數(shù)字電路第7章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

1、1 12 2！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限3 3EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動(dòng)態(tài)靜態(tài)4 45 5105v3v四個(gè)二極管與門構(gòu)成地址譯碼器存儲(chǔ)矩陣是四個(gè)二極管或門組成編碼器四個(gè)三態(tài)門構(gòu)成輸出緩沖器6 6A0An-1W0W(2n-1)D0Dm7 7字線位線圖7.2.3 CMOS管構(gòu)成存儲(chǔ)矩陣二極管構(gòu)成存儲(chǔ)矩陣8 8圖7.2.2二極管ROM電路圖圖7.2.3 CMOS管構(gòu)成存儲(chǔ)矩陣9 9寫是一次性編程，不能改編程時(shí)將不用的熔斷有熔絲出廠時(shí)，每個(gè)結(jié)點(diǎn)上都熔絲由易熔合金制成1010一次性編程：16X8位的PROM，編程時(shí)：輸入地址代碼，找出需要寫入0的單元地址。然后使

2、Vcc和字線加上編程電壓約21V，在位線上加編程脈沖。脈沖電流流過(guò)熔絲將其熔斷為0.11111212管疊柵注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置柵控制柵:fcGG通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負(fù)電荷，則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負(fù)電荷，則若管。溝道增強(qiáng)型是工作原理：cfcfGGGGSIMOSMOSN1313年）光燈下分鐘（陽(yáng)光下一周，熒紫外線照射空穴對(duì)，提供泄放通道生電子“擦除”：通過(guò)照射產(chǎn)形成注入電荷到達(dá)吸引高速電子穿過(guò)寬的正脈沖，上加同時(shí)在發(fā)生雪崩擊穿）間加高壓（“寫入”：雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD1414)(管

3、浮柵隧道氧化層采用慢，操作不便的缺點(diǎn)為克服（紫外線）擦除MOSFLOTOX“隧道效應(yīng)”電子會(huì)穿越隧道）當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到一定大?。ê穸戎g有小的隧道區(qū)，與,/cmVmSiODGf782101021515導(dǎo)通）下，電壓（未充電荷時(shí)，正常讀出截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW電子隧道區(qū)接的正脈沖，加充電：01020,上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖，接放電：fjiCGBWG,01616（隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)與）更薄（與襯底間SGnmOSGfif15102的正脈沖，加接），加正壓（，充電利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*

4、上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖加放電，利用隧道效應(yīng)fsscfGnsVVGG100120,171718181919中存入位代碼記憶單元觸發(fā)器，作存儲(chǔ)為基本Q,1,41SRTT相通、與、導(dǎo)通，行中被選中，時(shí)，能在jjiBBQQTTX6511,單元與緩沖器相連列第行第導(dǎo)通，這時(shí)時(shí)，所在列被選中，jiTTYj871,，讀操作截止，與導(dǎo)通，則若時(shí)，當(dāng)OIQAAAWRSC32110,，寫操作導(dǎo)通，與截止，則若QOIAAAWR3210,六管N溝道增強(qiáng)型MOS管202021212222SCWRAAOIOI片選信號(hào)：寫信號(hào)：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI寫信號(hào)：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/987070,2323):(110025625670A個(gè)地址個(gè)字，需要每一片提供SCYYAAAA分別接四片的譯成即將兩位代碼區(qū)分四片用,3089891023768767