集成電路工藝

1、會計學1集成電路工藝集成電路工藝第1頁/共88頁設(shè)計設(shè)計芯片檢測芯片檢測單晶、外單晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片制芯片制造過程造過程封裝封裝測試測試 系統(tǒng)需求系統(tǒng)需求第2頁/共88頁制造業(yè)制造業(yè)芯片制造過程芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層發(fā)形成新的薄膜或膜層曝曝 光光刻刻 蝕蝕硅片硅片測試和封裝測試和封裝用掩膜版用掩膜版重復重復20-30次次第3頁/共88頁第4頁/共88頁N溝道溝道MOS晶體管晶體管第5頁/共88頁CMOS集成電路集成電路(互補型互補型MOS集成電路集成電路)：目前應用最為廣泛的一種集成電路，約占目前應用最為廣泛的一種集

2、成電路，約占集成電路總數(shù)的集成電路總數(shù)的95%以上。以上。第6頁/共88頁第7頁/共88頁第8頁/共88頁第9頁/共88頁正膠：曝光正膠：曝光后可溶后可溶負膠：曝光負膠：曝光后不可溶后不可溶第10頁/共88頁第11頁/共88頁三種光刻方式三種光刻方式第12頁/共88頁第13頁/共88頁第14頁/共88頁第15頁/共88頁第16頁/共88頁第17頁/共88頁第18頁/共88頁雜質(zhì)橫向擴散示意圖雜質(zhì)橫向擴散示意圖第19頁/共88頁第20頁/共88頁第21頁/共88頁第22頁/共88頁離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入系統(tǒng)的原理示意圖第23頁/共88頁離子注入到無定形靶中的高斯分布情況離子注入到無定形

3、靶中的高斯分布情況第24頁/共88頁第25頁/共88頁第26頁/共88頁第27頁/共88頁第28頁/共88頁進行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖進行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖第29頁/共88頁第30頁/共88頁第31頁/共88頁APCVD反應器的結(jié)構(gòu)示意圖反應器的結(jié)構(gòu)示意圖第32頁/共88頁 LPCVD反應器的結(jié)構(gòu)示意圖反應器的結(jié)構(gòu)示意圖第33頁/共88頁平行板型平行板型PECVD反應器的結(jié)構(gòu)示意圖反應器的結(jié)構(gòu)示意圖第34頁/共88頁第35頁/共88頁第36頁/共88頁第37頁/共88頁蒸蒸發(fā)發(fā)原原理理圖圖第38頁/共88頁第39頁/共88頁第40頁/共88頁第41頁/共88頁第42頁/共88頁

4、第43頁/共88頁第44頁/共88頁第45頁/共88頁第46頁/共88頁形成多晶硅柵形成多晶硅柵? 生長柵氧化層生長柵氧化層? 淀積多晶硅淀積多晶硅? 光刻多晶硅柵光刻多晶硅柵? 刻蝕多晶硅柵刻蝕多晶硅柵第47頁/共88頁第48頁/共88頁形成形成N管源漏區(qū)管源漏區(qū)? 光刻，利用光刻膠將光刻，利用光刻膠將PMOS區(qū)保護起來區(qū)保護起來? 離子注入磷或砷，形成離子注入磷或砷，形成N管源漏區(qū)管源漏區(qū)形成形成P管源漏區(qū)管源漏區(qū)? 光刻，利用光刻膠將光刻，利用光刻膠將NMOS區(qū)保護起來區(qū)保護起來? 離子注入硼，形成離子注入硼，形成P管源漏區(qū)管源漏區(qū)第49頁/共88頁第50頁/共88頁第51頁/共88頁第

5、52頁/共88頁第53頁/共88頁第54頁/共88頁AA第55頁/共88頁第56頁/共88頁第57頁/共88頁雙極集成電路工藝雙極集成電路工藝第58頁/共88頁第59頁/共88頁第60頁/共88頁第61頁/共88頁第62頁/共88頁第63頁/共88頁第64頁/共88頁第65頁/共88頁第66頁/共88頁第67頁/共88頁PN結(jié)隔離工藝結(jié)隔離工藝第68頁/共88頁絕緣絕緣介質(zhì)介質(zhì)隔離隔離工藝工藝第69頁/共88頁LOCOS隔離工藝隔離工藝第70頁/共88頁LOCOS隔離工藝隔離工藝第71頁/共88頁溝槽隔離工藝溝槽隔離工藝第72頁/共88頁第73頁/共88頁第74頁/共88頁第75頁/共88頁第76頁/共88頁第77頁/共88頁第78頁/共88頁第79頁/共88頁第80頁/共88頁第81頁/共88頁N溝道溝道MOS晶體管晶體管第82頁/共88頁進行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖進行干氧和濕氧氧化