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文檔簡(jiǎn)介

1、bonding製程介紹&issue探討A to A+整條Bonding線全貌unloadercleanCOGOLBPCBPCBI2Panel Load-汲取Spacer機(jī)臺(tái)從PP BOX中將Panel之間的Spacer吸走3Panel Load-汲取Panel機(jī)臺(tái)從PP BOX中將Panel取出4Panel Load-貼附Panel ID標(biāo)簽自動(dòng)Bar-Code機(jī)臺(tái)讀取Panel ID并貼附ID標(biāo)簽5Panel Clean Unit將IPA溶液滴到不織布上面清潔Panel端子部清潔方向6不織布IPAPanel clean ok7COG 介紹ACF貼附Pre-bondMain-bond8製程:

2、Pre-bondMain-bondLCD panelACF AttachCOG 完成ICTeflon sheetHead (上刀)9製程根本原理利用ACF (異方性導(dǎo)電膠)作媒介,將Panel端子與Chip IC 藉由加熱加壓予以結(jié)合。使ACF之導(dǎo)電粒子破裂變形,構(gòu)成導(dǎo)通電路。讓面板內(nèi)的TFT能接納到IC輸出的正確信號(hào)及資料。CFTFTPolarizerPolarizerTable下刀部Chip ICACF熱壓頭Teflon sheet10製程相關(guān)資料A. 直接資料 ACF(異方性導(dǎo)電膠) Chip ICB. 間接資料Teflon sheet11COG IC 構(gòu)造input BumpInput

3、 BumpOutput BumpDummy BumpAlign markAlign mark12ACF資料規(guī)格型號(hào)規(guī)格: AC-8405Z-23供應(yīng)商: Hitachi Chemical重要尺寸:導(dǎo)電粒子大小: 3 m厚度: 23 m寬度: 1.5 mm13ACF構(gòu)造ACF 厚度 23.02.0Polyethylene (聚乙烯) Separator(離型膜)50 Conductive Particle (導(dǎo)電粒子)直徑3密度50K 6000 pcs / 2Adhesive (膠)廠商:Hitachi Chemical型號(hào):AC-8405Z-23(FOR COG)寬度1.5 0.181514A

4、CF構(gòu)造(中間塑膠部份當(dāng)成緩衝材可防止熱脹冷縮後呵斥Peeling)金無(wú)法直接Coating在塑膠上(附著性不佳)因此先鍍鎳再鍍金; 鍍金的緣由是金有最正確的延展性以及活性很小不會(huì)與其他資料起化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)電性好僅次於銀與銅15ACF導(dǎo)電原理Heat & PressureConductive ParticlesIC BumpAdhesivePanel Lead16ACF壓著程度ACF粒子破裂適中,成小精 靈狀:Bump開窗區(qū)上至少要 有五顆小精靈。ACF粒子未破裂,成小圓 點(diǎn)狀:壓力缺乏。ACF粒子過(guò)碎,成不規(guī)則狀: 壓力過(guò)大。17相關(guān)部材(Telfon sheet )運(yùn)用telfon shee

5、t之目的:利用其外表光滑的特性,隔開ACF與熱壓頭黏附.防止由于熱壓頭高溫呵斥Chip IC溫度急劇變化縮短產(chǎn)品壽命.PANELTeflon SheetACFHeadBUMPBUMPICIC18製程相關(guān)點(diǎn)檢COG 偏移量 Production: MH0E5X方向(Lx、Rx) 10m Y方向(Ly、Ry) 15m Production: MH0E5-L05 以PANEL的視窗中心為基準(zhǔn),量測(cè)視窗中心到chip ic 對(duì)位 mark中心的距離方向表示如右:LyLx+X-Y-X+Y19製程點(diǎn)檢 - Head平整度確認(rèn)目的:運(yùn)用感壓紙確認(rèn)Head 與 Backup的平整度廠商:FUJIFILM品名:

6、Pressure measuring film型號(hào):LLLW (極超低壓)壓力量測(cè)範(fàn)圍:0.52.5 MPa運(yùn)用條件:2035、3580%RH平整度量測(cè)留意事項(xiàng):1、感壓紙壓著時(shí)間不可過(guò)久(約0.2 sec),否則會(huì)影響平整度之?dāng)喽?色度均一樣)2、感壓紙拿取須小心,防止損傷影響平整度量測(cè)3、感壓紙壓著確認(rèn)時(shí)須將機(jī)臺(tái)壓力調(diào)小去Check以防止壓力過(guò)大無(wú)法檢測(cè)出刀頭平整度不佳20感壓紙TeflonSheet同一條壓痕不得超過(guò)二個(gè)LEVEL,否則斷定為平整度不佳須修機(jī)調(diào)整L1L2L3L4L5製程點(diǎn)檢 - Head平整度確認(rèn)21檢查圖示導(dǎo)電粒子壓痕狀態(tài)檢查BUMP壓著位置處,導(dǎo)電粒子滲入LEAD之凹

7、凸痕狀態(tài):良品-壓痕明顯。製程點(diǎn)檢 -COG 壓痕22導(dǎo)電粒子(壓著)破裂狀況檢查下圖中單顆 IC之左及右位置,其 ACF導(dǎo)電粒子破裂之狀況粒子破裂狀態(tài),需有 5 個(gè)以上呈現(xiàn)小精靈狀製程點(diǎn)檢 -COG 導(dǎo)電粒子23製程主要異常PANEL磨邊量過(guò)大WOA wire斷Chip ICChip IC 誤配缺bump/bump傷異物Chip IC 沾黏在 chip tray上G-line(弱線)24製程主要異常COG位移ACF Attach NG反摺過(guò)短貼附位置錯(cuò)誤MachineBonding不良(壓痕異常)拋料(pick up miss/prebond head撞CF)COG Mura25COG 異常

8、圖片1.磨邊量過(guò)大26COG 異常圖片2. WOA wire 斷 (畫面異常)27COG 異常圖片3. IC 損傷(1)28COG 異常圖片3. IC 損傷(2)29COG 異常圖片4.壓著異物(short) 30COG 異常圖片5.COG位移(1) 31COG 異常圖片5.COG位移(2) 32COG 異常圖片6.ACF Attach NG(1) ACF attach 上偏,導(dǎo)致ACF未涵蓋處壓著不良ACF attach 上偏,導(dǎo)致ACF未涵蓋處壓著不良33COG 異常圖片6.ACF Attach NG(2) ACF attach反褶 / 過(guò)短,導(dǎo)致ACF未涵蓋處無(wú)壓痕ACF attach反

9、褶 / 過(guò)短,導(dǎo)致ACF未涵蓋處無(wú)壓痕34COG 異常圖片7.COG 壓痕異常(1)35COG 異常圖片7.COG 壓痕異常(2)36製程主要異常- COG位移 以顯微鏡觀察位移狀態(tài) 純位移的情況? 1.調(diào)整Prebond的位置OKNG37COG MuraCOG stage高度異常所呵斥之mura38OLB製程介紹A to A+OLB 介紹ACF貼附Pre-bondMain-bond40製程: Pre-bondMain-bondLCD panelACF AttachOLB 完成Teflon sheetSilicone RubberHead (上刀)41製程根本原理利用ACF (異方性導(dǎo)電膠)作

10、媒介,將Panel端子與TAB端子藉由加熱加壓予以結(jié)合。使ACF之導(dǎo)電粒子破裂變形,構(gòu)成導(dǎo)通電路。讓面板內(nèi)的TFT能接納到TAB IC輸出的正確信號(hào)及資料。熱壓頭下刀部TABACFCFTFTPolarizerPolarizerTableSilicon rubberTeflon sheet42製程相關(guān)資料A. 直接資料 ACF(異方性導(dǎo)電膠) TAB/COFB. 間接資料Silicon rubberTeflon sheet43ACF構(gòu)造ACF 厚度 16.02.0Polyethylene (聚乙烯) Separator(離型膜)50 Conductive Particle (導(dǎo)電粒子)直徑24密

11、度11000 1000 pcs / 2Adhesive (膠)廠商:Hitachi Chemical型號(hào):AC-4255U1-16寬度1.2 0.144製程相關(guān)點(diǎn)檢 端子偏移量 Source: D1/2 Panel端子寬度(w) Gate: D1/2 Panel端子寬度(w) 拉力測(cè)試 P 400g/cm COF (L )cmCOF 端子Panel 端子 DWTABLPanel45製程相關(guān)點(diǎn)檢ACF導(dǎo)電粒子破裂狀況檢查 ACF粒子未破裂,成小圓點(diǎn)狀:壓力缺乏。ACF粒子破裂適中,成小精靈狀A(yù)CF粒子過(guò)碎,成不規(guī)那么狀:壓力過(guò)大。46製程相關(guān)點(diǎn)檢ACF導(dǎo)電粒子破裂數(shù)量檢查 以下圖中單顆TAB/C

12、OF之左及右開窗區(qū)位置導(dǎo)電粒子至少破裂5顆 以上,(毎一TAB/COF lead導(dǎo)電粒子至少破裂20顆以上)。 PANELTAB/COF左右47製程相關(guān)點(diǎn)檢OLB壓痕寬度檢測(cè): 運(yùn)用顯微鏡將 OLB Bonding 區(qū)調(diào)整成壓痕可見(jiàn)之形狀 確認(rèn)Metal端子區(qū)能否有明顯凹凸痕(壓痕)存在ACF導(dǎo)電粒子破裂完全(凹凸痕明顯及均一性)(斷定OK)48 寬度A之量測(cè)值,即為OLB壓著寬度,規(guī)格為A 0.8 mm寬度A量測(cè)起點(diǎn):位置最高之壓痕寬度A量測(cè)終點(diǎn):位置最低之壓痕A49製程主要異常50製程主要異常-Line defect 點(diǎn)燈確認(rèn)Line defect狀態(tài) 1 lead or 2 lead 以

13、上 ? 有幾條線(運(yùn)用放大鏡) ? 獲得Line defect位置 運(yùn)用顯微鏡尋找Panel座標(biāo) Open Short check Bonding區(qū)能否有異物51Line defect 異常圖片1.線狀異物2.金屬異物52Line defect 異常圖片1.黑色異物2.TAB屑53如何斷定壓著異物位置假設(shè)異物在ACF之上,如以下圖所示,因會(huì)壓到ACF導(dǎo)電粒子,因此從panel反面可以看到ACF粒子亮點(diǎn),反之那么看不到異物ACF粒子亮點(diǎn)panelACFCOF54製程主要異常- OLB位移 以小眼睛或顯微鏡觀察位移狀態(tài) 內(nèi)縮或外擴(kuò) ? 1.確認(rèn)部材或機(jī)臺(tái)的差異性 2.調(diào)整本壓頭下降的速度 3.調(diào)整

14、溫度 純位移的情況? 1.調(diào)整Prebond的位置55OLB 無(wú)位移56OLB位移異常圖片-完全位移57OLB位移異常圖片-內(nèi)縮58OLB位移異常圖片-外擴(kuò)59PCB制程簡(jiǎn)介60PCB製程 ACF貼附Main-bond61Back upPCB製程原理- Main Bond Silicone rubberMain bond Head62相關(guān)部材(ACF)- 構(gòu)造 ACF 厚度 35.02.0Polyethylene (聚乙烯) Separator(離型膜)75 Conductive Particle (導(dǎo)電粒子)直徑4 1密度5K pcs / 2Adhesive (膠)廠商:Hitachi Ch

15、emical型號(hào):AC-9845RS-35寬度1.5 0.1mm63相關(guān)部材(ACF)- 構(gòu)造 * 導(dǎo)電粒子的大小及密度會(huì)影響到COF的LEAD PITCH設(shè)計(jì)。* ACF膠材會(huì)依據(jù)COF的製程及資料不同而選用不同的膠材,會(huì)影響膠的流動(dòng)性及拉力值。導(dǎo)電粒子構(gòu)造PCB之材質(zhì)較軟(鍍金),故直接以Ni粒子崁入使lead導(dǎo)通,金太軟了無(wú)法嵌入Ni particle64相關(guān)部材(ACF ) -原理 膠材軟化流動(dòng)充填於Lead間隙溫度、壓力、時(shí)間ACF粒子受壓變形使上下兩端導(dǎo)通電流行進(jìn)方向Z方向高度導(dǎo)電性,X-Y方向不導(dǎo)通Bonding65製程點(diǎn)檢 -PCB自主檢查目的:篩檢不良品,防止流入後續(xù)工程66

16、製程點(diǎn)檢 -拉力測(cè)試?yán)Ψ绞? 垂直往上拉, 至拉斷為止速度: 5080 mm/min規(guī)格: 400gf/cm型號(hào)HF-10(10kg)治具PCB夾具治具67控制限 & SPECCOF lead中心偏移量( S )控制限: Source : 15 m Gate : 20 mSPEC: Source : 1/2 WP Gate : 1/2 WP取WP、 WT中較大者PCB lead寬 WPCOF lead寬 WTS實(shí)際圖製程點(diǎn)檢 -偏移計(jì)算及量測(cè)68PCB常見(jiàn)不良畫面異常點(diǎn)燈時(shí)發(fā)生電流過(guò)高或畫面異常 PCBA材料異常(空銲/錫渣殘留等)PCBA S-位移階調(diào)異常點(diǎn)燈於水平及垂直16階調(diào)之pattern產(chǎn)生階調(diào)異常之現(xiàn)象 PCBA材料異常(空銲/錫渣殘留等)PCBA S-位移69DISPENSER目的: - 防止異物落於端子間呵斥short - 防止端子腐蝕影響功能 - 強(qiáng)化TAB與Panel之間的結(jié)構(gòu)規(guī)格: - 長(zhǎng)度以端子部分向外延伸至少2mm,中途不可斷膠(L) - 寬度需完全覆蓋CF至COF間之間隙(W),且不可超出TFT

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