PVD CVD MOCVD

1、 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電?。招年帢O離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）直流放電離子鍍） 缺點(diǎn)：由于不同粒子濺射速率不同，所以缺點(diǎn)：由于不同粒子濺射速率不同，所以物理氣相沉積薄膜組分控制比較困難。物理氣相沉積薄膜組分控制比較困難。應(yīng)用CVD(Chemical Vapor Deposition)化學(xué)化學(xué)氣相沉積原理氣相沉積原理:指把含有構(gòu)成薄膜元素的指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反

2、應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理處理后，表面處理膜密著性約提高膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。CVD是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?，化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化氫還原或使它的混合

3、氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機(jī)材料的方法。這種技術(shù)最初是作為涂層機(jī)材料的方法。這種技術(shù)最初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐的手段而開發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。 技術(shù)特征：（技術(shù)特征：（1）高熔點(diǎn)物質(zhì)能夠在低溫下）高熔點(diǎn)物質(zhì)能夠在低溫下合成；（合成；（2）析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、）析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（晶

4、須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以）不僅可以在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點(diǎn)物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn)，作為一點(diǎn)物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn)，作為一種新技術(shù)是大有前途的。種新技術(shù)是大有前途的。 CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進(jìn)行氣相化物與含碳、氮、硼等的化合物進(jìn)行氣相反應(yīng)；另一種是使加熱基體表面的原料氣反應(yīng)；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解。體發(fā)生熱分解。 CVD特點(diǎn)特點(diǎn):淀積溫度低，薄膜成份易控，膜淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。 CVD制備的必要條件制備的必要條件:1) 在沉積溫度下，反在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃賾?yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；度被引入反應(yīng)室； 2) 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；3) 沉沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓壓作為新的作為新的CVD技術(shù)，有以下幾種技術(shù)，有以下幾種：