PERC技術(shù)現(xiàn)狀及未來展望答疑

1、PERC技術(shù)現(xiàn)狀及未來展望答疑氧化鋁厚度對(duì)電性能的影響？ PID、LeTID有沒有影響？氧化鋁厚度對(duì)PID、LeTID沒有影響，如果做雙面氧化鋁對(duì)PID的影響比較大ALD氧化鋁如何解決繞鍍目前ALD分兩種，以板式和管式為主。板式，硅片平鋪在載板上，繞鍍可以控制在0.5mm 以內(nèi)。管式，一種是單插雙鍍，兩邊同時(shí)鍍膜解決繞鍍問題，鍍雙面會(huì)有比較大的隱患，正 面氧化鋁與擴(kuò)散PN結(jié)成反型，起負(fù)電場(chǎng)的作用，對(duì)PID有比較大影響，對(duì)于正負(fù)1500V擊 穿測(cè)試過不了；另一種雙插單鍍，以硅片背靠背形式插片解決，雙面氧化鋁對(duì)正面的影響正面常規(guī)結(jié)構(gòu)主要是氮化硅薄膜，漿料以燒穿氮化硅為主，如果有額外的氧化鋁，表面負(fù)

2、電 場(chǎng)與PN結(jié)反型，對(duì)折射率是有益處，但對(duì)漿料的燒穿體系來說沒有益處，另外再加上對(duì)PID 的影響，對(duì)正面的影響比較大氧化鋁鈍化在n型硅的前景對(duì)于P型電池是背面鈍化，對(duì)于N型，同樣可以起到鈍化效果，但是是正面鈍化，ALD優(yōu) 勢(shì)在鍍膜質(zhì)量高、均勻性好，可以做到更薄，N型量產(chǎn)電池廠家主要選ALD作氧化鋁鈍化。雙面氧化鋁的話對(duì)漿料的要求常規(guī)漿料以燒穿氮化硅為目的，對(duì)于氧化鋁膜，需要在玻璃粉方面要作調(diào)整，剛開始調(diào)試階 段的主要問題是拉力不足，沒有燒穿氧化鋁，沒有與硅片形成良好的歐姆接觸氧化鋁沉積方式對(duì)Tma消耗的差異沉積方式以PECVD和ALD為主，PECVD反應(yīng)的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗

3、 量大約4mg/片，而PECVD的耗量則為ALD的兩倍。雙面氧化鋁改單面氧化鋁存在的問題及解決辦法主要在管式ALD上改，主要問題在花籃的槽距，如果槽距過大反鍍會(huì)比較嚴(yán)重，如果槽距 過小則會(huì)有劃傷情況，需要實(shí)際調(diào)整。氧化鋁設(shè)備單邊發(fā)黑的處理氧化鋁邊緣發(fā)黑，成膜均勻性在初期有些問題，或者自動(dòng)化設(shè)備在上下料時(shí)有異常發(fā)生，正 常生產(chǎn)是不會(huì)有單邊發(fā)黑的情況。單面PID解決辦法？雙面怎么保證雙面PID對(duì)于PID，正面以熱氧為主，提升效率同時(shí)解決PID問題；背面使用漸進(jìn)膜或類似生成氧化 硅的薄膜來解決PID問題。雙面PID與單面類似，正面以氧化退火為主，背面以氧化硅薄 膜配漸變膜來抑制PID現(xiàn)象堿拋機(jī)臺(tái)提效

4、方案。堿拋可以提升效率，降低化學(xué)品耗量，減輕環(huán)保壓力，帶來1分錢/片收益，但提效對(duì)SE來 說不夠明顯，還需優(yōu)化，退火溫度與退火時(shí)間對(duì)氧化鋁鈍化性能的影響？氧化鋁與氮化硅的氫鈍化，哪個(gè)起主導(dǎo) 作用？氫鈍化機(jī)理、氫的傳輸過程是什么？以ALD來說，退火溫度，膜越薄退火溫度越高，主要由生成膜的質(zhì)量和成膜特性決定，ALD 與CVD對(duì)退火要求不同ALD氧化鋁退火機(jī)理，采用水作為氧源，含氫氧鍵，鈍化表面懸掛鍵，降低界面態(tài)密度，大 大增加固定負(fù)電荷的能力，起到場(chǎng)鈍化的作用ALD氧化鋁的前驅(qū)體氧源是水和臭氧有什么區(qū)別對(duì)效率沒有影響，主要是工業(yè)對(duì)成本、穩(wěn)定性、控制性方面的考慮，水更符合大規(guī)模應(yīng)用14.對(duì)PERC技

5、術(shù)最大挑戰(zhàn)的技術(shù)路線是什么？從技術(shù)講HIT，IBC、TOPCon等比較有優(yōu)勢(shì)，但都不具備成本競爭力15 perc電池如何疊加非晶硅技術(shù)，目前效率如何目前沒有PERC疊加非晶硅的技術(shù)，鈣鈦礦方面目前有新的進(jìn)展16.perc未來的提效方向在哪里大規(guī)模生產(chǎn)，提高良率，降低成本單面SE瑪雅PERC產(chǎn)品低效片靜置會(huì)出現(xiàn)氣泡發(fā)黑，效率跳檔嚴(yán)重，重?zé)笮视兴?升，EL有改善，但靜置后會(huì)復(fù)原，如何改善懷疑點(diǎn)：氧化鋁厚度不均勻，局部異常導(dǎo)致，燒結(jié)過燒，光注入或電注入的條件需要優(yōu)化制絨良率提升，堿拋的優(yōu)勢(shì)制絨良率的提升主要以添加劑為主，其次是設(shè)備控制精度，從早期的慢速制絨添加劑到現(xiàn)在 的快速制絨添加劑；堿拋優(yōu)

6、勢(shì)：背面較高反射率降低表面復(fù)合，提高少子壽命板P，管P，ALD，三種工藝制備的AlOx薄膜最適厚度區(qū)間各是多少，退火溫度有沒有 區(qū)別，為什么？板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm； ALD，3-8nm。退火溫度達(dá)不到， 會(huì)造成片子整體發(fā)黑，效率降低導(dǎo)致降檔perc電池，氧化鋁膜層在高溫?zé)Y(jié)時(shí)會(huì)出現(xiàn)小氣泡，原理是什么，應(yīng)該怎樣解決？ 成膜時(shí)氫氧鍵過多，在反應(yīng)時(shí)水過量，退火時(shí)氫氧散逸或退火不充分造成通過酸背拋提高反射率到40%與堿背拋效率那侗有優(yōu)勢(shì)不管酸拋還是堿拋，反射率到40%效率差異不大，主要從化學(xué)品耗量考慮，如果用酸拋需要 用到大量化學(xué)品，處理成本也高雙面電池目前在組

7、件端，只有用POE封裝才能通過抗PID測(cè)試，用EVA封裝抗PID測(cè) 試失效，如何解決雙面電池抗PID問題？背面引入氧化硅薄膜配漸變膜來抑制PID現(xiàn)象，同時(shí)正面避免額外的氧化鋁干擾用maia和微導(dǎo)，理想等設(shè)備生產(chǎn)PERC電池和常規(guī)電池比增加背面工藝的成本分別是多 少？目前maia在開機(jī)率和TMA耗量上比ALD高，ALD含折舊成本在0.11元/片左右ALD氧化鋁繞鍍與燒結(jié)的匹配性，有沒有定論？氧化鋁繞鍍會(huì)造成正面氧化鋁不均勻，厚度不同對(duì)漿料要求不同，導(dǎo)致部分區(qū)域過燒或欠燒， 造成接觸不好。如何提高酸背拋背面反射率，背面反射率是不是越高越好，對(duì)比了很多公司，背面反射率 相差很大啊。每次停機(jī)久了，就有

8、很多el水痕印，如何改善。酸背拋堿槽及酸槽濃度或者導(dǎo) 電度一般控制在多少??？反射率主要看前后道工序匹配；el水痕印主要在開機(jī)后跑假片解決Perc+SE氧化鋁厚度與少子壽命對(duì)效率的影響，關(guān)鍵性？單根管氧化鋁的不均勻度管控 在多少關(guān)系見PPT；管內(nèi)不均勻性，對(duì)電池效率影響不大ALD氧化鋁對(duì)比其他機(jī)臺(tái)優(yōu)勢(shì)在哪，效率有增益原理說明及管P是否有調(diào)整優(yōu)化空間？ ALD在成膜質(zhì)量、TMA耗量、開機(jī)率方面有優(yōu)勢(shì)；管P，通過提前開啟PLASMA增強(qiáng)升溫 速率提升單機(jī)產(chǎn)能SE電阻與PERC效率之間的關(guān)系？ SE疊加PERC后需要注意最重要的工藝參數(shù)？ PERC 疊加SE采用哪種SE方式比較合適？為什么？SE技術(shù)出現(xiàn)比較早，包括化學(xué)、二次擴(kuò)散等，目前激光綜合性能是最高的。后續(xù)由于PERC 電池開壓的提升，SE疊加PERC會(huì)有0.2-0.3%的提升。除了目前火爆的PERC,后續(xù)還有什么技術(shù)路線值得關(guān)注？各有什么特點(diǎn)？目前，n-TOPCon可以與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容，是設(shè)備升級(jí)廠家關(guān)注點(diǎn)，HIT由于設(shè)備投資比較大，是新建廠關(guān)注點(diǎn)34.SE對(duì)擴(kuò)散結(jié)的要求以及方阻下降值多少合適如何確定根據(jù)之前Schmid機(jī)臺(tái)做化學(xué)SE經(jīng)驗(yàn)，堿處理會(huì)導(dǎo)致方阻升高，堿處理后的方阻，與漿料 匹配，來達(dá)到良好的接觸35.SE技術(shù)還有哪些提效空間。早期漿料