī)固態(tài)存儲(chǔ)領(lǐng)域：隨機(jī)固態(tài)存儲(chǔ)領(lǐng)域： FRAM,MARMFRAM,MARM替代傳統(tǒng)的替代傳統(tǒng)的RAM,SRAM,DRAMRAM,SRAM,DRAM和和FLASHIFLASHI3.3.磁光，光電存儲(chǔ)領(lǐng)域：磁光，光電存儲(chǔ)領(lǐng)域： 納米點(diǎn)陣存儲(chǔ)代替連續(xù)的數(shù)字存儲(chǔ)納米點(diǎn)陣存儲(chǔ)代替連續(xù)的數(shù)字存儲(chǔ)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)45451

32、.信息存儲(chǔ)焦點(diǎn)問(wèn)題信息存儲(chǔ)焦點(diǎn)問(wèn)題 磁存儲(chǔ)記錄密度在不久的將來(lái)會(huì)達(dá)到由超順磁決定的理論極限（100Gbit/in2)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4646一一2.解決的方法（續(xù)）解決的方法（續(xù)） 解決方法之一就是采用光磁混合超高密度記錄技術(shù)(石榴石MO-GMR可達(dá)到728Gbit/ in2 )電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)4747一一3.目前的材料狀況（續(xù)）目前的材料狀況（續(xù)） 目前尚沒(méi)有合適的混合記錄最佳介質(zhì)，Areal Density -VS- Dynamic Coercivity0100200300400

33、50060070080057.51012.51517.520Dynamic Coercivity (kOe)Areal Density (Gbits/inch2)BA: 10 SNR: 23BA: 1 SNR: 23BA: 10 SNR: 16BA: 1 SNR: 16Longitudinal Head FieldsPerpendicular Head FieldsT.C Arnoldussen, M. Mirzamaani, M. Doerner, K. Tang, X. Bian, J. Feng and M. Gatherwright, “Correlation of thermal s

34、tability and signal-to-noise ratio of Thin film recording media”, IEEE Trans. Mag., Vol 36, pg 92 (2000)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)48484.對(duì)材料的要求（續(xù)）對(duì)材料的要求（續(xù)） Bi代石榴石（Bi,Cu:DyIG)磁光記錄介質(zhì)可能滿足混合記錄適合短波長(zhǎng)記錄-大的記錄密度氧化物，化學(xué)穩(wěn)定性好-可抗毀傷成本低,有大的飽和磁距Ms-便于GMR磁頭讀可利用雙層或多層結(jié)構(gòu)增強(qiáng)矯頑力信息碼穩(wěn)定激光調(diào)制寫(xiě)利用納米分子掩膜可形成2030nm電子科技大學(xué)電子科技

35、大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)49495.目前的技術(shù)考慮（續(xù)）目前的技術(shù)考慮（續(xù)） 將光磁混合介質(zhì)(Bi,Cu:DyIG)非連續(xù)化（patterned），可以進(jìn)一步提高記錄密度-700GBit/in2, 3.5英寸盤(pán)可達(dá) 7 TBit容量。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)505025.特色與創(chuàng)新工作特色與創(chuàng)新工作 研究用于光磁混合記錄的耦合型雙層（或多層）石榴石磁光納米球薄膜新材料； 在此研究基礎(chǔ)上，擬采用納米球光刻技術(shù)制備亞微米/納米級(jí)石榴石磁光記錄薄膜單元，系統(tǒng)研究氧化物型磁性單元的基本特性。 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大

36、學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5151 6.納米球掩膜研究電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5252第一步第一步 自旋自旋S-G方法鍍球膜方法鍍球膜 采用自旋鍍方法采用自旋鍍方法 應(yīng) 用 甲 醇 稀 釋 聚 本 已 稀 ，應(yīng) 用 甲 醇 稀 釋 聚 本 已 稀 ，10003000 rpm10003000 rpm， 繼續(xù)應(yīng)用去離子水，甲醇和表繼續(xù)應(yīng)用去離子水，甲醇和表面活化劑來(lái)稀釋聚本已稀，面活化劑來(lái)稀釋聚本已稀， 讓襯底斜讓襯底斜1010度蒸發(fā)度蒸發(fā) 應(yīng)用去離子水來(lái)稀釋溶液應(yīng)用去離子水來(lái)稀釋溶液 高壓噴灑自旋鍍來(lái)進(jìn)行鍍制高壓噴灑自旋鍍來(lái)進(jìn)行鍍制電子

37、科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5353第二步膜質(zhì)量的控制第二步膜質(zhì)量的控制 襯底表面必須應(yīng)用襯底表面必須應(yīng)用3 3：7 7的的H H2 2O :HO :H3 3SiOSiO4 4清洗清洗 為了形成均勻的納米球?yàn)榱诵纬删鶆虻募{米球掩摸，轉(zhuǎn)速必須調(diào)整掩摸，轉(zhuǎn)速必須調(diào)整 溶液的濃度必須調(diào)整到溶液的濃度必須調(diào)整到最佳位置最佳位置 稀釋的材料，稀釋的材料，PHPH值都要值都要調(diào)整調(diào)整電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5454第三步第三步 球孔的移動(dòng)形成球孔的移動(dòng)形成四羥基有機(jī)物熔解毛刺超聲5分鐘去離子水20秒第一步環(huán)型孔代替方型

38、孔收縮軟的球有利與孔形成電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5555第四步第四步 快速退火處理快速退火處理 快速退火處理在快速退火處理在200C200C 三角型收縮成環(huán)行三角型收縮成環(huán)行 退火在真空度退火在真空度1010-2-2 時(shí)間必須嚴(yán)格控制時(shí)間必須嚴(yán)格控制電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5656A.A.新理論：新理論：a.a. 建立了紫藍(lán)光域四能級(jí)量子躍遷模型，提建立了紫藍(lán)光域四能級(jí)量子躍遷模型，提出新一代磁光材料的法拉弟增強(qiáng)效應(yīng)理論，出新一代磁光材料的法拉弟增強(qiáng)效應(yīng)理論，尋找到最新紫藍(lán)光域材料及配方尋找到最新紫

39、藍(lán)光域材料及配方 BiBiy yDyDy3-y3-y- -FeFe5-x5-xAlAlx xO O1212，x=0.8-1.2x=0.8-1.2，y=1.0-1.96y=1.0-1.96 b.b. 提出層狀薄膜的疇動(dòng)力學(xué)理論模型，解決提出層狀薄膜的疇動(dòng)力學(xué)理論模型，解決了納米點(diǎn)陣存儲(chǔ)的信息疇穩(wěn)定難題了納米點(diǎn)陣存儲(chǔ)的信息疇穩(wěn)定難題c.c. 理論發(fā)現(xiàn)電磁脈沖對(duì)理論發(fā)現(xiàn)電磁脈沖對(duì)MODMOD的毀傷來(lái)源于反磁的毀傷來(lái)源于反磁化核形成化核形成-發(fā)現(xiàn)新材料發(fā)現(xiàn)新材料-“0”或或“1”位疇形成位疇形成-磁光盤(pán)的穩(wěn)定磁光盤(pán)的穩(wěn)定電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5757B

40、.新發(fā)現(xiàn)新發(fā)現(xiàn)- 紫紫- -藍(lán)光域的短波長(zhǎng)新材料藍(lán)光域的短波長(zhǎng)新材料電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5858B.新發(fā)現(xiàn)新發(fā)現(xiàn) MOMO信息記錄分疇信息記錄分疇 - -與尺度和性能參數(shù)的規(guī)律與尺度和性能參數(shù)的規(guī)律 單元信息位疇單元信息位疇“0”0”或或“1”1”形成條件：形成條件： 臨界尺度臨界尺度30nm, 30nm, 矯頑力大于矯頑力大于3000Oe3000Oe 理論模擬的結(jié)果 磁力顯微鏡動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)結(jié)果 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)5959B .新發(fā)現(xiàn)新發(fā)現(xiàn) MOD的毀傷機(jī)理的毀傷機(jī)理-電磁脈沖作用次數(shù)電磁脈沖

41、作用次數(shù)(b)5000個(gè)周期個(gè)周期(c) 10000個(gè)周期個(gè)周期 M(a)(a)初始態(tài)初始態(tài)100nm 實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果 理論模擬結(jié)果理論模擬結(jié)果反磁化核的形成是反磁化核的形成是MOD毀傷的主要原因毀傷的主要原因 ，反磁化核，反磁化核的形成是在的形成是在50005000次反復(fù)次反復(fù)脈沖作用后形成的脈沖作用后形成的電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6060 電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6161D DR RA AM MS SR RA AM MF Fl la as sh hM MR RA AM M非非易易失失性性無(wú)無(wú)有

42、有寫(xiě)寫(xiě) 時(shí)時(shí) 間間50 ns10 ns100 ns10-20 ns讀讀 時(shí)時(shí) 間間50 ns10 ns50 ns10-20 ns低低 電電 壓壓有限制是否是重重復(fù)復(fù)次次數(shù)數(shù)1015101510121015單單元元尺尺寸寸小大小小 MRAMMRAM不僅具有不僅具有SRAMSRAM存取速度快、工作電壓低，存取速度快、工作電壓低，DRAMDRAM重復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)多重復(fù)擦寫(xiě)次數(shù)多的優(yōu)點(diǎn)，而且具備的優(yōu)點(diǎn)，而且具備FLASHFLASH的非易失性，并且由于其自身結(jié)構(gòu)的抗電磁干擾、的非易失性，并且由于其自身結(jié)構(gòu)的抗電磁干擾、抗輻射、大容量存儲(chǔ)等優(yōu)勢(shì)，將在近期和未來(lái)軍事信息領(lǐng)域發(fā)揮重大的抗輻射、大容量存儲(chǔ)等優(yōu)勢(shì)，將

43、在近期和未來(lái)軍事信息領(lǐng)域發(fā)揮重大的作用。作用。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6262近期應(yīng)用情況及應(yīng)用前景分析近期應(yīng)用情況及應(yīng)用前景分析 應(yīng)用工程應(yīng)用工程具體系統(tǒng)具體系統(tǒng)提高性能情況提高性能情況國(guó)外軍事研制單位國(guó)外軍事研制單位“控制與探測(cè)”軍事移動(dòng)通信彈、星機(jī)載動(dòng)態(tài)隨存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)容量從256Kbit增加到4Mbit，VMRAM可 增 加 到 極 限 容 量400Gbit/in2美國(guó)Honeywell公司美國(guó)NVE公司美國(guó)海軍實(shí)驗(yàn)室航空航天單片控制固態(tài)存儲(chǔ)器替代flash替代SRAM替代DRAM存取時(shí)間從幾百納秒減到幾個(gè)納秒，容量可達(dá)到100Gbit/

44、in2美國(guó)莫托羅拉公司美國(guó)IBM公司比利時(shí)IMEC艦船及航母預(yù)警系統(tǒng)隨機(jī)固態(tài)存儲(chǔ)器信號(hào)處理系統(tǒng)固態(tài)存儲(chǔ)器導(dǎo)彈指令系統(tǒng)存儲(chǔ)器存取時(shí)間達(dá)到ns量級(jí)存取容量的單芯片達(dá)到4Mbit美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室日本防務(wù)廳韓國(guó)三星公司信息存儲(chǔ)分部衛(wèi)星通信并行數(shù)據(jù)處理隨機(jī)存儲(chǔ)器固態(tài)寄存移位器非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器容量提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)工藝簡(jiǎn)單可行日本防務(wù)廳（東北大學(xué)信息所）計(jì)算機(jī)系統(tǒng)固態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器固態(tài)移位寄存器容量大于4Mbit存取時(shí)間幾個(gè)納秒IBM公司匈牙利INESC電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6363MRAMMRAM單元的設(shè)計(jì)及制作工藝單元的設(shè)計(jì)及制作工藝: :Cu字線電流感線電

45、流NiFeNiFe位線傳感電流（讀模式）字線AlOxPSV PSV 單元單元MTJMTJ單元單元 通過(guò)深亞微米光刻技術(shù)、多掩膜工藝、等離子蝕刻，通過(guò)深亞微米光刻技術(shù)、多掩膜工藝、等離子蝕刻，制備制備PSVPSV和和MTJMTJ材料單元。并研究單元熱穩(wěn)定性、單元材料單元。并研究單元熱穩(wěn)定性、單元一致性、單元電阻率與偏壓等關(guān)系。一致性、單元電阻率與偏壓等關(guān)系。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6464芯片結(jié)構(gòu)芯片結(jié)構(gòu) 利用利用CMOSCMOS工藝，采用多掩膜、多次光刻工藝、實(shí)工藝，采用多掩膜、多次光刻工藝、實(shí)現(xiàn)輔助電路、字線、感線、位線的制作，采用高真空現(xiàn)輔助

46、電路、字線、感線、位線的制作，采用高真空濺射沉積工藝實(shí)現(xiàn)磁性層單元的制作，并利用半導(dǎo)體濺射沉積工藝實(shí)現(xiàn)磁性層單元的制作，并利用半導(dǎo)體的絕緣膜層工藝實(shí)現(xiàn)絕緣，最終完成的絕緣膜層工藝實(shí)現(xiàn)絕緣，最終完成MRAMMRAM芯片的制作芯片的制作。 MRAMMRAM材料芯片設(shè)計(jì)及制作材料芯片設(shè)計(jì)及制作電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6565電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6666電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6767電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)

47、68685.理論模型建立研究理論模型建立研究C-BC-B方法方法C-B理論的Sandwich模型（虛線是一個(gè)假想界面） -b -a 0 a bzEADBCZxyE電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)6969GMR理論模型建立理論模型建立微磁學(xué)模型微磁學(xué)模型1電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7070Micro-magnetic model for GMR elementGMR理論模型建立理論模型建立微磁學(xué)模型微磁學(xué)模型2電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7171五五. .納米晶芯材與

48、納米晶芯材與 集成薄膜器件集成薄膜器件電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7272BB新發(fā)現(xiàn)新發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)納米芯材料的臨界阻抗效應(yīng)為發(fā)現(xiàn)納米芯材料的臨界阻抗效應(yīng)為10nm10nm，可從理論上設(shè)計(jì)出芯片料材的頻域?？蓮睦碚撋显O(shè)計(jì)出芯片料材的頻域。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7373感抗耦合理論，國(guó)際上已設(shè)計(jì)和研究感抗耦合理論，國(guó)際上已設(shè)計(jì)和研究出出SiSi上集成薄膜變壓器和電感器系列上集成薄膜變壓器和電感器系列 CC設(shè)計(jì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)及應(yīng)用電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7474人工神

49、經(jīng)元模型人工神經(jīng)元模型njijijixwI1)(iiIfO iIieO11Sigmoid函數(shù)作為激發(fā)函數(shù)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7575三層人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖三層人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖X1、X2、X3為輸入?yún)?shù)，Y1、Y2為輸出參數(shù) 為權(quán)值ijW電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7676給定W(1)、H1得整體誤差)()1(WE得梯度向量)()1(WE 確定)(k修正權(quán)值，得)1( kW得 ，達(dá)到精度？)()1( kWE得)()1( kWE停止YN反向傳播反向傳播正向傳播正向傳播計(jì)算 ，k=k+11kHK=1具體

50、算法流程圖電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7777BP算法基本思想算法基本思想 （1 1）先輸入）先輸入P P個(gè)個(gè)n n維的學(xué)習(xí)樣本維的學(xué)習(xí)樣本x x1 1,x,x2 2,x,xP P和和教師值教師值t t1 1,t,t2 2,，t tP P（2 2）根據(jù)網(wǎng)絡(luò)輸出）根據(jù)網(wǎng)絡(luò)輸出y y1 1,y,y2 2,y,yP P 與教師值與教師值t t1 1,t,t2 2,t,tP P的誤差，修改連接權(quán)值和閾值，的誤差，修改連接權(quán)值和閾值，使誤差變小。使誤差變小。電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7878I I型薄膜變壓器的簡(jiǎn)化

51、理論模型型薄膜變壓器的簡(jiǎn)化理論模型 磁路不閉合磁路不閉合 磁路閉合磁路閉合)1(1 /20sdmmmsNlNwtL2) 12(lnkkNdmmmtwlk2)2/(20mmmslNwtL電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)7979四陣列四陣列I型薄膜變壓器型薄膜變壓器結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)8080制作試樣的形貌圖制作試樣的形貌圖電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)8181薄膜變壓器制作工藝流程薄膜變壓器制作工藝流程基 片 清 洗 裝 架鍍 下 電 極鍍 絕 緣 層

52、鍍 磁 芯 層鍍 絕 緣 層鍍 上 電 極電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)8282磁芯對(duì)變壓器性能的影響磁芯對(duì)變壓器性能的影響 1)1)磁芯的薄膜變壓器磁芯的薄膜變壓器初次級(jí)電感均大于初次級(jí)電感均大于空心薄膜變壓器空心薄膜變壓器2)2)Q Q值大值大, Q, Q值隨頻率值隨頻率升高而增大升高而增大3 3）R R、 Z Z值變大值變大 0 .0 10 .111 05 01 0 01 5 02 0 02 5 03 0 03 5 04 0 04 5 05 0 0 C o lu m n a r F ilm T ra n s fo rm e r n1:n2= 3 :3 1# tm= 0 .2 u m 2# tm= 0Primary Inductor(nH)F re q u e n c y (M H z )0 .0 10 .111 05 01 0 01 5 02 0 02 5 03 0 03 5 04 0 0 C o lu m n a r F ilm T ra n s fo rm e r n1:n2= 3 :3 1#tm= 0 .2 u m 2#tm= 0Secondary Inductor(