模擬電子技術(shù)教案3

1、復(fù)習(xí)：復(fù)習(xí)：二極管的特點(diǎn)二極管的特點(diǎn)? ?二極管正向?qū)ê箅妷夯静蛔兌O管正向?qū)ê箅妷夯静蛔僓 U硅管：硅管：0.7V0.7V鍺管：鍺管：0.2V0.2V要使二極管正向?qū)?，正向電壓?yīng)大于開(kāi)啟要使二極管正向?qū)?，正向電壓?yīng)大于開(kāi)啟電壓電壓U Uonon 硅管：硅管：0.5V0.5V 鍺管：鍺管：0.1V0.1V具有單向?qū)щ娦跃哂袉蜗驅(qū)щ娦苑€(wěn)壓二極管的特點(diǎn)穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)? ?發(fā)光二極管的特點(diǎn)發(fā)光二極管的特點(diǎn)? ?光電二極管的特點(diǎn)光電二極管的特點(diǎn)? ?2本章要點(diǎn)本章要點(diǎn)2.1 晶體晶體管管（三極管）（三極管）三極管的外形如圖：三極管的外形如圖：2.1.1 晶體管的類(lèi)型和結(jié)構(gòu)晶體管的類(lèi)型和結(jié)

2、構(gòu)1.1.三極管的結(jié)構(gòu)三極管的結(jié)構(gòu) PNP如圖：如圖：NPN型型PNP型型(由兩個(gè)背靠背的由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成結(jié)構(gòu)成)PNP2.2.結(jié)構(gòu)特點(diǎn)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)基區(qū)很薄，且摻雜很輕?；鶇^(qū)很薄，且摻雜很輕。發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度較集電區(qū)高。發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度較集電區(qū)高。 3.2.1.2 2.1.2 晶體管的電流放大原理晶體管的電流放大原理一、一、什么是三極管的電流放大作用什么是三極管的電流放大作用 基極電流的微小變化會(huì)引起集電極基極電流的微小變化會(huì)引起集電極電流的較大變化，電流的較大變化，或集電極電流比基極或集電極電流比基極電流大若干倍。電流大若干倍。發(fā)射結(jié)加正向電壓發(fā)射結(jié)加正向電壓（正向偏置）（正向偏置）集電結(jié)加

3、反向電壓集電結(jié)加反向電壓（反向偏置（反向偏置）二、二、三極管的放大條件三極管的放大條件三三. .三極管的放大原理三極管的放大原理( (以以NPN管為例管為例) ) 1.1.各電極電流的形成各電極電流的形成NPN：CBEVVVPNP：EBCVVV +_+0EIBICI (2)(2)電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合，形成基極電流電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合，形成基極電流I IB B。(3)(3)電子被集電極收集，形成集電極電流電子被集電極收集，形成集電極電流IC。(1)(1)發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子，形成發(fā)射極電流發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子，形成發(fā)射極電流I IE E。ICIB三極管的電流放大原理：三極管的電流放大原理

4、： 因因IC IB，故當(dāng)故當(dāng)IB發(fā)生微小變化時(shí)，發(fā)生微小變化時(shí)，IC會(huì)作較大的變化。會(huì)作較大的變化。二、晶體管的電流分配關(guān)系二、晶體管的電流分配關(guān)系 ICIBCCBEIIII當(dāng)考慮反向電流時(shí)，當(dāng)考慮反向電流時(shí)，IC IB ICEO說(shuō)明：說(shuō)明：PNPPNP型管的放大原理與此相同，只是型管的放大原理與此相同，只是電流方向與電源極性與此相反。電流方向與電源極性與此相反。由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)看三個(gè)電流的關(guān)系：由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)看三個(gè)電流的關(guān)系：1.1.要使三極管導(dǎo)通放大，發(fā)射要使三極管導(dǎo)通放大，發(fā)射 結(jié)電壓必須大于開(kāi)啟電壓結(jié)電壓必須大于開(kāi)啟電壓U Uonon 硅管：硅管： 0.5V0.5V 鍺管：鍺管： 0.1V0.1

5、V一、輸入特性曲線一、輸入特性曲線指指U UCECE為常數(shù)時(shí)，為常數(shù)時(shí)，I IB B與與 U UBEBE之間的關(guān)系，即：之間的關(guān)系，即：2.1.3 晶體管的輸入和輸出特性曲線晶體管的輸入和輸出特性曲線onU常常數(shù)數(shù) CE)(BEBuufi 2.2.當(dāng)三極管導(dǎo)通放大后，發(fā)當(dāng)三極管導(dǎo)通放大后，發(fā)射結(jié)電壓射結(jié)電壓U UBEBE基本不變基本不變硅管：硅管：0.60.60.7v0.7v ( (一般取一般取0.7V0.7V） 鍺管：鍺管：0.20.20.3v0.3v（一般取（一般取0.2V0.2V）3.3.當(dāng)當(dāng)I IB B、U UBEBE及及U UCECE三個(gè)量中任三個(gè)量中任給兩個(gè)量時(shí)，能求出另一個(gè)給兩個(gè)

6、量時(shí)，能求出另一個(gè)未知量。未知量。二、輸出特性曲線二、輸出特性曲線指指IB為常數(shù)時(shí)，為常數(shù)時(shí)，IC與與UCE的關(guān)系，的關(guān)系， 即：即：0.7A 60U BI onU常數(shù)常數(shù) B)(CECIufi 2.晶體管的三個(gè)工作區(qū)晶體管的三個(gè)工作區(qū) 指指IB0以下的區(qū)域。以下的區(qū)域。 指指IB0， UCEUBE的區(qū)域。的區(qū)域。 BCBCCEC,IiIIuiib 基本無(wú)關(guān)?；緹o(wú)關(guān)?？刂疲c控制，與受受指指 UCEUon且且 UCEUBE截止?fàn)顟B(tài)：截止?fàn)顟B(tài)：UBE 0或或UBEUon 且且 UCEUBE注意：注意： 當(dāng)當(dāng) UCEUBE時(shí)，臨界飽和狀態(tài)。時(shí)，臨界飽和狀態(tài)。 1.1.三極管的結(jié)構(gòu)及放大原理三極管的結(jié)構(gòu)及放大原理(了解）了解）2、三極管的放大條件、三極管的放大條件（重點(diǎn)）（重點(diǎn)）3、三極管的外特性、三極管的外特性（重點(diǎn)）（重點(diǎn)）4、三極管的三個(gè)工作區(qū)及三種工作狀態(tài)、三極管的三個(gè)工作區(qū)及三種工作狀態(tài)（重點(diǎn)）（重點(diǎn)）小結(jié)：小結(jié)：EIBICI 返回7返回10IB/mA0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC/mA0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE/mA0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.052