硅片行業(yè)術語大全中英文對照AH

1、硅片行業(yè)術語大全(中英文對照 A-H)align=centersize=5color=redb硅片行業(yè)術語大全(中英文對照 A-H)/b/color/size/alignAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主 -  一種用來在

2、半導體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導體元素少一價電子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.套準精度 - 在光刻工藝中轉移圖形的精度。Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向異性 - 在蝕刻過程中，只做少量或不做側向凹刻。Area Contamination - Any foreign particles or m

3、aterial that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污區(qū)域 - 任何在晶圓片表面的外來粒子或物質。由沾污、手印和水滴產生的污染。Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the elli

4、pse.橢圓方位角 - 測量入射面和主晶軸之間的角度。Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use back surface.)背面 - 晶圓片的底部表面。（注：不推薦該術語，建議使用“背部表面”）Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top

5、of the wafer.底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎。Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.雙極晶體管 - 能夠采用空穴和電子傳導電荷的晶體管。Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer.綁定晶圓片 - 兩個晶圓片通過二氧化硅層結合到一起，作

6、為絕緣層。Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.綁定面 - 兩個晶圓片結合的接觸區(qū)。Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.埋層 - 為了電路電流流動而形成的低電阻路徑，攙雜劑是銻和砷。Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates betwe

7、en the two wafers.氧化埋層(BOX) - 在兩個晶圓片間的絕緣層。Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.載流子 - 晶圓片中用來傳導電流的空穴或電子。Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemic

8、al removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.化學-機械拋光(CMP) - 平整和拋光晶圓片的工藝，采用化學移除和機械拋光兩種方式。此工藝在前道工藝中使用。Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.卡盤痕跡 - 在晶圓片任意表面發(fā)現(xiàn)的由機械手、卡盤或托盤造成的痕跡。Cleavage Plane - A

9、 fracture plane that is preferred.解理面 - 破裂面Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length.裂紋 - 長度大于0.25毫米的晶圓片表面微痕。Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.微坑 - 在擴散照明下可見的，晶圓片表面可區(qū)分的缺陷。Conductivity (el

10、ectrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.傳導性（電學方面） - 一種關于載流子通過物質難易度的測量指標 。Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”.導電類型 - 晶圓片中載流子的類型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒 （參見光點缺陷）Cont

11、amination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer.沾污區(qū)域 - 部分晶圓片區(qū)域被顆粒沾污，造成不利特性影響。Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer.沾污顆粒 - 晶圓片表面上的顆粒。Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies

12、and dislocations that can have an impact on a circuits electrical performance.晶體缺陷 - 部分晶體包含的、會影響電路性能的空隙和層錯。Crystal Indices (see Miller indices)晶體指數(shù) （參見米勒指數(shù)）Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.耗盡層 - 晶圓片上的電場區(qū)域，此區(qū)域排除載流子。Dimple - A conc

13、ave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions.表面起伏 - 在合適的光線下通過肉眼可以發(fā)現(xiàn)的晶圓片表面凹陷。Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.施主 - 可提供“自由”電子的攙雜物，使晶圓片呈現(xiàn)為N型。Dopant - An element that contributes

14、 an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.攙雜劑 - 可以為傳導過程提供電子或空穴的元素，此元素可以改變傳導特性。晶圓片攙雜 劑可以在元素周期表的III 和 V族元素中發(fā)現(xiàn)。Doping - The process of the donation of an electron or ho

15、le to the conduction process by a dopant.摻雜 - 把攙雜劑摻入半導體，通常通過擴散或離子注入工藝實現(xiàn)。Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.芯片邊緣和縮進 - 晶片中不完整的邊緣部分超過0.25毫米。Edge Exclusion Area - The area located between the fixed quality area and the periphery of a wafer. (This varies according to

16、 the dimensions of the wafer.)邊緣排除區(qū)域 - 位于質量保證區(qū)和晶圓片外圍之間的區(qū)域。（根據(jù)晶圓片的尺寸不同而有所不同。）Edge Exclusion, Nominal (EE) - The distance between the fixed quality area and the periphery of a wafer.名義上邊緣排除(EE) - 質量保證區(qū)和晶圓片外圍之間的距離。Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically or

17、mechanically.邊緣輪廓 - 通過化學或機械方法連接起來的兩個晶圓片邊緣。Etch - A process of chemical reactions or physical removal to rid the wafer of excess materials.蝕刻 - 通過化學反應或物理方法去除晶圓片的多余物質。Fixed Quality Area (FQA) - The area that is most central on a wafer surface.質量保證區(qū)(FQA) - 晶圓片表面中央的大部分。Flat - A section of the perimeter

18、of a wafer that has been removed for wafer orientation purposes.平邊 - 晶圓片圓周上的一個小平面，作為晶向定位的依據(jù)。Flat Diameter - The measurement from the center of the flat through the center of the wafer to the opposite edge of the wafer. (Perpendicular to the flat)平口直徑 - 由小平面的中心通過晶圓片中心到對面邊緣的直線距離。Four-Point Probe - Tes

19、t equipment used to test resistivity of wafers.四探針 - 測量半導體晶片表面電阻的設備。Furnace and Thermal Processes - Equipment with a temperature gauge used for processing wafers. A constant temperature is required for the process.爐管和熱處理 - 溫度測量的工藝設備，具有恒定的處理溫度。Front Side - The top side of a silicon wafer. (This term

20、is not preferred; use front surface instead.)正面 - 晶圓片的頂部表面（此術語不推薦，建議使用“前部表面”）。Goniometer - An instrument used in measuring angles.角度計 - 用來測量角度的設備。Gradient, Resistivity (not preferred; see resistivity variation)電阻梯度 （不推薦使用，參見“電阻變化”）Groove - A scratch that was not completely polished out.凹槽 - 沒有被完全清除的

21、擦傷。Hand Scribe Mark - A marking that is hand scratched onto the back surface of a wafer for identification purposes.手工印記 - 為區(qū)分不同的晶圓片而手工在背面做出的標記。Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer.霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。Hole - Similar to a positive

22、 charge, this is caused by the absence of a valence electron.空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價電子引起的。1 主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了太陽能熱利用中一部分關于天文與輻射的術語。 本標準適用于太陽能熱利用中對太陽輻射的研究與測量。 2 引用標準GB 3102.6光及有關電磁輻射的量和單位 GB 4270熱工圖形符號與文字代號 3 天文3.1 天球celestial sphere 為研究天體的位置和運動而輔設的一個半徑為無限長的假想球體。其中心按需要可設在觀測點、地心、日心或銀心等。天體的位置即指沿天球中心至該天體方向在球面上的投

23、影。 3.2 天軸celestial axis 天球的自轉軸。它通過天球中心并平行于地球自轉軸。 3.3 天極celestial pole 天軸與天球相交的兩個交點的統(tǒng)稱。 3.4 北天極celestial north pole 北半天球上的天極。 3.5 南天極celestial south pole 南半天球上的天極。 3.6 天頂zenith 觀測點鉛垂線向上延長與天球相交的交點。 3.7 天底nadir 觀測點鉛垂線向下延長與天球相交的交點。 3.8 天赤道celestial equator 通過天球中心并垂直于天軸的平面與天球相交的大圓。 3.9 天球子午圈celestial mer

24、idian 天球上通過天頂和天極的大圓。 同義詞天球子午線 3.10 時圈hour circle 天球上通過兩天極的任一大圓。 同義詞赤經圈right ascension circle 3.11 地平面horizontal plane 地球表面觀測點以鉛垂線為法線的切平面。 3.12 地平圈horizontal circle 通過天球中心并垂直于天頂-天底連線的平面與天球相交的大圓。 同義詞地平線horizon 3.13 地平經圈vertical circle 天球上通過天頂和天底的任一大圓。 3.14 角距離angular distance 天球大圓上任意兩點所對應的圓心角。 3.15 天球

25、坐標系celestial coordinate system 為確定天體在天球上的投影位置和運動而引入的球面坐標系。根據(jù)所選擇的基本圓和輔助圓以及原點的不同，可區(qū)分為不同的天球坐標系。 注：天文測量中提到的“天體”或“太陽”均指其在天球上的投影。 3.16 地平坐標系horizontal coordinate system 以高度角和方位角為坐標所組成的天球坐標系。 3.17 高度角altitude 從地平圈沿某天體所在地平經圈量至該天體的角距離。以地平圈為零，向上為正，向下為負。單位為度（°）。 同義詞 地平緯度 3.18 太陽高度角（h）solar altitude 日面中心的高

26、度角，即從觀測點地平線沿太陽所在地平線圈量至日面中心的角距離。 3.19 方位角azimuth 從天球子午圈沿地平圈量至某天體所在地平線圈的角距離。以南點為零點，向西為正，向東為負。單位為度（°）。 同義詞地平經度 3.20 太陽方位角（）solar azimuth 日面中心的方位角，即從觀測點天球子午圈沿地平圈量至太陽所在地平經圈的角距離。 3.21 天頂距zenith distance 從觀測點天頂沿某天體所在地平線圈量至該天體的角距離。以觀測點天頂為零點，單位為度（°）。 該角度與高度角互補。 同義詞天頂角zenith angle 3.22 赤道坐標系equatori

27、al coordinate system 以赤緯和赤經（或時角）為坐標所組成的天球坐標系。 3.23 赤緯declination 赤道坐標系中，天赤道與某天體沿所在時圈量度的角距離。以天赤道為零，向北為正，向南為負。 單位為度（°）。 3.24 太陽赤緯（）solar declination 日面中心的赤緯，即從天赤道沿太陽所在時圈量至日面中心的角距離。春（秋）分時為0°，一年之內在±23°27之間變化。 3.25 時角hour angle 從天球子午圈沿天赤道量至某天體所在時圈的角距離。以天球子午圈為零，向西為正向東為負。 單位既可為時（h），也可為度

28、（°）。時間與角度的換算關系為： 1h=15° 時間與角度的換算關系為每小時相當于15°。 3.26 太陽時角（）solar hour angle 日面中心的時角，即從觀測點天球子午圈沿天赤道量至太陽所在時圈的角距離。 3.27 太陽行程圖sun-path diagram 以高度角和方位角為坐標表示某地點不同日期從日出至日沒太陽運行軌跡的一種圖示。 3.28 近日點perihelion 地球在公轉軌道上距太陽最近的一點，約為1.47×108km。時值元月初。 3.29 遠日點aphelion 地球在公轉軌道上距太陽最遠的一點，約為1.52×10

29、8km。時值七月初。 3.30 日地平均距離mean Earth-Sun distance 地球在公轉軌道上距太陽距離的周年平均值，約為1.496×108km。 同義詞 天文單位astronomical unit 3.31 日面solar disk；suns disk 在地表觀測到的太陽光亮圓形外觀，平均視角直徑為3159.3。 3.32 日出sunrise 太陽上升時，日面上邊緣與地平圈相切的時刻。 3.33 日沒sunset 太陽下落時，日面上邊緣與地平圈相切的時刻。 3.34 中天culmination 天體經過觀測點天球子午圈的統(tǒng)稱。 3.35 上中天upper culmin

30、ation 天體距天頂較近的一次中天。 3.36 下中天lower culmination 天體距天底較近的一次中天。 3.37 太陽正午solar noon 日面中心上中天的時刻。 同義詞 視正午 3.38 真太陽日apparent solar day 日面中心連續(xù)兩次上中天所經歷的時間。 同義詞 視太陽日 3.39 真太陽時apparent solar time 由日面中心的時角量度的計時系統(tǒng)。 同義詞 視太陽時 3.40 平太陽mean sun 以太陽周年運行的平均速度沿天赤道作等速運動的假想天體。 3.41 平正午mean noon 平太陽上中天的時刻。 3.42 平太陽日mean s

31、olar day 平太陽連續(xù)兩次下中天所經歷的時間。 3.43 平太陽時mean solar time 由平太陽的時角量度的計時系統(tǒng)。以平正午減12h為零時。 3.44 時差equation of time 真太陽時與平太陽時之差。 3.45 時區(qū)time zone 自本初子午線起，將地球上每隔15°的24條經線作為其東西兩側各7.5 ° 經度范圍內的中央子午線所形成的24個區(qū)域。東、西兩半球各12個時區(qū)，每相鄰時區(qū)時間相差1h。 注：時區(qū)劃分中實際上還參考了行政區(qū)域的界限。 3.46 區(qū)時zone time 一時區(qū)內中央子午線的平太陽時。 注：我國通用的北京時系東八時區(qū)中

32、央子午線（東經120°）的平太陽時。 3.47 世界時（UT）universal time 本初子午線的平太陽時。即零時區(qū)的區(qū)時。 注：世界時與北京時相差8h。 同義詞 格林尼治平時（GMT）Greenwich mean time 4 輻射4.1 輻射radiation 能量以電磁波或粒子形式的發(fā)射或傳播。 注：在“輻射”一詞之前冠以各種說明詞時，除具有上述定義之外，在某些學科領域習慣上還具有輻射量（輻照度或輻照量）的含義。 4.2 輻射能（Q）radiant energy 以輻射形式發(fā)射、傳播或接收的能量。單位為焦耳（J）。 4.3 輻射能通量（）radiant flux 以輻射形

33、式發(fā)射、傳播或接收的功率。單位為瓦（特）（W）。 同義詞 輻射功率radiant power 4.4 輻射強度（I）radiant intensity 在給定方向上的立體角元內，離開點輻射源（或輻射源面元）的輻射功率除以該立體角元。單位為瓦特每球面度（W/sr）。 4.5 輻射亮度（L）radiance 表面一點處的面元在給定方向上的輻射強度，除以該面元在垂直于給定方向的平面上的正投影面積。單位為瓦特每球面度平方米W/（sr· m2） 。 同義詞 輻射度 4.6 輻射出射度（M）radiant exitance 離開表面一點處的面元的輻射能通量，除以該面元面積。單位為瓦特每平方米（W

34、/m2）。 4.7 輻射照度（E）irradiance 照射到表面一點處的面元上的輻射能通量除以該面元的面積。單位為瓦特每平方米（W/m2）。 4.8 平均輻照度（）average irradiance （1）給定時段內的輻照量與該時段持續(xù)時間之商；（2）給定時段內的若干次輻照度測定值與測定次數(shù)之商。 4.9 光譜輻照度（E）spectral irradiance 在無窮小波長范圍內的輻照度除以該波長范圍。單位為瓦特每立方米（W/m3）。 4.10 輻照量（H）irradiation 輻照度對時間的積分。單位為焦耳每平方米（J/m2）。 同義詞 曝輻量radiant exposure 4.11

35、 等輻照量線isorad 地圖上連接給定時段（如日、月、年）內輻照量相同各點的曲線。 同義詞 等拉德線 4.12 全輻射體full radiator；full emitter 對所有入射輻射不論其波長、 入射方向或偏振情況如何能全部吸收的熱輻射體。在給定溫度下，這種輻射體對所有波長具有最大的輻出度。 同義詞 （黑體blackbody） 4.13 太陽sun 太陽系的中心天體?？梢暺錇?777K的全輻射體。它是地球上光和熱的源泉。 注：5777K系按太陽常數(shù)取1367W/m2推定。 4.14 太陽能solar energy 從太陽發(fā)射、傳播或接收的輻射能。 4.15 太陽輻射solar radi

36、ation 太陽能以電磁波或粒子形式的發(fā)射或傳播。 其能量主要集中在短波輻射范圍內。 同義詞 日射 4.16 地外日射extraterrestrial solar radiation 地球大氣層外的太陽輻射。 同義詞 地外太陽輻射 4.17 地外日射輻照度extraterrestrial solar irradiance 太陽輻射在大氣層外給定平面上形成的輻照度。 4.18 太陽常數(shù)（Esc）solar constant 地球位于日地平均距離處，在大氣層外垂直于太陽輻射束平面上形成的太陽輻照度。 注：太陽常數(shù)并非嚴格的物理常數(shù)，現(xiàn)代測量值為1367±7W/m2。 4.19 太陽光譜s

37、olar spectrum 太陽輻射分解為單色成分后，按波長或頻率順序作出的分布。波長由短至長的順序依次為：宇宙射線、射線、x射線、紫外輻射、可見輻射、紅外輻射和射電輻射等。 4.20 紫外輻射ultraviolet radiation 波長長于1nm、短于可見輻射的電磁輻射。 4.21 可見輻射visible radiation 能引起人類視覺的電磁輻射。其波長范圍的短波限介于0.380.4m，長波限介于0.760.78m。 同義詞 光light。 4.22 紅外輻射infrared radiation 波長長于可見輻射、短于1mm的電磁輻射。 4.23 短波輻射shortwave radi

38、ation 波長短于3m的電磁輻射。 4.24 長波輻射longwave radiation 波長長于3m的電磁輻射。 4.25 直接日射direct solar radiation；beam solar radiation 從日面及其周圍一小立體角內發(fā)出的太陽輻射。 同義詞 直射日射；太陽直接輻射 4.26 直接日射輻照度（Es）direct solar irradiance；beam solar irradiance 直接日射在給定平面上形成的輻照度。 4.27 法向直接日射輻照度 （En）normal direct solar irradiance 直接日射在與射束相垂直的平面上形成的輻

39、照度。 4.28 散射日射diffuse solar radiation；scattering solar radiation 被大氣分子及微粒散射和地面與大氣之間反射的太陽輻射。 同義詞 漫射日射；（天空輻射 sky radiation） 4.29 散射日射輻照度 （Ed）diffuse solar irradiance ；scattering solar irradiance 2Sr立體角內的散射日射在水平面上形成的輻照度。 注：當水平面還接受直接日射輻照時，應用遮陰板遮去直接日射后進行測量。 4.30 環(huán)日輻射circumsolar radiation 與日面相鄰的環(huán)形天空的散射日射。

40、4.31 反射日射reflected solar radiation 水平面從下方接收到的半球向日射，即被地表及近地表空氣反射的太陽輻射。 4.32 反射日射輻照度（Er）reflected solar irradiance 反射日射在水平面下表面形成的輻照度。 4.33 半球向日射hemispherical solar radiation 給定平面從2Sr立體角內所能接收到的（包括直射、散射和反射）太陽輻射。 同義詞 半球向太陽輻射 4.34 半球向日射輻照度（Eh）hemispherical solar irradiance 半球向日射在給定平面上形成的輻照度。 4.35 總日射 glob

41、al solar radiation 水平面從上方接收到的半球向日射。 同義詞太陽總輻射 4.36 總日射輻照度（Eg）global solar irradiance 總日射在水平面上形成的輻照度。 同義詞 太陽總輻照度 4.37 地球輻射terrestrial radiation 地球（包括大氣）發(fā)射的電磁輻射。其能量主要集中在長波輻射范圍內。 4.38 地球輻射輻照度terrestrial irradiance 給定平面上由2Sr立體角內的地球輻射形成的輻照度。 4.39 大氣輻射atmospheric radiation 大氣分子及微粒發(fā)射的電磁輻射。其能量主要集中在長波輻射范圍內。 4

42、.40 大氣輻射輻照度atmospheric irradiance 給定平面上由2Sr立體角內的大氣輻射形成的輻照度。 4.41 全輻射total radiation 全部波長的輻射，即太陽輻射與地球輻射。 4.42 全輻射輻照度total irradiance （1）給定平面上由2Sr立體角內的全輻射形成的輻照度； （2）光譜輻照度沿全部波長的積分。 4.43 凈輻射輻照度（E*）net irradiance 水平面上下兩表面的輻照度之差。 4.44 凈短波輻照度net shortwave irradiance 水平面上下兩表面的短波輻照度之差。即總輻照度與反射輻照度之差。 4.45 凈長波

43、輻照度net longwave irradiance 水平面上下兩表面的長波輻照度之差。即大氣輻照度與地球輻照度之差。 4.46 凈全輻射輻照度net total irradiance 水平面上下兩表面的全輻射輻照度之差。 同義詞 （輻射平衡radiation balance）；（輻射差額radiation balance ） 4.47 日照sunshine 可使地物投射出清晰陰影的直接日射。 以直射輻照度大于等于 120 ± 24W/m2為閾值。 4.48 日照時數(shù)sunshine duration 地表給定地區(qū)每天實際接收日照的時間。 以日照記錄儀記錄的結果累計計算。單位為小時（

44、h）。 同義詞（實照時數(shù)） 4.49 可照時數(shù)duration of possible sunshine （1）地表給定地區(qū)每天可能接收日照的時間。以日出至日沒的全部時間計算。它完全由該地區(qū)的緯度和日期決定。單位為小時（h）。 （2）地表給定地區(qū)每天實際可能接收日照的時間。以日出后至日沒前直射輻照度達到或超過120±24W/m2的最長時間計算。單位為小時（h）。 4.50 日照百分率percentage of sunshine 日照時數(shù)占可照時數(shù)的百分比。 4.51 等日照線isohel 地圖上連接給定時段（如日、月、年）內日照時數(shù)相同各點的曲線。 4.52 輻射表radiomete

45、r 測量輻射輻照度的各類儀表。 4.53 變阻測輻射熱表bolometer 以傳感器加熱后電阻值的變化判定輻照度的輻射表。 4.54 絕對輻射表absolute radiometer 具有自校準功能的輻射表。 4.55 相對輻射表relative radiometer 需要定期同標準輻射表校準以確定其靈敏度的輻射表。 4.56 直接日射表pyrheliometer 測量給定平面上法向直射輻照度的輻射表。 這類儀表具有限定其視場角的準直筒。 同義詞 直接輻射表 4.57 直接日射表視場角（Z1）field of view angle（ of a pyrheliomter） 直接日射表圓形孔徑直徑

46、對接收器表面中心的張角。計算公式如下： Z1=2×（arctgR/d）（1） 式中R為圓形孔徑半徑；d為圓形孔徑中心至接收器表面中心的距離。 同義詞 開敞角opening angle 4.58 腔體式絕對輻射表absolute cavity radiometer 具有空腔式接收器的絕對直接日射表。 它具有高穩(wěn)定性高準確度的自校準功能，是實現(xiàn)太陽輻照度標尺的輻射表。 同義詞 自校準絕對直接日射表absolute（ self- calibrating ）pyrheliometer 4.59 補償式直接日射表compensated pyrheliometer 以兩個相同錳銅片被日射和電流（

47、焦耳效應） 分別加熱相互補償為依據(jù)進行測量的直接日射表。 同義詞 埃斯屈朗直接日射表Ångstrom pyrheliometer 4.60 總日射表pyranometer 測量2Sr立體角內短波輻照度的輻射表。 注：根據(jù)總日射表安放狀態(tài)不同，可分別測量總日射、半球向日射、反射日射或借助遮陰板測量散射日射等的輻照度。 同義詞總輻射表；（天空輻射表） 4.61 分光總日射表spectral pyranometer 借助不同牌號的有色光學（硒鎘）玻璃半球罩，測量給定平面上該種玻璃透射的波長范圍內輻照度的總日射表。 4.62 反射比表reflectometer 測量水平面反射比的輻射表。由兩

48、臺相背放置的總日射表構成。 同義詞 反射系數(shù)表；反照率表albedometer 4.63 地球輻射表pyrgeometer 測量2Sr立體角內的長波輻照度的輻射表。其光譜響應范圍為350m。 注：根據(jù)地球輻射表安放狀態(tài)不同，可分別測量地球輻照度或大氣輻照度。 同義詞 （大氣輻射表） 4.64 全輻射表pyrradiometer 測量2Sr立體角內的全輻射輻照度的輻射表。 4.65 凈總日射表net pyranometer 測量水平面兩側的凈短波輻照度的輻射表。 由兩臺水平相背放置的總日 射表構成。 同義詞 凈短波輻射表 4.66 凈地球輻射表net pyrgeometer 測量水平面兩側的凈長

49、波輻照度的輻射表。 由兩臺水平相背放置的地球輻射表構成。 同義詞 凈長波輻射表 4.67 凈全輻射表net pyrradiometer 測量水平面兩側的凈全輻射輻照度的輻射表。 同義詞（輻射平衡表radiation balance meter） 4.68 世界輻射測量基準（WRR） World Radiometric Reference 國際單位制體系內太陽輻照度的測量基準。其不確定度小于±0.3 。 注：WRR已被世界氣象組織采用，并于1980年7月1日起生效。原1956年國際直接日射測量標尺（IPS1956）同時廢止。WRR等于IPS乘以1.022。 4.69 標準輻射表refe

50、rence radiometer 在校準過程中作為標準的輻射表。 這類儀表除包括基準或副基準輻射表外，還可從一級輻射表中精選出來。 4.70 工作輻射表field radiometer 具有防止天氣條件影響的功能并適用于在室外長期工作的輻射表。這類儀表主要包括一級與二級輻射表。 4.71 基準直接日射表primary standard pyrheliometer 一年內精密度變化不超過±0.1的標準直接日射表。這類儀表是從各類腔體式絕對輻射表中精選出來的準確度最高的極少數(shù)輻射表。由它們構成的世界基準組用于保持和實現(xiàn)世界輻射測量基準。 4.72 副基準直接日射表secondary st

51、andard pyrheliometer 一年內精密度變化不超過±0.5的標準直接日射表。這類儀表需要定期同基準直接日射表校準。它們包括各類腔體式和補償式直接日射表。 4.73 一級直接日射表first class pyrheliometer 一年內精密度變化不超過±1的直接日射表。 4.74 二級直接日射表 second class pyrheliometer 一年內精密度變化不超過±2的直接日射表。 4.75 副基準總日射表secondary standard pyranometer 一年內精密度變化不超過±2的標準總日射表。這類儀表可從各種一級總日

52、射表中精選出來。 4.76 一級總日射表first class pyranometer 一年內精密度變化不超過±5的總日射表。 4.77 二級總日射表second class pyranometer 一年內精密度變化不超過±10的總日射表。 4.78 副基準全輻射表secondary standard pyrradiometer 一年內精密度變化不超過±3的標準全輻射表。這類儀表可從各種一級全輻射表中精選出來。 4.79 一級全輻射表first class pyrradiometer 一年內精密度變化不超過±7的全輻射表。 4.80 二級全輻射表seco

53、nd class pyrradiometer 一年內精密度變化不超過±15的全輻射表。 4.81 日照記錄儀sunshine recorder 自動記錄直射輻照度大于等于120±24W/m2的時數(shù)的儀表。 同義詞日照計 4.82 太陽跟蹤器solar tracker 使直接日射表或太陽能利用裝置的接收面始終保持與太陽輻射束相垂直的手動或自動旋轉裝置。 4.83 赤道式裝置equatorial mounting 可調節(jié)赤緯并按周日運動方向和速度驅動極軸旋轉的太陽跟蹤器。 4.84 地平式裝置azimuth mounting 可同時驅動水平軸和垂直軸旋轉的太陽跟蹤器。 4.85

54、 遮陰板sun shading disk；shade disk 利用按一定尺寸和比例制造的長桿及固定于其一端的圓片遮擋總日射表傳感器上直接日射，以測量散射輻照度的附件。 4.86 遮陰環(huán)shade ring 利用按一定寬度和半徑比例制造的環(huán)帶在總日射表傳感器上連續(xù)遮擋直接日射，以自動記錄散射輻照量的裝置。該環(huán)帶隨太陽赤緯的變化可沿與地軸平行的導軌移動。測量中，總日射表置于環(huán)帶圓心附近。 4.87 太陽模擬器solar（irradiance）simulator 一種模擬太陽光譜的人工輻射源。其輻照度可調，并可達太陽常數(shù)的一倍以上。 4.88 大氣atmosphere 環(huán)繞地球的氣體及其他懸浮微粒

55、的包層。 4.89 理想大氣ideal atmosphere 不含固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)雜質，成分與一般空氣無異的大氣。 同義詞 干潔大氣clean dry air 4.90 大氣質量（m）air mass 太陽在任何位置與在天頂時，日射通過大氣到達觀測點的路徑之比。為比較不同海拔地點的m值，需引入絕對大氣質量（AM）的概念。即： AM=m（P/P0）（2） 式中P為當?shù)卮髿鈮?；P0為標準大氣壓。 同義詞大氣光學質量optical air mass 4.91 大氣渾濁度atmospheric turbidity 表征太陽輻射受到大氣中固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)雜質（除云外）的吸收與散射后在大氣中透射降低程度的

56、指標。 4.92 林克渾濁因子Linke turbidity factor 實際大氣與理想大氣的線性消光系數(shù)之比。 它是大氣渾濁度的定量指標之一。 4.93 線性消光系數(shù)linear extinction coefficient 垂直通過無限薄介質層的準直輻射束，其光譜輻照度的相對減弱除以介質層的厚度。 4.94 天空（有效）溫度（effective）sky temperature 與大氣輻射完全等效的全輻射體所具有的溫度。 4.95 反射reflection 輻射在無波長或頻率變化的條件下被入射表面折回入射介質的過程。 4.96 反射比（）reflectance 反射的與入射的輻射能通量之比

57、。 同義詞（反射系數(shù)reflection coefficient） 4.97 半球向反射比hemispherical reflectance 在2Sr立體角內，反射的與入射的輻射能通量之比。 4.98 反射率（）reflectivity 材料層厚度達到反射比不隨厚度增加而改變時的反射比。 注：反射率是材料的特性；反射比則是無厚度及表面形狀限制的材料試樣的特性。 4.99 反照率albedo 各類地表的反射比。 4.100 地球反照率albedo of the Earth 地球（包括大氣層）的反射比。 4.101 吸收absorption 由于物質的相互作用使入射輻射能轉換為其他能量形式的過程。 4.102 吸收比（）absorptance 吸收的與入