研究生電化學(xué)基礎(chǔ)教程

1、版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心2第一部分第一部分版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心3基礎(chǔ)目錄基礎(chǔ)目錄版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心4化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心5電化學(xué)電化學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心6電子離子電子離子版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心7電子離子電子離子版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心8電子離子電子離子版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心9電子離子電子離子R1R2C等效電路等效電路版權(quán)20003電分

2、析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心10電子離子電子離子版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心11電池過(guò)程電池過(guò)程鹽橋鹽橋版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心12電池過(guò)程電池過(guò)程版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心13電解池電解池版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心14過(guò)程過(guò)程版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心15研究什么？研究什么？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心16如何研究？如何研究？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心17電極上反應(yīng)電極上反應(yīng)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心18單電極上反應(yīng)單電極上反應(yīng)版權(quán)20

3、003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心19版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心20測(cè)量分析測(cè)量分析版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心21目標(biāo)目標(biāo)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心22復(fù)雜特點(diǎn)復(fù)雜特點(diǎn)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心23實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心24電分析與電化學(xué)電分析與電化學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心25基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心26參考書(shū)參考書(shū)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心27界面目錄界面目錄版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室

4、分析儀器研發(fā)中心28測(cè)量基礎(chǔ)測(cè)量基礎(chǔ)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心29電勢(shì)定義電勢(shì)定義版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心30(a)(b)W1W1W2W2+版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心31ii-Wizi 0ezi 0ezie0真 空 中 無(wú) 窮 遠(yuǎn) 處 ,i=0真 空 中 距 表 面 近 處 ,i= 0 =實(shí) 物 相 內(nèi) 空 穴 中 ,i= 0 =實(shí) 物 相 內(nèi) 部 ii=W1W2 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心32能量變化能量變化參數(shù)與位置參數(shù)與位置 ( = - )位置靜 電勢(shì)粒子的能量參數(shù)能量變化化 學(xué)勢(shì)電化學(xué)勢(shì)脫出功真空無(wú)限遠(yuǎn)0

5、00相 表 面 附 近(真空)0ne0相內(nèi)空穴(真空)0nene相內(nèi)物質(zhì)(實(shí)體) + n e -(+ n e )版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心33狀態(tài)狀態(tài)/作用作用/能量能量版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心34電勢(shì)定標(biāo)電勢(shì)定標(biāo)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心35電子能級(jí)密度分布電子能級(jí)密度分布版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心36半反應(yīng)半反應(yīng)/電勢(shì)電勢(shì)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心37熱力學(xué)熱力學(xué)RTnF版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心38界面？界面？界面界面: : 電化學(xué)反應(yīng)場(chǎng)所電化學(xué)反應(yīng)場(chǎng)所改變電勢(shì)，界面

6、上電荷首先發(fā)改變電勢(shì)，界面上電荷首先發(fā)生過(guò)?；虿蛔闵^(guò)?；虿蛔? (相對(duì)均勻的體相對(duì)均勻的體相相 或相對(duì)某參考體系或相對(duì)某參考體系) )界面電勢(shì)分布？界面電勢(shì)分布？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心39界面界面熱力學(xué)分析熱力學(xué)分析自由能自由能體相體相G = f(T,P,n)G = f(T,P,n)界面界面G = f(T,P,A,n)G = f(T,P,A,n)恒溫恒壓：恒溫恒壓： dG= dG= dndndG=dG= dA +dA + dndnAdAd + + n d n d = 0= 0-d-d = = d d = q d= q d + + c c d d 吉布斯吸附等溫式！吉布

7、斯吸附等溫式！( (電子一粒子電子一粒子) )版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心40界面界面/濃度濃度/電勢(shì)電勢(shì)電勢(shì)？電勢(shì)？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心41界面界面熱力學(xué)分析熱力學(xué)分析-d-d = q dE+= q dE+ c c d d u若忽略電作用若忽略電作用( (不考慮電子不考慮電子) ) ，就，就是吉布斯吸附等溫式是吉布斯吸附等溫式u若忽略化學(xué)作用若忽略化學(xué)作用( (化學(xué)組成不變化學(xué)組成不變d d =0=0) )，就是電勢(shì)與表面張力的關(guān)，就是電勢(shì)與表面張力的關(guān)系系版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心42實(shí)驗(yàn)技術(shù)實(shí)驗(yàn)技術(shù)電極要求電極要求：不發(fā)生電

8、化學(xué)反應(yīng)，電勢(shì)：不發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，電勢(shì)改變僅導(dǎo)致電荷分布變化，導(dǎo)改變僅導(dǎo)致電荷分布變化，導(dǎo)致離子與金屬的相互作用致離子與金屬的相互作用( (吸附吸附脫附脫附) )，離子于金屬電極間不發(fā)，離子于金屬電極間不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移理想極化電極生電子轉(zhuǎn)移理想極化電極選材料選材料：滴汞電極，易于純化，易于：滴汞電極，易于純化，易于更新，測(cè)表面張力更新，測(cè)表面張力版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心43電毛細(xì)曲線測(cè)定電毛細(xì)曲線測(cè)定電毛細(xì)靜電計(jì)電毛細(xì)靜電計(jì) = - = - q d q d 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心44電毛細(xì)曲線結(jié)果電毛細(xì)曲線結(jié)果1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器

9、研發(fā)中心45電毛細(xì)曲線結(jié)果電毛細(xì)曲線結(jié)果2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心46實(shí)驗(yàn)結(jié)果特征實(shí)驗(yàn)結(jié)果特征u張力最大點(diǎn)張力最大點(diǎn) o o零電荷電勢(shì)零電荷電勢(shì)PZCPZCu負(fù)電勢(shì)負(fù)電勢(shì)( (荷負(fù)電荷負(fù)電) )區(qū)，重合區(qū)，重合u正電勢(shì)正電勢(shì)( (荷正電荷正電) )區(qū)，偏離區(qū)，偏離原因？原因？ 電勢(shì)如何分布？電勢(shì)如何分布？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心47金屬電容金屬電容電化學(xué)電化學(xué)：界面：界面電容串聯(lián)，輔電容串聯(lián)，輔助電極面積大，助電極面積大，可忽略輔助電可忽略輔助電極電容極電容可測(cè)固體電極可測(cè)固體電極工作電極工作電極輔助電極輔助電極電容法電容法版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)

10、驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心48微分電容測(cè)定交流電橋微分電容測(cè)定交流電橋C Cd d=dq/d=dq/d =-=- qdqd = = C Cd d d d d d 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心49電容法實(shí)驗(yàn)結(jié)果電容法實(shí)驗(yàn)結(jié)果版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心50實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心51電容法實(shí)驗(yàn)結(jié)果電容法實(shí)驗(yàn)結(jié)果30.0001 1 M版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心52表面吸附量？表面吸附量？正負(fù)離子總是同時(shí)存在正負(fù)離子總是同時(shí)存在解決辦法解決辦法: :負(fù)離子相同正離子不同，負(fù)離子相同正離子不同，正離子相同負(fù)離子不

11、同，不同濃度，正離子相同負(fù)離子不同，不同濃度，不同的參比不同的參比從一系列數(shù)據(jù)中從一系列數(shù)據(jù)中聯(lián)立計(jì)算聯(lián)立計(jì)算出單種離子出單種離子的吸附量的吸附量版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心53實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心54實(shí)驗(yàn)結(jié)果特征實(shí)驗(yàn)結(jié)果特征u張力最大點(diǎn)張力最大點(diǎn), , 電容最小點(diǎn)電容最小點(diǎn)u負(fù)電勢(shì)負(fù)電勢(shì)( (荷負(fù)電荷負(fù)電) )區(qū)，重合區(qū)，重合u正電勢(shì)正電勢(shì)( (荷正電荷正電) )區(qū)區(qū), , 偏離線性偏離線性, , 與陰離子種類(lèi)相關(guān)與陰離子種類(lèi)相關(guān), , 也吸附正也吸附正離子離子u張力最大點(diǎn)、電容最小點(diǎn)與濃張力最大點(diǎn)、電容最小點(diǎn)與濃度有關(guān)，濃溶液中

12、可能不出現(xiàn)度有關(guān)，濃溶液中可能不出現(xiàn)此點(diǎn)此點(diǎn)原因？原因？ ？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心55模型模型1-海姆荷茲平板雙層海姆荷茲平板雙層u金屬電極：良導(dǎo)體，等金屬電極：良導(dǎo)體，等電勢(shì)體，剩余電荷在金電勢(shì)體，剩余電荷在金屬表面，緊貼分布屬表面，緊貼分布u溶液：同量的相反電荷溶液：同量的相反電荷存在于溶液表面存在于溶液表面, ,緊密排緊密排列列u類(lèi)似間距為分子距離的類(lèi)似間距為分子距離的平板電容器平板電容器, , 濃強(qiáng)電濃強(qiáng)電解質(zhì)解質(zhì)金屬金屬電子電子溶液溶液離子離子分子距離分子距離版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心56模型模型1特征特征u金屬側(cè)源于物理學(xué)的認(rèn)識(shí)金屬側(cè)源于

13、物理學(xué)的認(rèn)識(shí)u值為常數(shù)值為常數(shù) Cd = Cd = o / d = o / d = / 4/ 4 d d u無(wú)法解釋與化學(xué)組成的關(guān)系無(wú)法解釋與化學(xué)組成的關(guān)系u無(wú)法解釋最低表面張力無(wú)法解釋最低表面張力u無(wú)法解釋與濃度的關(guān)系無(wú)法解釋與濃度的關(guān)系版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心57？u問(wèn)題：離子有大小，水化的，問(wèn)題：離子有大小，水化的，電解質(zhì)溶液是離子導(dǎo)電體，電解質(zhì)溶液是離子導(dǎo)電體，正負(fù)離子共存正負(fù)離子共存u如何理解和認(rèn)識(shí)？如何理解和認(rèn)識(shí)？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心58u三種可能的考慮三種可能的考慮u金屬金屬/ /極濃溶液金屬極濃溶液金屬/ /稀溶液稀溶液 半半導(dǎo)體

14、導(dǎo)體/ /稀溶液稀溶液版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心59Gouy-Chapman-Stern模型模型考慮溶液中考慮溶液中粒子熱運(yùn)動(dòng)，粒子熱運(yùn)動(dòng)，勢(shì)能場(chǎng)中的勢(shì)能場(chǎng)中的粒子分布，粒子分布，電場(chǎng)中電荷電場(chǎng)中電荷分布，離子分布，離子為點(diǎn)電荷為點(diǎn)電荷分散緊密CCdqddqdC11111版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心60GCS模型模型 溶劑化離子能接近電極的最短距離為溶劑化離子能接近電極的最短距離為d d內(nèi)層，緊密層；介電常數(shù)恒定，電場(chǎng)內(nèi)層，緊密層；介電常數(shù)恒定，電場(chǎng)強(qiáng)度恒定，電勢(shì)梯度恒定強(qiáng)度恒定，電勢(shì)梯度恒定( (電勢(shì)線性變電勢(shì)線性變化化) ) XdXd，分散層；，分散層

15、；x=dx=d處，處， 電勢(shì)電勢(shì) 1 1 粒子熱運(yùn)動(dòng)，勢(shì)能場(chǎng)，靜電場(chǎng)粒子熱運(yùn)動(dòng)，勢(shì)能場(chǎng)，靜電場(chǎng) 1/C = 1/C(1/C = 1/C(緊密層緊密層) )+ +1/C (1/C (分散層分散層) )，二層串聯(lián)二層串聯(lián) 無(wú)特性相互作用無(wú)特性相互作用( (即僅考慮電作用即僅考慮電作用) )版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心61GCS模型模型 BoltzmannBoltzmann分布勢(shì)能場(chǎng)分布勢(shì)能場(chǎng)( (這里為電場(chǎng)這里為電場(chǎng)) )中中粒子濃度分布粒子濃度分布 C = CC = Co o exp(- )exp(- ) PoissonPoisson方程方程 -電荷密度與電場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系電荷密度與

16、電場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系 邊界條件：邊界條件：x=dx=d處電勢(shì)處電勢(shì) 1 1 ；0 xd0 xd范圍無(wú)電范圍無(wú)電荷荷, ,介電常數(shù)恒定；在介電常數(shù)恒定；在dxdx 范圍積分范圍積分; ; x= x= 處處( (溶液體相溶液體相) )電勢(shì)電勢(shì) = =0, 0, / / x =0 x =0 FRT / x = - E/ x = - 4/ 22版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心62聯(lián)立推導(dǎo)聯(lián)立推導(dǎo)RTFRTcxodx2sinh3212244qdxxddx求解得到剩余電荷求解得到剩余電荷q q，分散層電勢(shì)分布，分散層電勢(shì)分布 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心63結(jié)果結(jié)果11z 46.1

17、9sinh372ocq )(exp1dx o2/1A096. 081/1ooccRTFzL分散分散層厚度：分散層厚度：0.1M0.1mM, 0.1M0.1mM, 約約1100 A1100 A 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心64結(jié)果結(jié)果246.19cosh1032. 7131分散zczddqCo時(shí)有極小值01032. 7131分散oczddqC解釋了稀溶液中零電荷電勢(shì)附近的電容解釋了稀溶液中零電荷電勢(shì)附近的電容極小值，但難以解釋濃溶液中和遠(yuǎn)離極小值，但難以解釋濃溶液中和遠(yuǎn)離零電荷電勢(shì)處的情況零電荷電勢(shì)處的情況版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心65結(jié)果結(jié)果版權(quán)20003

18、電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心66分析分析1 GCSGCS理論可以計(jì)算理論可以計(jì)算 1 1 C, C, , q, q等，等，但不完全與實(shí)驗(yàn)測(cè)定的等同但不完全與實(shí)驗(yàn)測(cè)定的等同 局部電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)一千萬(wàn)伏每厘米，局部電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)一千萬(wàn)伏每厘米，介電常數(shù)不是恒定值介電常數(shù)不是恒定值 波茲曼分布，局部濃度遠(yuǎn)高于體相波茲曼分布，局部濃度遠(yuǎn)高于體相濃度，需考慮活度濃度，需考慮活度 離子有大小，需要考慮粒子性、電離子有大小，需要考慮粒子性、電荷分布不均勻荷分布不均勻版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心67分析分析2如何解決如何解決 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：電勢(shì)、電容、電荷、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：電勢(shì)、電容、電荷、濃度、組成及其

19、關(guān)系；濃度、組成及其關(guān)系； 求出：電容的兩部分、分散層電求出：電容的兩部分、分散層電勢(shì)、電極電勢(shì)、剩余電荷關(guān)系勢(shì)、電極電勢(shì)、剩余電荷關(guān)系版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心68結(jié)果結(jié)果u溶液很稀、零電荷電勢(shì)附近，溶液很稀、零電荷電勢(shì)附近，分散層電容才較小分散層電容才較小( (極小值極小值) )u電極荷大量負(fù)電時(shí)，電容幾電極荷大量負(fù)電時(shí)，電容幾乎與濃度無(wú)關(guān)乎與濃度無(wú)關(guān)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心69理論修正理論修正與水分子的相與水分子的相互作用：水分互作用：水分子定向吸附，子定向吸附，介電飽和，介介電飽和，介電常數(shù)降低電常數(shù)降低版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研

20、發(fā)中心70RTFRTFcRTCo2exp2exp2111緊密1 濃度低和相間電勢(shì)小時(shí)，分散電勢(shì)濃度低和相間電勢(shì)小時(shí)，分散電勢(shì)也很小，右第二項(xiàng)可忽略。相間電也很小，右第二項(xiàng)可忽略。相間電勢(shì)差主要在分散層分布勢(shì)差主要在分散層分布 濃度高和相間電勢(shì)大時(shí)，可略右第濃度高和相間電勢(shì)大時(shí)，可略右第一項(xiàng)和指數(shù)項(xiàng)的較小項(xiàng)，此時(shí)，一項(xiàng)和指數(shù)項(xiàng)的較小項(xiàng)，此時(shí)，1-1-1 1電解質(zhì)，濃度變化電解質(zhì)，濃度變化1010倍，分散層倍，分散層電勢(shì)變化電勢(shì)變化59mV.59mV.版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心71計(jì)算結(jié)果計(jì)算結(jié)果0.001 1 M版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心72NaF實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)

21、版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心73特性吸附特性吸附1電極荷負(fù)電：電極荷負(fù)電：理論和實(shí)驗(yàn)，正離子理論和實(shí)驗(yàn)，正離子對(duì)界面參數(shù)影響甚小，相互作用對(duì)界面參數(shù)影響甚小，相互作用為主要為靜電作用，溶劑水分子為主要為靜電作用，溶劑水分子在強(qiáng)電場(chǎng)中的定向偶極化，正離在強(qiáng)電場(chǎng)中的定向偶極化，正離子不會(huì)接近到內(nèi)層，無(wú)特性吸附子不會(huì)接近到內(nèi)層，無(wú)特性吸附特性吸附？特性吸附？版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心74特性吸附特性吸附2u電極荷正電：化學(xué)作用電極荷正電：化學(xué)作用, , 低溶劑低溶劑化的負(fù)離子化的負(fù)離子u能更近靠近電極表面，發(fā)生接觸能更近靠近電極表面，發(fā)生接觸吸附吸附u內(nèi)層內(nèi)層:

22、 : 化學(xué)特性吸附化學(xué)特性吸附u外層外層: : 熱運(yùn)動(dòng)正離子接近電極的熱運(yùn)動(dòng)正離子接近電極的最近距離最近距離版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心75特性吸附特性吸附3版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心76特性吸附特性吸附4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心77電極電極/溶液溶液 界面模型總結(jié)界面模型總結(jié)1金屬電極側(cè)，分布在電極表面的電金屬電極側(cè)，分布在電極表面的電子。溶液側(cè)，大致分子。溶液側(cè)，大致分緊密層、分散緊密層、分散層層兩部分，緊密層為兩相間界面層，兩部分，緊密層為兩相間界面層，約約幾埃幾埃。分散層由分散在溶液薄層。分散層由分散在溶液薄層中的離子構(gòu)成，構(gòu)

23、成電勢(shì)梯度。稀中的離子構(gòu)成，構(gòu)成電勢(shì)梯度。稀溶液和零電荷電勢(shì)附近溶液和零電荷電勢(shì)附近, , 分散層可分散層可達(dá)達(dá)幾百埃幾百埃。濃溶液和表面電荷密度。濃溶液和表面電荷密度大時(shí)大時(shí), , 分散層對(duì)電勢(shì)貢獻(xiàn)可忽略。分散層對(duì)電勢(shì)貢獻(xiàn)可忽略。 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心78電極電極/溶液溶液 界面模型總結(jié)界面模型總結(jié)2分散層是電場(chǎng)中，離子分散層是電場(chǎng)中，離子熱運(yùn)動(dòng)熱運(yùn)動(dòng)形成形成的。主要與溫度、濃度、電荷密度的。主要與溫度、濃度、電荷密度相關(guān)，與離子個(gè)別特性關(guān)系不大。相關(guān)，與離子個(gè)別特性關(guān)系不大。從統(tǒng)計(jì)角度可認(rèn)為從統(tǒng)計(jì)角度可認(rèn)為 分散層中，電極分散層中，電極表面的平行面為等勢(shì)能面。分散

24、層表面的平行面為等勢(shì)能面。分散層可看作是受到電場(chǎng)影響的離子氛。可看作是受到電場(chǎng)影響的離子氛。 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心79電極電極/溶液溶液 界面模型總結(jié)界面模型總結(jié)3緊密層決定界面層結(jié)構(gòu)，表征了兩緊密層決定界面層結(jié)構(gòu)，表征了兩相電荷能接近的程度，大多數(shù)相電荷能接近的程度，大多數(shù)正正離離子水化程度高，一般不能和電極發(fā)子水化程度高，一般不能和電極發(fā)生化學(xué)作用。而許多生化學(xué)作用。而許多負(fù)負(fù)離子水化程離子水化程度低，可于電極表面原子發(fā)生化學(xué)度低，可于電極表面原子發(fā)生化學(xué)作用而直接吸附在電極表面，發(fā)生作用而直接吸附在電極表面，發(fā)生特性吸附特性吸附。版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分

25、析儀器研發(fā)中心80電極電極/溶液溶液 界面模型總結(jié)界面模型總結(jié)特性吸附時(shí)，界面電勢(shì)分布呈特性吸附時(shí)，界面電勢(shì)分布呈三電三電層層形式。特性吸附源于化學(xué)作用，形式。特性吸附源于化學(xué)作用，類(lèi)似一種弱的化學(xué)鍵，覆蓋度不大類(lèi)似一種弱的化學(xué)鍵，覆蓋度不大時(shí)，可以表現(xiàn)出二維的不均勻性，時(shí)，可以表現(xiàn)出二維的不均勻性，并與電極表面的性質(zhì)并與電極表面的性質(zhì)( (不均勻、晶面不均勻、晶面) )等相關(guān)。等相關(guān)。 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心81研究介紹研究介紹1汞電極汞電極的特殊性的特殊性: :基本理想極化，基本理想極化，易于純化，表面均勻易于純化，表面均勻固體電極固體電極：不容易研究。一般：不容易

26、研究。一般：?jiǎn)尉?，理想極化電勢(shì)區(qū)單晶，理想極化電勢(shì)區(qū)( (很窄很窄) )基于對(duì)理論的偏離來(lái)研究吸附基于對(duì)理論的偏離來(lái)研究吸附方法方法：電化學(xué)，光譜等：電化學(xué)，光譜等版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心82研究介紹研究介紹2各種物質(zhì)的吸附，如各種物質(zhì)的吸附，如 H H+ +、OHOH- -、X X- -、水分子、有機(jī)分子等水分子、有機(jī)分子等一般認(rèn)為緊密層電容均為一般認(rèn)為緊密層電容均為20402040F cm-2測(cè)量零電荷電勢(shì)測(cè)量零電荷電勢(shì)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心83研究介紹研究介紹3Au(210) Au(210) NaFNaF版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器

27、研發(fā)中心84研究介紹研究介紹4Pt 0.5M H2SO4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心85零電荷電勢(shì)零電荷電勢(shì) 零電荷電勢(shì)：零電荷電勢(shì)：界面區(qū)界面區(qū)( (金屬和溶液金屬和溶液) )沒(méi)有剩余電荷時(shí)的電勢(shì)，是對(duì)界沒(méi)有剩余電荷時(shí)的電勢(shì)，是對(duì)界面荷電電性質(zhì)的一種表征面荷電電性質(zhì)的一種表征 電極電勢(shì)電極電勢(shì)( (相對(duì)于零電荷電勢(shì)相對(duì)于零電荷電勢(shì)) )是是分析電極分析電極/ /溶液界面結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的溶液界面結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的重要參數(shù)重要參數(shù) 電極電勢(shì)電極電勢(shì)( (相對(duì)于參比電極相對(duì)于參比電極) )是分是分析電極過(guò)程熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的重析電極過(guò)程熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的重要參數(shù)要參數(shù)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)

28、驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心86吸附吸附1吸附吸附表面自由能表面張力分表面自由能表面張力分子間相互作用化學(xué)作用催化子間相互作用化學(xué)作用催化毒化毒化不參加電化學(xué)反應(yīng)的吸附不參加電化學(xué)反應(yīng)的吸附改變界改變界面結(jié)構(gòu)和電勢(shì)分布面結(jié)構(gòu)和電勢(shì)分布參加電化學(xué)反應(yīng)的吸附參加電化學(xué)反應(yīng)的吸附本身就是本身就是反應(yīng)物或產(chǎn)物反應(yīng)物或產(chǎn)物版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心87吸附吸附2不參加電化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)吸附不參加電化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)吸附有有機(jī)分子。表面活性劑、緩蝕劑、機(jī)分子。表面活性劑、緩蝕劑、電鍍光亮劑、促進(jìn)劑等等電鍍光亮劑、促進(jìn)劑等等目的目的選擇促進(jìn)某些反應(yīng)，阻止另選擇促進(jìn)某些反應(yīng)，阻止另一些反應(yīng)一些反應(yīng)實(shí)驗(yàn)方

29、法實(shí)驗(yàn)方法微分電容，光譜分析，微分電容，光譜分析，電化學(xué)石英晶體微天平電化學(xué)石英晶體微天平版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心88吸附吸附3研究什么研究什么電勢(shì)電勢(shì)( (分布分布) )、吸附量覆、吸附量覆蓋度、溶液濃度、時(shí)間、分子種蓋度、溶液濃度、時(shí)間、分子種類(lèi)結(jié)構(gòu)、吸附取向、與電極作用、類(lèi)結(jié)構(gòu)、吸附取向、與電極作用、吸附分子間作用、與溶劑分子作吸附分子間作用、與溶劑分子作用、電極材料。和氣液界面比較。用、電極材料。和氣液界面比較。涉及過(guò)程涉及過(guò)程吸附溶劑分子被有機(jī)分吸附溶劑分子被有機(jī)分子替換子替換版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心89吸附吸附4( (有機(jī)有機(jī)) )表面活

30、性物質(zhì)吸附表面活性物質(zhì)吸附版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心90吸附吸附5版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心91界面界面263電勢(shì)：驅(qū)動(dòng)電子運(yùn)動(dòng)的力量，界面電勢(shì)：驅(qū)動(dòng)電子運(yùn)動(dòng)的力量，界面電荷分布的表現(xiàn)，這里的電荷是電荷分布的表現(xiàn)，這里的電荷是有化學(xué)性質(zhì)的電荷，或粒子是有有化學(xué)性質(zhì)的電荷，或粒子是有電荷的化學(xué)粒子。電荷的化學(xué)粒子。界面結(jié)構(gòu)：帶電粒子的空間分布，界面結(jié)構(gòu)：帶電粒子的空間分布，這里就是發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的場(chǎng)所這里就是發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的場(chǎng)所吸附：與電荷相關(guān)或不相關(guān)的粒子吸附：與電荷相關(guān)或不相關(guān)的粒子間的相互作用間的相互作用( (如水化、取向如水化、取向) )版權(quán)200

31、03電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心92目錄目錄版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心93傳質(zhì)？傳質(zhì)？ 5步驟步驟版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心94傳質(zhì)傳質(zhì)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心95傳質(zhì)分類(lèi)傳質(zhì)分類(lèi)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心96流量關(guān)系流量關(guān)系z(mì)cycxcDJiiiii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心97電流電流版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心98擴(kuò)散擴(kuò)散版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心99傳質(zhì)定律傳質(zhì)定律版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心100第二定律第二定律2221xc

32、DdxJJxdJdtciii微元內(nèi)濃度的變化微元內(nèi)濃度的變化( (一維一維) )：版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心101梯度與散度梯度與散度版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心102穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)(暫態(tài)暫態(tài))版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心103穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)(暫態(tài)暫態(tài))數(shù)學(xué)描述數(shù)學(xué)描述版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心104 2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心105求解濃度(時(shí)間)分布的條件*R*Ot)(x,Climt)(x,ClimRxOxCC版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心106求解濃度(時(shí)

33、間)分布的條件版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心107理想穩(wěn)態(tài)理想穩(wěn)態(tài)(完全無(wú)對(duì)流完全無(wú)對(duì)流)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心108求解電流濃度關(guān)系版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心109分析分析版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心110分析分析版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心111實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心112實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)2層流層流版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心113實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)3版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心114實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)4層流層流00/xi

34、siidxdccc版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心115實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)5層流層流2222ycxcDycvxcviiiiyix版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心116實(shí)際穩(wěn)態(tài)實(shí)際穩(wěn)態(tài)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心117旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心118旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極iiriycrvrcvycv222222211iiiiicrrcrrcycD版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心119旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極22ycDycviiiy22/ 12/351. 0yvy版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分

35、析儀器研發(fā)中心120旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極 dyBBcccycsiisii3/y-exp38934. 0y033051. 0/2/13/2iDB 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心121旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極II 1/21/2關(guān)系關(guān)系求求n n版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心122平板穩(wěn)態(tài)極化曲線平板穩(wěn)態(tài)極化曲線1sRsOaanFRTln0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心123穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線2IIInFRTIInFRTdddln1ln平00平lnOOcfnFRT版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心124穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線3版

36、權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心125穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心126穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線5IIInFRTdln1/2ORRROODfDfnFRTln01/2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心127穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線6版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心128穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線7版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心129穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線8版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心130靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)1平板電極平板電極版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心1

37、31靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)2tDxerfccctxcsiisii2,0tDxerfctxcii2,0Cis =0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心132靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)3版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心133靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心134靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)5版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心135靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液體非穩(wěn)態(tài)6tDcnFtIii)(0t)(0isiiDccnFtICis 常數(shù)常數(shù)Cis =0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心136靜止液體非穩(wěn)態(tài)靜止液

38、體非穩(wěn)態(tài)7版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心137非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)8恒電流恒電流itxinFDIxc0 , 04exp22Dx,2i00tDxDttDxerfcnFIctxciiiii濃度分布濃度分布22, 000iiiDtnFIctc表面濃度表面濃度版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心138非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)920i2022c 4IDFnii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心139非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)10版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心140非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)111), 0(2/10iiitctc2/12/12/1ln)(OOtnFRTt常數(shù)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)

39、驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心141非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)12), 0(2/12/100ROOORRDDtcctc2/12/12/1ln)(ttnFRTtO平版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心142非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)13版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心143非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)14 球電極球電極版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心144非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)15 球電極球電極11/00 ,000tDrcrcdxdccciitrrixisii 2rr1,0000tDrrerfcnFIccctrcisiisii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心145非穩(wěn)態(tài)非穩(wěn)態(tài)16 球電極球電極t11)(00

40、isiiiDrccnFDtI版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心146微盤(pán)電極微盤(pán)電極222221zcrcrcDtciiiii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心147微盤(pán)電極微盤(pán)電極 穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)2200012rrczcizi00i00c 420rnFDdrrzcnFDIirzii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心148微盤(pán)電極微盤(pán)電極 穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài))/(c 400irnFDIid版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心149微盤(pán)電極微盤(pán)電極 暫態(tài)暫態(tài)2000i/4/7823. 0exp2146. 044c 4rtDrnFDiiid版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室

41、分析儀器研發(fā)中心150第一第一 二定律二定律2221xcDdxJJxdJdtciii菲克菲克FickFick第一定律第一定律: : 傳質(zhì)流量與濃度傳質(zhì)流量與濃度的空間梯度的關(guān)系的空間梯度的關(guān)系J Ji i= -D= -Di i dc dci i/dx/dx版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心151穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)與非穩(wěn)態(tài)(暫態(tài)暫態(tài))版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心152條件與求解版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心153擴(kuò)散問(wèn)題的表觀通解擴(kuò)散問(wèn)題的表觀通解00/xisiidxdcccI = nFDI = nFDi i(C(Ci i0 0 -C-Ci is s)

42、/)/ 極限極限I Id d=nFD=nFDi iC Ci i0 0/ / 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心154穩(wěn)態(tài)傳質(zhì)分析穩(wěn)態(tài)傳質(zhì)分析版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心155平板擴(kuò)散的時(shí)間特征分析平板擴(kuò)散的時(shí)間特征分析tDxerfccctxcsiisii2,0 = Ci0/( Ci/ x)x=0= (Di t)1/2t)(0isiiDccnFtI版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心156對(duì)比分析對(duì)比分析版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心157目錄目錄版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心158電化學(xué)反應(yīng)特點(diǎn)電化學(xué)反應(yīng)特點(diǎn)1版權(quán)2000

43、3電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心159電化學(xué)反應(yīng)特點(diǎn)電化學(xué)反應(yīng)特點(diǎn)2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心160熱力學(xué)與動(dòng)力學(xué)熱力學(xué)與動(dòng)力學(xué)*0lnROCCnFRTEE版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心161自由能中自由能中版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心162平衡時(shí)的動(dòng)力學(xué)平衡時(shí)的動(dòng)力學(xué)平平衡衡時(shí)時(shí)RTEnFWknFACRTEnFWknFACaRcO2*1*expexp版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心163平衡時(shí)平衡時(shí), 能斯特方程成立能斯特方程成立ROacCCnFRTkknFRTnFWWElnln*21ROCCnFRTEEln0于是，于是，

44、NernstNernst方程方程版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心164熱力學(xué)熱力學(xué)RTnF版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心165標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)與電極反應(yīng)速度常數(shù)標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)與電極反應(yīng)速度常數(shù)E E0平衡平衡expexpexpexp0001*1*0cOcOcOcOcKnFACRTnFEKnFCRTnFERTWknFCRTEnFWknFCEi版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心166E0參考點(diǎn)參考點(diǎn)RTnFEKRTnFEKKac0000expexp版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心167E0參考點(diǎn)參考點(diǎn)RTEEnFnFCiRTEEnFnFCiRaOc

45、00expKt)(0,expKt)(0,凈電流凈電流I = iI = ic c- i- ia a版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心168任一平衡態(tài)下任一平衡態(tài)下1RO0RO00CCexpKCCexpKReqRaOeqOcnFKCRTEEnFnFCinFKCRTEEnFnFCii版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心169電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)RTEEEEnFnFCiRTEEEEnFnFCieqeqRaeqeqOc00expKt)(0,expKt)(0,)(EEEEeqceqa使用使用以平衡態(tài)以平衡態(tài)E Eeqeq為參考點(diǎn)為參考點(diǎn)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研

46、發(fā)中心170電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)ROCCnFRTEEln0ROeqROeqCCRTEEnFCCRTEEnF00expexp版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心171動(dòng)力學(xué)速度公式動(dòng)力學(xué)速度公式RTnFCtCCCnFKCiRTnFCtCCCnFKCiaRRROOacOOROOcexp), 0(exp), 0(RTnFtCKnFiRTnFtCKnFiaRacOcexp), 0(exp), 0(版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心172電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)RTnFCtCRTnFCtCiIcRRcOOexp), 0(exp), 0(0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分

47、析儀器研發(fā)中心173電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心174純粹電化學(xué)極化純粹電化學(xué)極化RTnFRTnFiIccexpexp0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心175基本分析基本分析1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心176基本分析基本分析1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心177基本分析基本分析2RTnFiIcexp0InFRTinFRTclnln0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心178基本分析基本分析2版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心179基本分析基本分析3版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室

48、分析儀器研發(fā)中心180基本分析基本分析4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心181基本分析基本分析5版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心182平衡電勢(shì)穩(wěn)定電勢(shì)平衡電勢(shì)穩(wěn)定電勢(shì)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心183穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線1 i0影響影響版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心184穩(wěn)態(tài)極化曲線穩(wěn)態(tài)極化曲線2 影響影響版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心185濃度極化與電化學(xué)極化濃度極化與電化學(xué)極化RTnFCtCRTnFCtCiIcRRcOOexp), 0(exp), 0(0、 K K ( (i0) ) 表表征了電化學(xué)動(dòng)力學(xué)征了電

49、化學(xué)動(dòng)力學(xué)的性質(zhì)，的性質(zhì)，C(0,t)C(0,t)與與C則表征了濃度極化則表征了濃度極化的作用的作用版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心186濃度極化與電化學(xué)極化濃度極化與電化學(xué)極化 i0、IdIIInFRTiInFRTddclnln0版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心187濃度極化與電化學(xué)極化濃度極化與電化學(xué)極化 i0、Id半對(duì)數(shù)區(qū)半對(duì)數(shù)區(qū)擴(kuò)散影響擴(kuò)散影響平衡附近平衡附近 版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心188測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心189測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)2RTnFtCKnFIciOexp12

50、/1002/1001lnln)(iOctnFRTICKnFnFRTt版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心190測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)31 1施加電流施加電流和測(cè)量電勢(shì)要和測(cè)量電勢(shì)要足夠快，足夠快，2 2雙層充電雙層充電影響足夠小影響足夠小測(cè)量上限測(cè)量上限110 cm s110 cm s-1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心191測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)4)()exp()(2/12*terfctItI版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心192測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)51 1施加電勢(shì)施加電勢(shì)和測(cè)量電流要和測(cè)量電流要足夠快，足夠快，2 2雙層充電雙層充電

51、影響足夠小影響足夠小測(cè)量上限測(cè)量上限110 cm s110 cm s-1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心193電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心194電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)2 反應(yīng)分類(lèi)反應(yīng)分類(lèi)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心195電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)3版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心196電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)4版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心197電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)5版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心198電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)6版權(quán)20003電分

52、析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心199電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)7版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心200電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)8版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心201電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)9版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心202電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)10版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心203電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)11版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心204電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)12kTEEkTEWii4exp)4()(202/1版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心205電子交換的本質(zhì)電子交

53、換的本質(zhì)13版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心206電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)14版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心207電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)15版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心208電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)16版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心209電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)17版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心210電子交換的本質(zhì)電子交換的本質(zhì)18版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心211目錄目錄版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心212復(fù)雜反應(yīng)復(fù)雜反應(yīng)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研

54、發(fā)中心213電化學(xué)電化學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心214電化學(xué)電化學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心215電化學(xué)電化學(xué)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心216反應(yīng)機(jī)理反應(yīng)機(jī)理版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心217物理電子基礎(chǔ)物理電子基礎(chǔ)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心218計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心219數(shù)學(xué)基礎(chǔ)數(shù)學(xué)基礎(chǔ)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心220數(shù)學(xué)基礎(chǔ)數(shù)學(xué)基礎(chǔ)0st- )(e )(dttFtFLdffHdtfHe )(h(t)e h(t)(tf j2tf

55、 j2-版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心221平滑和濾波、擬合平滑和濾波、擬合版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心222模擬模擬版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心223最小二乘法最小二乘法版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心224最小二乘法線性最小二乘法線性版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心225最小二乘法線性最小二乘法線性njjbxfyQ12,版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心226最小二乘法線性最小二乘法線性0ibQ版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心227最小二乘法線性最小二乘法線性版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)

56、驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心228最小二乘法非線性最小二乘法非線性版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心229最小二乘法非線性最小二乘法非線性版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心230測(cè)量與數(shù)據(jù)測(cè)量與數(shù)據(jù)版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心231平滑、濾波平滑、濾波版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心232平滑、濾波平滑、濾波版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心233平滑、濾波平滑、濾波版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心234插值插值版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心235插值插值版權(quán)20003電分析國(guó)家實(shí)驗(yàn)室分析儀器研發(fā)中心236插值插值10100101112121yxxxxyxxxxyxxxxyyyyininijjjijnyxxxxxP 0, 0)(拉格朗日插拉格朗