
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1、.變壓器的繞制方法與注意事項 普通分層繞法:一般的單輸出電源,變壓器分為3個繞組,初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當實用普通分層繞法時,繞制的順序是:Np-Ns-Nb,當然也有的是采用Nb-Ns-Np的繞法,但不常用。此主題相關(guān)圖片如下:圖片5.jpg此種繞法工藝簡單,易于控制磁芯的各種參數(shù),一致性較好,繞線成本低,適用于大批量的生產(chǎn),但漏感稍大,故適用于對漏感不敏感的小功率場合,一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法三明治繞法三明治繞法久負盛名,幾乎每個做電源的人都知道這種繞法,但真正對三明治繞法做過深入研究的人,應(yīng)該不多。相信很多人都吃過三明治,就是兩層面包中 間夾一層奶
2、油。顧名思義,三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同,三明治又分為兩種繞法:初級夾次級,次級夾初級。先來看第一種,初 級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)此主題相關(guān)圖片如下:圖片6.jpg如上圖,順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb,此種繞法有量大優(yōu)點,由于增加了初次級的有效耦合面積,可以極大的減少變壓器的漏感,而減少漏感 帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低,這就使MOSFET的電壓應(yīng)力降低,同時,由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低,從 而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組,所以減少了變壓器初級的層間分布電容,而層間電容的減少,就會使電路
3、中的寄生振蕩減少,同樣可以降低 MOSFET與次級整流管的電壓電流應(yīng)力,改善EMI。第二種,次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)此主題相關(guān)圖片如下:圖片7.jpg如上圖,順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當輸出是低壓大電流時,一般采用此種繞法,其優(yōu)點有二:1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流,故銅損對導(dǎo)線的長度較為敏感,繞在內(nèi)側(cè)的Ns/2可以有效較少繞線長度,從而降低此Ns/2繞組的銅損及發(fā)熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長,但是基本上是在變壓器的外層,散熱良好故溫度也不會太高。2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯,次級電壓低,故引起的高頻干擾小。我們
4、大家來進一步深入討論下這個三明治繞發(fā)對EMI的影響。首先,我們來看初級夾次級的繞法,我們知道,變壓器的初級由于電壓較高,所以繞組較多, 一般要超過2層,有時甚至達到4-5層,這就給變壓器帶來一個分布參數(shù)-層間電容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解釋了。當MOSFET關(guān)斷的時 候,變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會產(chǎn)生振動,幅度達到幾十甚至超過一百V,這對MOSFET與EMI來說都是不允許的,所 以,我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩,達到保護MOSFET與改善EMI的目的。此主題相關(guān)圖片如下:圖片8.jpg上圖即為反激電源MOSFET的Vds波形從這個角度來說,三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說,三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積,減少了漏感,同時又使初
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