去膠工藝培訓(xùn)材料

1、去膠工藝培訓(xùn)材料去膠工藝培訓(xùn)材料 去膠工藝簡介去膠工藝簡介 n目前線上采用多種方式的去膠工藝 溶劑去膠:主要用于金屬之后的去膠，如：SST，WCAKR01；WCDNS01。 氧化去膠:H2SO4/H2O2=10：1去膠、SC1（NH4OH/H2O2）去膠 干法去膠:有等離子去膠、紫外光分解法去膠等， 目前我們?cè)谟玫母煞ㄈツz工藝主要采用Gasonic Aura 10001000 /3510/IPC21011等離子體去膠CSMC去膠工藝模塊去膠工藝模塊項(xiàng)目去膠工藝去膠菜單注入劑量E14濕法去膠PR-L/R/1注入劑量E14但雙電荷注入干法去膠+濕法去膠 “BC” +“PR-L/R”/“1”注入劑量

2、E14連續(xù)兩次(含)以上注入干法去膠+濕法去膠“BC” + “PR-L/R”/“1”注入劑量E14 干法/濕法腐蝕以后注入干法去膠+濕法去膠 “BC” + “PR-L/R”/“1”E14注入劑量4.0E14干法去膠+濕法去膠“BC” + “PR-L/R”/“1”注入劑量4.0E14干法去膠+濕法去膠+SC-1清洗 “DE” + “PR-L/R” /“1”+“SC-1”WET ETCH濕法去膠PR-L/R”/“1”SDG ETCH干法去膠+濕法去膠+ SC-1清洗 “BC” +“PR-L/R”/“1” +“SC-1”WINDOW ETCH干法去膠+濕法去膠 “BC” + “PR-L/R”/“1”

3、POLY/WSI ETCH干法去膠+漂洗+濕法去膠+ SC-1清洗“BC”+WE99+ “PR-L/R”/“1”+“SC-1”METAL ETCH濕法清洗 “HOT-AL（HOTMETAL）”/“P5000（COLD METAL）”VIA干法去膠+濕法清洗“A” + “ACT-CLN”PAD(24#)干法去膠+濕法清洗“A” +“CAPS”PAD(涂20#和28#膠)干法去膠+濕法清洗+干法去膠“A” +“CAPS” + “A” A1000/3510干法去膠工藝干法去膠工藝A1000/3510干法去膠工藝簡介干法去膠工藝簡介nAura1000/3510干法去膠設(shè)備為一種等離子下游式去膠，其去膠

4、方式可以更小地減少對(duì)硅片的等離子損傷，去膠使用氣體主要為O2，與光刻膠中的C反應(yīng)生成CO，去膠溫度一般為150-250。 nO2在低壓反應(yīng)室中由于受到高頻電場(chǎng)的作用，被激發(fā)成游離態(tài)氧原子O*，并發(fā)生反應(yīng)： O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止離化后的O*再次結(jié)合為O2以及增強(qiáng)離子轟擊。A1000設(shè)備結(jié)構(gòu)原理圖設(shè)備結(jié)構(gòu)原理圖 3510設(shè)備結(jié)構(gòu)原理圖A1000/3510設(shè)備基本參數(shù)設(shè)備基本參數(shù)EquipmentparameterTemperature150-250 degrees Centigrade250 degrees CentigradePress2To

5、rr/2.5Torr1.2TorrMagnetronIR Quartz Halogen LampsLamp 1&31000watts/120v,Lamp2250w/120vlamp 1000wattsMFC CalibrationO2:0-10Liters,N2:0-1 LitersA100035102.45GHz,1000Watts, Pulse/constant duty cyclesA1000/3510工藝原理工藝原理n當(dāng)反應(yīng)氣體進(jìn)入PLASMA TUBE，流經(jīng)PRE-FIRE SPARKER或UV時(shí)，SPARKER產(chǎn)生高壓火花或UV激發(fā)氣體，打破部分O2分子的分子鍵，并增強(qiáng)氣體

6、分子的能量，然后進(jìn)入由磁電管產(chǎn)生1000W，2.45GHz的微波的PLASMA TUBE，進(jìn)一步促使O2分子分解成游離基O1，O1是極不穩(wěn)定的，具有很強(qiáng)的活性，與光刻膠中的主要成分C結(jié)合形成CO、CO2，由泵抽出工藝腔。 PLASMA的形成的形成工藝溫度的控制工藝溫度的控制：溫度是影響去膠時(shí)間唯一一個(gè)也是最為重要的因素。溫度越高去膠速率就越快。1.A10001.A1000的工藝溫度控制：的工藝溫度控制：nA1000設(shè)備是通過3盞鹵素?zé)簦↙AMP1 1000W/120V，LAMP2 250W/120V，LAMP3 1000W/120V）來加熱的，其中LAMP1、LAMP3為高溫?zé)簦话阍O(shè)定工作時(shí)

7、間為10-15秒，LAMP2為低溫?zé)?，一般設(shè)定為工藝時(shí)間。n三盞鹵素?zé)舳即蜷_可以很快的加熱圓片，一般10-13秒就能使圓片的溫度達(dá)到200。 n在工藝腔進(jìn)行去膠工藝時(shí)，一般圓片被加熱至250左右。2.35102.3510的溫度：的溫度：主要靠熱板（一般設(shè)定為250）來預(yù)熱圓片，為了增加去膠速率，圓片頂部的燈也開出一定的燈的強(qiáng)度，但燈的強(qiáng)度越大則腐蝕均勻性越差。A1000的工藝過程簡介的工藝過程簡介1)圓片傳至工藝腔，門關(guān)上；2)3盞鹵素?zé)糸_始工作；3)打開SOFT VALVE，腔體抽真空至10MT；4)打開MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔體抽至2MT；5)壓力達(dá)到2MT，

8、開始通工藝氣體（N2&O2）；6)系統(tǒng)檢測(cè)參數(shù)，火花塞點(diǎn)火，加RF功率，開始去膠工藝；7)關(guān)閉LAMP1&3 ,LAMP2繼續(xù)工作；8)到達(dá)設(shè)定工藝時(shí)間，去膠工藝結(jié)束；9)LAMP2、RF功率、火花塞停止工作；10)腔體充氣至大氣狀態(tài)，圓片傳至下料腔；3510的工藝過程簡介的工藝過程簡介1)圓片傳至工藝腔，門關(guān)上；2)PIN把圓片放到熱板上（大劑量注入后圓片去膠STEP1無須放到熱板上）；3)打開SOFT VALVE，腔體抽真空至10MT；4)打開MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔體抽至2MT；5)壓力達(dá)到2MT，開始通工藝氣體（N2&O2），如預(yù)設(shè)

9、燈照，則燈打開。6)系統(tǒng)檢測(cè)參數(shù)，UV激發(fā)工藝氣體，加RF功率，開始去膠工藝；燈到設(shè)定的時(shí)間后關(guān)閉。7)到達(dá)設(shè)定工藝時(shí)間，去膠工藝結(jié)束；8)腔體充氣至大氣狀態(tài)，圓片傳至冷卻腔，冷卻完畢下料到片架中。其他及其注意事項(xiàng)其他及其注意事項(xiàng) n為了保持A1000的工藝穩(wěn)定，通常采用復(fù)合式菜單，如菜單BC、DE，即在進(jìn)行去膠工藝之前，運(yùn)行一個(gè)程序B、D，過程中打開鹵素?zé)暨M(jìn)行加熱，并且通入工藝氣體。采用復(fù)合程序去膠能增強(qiáng)去膠能力。但設(shè)備允許最多連續(xù)依次運(yùn)行3個(gè)程序。 n采用復(fù)合菜單可以大大縮短去膠工藝時(shí)間A1000實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)1(速率隨工藝時(shí)間變化的關(guān)系） Recipe:A4.5O2/0.5N2/RF

10、on/2.5T/lamp(13-x-13)ER VS TIME（A）0300060009000120001500018000152030405060目前我們的速率監(jiān)控時(shí)間A1000實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)2 (去膠能力隨工藝時(shí)間變化的關(guān)系）nRecipe:BCB:4.5O2/0.5N2/RF off/2.5T/lamp(9-15-9)C:4.5O2/0.5N2/RF on/2.5T/lamp(9-x-9)PR LOSS VS TIME0100002000030000B+C10 B+C15 B+C20 B+C25 B+C30 B+C35TIME （SEC）PR LOSS（A）051015UNIF（%）P

11、R LOSSUNIF（%）A1000實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)3 (去膠能力隨燈照時(shí)間的變化關(guān)系）PR LOSS VS LAMP1、 3TIME0200040006000800010000LA MP1、 3TIMEPR LOSS（A）8.599.51010.5UNIF（%）PR LOSSUNIFPR LOSS5586.746781.587822.47831.56UNIF10.399.239.829.689SEC10SEC11SEC12SECA1000第一片效應(yīng)nA1000速率有波動(dòng)，但基本是自第三片開始趨于穩(wěn)定。 A1000-4 E/R02000400060008000100001200014000SL

12、OT1SLOT2SLOT3SLOT5SLOT10SLOT15SLOT20SLOT25SLOT位置E/R（A/MIN）77.588.599.5UNIF（%）E/R(A/MIN)UNIF(%)ICP2101去膠nER21011是批處理干法去膠設(shè)備，屬于圓筒型等離子腐蝕機(jī) ，IPC2101的速率情況n2個(gè)舟上圓片速率趨勢(shì)圖速率片從里到外的速率02004006008001000120012345678910 11 12 13 14 15速率（A/M IN）05101520253035均勻性（%）速率（A/MIN）均勻性（%） 氧化去膠氧化去膠-H2SO4/H2O2-H2SO4/H2O2工藝工藝 該去膠

13、工藝主要是利用H2SO4/H2O2的強(qiáng)氧化性，將膠中的主要成分C、H氧化形成CO2和H2O，從而達(dá)到去膠的目的。n藥液配比： H2SO4：H2O2=10：1（體積比）；nTEMPERATURE：120+/-10；nPROCESS TIME：10MIN；nWATER FLOW：5 CYCLES（QDR）/12MIN；注意事項(xiàng)注意事項(xiàng)nH2SO4/H2O2去膠工藝不適用于AL后去膠；n進(jìn)行去膠工藝前朝工藝槽補(bǔ)充200ML的H2O2（系統(tǒng)自動(dòng)完成）或定期補(bǔ)充定量的H2O2；n換液周期：24Hours/30RUN； 氧化去膠工藝氧化去膠工藝-SC1-SC1工藝工藝 其主要作用是去除少量有機(jī)沾污和顆粒。

14、缺點(diǎn)是可能會(huì)引起圓片表面的金屬沾污和增加表面的微粗糙度。通過降低NH4OH的濃度可以限制圓片表面的腐蝕從而降低表面的微粗糙度，降低NH4OH和H2O2的濃度還可以提高對(duì)于顆粒的去除效果。 目前，該去膠工藝主要用于SDG、POLY及SD注入后的去膠清洗（即干法去膠后去表面的膠絲或POLYMER清洗）。 SC-1液中的H2O2具有很強(qiáng)的氧化性，可以把有機(jī)物和無機(jī)物等雜質(zhì)氧化成高價(jià)離子和氧化物而清除。氨水是充當(dāng)絡(luò)合劑的作用，與雜質(zhì)離子形成絡(luò)合物溶于水中被清除。 SC-1去膠機(jī)理： SC-1由易分解的H2O2和易揮發(fā)的NH4OH組成，穩(wěn)定性差，常溫下貯存時(shí)的分解速率如下圖所示，隨著溫度的增加，半衰期急

15、劇縮短。 6011（半衰期）H2O2剩余量（%）室溫貯存時(shí)間（h）10050SC-1 BATHLIFEn藥液配比： NH4OH：H2O2：H2O1：1：5或1：2：10（體積比）nPROCESS TEMP：75+-5 或50+-5 ；nPROCESS TIME=1.5MIN或10MIN；nWATER FLOW：7 CYCLES（QDR）注意事項(xiàng)注意事項(xiàng)n由于NH4OH易揮發(fā)、H2O2易分解，因此，該藥液的BATH-LIFE時(shí)間較短，目前，規(guī)定換液2小時(shí)（1：1：6，75+-5 ）或12小時(shí)（1：2：10，50+-5 ）內(nèi)有效；nAL后的圓片不能使用該工藝去膠。 溶劑去膠 溶劑去膠主要是利用在溶劑中使聚合物溶脹并分解，溶于該溶劑，從而達(dá)到去膠的目的。 CSMC-HJ的溶劑去膠設(shè)備主要是SST，WCDNS01、WCAKR01。該工藝用于AL后層次的去膠及刻蝕后POLYMER清洗。 nSO