減薄劃片工藝介紹學(xué)習(xí)教案

1、會計學(xué)1減薄劃片工藝減薄劃片工藝(gngy)介紹介紹第一頁，共46頁。第1頁/共45頁第二頁，共46頁。外延(wiyn)片下料清洗(qngx)蒸鍍黃光作業(yè)刻蝕合金減薄劃片測試分選減薄、劃片位于芯片生產(chǎn)工藝的中游。第2頁/共45頁第三頁，共46頁。減薄、劃片COW（chip on wafer）COT (chip on wafer)減薄、劃片第3頁/共45頁第四頁，共46頁。研磨機研磨機拋光機拋光機第4頁/共45頁第五頁，共46頁。激光激光(jgung)劃片機劃片機裂片裂片(li pin)機機第5頁/共45頁第六頁，共46頁。第6頁/共45頁第七頁，共46頁。430m80m我司減薄的過程(guch

2、ng)是要將厚度約為430m的COW片（chip on wafer）減薄至80m5m左右第7頁/共45頁第八頁，共46頁。 定義： 將芯片固定在陶瓷(toc)盤上便于減薄的過程。第8頁/共45頁第九頁，共46頁。 步驟： 清潔陶瓷盤 上蠟貼片前，首先需要保證陶瓷盤的潔凈程度，LED芯片減薄是屬于微米量級的操作，任何細微的雜質(zhì)都可能導(dǎo)致意想不到(y xing b do)的異常狀況。第9頁/共45頁第十頁，共46頁。 步驟： 涂蠟 將陶瓷(toc)盤加熱至140，保證蠟條能迅速融化，涂蠟過程中需注意要使蠟均勻分布在陶瓷(toc)盤表面。第10頁/共45頁第十一頁，共46頁。 步驟： 貼片 將需要減

3、薄的芯片小心(xio xn)放置于陶瓷盤上，注意需要趕走芯片與蠟層之間的氣泡。第11頁/共45頁第十二頁，共46頁。 步驟： 加壓冷卻 通過(tnggu)加壓的方式使，陶盤與芯片之間的蠟均勻分布，并凝固將芯片固定。第12頁/共45頁第十三頁，共46頁。 定義： 使用鉆石砂輪將芯片(xn pin)快速減薄到一定厚度，研磨后芯片(xn pin)厚度值為1205m，此步驟大約耗時15min。430m15min120m第13頁/共45頁第十四頁，共46頁。 步驟： 修盤 每次研磨前需使用油石將鉆石砂輪修整一遍。此動作意義(yy)類似于切菜的前磨刀。第14頁/共45頁第十五頁，共46頁。 步驟(bzhu

4、)： 歸零 歸零實際是設(shè)置研磨起始點，歸零又分為手動歸零和自動歸零。第15頁/共45頁第十六頁，共46頁。 步驟： 研磨 砂輪高速自轉(zhuǎn)（1050rpm）并以一定的規(guī)律(gul)進給將芯片減薄到指定厚度。第16頁/共45頁第十七頁，共46頁。 定義： 如果說研磨(ynm)是快速減薄的過程，拋光則是一個緩慢減薄的過程，同時使芯片表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面。第17頁/共45頁第十八頁，共46頁。 步驟(bzhu)： 鑲盤 將錫盤上均勻布滿鉆石液的過程。第18頁/共45頁第十九頁，共46頁。 步驟(bzhu)： 拋光 通過拋光液中的鉆石顆粒，緩慢減薄芯片。第19頁/共45頁第二十頁，共46頁

5、。 定義(dngy)： 將減薄后的芯片從陶瓷盤上卸下來的過程。第20頁/共45頁第二十一頁，共46頁。 步驟： 浸泡 將拋光后的陶瓷盤放入去蠟鍋中，加熱浸泡5min左右(zuyu)，使芯片從陶瓷上剝離。第21頁/共45頁第二十二頁，共46頁。 步驟： 夾取 用平口鑷小心將減薄后的芯片夾只提籃中以便于清洗。由于芯片很薄夾取過程(guchng)中需非常小心。第22頁/共45頁第二十三頁，共46頁。 定義(dngy)： 使用一定的化學(xué)試劑通過水浴浸泡，QDR沖洗的方式將芯片上蘸有的殘蠟清洗干凈。第23頁/共45頁第二十四頁，共46頁。 步驟(bzhu)： 去蠟液ACEIPAQDRIPA烘干第24頁/

6、共45頁第二十五頁，共46頁。劃片第25頁/共45頁第二十六頁，共46頁。 定義(dngy)： 使用藍膜或白膜將減薄后芯片固定的過程。 第26頁/共45頁第二十七頁，共46頁。 步驟： 準(zhǔn)備工作 用IPA加至無塵布上擦拭chuck表面和滾輪(gnln)。把vacuum開至off。減薄后80m芯片很脆弱，需要注重每一個細節(jié)。第27頁/共45頁第二十八頁，共46頁。 步驟： 取片 把貼片機vacuum開至off處。小心(xio xn)將貼好的芯片取下。第28頁/共45頁第二十九頁，共46頁。 步驟： 貼片 放鐵環(huán)(ti hun)，需注意對準(zhǔn)卡栓，用平口鑷子夾取芯片，放片時芯片正面朝上，使用白膜粘住

7、芯片。第29頁/共45頁第三十頁，共46頁。 使用激光在芯片背面(bimin)，沿切割道劃片。不同尺寸芯片，劃片深度不一，深度區(qū)間為25至40m之間。注意：并未將芯片劃穿。第30頁/共45頁第三十一頁，共46頁。 在芯片正面（激光劃芯片背面），沿著激光劃片的痕跡使用裂片機將管芯完全(wnqun)分離開。第31頁/共45頁第三十二頁，共46頁。 定義： 將完全(wnqun)分離的管芯由正面貼膜翻轉(zhuǎn)成背面貼膜。 第32頁/共45頁第三十三頁，共46頁。 步驟： 去雜質(zhì) 將切割與劈裂過程中產(chǎn)生(chnshng)的一些碎屑雜質(zhì)粘掉。第33頁/共45頁第三十四頁，共46頁。 步驟： 貼膜 剪一方形藍膜(

8、大小為 20cm*20cm，長寬誤差(wch)不大于2cm)，將Wafer背面貼于藍膜中間位置第34頁/共45頁第三十五頁，共46頁。 步驟： 加壓 藍膜在下，白膜在上放于倒膜機加熱平臺上，蓋上硅膠片，硅膠片需覆蓋整個片子區(qū)域，按下下降按鈕，加壓盤下降，等待4秒后加壓盤自動上升(shngshng)，即加壓一次完成。第35頁/共45頁第三十六頁，共46頁。 步驟： 撕膜 從加熱(ji r)平臺上取下，左手按住貼有Wafer的藍膜，右手貼著膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面貼膜變成了背面貼膜第36頁/共45頁第三十七頁，共46頁。 定義： 通過擴張藍膜的方式，增大(zn d)管芯之間距離，以

9、便于目檢作業(yè) 第37頁/共45頁第三十八頁，共46頁。 步驟： 擴張前準(zhǔn)備 開機，打開(d ki)電源，查看引伸盤控溫器上的溫度顯示值是否為40 5,異常紅燈會亮。 第38頁/共45頁第三十九頁，共46頁。 步驟： 擴張前準(zhǔn)備(zhnbi) 放擴張環(huán) ，打開壓蓋，將擴張環(huán)的內(nèi)環(huán)放入底盤中，注意光滑面朝上，將擴張環(huán)的外環(huán)放入壓環(huán)盤中，注意光滑面朝下。 第39頁/共45頁第四十頁，共46頁。 步驟： 放藍膜 將貼有芯片(xn pin)的藍膜平鋪于底盤上，貼有芯片(xn pin)的一面朝上。 第40頁/共45頁第四十一頁，共46頁。 步驟： 扣緊壓蓋 放下壓盤，將“鎖緊放松”按鈕置于鎖緊端，使得壓盤

10、和底盤鎖緊；此機臺具有延時機制，壓盤和底盤鎖緊之后的5秒之內(nèi)引伸盤上升按鈕將會失效，5秒之后恢復(fù)正常,“電源(dinyun)指示燈”自動亮起。 第41頁/共45頁第四十二頁，共46頁。 步驟(bzhu)： 擴張 按下引伸盤上升鈕，這時貼有芯片的藍膜會被擴張 第42頁/共45頁第四十三頁，共46頁。 步驟： 壓環(huán) 引伸盤伸到頂后，將環(huán)外套下壓裝置輕輕推到引伸盤上方直至不能推動為止，此時(c sh)會有一個sensor感知，接著按下壓環(huán)柱后面的綠色按鈕，最后按下環(huán)外套下降鈕即可 第43頁/共45頁第四十四頁，共46頁。 步驟： 取環(huán) 壓環(huán)后將各部件(bjin)復(fù)位后，松開壓蓋緊鎖。取下環(huán)我們就得到了COT（chip on tape）第44頁/共45頁第四十五頁，共46頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結(jié)會計學(xué)。第5頁/共45頁。減薄:顧名思義是通過特定的工藝手法將物體由厚變薄的過程。將陶瓷盤加熱至140，保證蠟條能