cmos器件作業(yè)及思考題

1、NMOS英文全稱(chēng)為：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為MOS晶體管。 有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor別名 ： positive MOS金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(M

2、OS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為PMOS晶體管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PM

3、OS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類(lèi)型。簡(jiǎn)單

4、地說(shuō)，NMOS是在P型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱(chēng)為溝道長(zhǎng)度L，而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱(chēng)為溝道寬度W。對(duì)于這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱(chēng)的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。PMOS的工作原理與NMOS相類(lèi)似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類(lèi)型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正

5、電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是VGS<VTN (NMOS)，VGS>VTP (PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。PMOS集成電

6、路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在1012V就能滿(mǎn)足PMOS對(duì)輸入電平的要求。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較在2004年12月的國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上表示：雙應(yīng)力襯墊(DSL)方法導(dǎo)致NMOS和PMOS中的有效驅(qū)動(dòng)電流分別增加15%和32%，飽和驅(qū)動(dòng)電流分別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經(jīng)成為其他應(yīng)變硅研究的焦點(diǎn)

7、。CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門(mén)電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線(xiàn)性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。BiMOS瀏覽2297次雙極金屬氧化物半導(dǎo)體 bipolar metal-oxide semiconductor 雙極工藝和半導(dǎo)體工藝在單一器件上的結(jié)合。參見(jiàn)BiCMOS。BiCMOS是繼CMOS后的新一代高性能VLSI工藝。CMOS以低功耗、高密度成為80年V

8、LSI的主流工藝。隨著尺寸的逐步縮小，電路性能不斷得到提高，但是當(dāng)尺寸降到1um以下時(shí)，由于載流子速度飽和等原因，它的潛力受到很大的限制。把CMOS和Bipolar集成在同一芯片上，發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)，克服缺點(diǎn)，可以使電路達(dá)到高速度、低功耗。BiCMOS工藝一般以CMOS工藝為基礎(chǔ)，增加少量的工藝步驟而成。BiCMOS（Bipolar CMOS）是CMOS和雙極器件同時(shí)集成在同一塊芯片上的技術(shù)，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，又獲得了雙極電路高速、強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力的優(yōu)勢(shì)。 電子管，是

9、一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽(yáng)極（屏極）引線(xiàn)被焊在管基上。利用電場(chǎng)對(duì)真空中的控制柵極注入電子調(diào)制信號(hào)，并在陽(yáng)極獲得對(duì)信號(hào)放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號(hào)數(shù)據(jù)。早期應(yīng)用于電視機(jī)、收音機(jī)擴(kuò)音機(jī)等電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被半導(dǎo)體材料制作的放大器和集成電路取代，但目前在一些高保真的音響器材中，仍然使用低噪聲、穩(wěn)定系數(shù)高的電子管作為音頻功率放大器件（香港人稱(chēng)使用電子管功率放大器為“膽機(jī)”）。電子管功放（膽機(jī)）的音質(zhì)明顯優(yōu)于晶體管功放。 晶體管功放（石機(jī)）聽(tīng)起來(lái)高頻、中高頻有偏多感覺(jué)，低頻感覺(jué)偏少，晶體管功放聽(tīng)起來(lái)聲音較硬，特別是低頻聲

10、不夠柔和，而高頻聲又顯得尖刺、發(fā)燥，聽(tīng)起來(lái)有時(shí)感到高頻段存在著交越畸變。當(dāng)頻率增高而音量又很大時(shí)，這些現(xiàn)象就更加明顯。但晶體管功放的動(dòng)態(tài)大、速度快，特別適宜于表現(xiàn)動(dòng)態(tài)大一些的音樂(lè)。至于表現(xiàn) 槍炮和雷電聲當(dāng)然更優(yōu)于電子管功放了。 電子管優(yōu)缺點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和工作原理電子管是電子儀器儀表的重要器件之一，與晶體管、集成電路相比，雖然體積較大，工作時(shí)要首先加熱燈絲，但它仍具有不可忽視的特點(diǎn)：同一型導(dǎo)電子管參數(shù)的一致性要優(yōu)于晶體管，因此更換電子管時(shí)，不用重調(diào)參數(shù)、即可正常工作;電子管參數(shù)特性隨環(huán)境溫度變化也較小，因而工作穩(wěn)定;電子管不太嬌氣，能承受較大的功軋過(guò)載能力強(qiáng).因此，電了管在某些領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要的作用

11、. 電子管是基于熱電子發(fā)射形成電流而工作的.如果將金屬體加熱至一定溫躍部分電子就從金屬體內(nèi)發(fā)射出來(lái).電子管的陰極就是用來(lái)發(fā)射熱電子的.電子管工作時(shí)，熱電子由陰極射向陽(yáng)抵這是在燈絲加熱和陰極陽(yáng)極之問(wèn)存在電壓的條件下實(shí)現(xiàn)的. 圖9-1為二極和三極電子管的結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào).電子管陰極按加熱方式分為直熱式和旁熱式兩種，直熱式的燈絲就是陰極，旁熱式的陰極是由另外的燈絲加熱的，如圖9-2和 9-3所示.電子管陽(yáng)極加有正電壓，其作用主要是吸收電子.為了易于發(fā)射電子，陰極表面徐有一層易發(fā)射電子的物質(zhì).為了防止極板的氧化和正離子對(duì)陽(yáng)極的轟擊作用(因正離于質(zhì)量大)，電子管是抽成真空的.電子管根傾電極的數(shù)目.分為二

12、極管、三極管，柬射四極管和五極管等. /電子管一般是玻璃管封裝，耗電量大，陽(yáng)極電壓高，靈活應(yīng)用性高，體積大。現(xiàn)已被淘汰，但電子愛(ài)好者仍有應(yīng)用。晶體管有塑料封裝和金屬封裝，耗電量小，電壓可高可低，靈活應(yīng)用性高，體積小。現(xiàn)仍在應(yīng)用。集成電路一般是塑料封裝，耗電量更小，電壓低，靈活應(yīng)用性低，體積小。配合晶體管和其他電子元件被大量應(yīng)用。 晶體管是集成電路的基本單元，比如pmos，nmos等，單個(gè)晶體管也可以稱(chēng)作集成電路，比如現(xiàn)在系統(tǒng)使用的開(kāi)關(guān)管，比晶體管在高一級(jí)的門(mén)級(jí)電路比如與門(mén)，或門(mén)，反相器，多路選擇器等都是由晶體管實(shí)現(xiàn)的?，F(xiàn)在說(shuō)集成電路一般指很大規(guī)模的，比如你使用的公交卡內(nèi)的芯片，手機(jī)的sim卡，

13、cpu，dsp管芯等等，但再大規(guī)模的集成電路都可以分解為一個(gè)一個(gè)的晶體管。(1)集成應(yīng)用電路的特點(diǎn) 大部分應(yīng)用電路不畫(huà)出內(nèi)電路方框圖，這對(duì)識(shí)圖不利，尤其對(duì)初學(xué)者進(jìn)行電路工作分析時(shí)更為不利。 對(duì)初學(xué)者而言，分析集成電路的應(yīng)用電路比分析分立元器件的電路更為困難，這是對(duì)集成電路內(nèi)部電路不了解的緣故。實(shí)際上識(shí)圖也好、修理也好，集成電路比分立元器件電路更為方便。 對(duì)集成電路應(yīng)用電路而言，大致了解集成電路內(nèi)部電路和詳細(xì)了解各引腳作用的情況下，識(shí)圖是比較方便的。這是因?yàn)橥?lèi)型集成電路具有規(guī)律性，在掌握了它們的共性后，可以方便地分析許多同功能木同型號(hào)的集成電路應(yīng)用電路。 (2)集成電路的主要優(yōu)點(diǎn) 集成電路有其

14、獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，歸納起來(lái)有以下幾點(diǎn)。 電路簡(jiǎn)單。由于采用了集成電路，簡(jiǎn)化了整機(jī)電路的設(shè)計(jì)、調(diào)試和安裝，特別是采用一些專(zhuān)用集成電路后，整機(jī)電路顯得更為簡(jiǎn)單。 性?xún)r(jià)比高。相對(duì)于分立元器件電路而言，采用集成電路構(gòu)成的整機(jī)電路性能指標(biāo)更高，與分立電子元器件電路相比，集成電路的成本、價(jià)格更低。例如，集成運(yùn)放電路的增益之高、零點(diǎn)漂移之小是分立電子元器件電路無(wú)法比擬的。 可靠性強(qiáng)。集成電路具有可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，從而提高了整機(jī)電路工作的可靠性，提高了電路的工作性能和一致性。另外，采用集成電路后，電路中的焊點(diǎn)大幅度減少，出現(xiàn)虛焊的可能性下降，使整機(jī)電路工作更為可靠。 能耗較小。集成電路還具有耗電小、體積小、經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點(diǎn)

15、。同一功能的電路，采用集成電路要比采用分立電子元器件的電路功耗小許多。 故障率低。由于集成電路的故障發(fā)生率相對(duì)分立元器件電路而言比較低，所以降低了整機(jī)電路的故障發(fā)生率。 (3)集成電路的主要缺點(diǎn) 集成電路的主要缺點(diǎn)有下列幾個(gè)方面。 電路拆卸困難。集成電路的引腳很多，給修理、拆卸集成電路帶來(lái)了很大的困難，特別是引腳很多的四列集成電路，拆卸比轅困難。 修理成本增加。當(dāng)集成電路內(nèi)電路中的部分電路出現(xiàn)故障時(shí)，通常必須整塊更換，增加了修理成本。故障判斷不便。相對(duì)分立電子元器件電路而言，在檢修某些特殊故障時(shí)，準(zhǔn)確地判斷集成電路故障不太方便。一、概述集成電路（integrated circuit）是一種微型

16、電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，這樣，整個(gè)電路的體積大大縮小，且引出線(xiàn)和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。集成電路具有體積小，重量輕，引出線(xiàn)和焊接點(diǎn)少，壽命長(zhǎng)，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時(shí)在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來(lái)裝

17、配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可大大提高。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號(hào)“N”等）表示。編輯本段二、集成電路的分類(lèi)（一）按功能結(jié)構(gòu)分類(lèi)集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類(lèi)。模擬集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào)（指幅度隨時(shí)間邊疆變化的信號(hào)。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁帶信號(hào)等），而數(shù)字集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào)（指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào)。例如VCD、DVD重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào)）。（二）按制作工藝分類(lèi)集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和薄膜集成電

18、路。膜集成電路又分類(lèi)厚膜集成電路和薄膜集成電路。（三）按集成度高低分類(lèi)集成電路按集成度高低的不同可分為小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路、特大規(guī)模集成電路和巨大規(guī)模集成電路。（四）按導(dǎo)電類(lèi)型不同分類(lèi)集成電路按導(dǎo)電類(lèi)型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類(lèi)型。單極型集成電路的制作工藝簡(jiǎn)單，功耗也較低，易于制成大規(guī)模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類(lèi)型。（五）按用途分類(lèi)集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像

19、機(jī)用集成電路、電腦（微機(jī)）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語(yǔ)言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種專(zhuān)用集成電路。1.電視機(jī)用集成電路包括行、場(chǎng)掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉(zhuǎn)換集成電路、開(kāi)關(guān)電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫(huà)中畫(huà)處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲(chǔ)器集成電路等。2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動(dòng)集成電路，電子音量控制集成電路、延時(shí)混響集成電路、電子開(kāi)關(guān)集成電路

20、等。3.影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號(hào)處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號(hào)處理集成電路、數(shù)字信號(hào)處理集成電路、伺服集成電路、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路等。4.錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動(dòng)集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。（六）按大小分有小規(guī)模集成電路大規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路（六）按應(yīng)用領(lǐng)域分集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專(zhuān)用集成電路。編輯本段三、集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史1.世界集成電路的發(fā)展歷史1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；1950年：結(jié)型晶體管誕

21、生；1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明；1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝；1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開(kāi)創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝；1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍；1966年：美國(guó)RCA公司

22、研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門(mén)陣列（50門(mén)）；1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司；1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明；1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問(wèn)世；1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來(lái)臨；1

23、979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問(wèn)世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微處理器問(wèn)世，20MHz；1988年：16M DRAM問(wèn)世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（ULSI）階段；1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)；1989年：486微處理器推出，25MHz，1m工藝，后來(lái)50MHz芯片采用 0.8m工藝；1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問(wèn)世；1993年：66MHz奔騰處理器

24、推出,采用0.6工藝；1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35工藝；1997年：300MHz奔騰問(wèn)世,采用0.25工藝；1999年：奔騰問(wèn)世，450MHz，采用0.25工藝，后采用0.18m工藝；2000年: 1Gb RAM投放市場(chǎng)；2000年：奔騰4問(wèn)世，1.5GHz，采用0.18工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13工藝。2.我國(guó)集成電路的發(fā)展歷史我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開(kāi)發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件；1

25、978年-1990年：主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類(lèi)整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化；1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開(kāi)發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。編輯本段四、集成電路的封裝種類(lèi)1、BGA(ball grid array)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹(shù)脂或灌封方法進(jìn)行密封。也 稱(chēng)為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過(guò)200，是多引腳LSI

26、 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見(jiàn)方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見(jiàn)方。而且BGA 不用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問(wèn)題。 該封裝是美國(guó)Motorola 公司開(kāi)發(fā)的，首先在便攜式電話(huà)等設(shè)備中被采用，今后在美國(guó)有 可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠(chǎng)家正在開(kāi)發(fā)500 引腳的BGA。 BGA 的問(wèn)題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為 ， 由于焊接的中心距較大，

27、連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過(guò)功能檢查來(lái)處理。 美國(guó)Motorola 公司把用模壓樹(shù)脂密封的封裝稱(chēng)為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱(chēng)為 GPAC(見(jiàn)OMPAC 和GPAC)。2、BQFP(quad flat package with bumper)帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過(guò)程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見(jiàn)QFP)。4、C(ceramic)表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常

28、使用的記號(hào)。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線(xiàn)擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在日本，此封裝表示為DIPG(G 即玻璃密封的意思)。6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高35 倍。引腳中心距有1.27mm、0.

29、8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線(xiàn)擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱(chēng)為 QFJ、QFJG(見(jiàn)QFJ)。8、COB(chip on board)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線(xiàn)路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線(xiàn)縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線(xiàn)縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用 樹(shù)脂覆 蓋以確?？煽啃浴ｋm然COB 是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。9、

30、DFP(dual flat package)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(chēng)(見(jiàn)SOP)。以前曾有此稱(chēng)法，現(xiàn)在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(chēng)(見(jiàn)DIP).11、DIL(dual in-line)DIP 的別稱(chēng)(見(jiàn)DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠(chǎng)家多用此名稱(chēng)。12、DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64

31、。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱(chēng)為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱(chēng)為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱(chēng)為cerdip(見(jiàn)cerdip)。13、DSO(dual small out-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(chēng)(見(jiàn)SOP)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用此名稱(chēng)。14、DICP(dual tape carrier package)雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄

32、。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲(chǔ)器LSI 簿形封裝正處于開(kāi)發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP 命名為DTP。15、DIP(dual tape carrier package)同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名(見(jiàn)DTCP)。16、FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見(jiàn)QFP 和SOP)的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采 用此名稱(chēng)。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連

33、接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹(shù)脂來(lái)加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見(jiàn)QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠(chǎng)家采 用此名稱(chēng)。19、CPAC(globe top pad array carrier)美國(guó)Motorola 公司對(duì)BGA 的別稱(chēng)(見(jiàn)BGA)。20、CQFP(quad fiat package

34、 with guard ring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹(shù)脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國(guó)Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。21、H-(with heat sink)表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。22、pin grid array(surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1

35、.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱(chēng)為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。23、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(chēng)(見(jiàn)CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠(chǎng)家采用的名稱(chēng)。24、LCC(Leadless chip carrier)無(wú)引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電

36、極接觸而無(wú)引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱(chēng)為陶瓷QFN 或QFNC(見(jiàn)QFN)。25、LGA(land grid array)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線(xiàn)的阻 抗 小，對(duì)于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。26、LOC(lead on ch

37、ip)芯片上引線(xiàn)封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線(xiàn)框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線(xiàn)縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線(xiàn)框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱(chēng)。28、LQUAD陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高78 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開(kāi)發(fā)的一

38、種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。29、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線(xiàn)基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCML，MCMC 和MCMD 三大類(lèi)。 MCML 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線(xiàn)密度不怎么高，成本較低 。 MCMC 是用厚膜技術(shù)形成多層布線(xiàn)，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類(lèi)似。兩者無(wú)明顯差別。布線(xiàn)密

39、度高于MCML。MCMD 是用薄膜技術(shù)形成多層布線(xiàn)，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線(xiàn)密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。30、MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(chēng)(見(jiàn)SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用的名稱(chēng)。31、MQFP(metric quad flat package)按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP 進(jìn)行的一種分類(lèi)。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見(jiàn)QFP)。32、MQUAD(metal quad)美國(guó)Olin 公司開(kāi)發(fā)的一種QFP 封

40、裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn) 。33、MSP(mini square package)QFI 的別稱(chēng)(見(jiàn)QFI)，在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola 公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封BGA 采用的名稱(chēng)(見(jiàn) BGA)。35、P(plastic)表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP 表示塑料DIP。36、PAC(pad array carrier)凸點(diǎn)陳

41、列載體，BGA 的別稱(chēng)(見(jiàn)BGA)。37、PCLP(printed circuit board leadless package)印刷電路板無(wú)引線(xiàn)封裝。日本富士通公司對(duì)塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(chēng)(見(jiàn)QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開(kāi)發(fā)階段。38、PFPF(plastic flat package)塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(chēng)(見(jiàn)QFP)。部分LSI 廠(chǎng)家采用的名稱(chēng)。39、PGA(pin grid array)陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專(zhuān)門(mén)表示出材料名稱(chēng)的情況下，多數(shù)為陶

42、瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板代替。也有64256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見(jiàn)表面貼裝 型PGA)。40、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開(kāi)發(fā)帶有微機(jī)的設(shè) 備時(shí)用于評(píng)價(jià)程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場(chǎng)上不怎么流通。41、PLCC(plastic leaded chip ca

43、rrier)帶引線(xiàn)的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國(guó)德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱(chēng)QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無(wú)引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P LCC 等)，已經(jīng)無(wú)法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于

44、1988 年決定，把從四側(cè)引出 J 形引腳的封裝稱(chēng)為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱(chēng)為QFN(見(jiàn)QFJ 和QFN)。42、PLCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)有時(shí)候是塑料QFJ 的別稱(chēng)，有時(shí)候是QFN(塑料LCC)的別稱(chēng)(見(jiàn)QFJ 和QFN)。部分LSI 廠(chǎng)家用PLCC 表示帶引線(xiàn)封裝，用PLCC 表示無(wú)引線(xiàn)封裝，以示區(qū)別。43、QFH(quad flat high package)四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見(jiàn)QFP)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采

45、用的名稱(chēng)。44、QFI(quad flat I-leaded packgac)四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈I 字 。 也稱(chēng)為MSP(見(jiàn)MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無(wú)突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開(kāi)發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。45、QFJ(quad flat J-leaded package)四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機(jī)械工

46、業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱(chēng)為PLCC(見(jiàn)PLCC)，用于微機(jī)、門(mén)陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。陶瓷QFJ 也稱(chēng)為CLCC、JLCC(見(jiàn)CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線(xiàn)擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。46、QFN(quad flat non-leaded package)四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱(chēng)為L(zhǎng)CC。QFN 是日本電子機(jī)械工業(yè) 會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無(wú)引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，

47、當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC 標(biāo)記時(shí)基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱(chēng)為塑料LCC、PCLC、PLCC 等。47、QFP(quad flat package)四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型?；挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒(méi)

48、有特別表示出材料時(shí)， 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門(mén)陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱(chēng)為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0

49、mm 厚)三種。另外，有的LSI 廠(chǎng)家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專(zhuān)門(mén)稱(chēng)為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。但有的廠(chǎng)家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱(chēng)為SQFP，至使名稱(chēng)稍有一些混亂 。 QFP 的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時(shí)，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP 品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹(shù)指緩沖墊的BQFP(見(jiàn)BQFP)；帶樹(shù)脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見(jiàn)GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測(cè)試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專(zhuān) 用夾 具里就可進(jìn)行測(cè)試的TPQFP(見(jiàn)TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開(kāi)發(fā)品和高可靠品都封裝在

50、多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問(wèn)世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見(jiàn)Gerqa d)。48、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱(chēng)。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見(jiàn)QFP)。49、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用的名稱(chēng)(見(jiàn)QFP、Cerquad)。50、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用的

51、名稱(chēng)(見(jiàn)QFP)。51、QTCP(quad tape carrier package)四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見(jiàn)TAB、TCP)。52、QTP(quad tape carrier package)四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993 年4 月對(duì)QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(chēng)(見(jiàn)TCP)。53、QUIL(quad in-line)QUIP 的別稱(chēng)(見(jiàn)QUIP)。54、QUIP(quad in-line package)四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出，每隔一根交錯(cuò)向下彎曲成四列。引

52、腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時(shí)，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線(xiàn)路板 。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。55、SDIP (shrink dual in-line package)收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，因而得此稱(chēng)呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱(chēng)為SHDIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。56、SHDIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)

53、家采用的名稱(chēng)。57、SIL(single in-line)SIP 的別稱(chēng)(見(jiàn)SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠(chǎng)家多采用SIL 這個(gè)名稱(chēng)。58、SIMM(single in-line memory module)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個(gè)人 計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有3040的DRAM 都裝配在SIMM 里。59、SIP(single in-

54、line package)單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直線(xiàn)。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí) 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2 至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱(chēng)為SIP。60、SKDIP(skinny dual in-line package)DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱(chēng)為DIP(見(jiàn) DIP)。61、SLDIP(slim dual in-line package)DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱(chēng)為DIP

55、。62、SMD(surface mount devices)表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠(chǎng)家把SOP 歸為SMD(見(jiàn)SOP)。SOP 的別稱(chēng)。世界上很多半導(dǎo)體廠(chǎng)家都采用此別稱(chēng)。(見(jiàn)SOP)。64、SOI(small out-line I-leaded package)I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。65、SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的別稱(chēng)(見(jiàn)SOP)。國(guó)外有許多半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用此

56、名稱(chēng)。66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J 字形，故此 得名。通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM 和SRAM 等存儲(chǔ)器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20 至40(見(jiàn)SIMM )。67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SOP 所采用的名稱(chēng)(見(jiàn)SOP)。68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)無(wú)散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無(wú)散熱片的區(qū)別，有意 增添了NF(non-fin)標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠(chǎng)家采用的名稱(chēng)(見(jiàn)SOP)。69、SOP(small Out-Line packag