zm光電導(dǎo)探測(cè)器ppt課件

1、光電導(dǎo)效應(yīng)：在光光電導(dǎo)效應(yīng)：在光作用下使物體的電作用下使物體的電阻率改變的現(xiàn)象阻率改變的現(xiàn)象. .圖所示為光敏電阻的原理圖與光敏電阻的符號(hào)，在圖所示為光敏電阻的原理圖與光敏電阻的符號(hào)，在均勻的具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的兩端加上電均勻的具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的兩端加上電極便構(gòu)成光敏電阻。極便構(gòu)成光敏電阻。當(dāng)光敏電阻的兩端加當(dāng)光敏電阻的兩端加上適當(dāng)?shù)钠秒妷荷线m當(dāng)?shù)钠秒妷篣bb后，當(dāng)光照射到光電后，當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上，由光照產(chǎn)生導(dǎo)體上，由光照產(chǎn)生的光生載流子在外加的光生載流子在外加電場(chǎng)作用下沿一定方電場(chǎng)作用下沿一定方向運(yùn)動(dòng)，在電路中產(chǎn)向運(yùn)動(dòng)，在電路中產(chǎn)生電流生電流Ip，用檢流計(jì)可，用檢流

2、計(jì)可以檢測(cè)到該電流。以檢測(cè)到該電流。 一。光敏電阻工作原理一。光敏電阻工作原理暗電流（越小越好）暗電流（越小越好）光電導(dǎo)增益參見(jiàn)光電導(dǎo)增益參見(jiàn)書(shū)上推導(dǎo)過(guò)程書(shū)上推導(dǎo)過(guò)程p173p175pheMIPdAnLVM020光電導(dǎo)內(nèi)增益光電導(dǎo)內(nèi)增益說(shuō)明載流子已經(jīng)渡越完畢，但載流子的平均壽命還未說(shuō)明載流子已經(jīng)渡越完畢，但載流子的平均壽命還未中止。這種現(xiàn)象可以這樣理解：光生電子向正極運(yùn)動(dòng)，中止。這種現(xiàn)象可以這樣理解：光生電子向正極運(yùn)動(dòng)，空穴向負(fù)極運(yùn)動(dòng)，可是空穴的移動(dòng)可能被晶體缺陷和空穴向負(fù)極運(yùn)動(dòng)，可是空穴的移動(dòng)可能被晶體缺陷和雜質(zhì)形成的俘獲中心陷阱所俘獲。因此，當(dāng)電子到雜質(zhì)形成的俘獲中心陷阱所俘獲。因此，當(dāng)電

3、子到達(dá)正極消失時(shí)，陷阱俘獲的正電中心（空穴）仍留在達(dá)正極消失時(shí)，陷阱俘獲的正電中心（空穴）仍留在體內(nèi)，它又會(huì)將負(fù)電極的電子感應(yīng)到半導(dǎo)體中來(lái)，被體內(nèi)，它又會(huì)將負(fù)電極的電子感應(yīng)到半導(dǎo)體中來(lái)，被誘導(dǎo)進(jìn)來(lái)的電子又在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)到正極，如此循環(huán)直誘導(dǎo)進(jìn)來(lái)的電子又在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)到正極，如此循環(huán)直到正電中心消失。這就相當(dāng)放大了初始的光生電流。到正電中心消失。這就相當(dāng)放大了初始的光生電流。dAnLVM020光電導(dǎo)內(nèi)增益光電導(dǎo)內(nèi)增益選用平均壽命長(zhǎng)、遷移率大的半導(dǎo)體材料；選用平均壽命長(zhǎng)、遷移率大的半導(dǎo)體材料；減少電極間距離；減少電極間距離；加大偏壓加大偏壓dAnLVM020光敏電阻分類本征型摻雜型EcEvEgEcEv

4、Eg)(12400nmEEhcgg)(12400nmEEhcgg常用光電導(dǎo)材料常用光電導(dǎo)材料每一種半導(dǎo)體或絕緣體都有一定的光電導(dǎo)效應(yīng)，但只有其中一部分材料每一種半導(dǎo)體或絕緣體都有一定的光電導(dǎo)效應(yīng)，但只有其中一部分材料經(jīng)過(guò)特殊處理，摻進(jìn)適當(dāng)雜質(zhì)，才有明顯的光電導(dǎo)效應(yīng)?，F(xiàn)在使用的光經(jīng)過(guò)特殊處理，摻進(jìn)適當(dāng)雜質(zhì)，才有明顯的光電導(dǎo)效應(yīng)。現(xiàn)在使用的光電導(dǎo)材料有電導(dǎo)材料有-族、族、-族化合物，硅、鍺等，以及一些有機(jī)物。族化合物，硅、鍺等，以及一些有機(jī)物。 光敏電阻的結(jié)構(gòu)是在一塊光電導(dǎo)體兩端加上電極，貼在硬質(zhì)玻光敏電阻的結(jié)構(gòu)是在一塊光電導(dǎo)體兩端加上電極，貼在硬質(zhì)玻璃、云母、高頻瓷或其它絕緣材料基板上，兩端接電

5、極引線，封裝璃、云母、高頻瓷或其它絕緣材料基板上，兩端接電極引線，封裝在帶有窗口的金屬或塑料外殼內(nèi)。在帶有窗口的金屬或塑料外殼內(nèi)。 光敏面作成蛇形，電極是在一定的掩模下向光電導(dǎo)薄膜上蒸鍍金或光敏面作成蛇形，電極是在一定的掩模下向光電導(dǎo)薄膜上蒸鍍金或銦等金屬形成的。這種梳狀電極可以保證有較大的受光表面，也可銦等金屬形成的。這種梳狀電極可以保證有較大的受光表面，也可以減小電極之間距離，從而減小極間電子渡越時(shí)間，提高靈敏度。以減小電極之間距離，從而減小極間電子渡越時(shí)間，提高靈敏度。 1-光導(dǎo)層; 2-玻璃窗口; 3-金屬外殼; 4-電極;5-陶瓷基座; 6-黑色絕緣玻璃; 7-電阻引線。RG12 3

6、4567(a)結(jié)構(gòu) (b)電極 ( c )符號(hào)CdS光敏電阻的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 光敏電阻為多數(shù)電子導(dǎo)電的光電敏感器件，它與其他光電器件的特性的差別表現(xiàn)在它的基本特性參數(shù)上。光敏電阻的基本特性參數(shù)包含光電導(dǎo)特性、時(shí)間響應(yīng)、光譜響應(yīng)、伏安特性與噪聲特性等。 一、光譜響應(yīng)率光譜響應(yīng)率光譜響應(yīng)率表示在某一特定波長(zhǎng)下，輸出光電流(或電壓)與入射輻射能量之比光譜響應(yīng)率為dAnpheLVheheMI020)()()(由由pheMIPdAnLVM020和和 光譜特性多用相對(duì)靈敏度與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線表示。光譜特性多用相對(duì)靈敏度與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線表示。在可見(jiàn)光區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線在可見(jiàn)光區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的

7、光譜特性曲線1-硫化鎘單晶 2-硫化鎘多晶 3-硒化鎘多晶4-硫化鎘與硒化鎘混合多晶 由圖可見(jiàn)，硫化鎘單晶、硫化由圖可見(jiàn)，硫化鎘單晶、硫化鎘與硒化鎘混合多晶，硫化鎘多晶、鎘與硒化鎘混合多晶，硫化鎘多晶、硒化鎘多晶等幾種光敏電阻的光譜硒化鎘多晶等幾種光敏電阻的光譜特性曲線覆蓋了整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)，峰特性曲線覆蓋了整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)，峰值波長(zhǎng)在值波長(zhǎng)在515600nm之間。這與之間。這與人眼的光譜光視效率人眼的光譜光視效率V()曲線的范曲線的范圍和峰值波長(zhǎng)（圍和峰值波長(zhǎng)（555nm）是很接）是很接近的，因此可用于與人眼有關(guān)的儀近的，因此可用于與人眼有關(guān)的儀器，例如照相機(jī)、照度計(jì)、光度計(jì)器，例如照相機(jī)、照度計(jì)、

8、光度計(jì)等。不過(guò)它們的形狀與等。不過(guò)它們的形狀與V()曲線還曲線還不完全一致。如直接使用，與人的不完全一致。如直接使用，與人的視覺(jué)還有一定的差距，所以必須加視覺(jué)還有一定的差距，所以必須加濾光片進(jìn)行修正，使其特性曲線與濾光片進(jìn)行修正，使其特性曲線與V()曲線完全符合，這樣即可得到曲線完全符合，這樣即可得到與人眼視覺(jué)相同的效果。與人眼視覺(jué)相同的效果。 二、光譜特性光譜特性在紅外區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線在紅外區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線1、熱噪聲（1MHz） )(1K4)(202d2NJRfTfId2NJK4)(RfTfI2、產(chǎn)生復(fù)合噪聲(1kHz1MHz) 2022ngr1f4IMe

9、If42ngrIMeI3、低頻噪聲（電流噪聲） bffbdlIcI212nf2nf2ngr2NJ2IIIIN總噪聲高頻 低頻 高頻 低頻 /f熱噪聲產(chǎn)生復(fù)合噪聲總噪聲2niffc0四、光電特性和光電特性和 值值光電特性：光敏電阻的光電流與入射光通量（照度）之間的關(guān)系20)()(LUheInp1. 弱光照射時(shí)，光電流與光通量（照度）成正比，即弱光照射時(shí)，光電流與光通量（照度）成正比，即保持線性關(guān)系保持線性關(guān)系EUSUgIgpp式中式中Sg為光電導(dǎo)靈敏度，為光電導(dǎo)靈敏度，E為光敏電阻的照度。為光敏電阻的照度。2. 強(qiáng)光照射時(shí)，強(qiáng)光照射時(shí)， 光電流與光通量（照度）成非線性。光電流與光通量（照度）成非

10、線性。EUSUgIgpp為光電轉(zhuǎn)換因子，是一個(gè)隨光度量變化的指數(shù)為光電轉(zhuǎn)換因子，是一個(gè)隨光度量變化的指數(shù)gp稱為光敏電阻的光電導(dǎo)。稱為光敏電阻的光電導(dǎo)。在通常的照度范圍內(nèi)(10-1104lx)，的值接近于1考慮到光敏電阻的暗電流，流過(guò)光敏電阻的電流為VgEVSVgVgIIIdgdpDp 與材料和入射光強(qiáng)弱有關(guān)，對(duì)于硫化鎘光電導(dǎo)體，在弱光照下1，在強(qiáng)光照下1/2，一般0.51。 如圖所示的特性曲線反如圖所示的特性曲線反應(yīng)了流過(guò)光敏電阻的電流應(yīng)了流過(guò)光敏電阻的電流Ip與入射光照度與入射光照度E間的變化關(guān)間的變化關(guān)系，由圖可見(jiàn)它是由直線性系，由圖可見(jiàn)它是由直線性漸變到非線性的。漸變到非線性的。 電阻

11、照度關(guān)系曲線電阻照度關(guān)系曲線 在實(shí)際使用時(shí)，常常將光敏電阻的光電特性曲線改用如圖所示的兩種坐標(biāo)框架特性曲線。其中(a)為線性直角坐標(biāo)系中光敏電阻的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線，而(b)為對(duì)數(shù)直角坐標(biāo)系下的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線。 值為對(duì)數(shù)坐標(biāo)下特性曲線的斜率。即值為對(duì)數(shù)坐標(biāo)下特性曲線的斜率。即 1221loglogloglogEERRR1與與R2分別是照度為分別是照度為E1和和E2時(shí)光敏電阻的阻值。時(shí)光敏電阻的阻值。 在不同光照下加在光敏電阻兩端的電壓在不同光照下加在光敏電阻兩端的電壓U與流過(guò)它的電流與流過(guò)它的電流Ip的關(guān)系曲線，并稱其為光敏電阻的伏安特性。的關(guān)系曲線，并稱其為光敏電

12、阻的伏安特性。 圖所示為典型CdS光敏電阻的伏安特性曲線 。 圖中的虛線為額定功耗線。圖中的虛線為額定功耗線。使用光敏電阻時(shí)，應(yīng)不使電阻使用光敏電阻時(shí)，應(yīng)不使電阻的實(shí)際功耗超過(guò)額定值。從圖的實(shí)際功耗超過(guò)額定值。從圖上來(lái)說(shuō)，就是不能使靜態(tài)工作上來(lái)說(shuō)，就是不能使靜態(tài)工作點(diǎn)居于虛線以內(nèi)的區(qū)域。按這點(diǎn)居于虛線以內(nèi)的區(qū)域。按這一要求在設(shè)計(jì)負(fù)載電阻時(shí)，應(yīng)一要求在設(shè)計(jì)負(fù)載電阻時(shí)，應(yīng)不使負(fù)載線與額定功耗線相交。不使負(fù)載線與額定功耗線相交。 六、前歷效應(yīng)前歷效應(yīng)前歷效應(yīng)前歷效應(yīng)是指光敏電阻的時(shí)間特性與工作前“歷史”有關(guān)的一種現(xiàn)象。前歷效應(yīng)有暗態(tài)前歷與亮態(tài)前歷之分。暗態(tài)前歷效應(yīng)是指光敏電阻測(cè)試或工作前處于暗態(tài)，當(dāng)

13、它突然受到光照后表現(xiàn)為暗態(tài)。前歷越長(zhǎng)，光電流上升越慢。其效應(yīng)曲線如下圖所示。一般，工作電壓越低，光照度越低，則暗態(tài)前歷效應(yīng)就越重。硫化鎘光敏電阻的暗態(tài)前歷效應(yīng)曲線硫化鎘光敏電阻的暗態(tài)前歷效應(yīng)曲線 1-黑暗放置3分鐘后 2-黑暗放置60分鐘后3-黑暗放置24小時(shí)后 亮態(tài)前歷效應(yīng)亮態(tài)前歷效應(yīng)指光敏電阻測(cè)試或工作前已處于亮態(tài)，當(dāng)照度與工作時(shí)所要達(dá)到的照度不同時(shí)，所出現(xiàn)的一種滯后現(xiàn)象，其效應(yīng)曲線如下圖所示。一般，亮電阻由高照度狀態(tài)變?yōu)榈驼斩葼顟B(tài)達(dá)到穩(wěn)定值時(shí)所需的時(shí)間要比由低照度狀態(tài)變?yōu)楦哒斩葼顟B(tài)時(shí)短。 硫化鎘光敏電硫化鎘光敏電阻亮態(tài)前歷效阻亮態(tài)前歷效應(yīng)曲線應(yīng)曲線 七、溫度特性七、溫度特性光敏電阻的溫度

14、特性很復(fù)雜，在一定的照度下，亮電阻的溫度系數(shù)有正有負(fù) )(12112TTRRRR1、R2分別為與溫度T1、T2相對(duì)應(yīng)的亮電阻。 溫度對(duì)光譜響應(yīng)也有影響。一般說(shuō)，光譜特性主要決定于材料，材料的禁帶寬度越窄則對(duì)長(zhǎng)波越敏感，但禁帶很窄時(shí)，半導(dǎo)體中熱激發(fā)也會(huì)使自由載流子濃度增加，使復(fù)合運(yùn)動(dòng)加快，靈敏度降低。因此，采取冷卻靈敏面的辦法來(lái)提高靈敏度往往是很有效的。 光敏電阻在某一光照下的阻值，稱為該光照下的亮電阻。 圖所示為典型CdS（實(shí)線）與CdSe（虛線）光敏電阻在不同照度下的溫度特性曲線。以室溫（25）的相對(duì)光電導(dǎo)率為100%，觀測(cè)光敏電阻的相對(duì)光電導(dǎo)率隨溫度的變化關(guān)系，可以看出光敏電阻的相對(duì)光電導(dǎo)

15、率隨溫度的升高而下降，光電響應(yīng)特性隨著溫度的變化較大。 隨著溫度的升高，其暗電阻和靈敏度下降，光譜特性曲線的峰值向波長(zhǎng)短的方向移動(dòng)。硫化鎘的光電流I和溫度T的關(guān)系如圖所示。有時(shí)為了提高靈敏度，或?yàn)榱四軌蚪邮蛰^長(zhǎng)波段的輻射，將元件降溫使用。例如，可利用制冷器使光敏電阻的溫度降低。I / A100150200-50-1030 5010-30T / C2040608010001.02.03.04.0/mI/mA+20 C-20 C硫化鎘的光電流I和溫度T的關(guān)系l一般n型半導(dǎo)體的EF位于Ei之上Ec之下的禁帶中。lEF既與溫度有關(guān)，也與雜質(zhì)濃度ND有關(guān)： 一定溫度下?lián)诫s濃度越高，費(fèi)米能級(jí)EF距導(dǎo)帶底E

16、c越近； 如果摻雜一定，溫度越高EF距Ec越遠(yuǎn)，也就是越趨向Ei。Si中不同摻雜濃度條件下費(fèi)米能級(jí)與溫度的關(guān)系 光敏電阻的響應(yīng)時(shí)間（又稱為慣性）比其他光電器件要差（慣性要大）些，頻率響應(yīng)要低些，而且具有特殊性。當(dāng)用一個(gè)理想方波脈沖輻射照射光敏電阻時(shí)，光生電子要有產(chǎn)生的過(guò)程，光生電導(dǎo)率要經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間才能達(dá)到穩(wěn)定。當(dāng)停止輻射時(shí)，復(fù)合光生載流子也需要時(shí)間，表現(xiàn)出光敏電阻具有較大的慣性。 通常光敏電阻的響應(yīng)時(shí)間與入射輻射的強(qiáng)弱有關(guān)，光照越強(qiáng)其時(shí)間常數(shù)越小，光照越弱其時(shí)間常數(shù)越大。下面分別討論。 00)1 (/0te)1 (/0teII00/0te/0teII顯然，光敏電阻在弱輻射作用下的顯然，光敏電

17、阻在弱輻射作用下的上升時(shí)間常數(shù)上升時(shí)間常數(shù)r r與下降時(shí)間常數(shù)與下降時(shí)間常數(shù)f f近似相等。近似相等。 0000/110t/110tIIttanh0tIItanh0)2/()2(/coshhstanhxxxxeeeexxinx雙曲正切函數(shù)頻率響應(yīng)特性頻率響應(yīng)特性 1-硒 2-硫化鎘 3-硫化鉈 4-硫化鉛 Uf3dB2120)2(1 )(ff021cf20LVMAn常量2200221LVLVMfAnAnc增益帶寬積增益帶寬積3.2.3 光敏電阻的變換電路一、基本偏置電路RLRpVbIVPmax由電路圖：bpLLLpLbVRRRVRRVI當(dāng)光通量變化時(shí)，光敏電阻變化Rp，電流變化 I：ppLbR

18、RRVII2)(pLbppLbppLbRRVRRRVRRRVIgpggggggpgpppSRSSSSSSRSRVIg212121212111LpLbgpLLpLbgpRRRVSRRIVRRVSRI2222)()(a.恒流偏置(RLRp)LbRVI bgLpVSRRI22b.恒壓偏置(RLRp)LbgLRVSVc.恒功率偏置(RLRp)LbLLRVVIP42設(shè)入射于光敏電阻的輻射為調(diào)制輻射正弦，如： )sin1 ()(ttRLRpVbRLRpipCpVL等效微變電路基本偏置電路tVStibgpsin)(輸出的交流部分電流LppLLpLppbgLRRRRRRRRCtVStV2/1)(1 sin)(

19、輸出的交流電壓二、噪聲和等效電路用光敏電阻檢測(cè)微弱信號(hào)時(shí)需考慮器件的固有噪聲熱噪聲、產(chǎn)生復(fù)合噪聲及/f噪聲光敏電阻若接收調(diào)制輻射，其噪聲的等效電路如圖所示ipingrintinfRLRpC噪聲等效電路光譜響應(yīng)范圍寬，光譜響應(yīng)范圍寬，測(cè)光范圍寬，測(cè)光范圍寬，靈敏度高，靈敏度高，無(wú)極性之分無(wú)極性之分, ,價(jià)格便宜。價(jià)格便宜。 光敏電阻的光敏電阻的重要特點(diǎn)重要特點(diǎn)是：是：光敏電阻按光譜范圍可分為紫外、可見(jiàn)光、紅外；光敏電阻按光譜范圍可分為紫外、可見(jiàn)光、紅外；按晶體結(jié)構(gòu)分為單晶和多晶；按制作工藝分為薄按晶體結(jié)構(gòu)分為單晶和多晶；按制作工藝分為薄膜燒結(jié)型和真空蒸發(fā)型。膜燒結(jié)型和真空蒸發(fā)型。幾種常用的光敏電

20、阻幾種常用的光敏電阻光敏電阻紫外硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)可見(jiàn)硫化鉈(TiS)、硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)紅外硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲汞鎘（光敏電阻常用光電導(dǎo)材料1、CdS光敏電阻 CdS光敏電阻是最常見(jiàn)的光敏電阻，它的光譜響應(yīng)特性最接近人眼光譜光視效率，它在可見(jiàn)光波段范圍內(nèi)的靈敏度最高，因此，被廣泛地應(yīng)用于燈光的自動(dòng)控制，照相機(jī)的自動(dòng)測(cè)光等。 CdS光敏電阻的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為0.52m，CdSe光敏電阻為0.72m，一般調(diào)整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏電阻的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)大致控制在0.520.72m范圍內(nèi)。 CdS光敏電阻的光敏

21、面常為蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。 PbS光敏電阻是近紅外波段最靈敏的光電導(dǎo)器件。 PbS光敏電阻在2m附近的紅外輻射的探測(cè)靈敏度很高，因此，常用于火災(zāi)的探測(cè)等領(lǐng)域。 PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)和比探測(cè)率等特性與工作溫度有關(guān)，隨著工作溫度的降低其峰值響應(yīng)波長(zhǎng)和長(zhǎng)波長(zhǎng)將向長(zhǎng)波方向延伸，且比探測(cè)率D*增加。例如，室溫下的PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)范圍為13.5m，峰值波長(zhǎng)為2.4m，峰值比探測(cè)率D*高達(dá)11011cmHzW-1。當(dāng)溫度降低到（195K）時(shí)，光譜響應(yīng)范圍為14m，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)移到2.8m，峰值波長(zhǎng)的比探測(cè)率D*也增高到21011cmHzW-1。 InSb光敏電阻是35m光譜范圍內(nèi)的主要探測(cè)器件之一。

22、 InSb材料不僅適用于制造單元探測(cè)器件，也適宜制造陣列紅外探測(cè)器件。 InSb光敏電阻在室溫下的長(zhǎng)波長(zhǎng)可達(dá)7.5m，峰值波長(zhǎng)在6m附近，比探測(cè)率D*約為11011cmHzW-1。當(dāng)溫度降低到77K（液氮）時(shí)，其長(zhǎng)波長(zhǎng)由7.5m縮短到5.5m，峰值波長(zhǎng)也將移至5m，恰為大氣的窗口范圍，峰值比探測(cè)率D*升高到21011cmHzW-1。 Hg1-xCdxTe系列光電導(dǎo)探測(cè)器件是目前所有紅外探測(cè)器中性能最優(yōu)良最有前途的探測(cè)器件，尤其是對(duì)于48m大氣窗口波段輻射的探測(cè)更為重要。 Hg1-xCdxTe系列光電導(dǎo)體是由HgTe和CdTe兩種材料的晶體混合制造的，其中x標(biāo)明Cd元素含量的組分。在制造混合晶體

23、時(shí)選用不同Cd的組分x，可以得到不同的禁帶寬度Eg，便可以制造出不同波長(zhǎng)響應(yīng)范圍的Hg1-xCdxTe探測(cè)器件。一般組分x的變化范圍為0.180.4，長(zhǎng)波長(zhǎng)的變化范圍為130m。 1 照明燈的光電控制電路照明燈的光電控制電路 如圖所示為一種最簡(jiǎn)單的由光敏電阻作光電敏感器件的照明燈光電自動(dòng)控制電路。 它由3部分構(gòu)成 ：半波整流濾波電路（整流二極管D和濾波電容C） 測(cè)光與控制的電路（限流電阻R、光敏電阻及繼電器繞組）執(zhí)行電路（繼電器的常閉觸頭）設(shè)使照明燈點(diǎn)亮的光照度為EV ，繼電器繞組的直流電阻為RJ，使繼電器吸合的最小電流為Imin，光敏電阻的光電導(dǎo)靈敏度為Sg，暗電導(dǎo)go=0，則 gJminv

24、SRRIUE顯然，這種最簡(jiǎn)單的光電控制電路還有很多缺點(diǎn)，還需要改進(jìn)。在實(shí)際應(yīng)用中常常要附加其他電路，如樓道照明燈常配加聲控開(kāi)關(guān)或微波等接近開(kāi)關(guān)使燈在有人活動(dòng)時(shí)照明燈才被點(diǎn)亮；而路燈光電控制器則要增加防止閃電光輻射或人為的光源（如手電燈光等）對(duì)控制電路的干擾措施。 圖所示為采用光敏電阻為探測(cè)元件的火焰探測(cè)報(bào)警器電路圖。PbS光敏電阻的暗電阻的阻值為1M，亮電阻的阻值為0.2M(幅照度1mw/cm2下測(cè)試)，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為2.2m，恰為火焰的峰值輻射光譜。 圖所示為利用光敏電阻構(gòu)成的照相機(jī)自動(dòng)曝光控制電路，也稱為照相機(jī)電子快門(mén)。 電子快門(mén)常用于電子程序快門(mén)的照相機(jī)中，其中測(cè)光器件常采用與人眼光譜響應(yīng)接近的硫化鎘(CdS)光敏電阻。照相機(jī)曝光控制電路是由光敏電阻R、開(kāi)關(guān)K和電容C構(gòu)成的充電電路，時(shí)間檢出電路(電壓比較器)，三極管T構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)放大電路，電磁鐵M帶動(dòng)的開(kāi)門(mén)葉片（執(zhí)行單元）等組成。 在初始狀態(tài)，開(kāi)關(guān)K處于如圖所示的位置，電壓比較器的正輸入端的電位為R1與RW1分電源電壓Ubb所得的閾值電壓Vth（一般為11.5V），而電壓比較器的負(fù)輸入端的電位VR近似為電源電位Ubb，顯然電壓比較器負(fù)輸入端的電位高于正輸入端的電位，比較器輸出為低電平，三極管截止，電磁鐵不吸合，開(kāi)門(mén)葉片閉合。 當(dāng)