電子電路基礎(chǔ)內(nèi)容整理

1、場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路電路 組成直流 通路估算1 DQ 1DO(UGSQ其中交流 通路電GHlRgzR(；JUgsqU GS(th)UgU DD/nnJF3日1)2RgiRG1 RG2rdsrds*5RMQ*+I1。GSiJiU DDrdsRdU DDU DSQ U DD R D1 DQU DD其中 Rg(Rgi/Rg2)Rg3 Rg3心 交流通路的抽象電容器抽象為短路，信號(hào)源抽象為電壓源 父 電阻串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為開路-線性VCCS電阻并聯(lián)（進(jìn)一步簡(jiǎn)化）U GSQUGS(th)21 DOU GS(th)1)UiRGiiRiUiiiRg(RG1/RG2) Rg3 Rg3Ui

2、U ocugs(rds R D )g m UgsAuocUocUigm(ds/RD)gmRDUs0時(shí) Ugs 0g m ugsioUords/RdRo上iords/ RdRdu 0sAuRlaRoRluoc(&/Rd) Rlgm(rds/RD)gm(rds/RD/RL)UiUogm(rds/RL)gmRLugs(rds/RD/RL)gmUgs(rdsRL)gmUgsAu Uogm(rds/RL)gmRLUiAus JqAuRG3(gmRL) AugmRLRS RiRSRG3高頻正弦穩(wěn)態(tài)小信號(hào)高頻分析一一交流通路相量模型的抽象一一電容器抽象為短路， 分析 信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管

3、假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為高頻 模型Ugs Uds _1I Cgdg 1 j Cgd(1 K)Ugs j Cgd(K 1)U dsCgd其中KUdsUZ其中CgsCgS Cgd Cgs (1 K)CgdZoRsRgRs12 ZoCgs12 RsCgs低頻正弦穩(wěn)態(tài)小信號(hào)低頻分析一一交流通路相量模型的抽象一一電容器抽象為容抗，分析信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為開路-線TVCCS相量阻抗并聯(lián) Ugs Uds Icgd廠八八 1j Cgd(1 K)Ugs j CgdJ 1)UdSKJ Cgd其中K Uds Ugs其中CgsCgsCgs (1 K)Cgdf01f02f

4、L12 Z01C12 Z02 c2Z01RsRg RgZ02(QsRd)RlRd Rl12 RgC112 (Rd Rl)C2f 01fL112 R01cl 2 RGC1f022 R02C212 (Rd Rl)C2Aus(1 jAusfjAus(1 jf；)(1 j；)f10maxf01102 f0f BW f H f L f HAusAmaxf0i,f02)f f 0.1f0 if。場(chǎng)效應(yīng)管共漏放大電路10maxf01,f02 f 0.1f。f0maxf0i,f02)電路 組成U”)直流 通路%+H4-U靜態(tài) 工作 點(diǎn)的 估算RG1UddRG1 RG2工的一RSI DQU gsqug usDQ

5、 I DO (U gsqU GS(th)1)2U DSQ U DDRS1 DQ交流 通路其中 Rg (Rgi/Rg2)Rg3 Rg3交流交流通路的抽象一一電容器抽象為短路，信號(hào)源抽象為電壓源電阻串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)小信 管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為開路-線TIe vccs電阻并聯(lián)號(hào)分Ui_UiRi.RG(RG1/RG2) RG3RG3RgLiiUi Ugs(rds / RS)9m Ugs 19 m ( rds / RS)1 U gsUoc(rds RS)gm U gsgm (rds RS)UgsuocUoc gm(rdsRS)Ui 1 gm(rds/Rs)gmRs1 gmRsUs0時(shí)UgsUog mU

6、gsUords/RsgmUUords/RsRoioUogmUsrds/RsRoUoio Us 011一QsRs 一gmgmAuRlRo RlAuocRl gmRs1 rl1 gmRS gmgmRsRLRs RlgmRsRLgmRL1 gmRLUiU gs (ds RS RL )g m Ugs 1 gm (rds / R L )UgsUo(rds RS R L )gm Ugs g m (rds R L )ugsAuUouigm(rds/RL)gmRL1 gm(rds/RL)1 gmRLAusRiRgAuRi uRG3gmRLRg RG3 1 gmRLAugmRL1 gmRL高頻正弦穩(wěn)態(tài)小信號(hào)高頻

7、分析一一交流通路相量模型的抽象一一電容器抽象為短路，分析 信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為高頻模型fcCgsf02 ZoCgs2 RLCgs1 gmRL當(dāng) gmRL, fo1RLCgs1 gmRL1cfccgs低頻 分析正弦穩(wěn)態(tài)小信號(hào)低頻分析一一交流通路相量模型的抽象一一電容器抽象為容抗, 信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為開路-線TVCCS相量阻抗并聯(lián)十u十RlZ01f01f02f 01fLRgRgRg2 Z01C12 RgCi2 Z02c2Rl)C22 R01C1f01 f022 RgC1f02f022 R02C22(/Rl

8、)C2全段率性Aus(1Aus jf;1)(1 jf;2)Aus(1 小jf；)f10maxf01,f02f0其中AusgmRL1 gmRLAusAusmaxfo1,fo2f0.1f010maxf01,f02f0.1f0f0maxf01,f02晶體管共射放大電路其中 U oc U cc U cc RcrceR0 RcceRcI BQUcC UonRb rb 1 BQIBQUcC Uon UtRB rbbUt1bqUBEQUonbe1 BQ!cQ 1 BQUCEQ UCC RCICQ其中 UOC1rceUcc Ucc 其中 U OC2Rb二- UCCRCRErceRB1 RB2R01 (Rc R

9、e) rceRc ReR02 Rbi Rb2 RbUOC21 BQ(RBrbeBQUOC2 UUon ReIeQonRbbe (1)ReUOC2 UonRbUT(1)Re1 BQ1 BQUOC2 Uon UTRbRbirbb (1)ReRbiRb2Ucc Uon Ut(Rbi/Rb2)rbb (1)ReRbiRbi R (1Ucc UonB2)ReUTIBQUBEQUonrbel BQIcq 1 eq (1)1 bqRb1 URb1 Rb2UonReUCEQ Ucc (RC RE)ICQ交流 小信 號(hào)分 析交流通路的抽象一一電容器抽象為短路，信號(hào)源抽象為電壓源電阻串聯(lián)，晶體管 假設(shè)工作于放大狀

10、態(tài)，抽象為電阻-CCCS電阻并聯(lián)其中ceUaICQA Uoc uocUiRcrbe(rce/Rc)rbeAuRl ARluoc_Ro Rl(rce/Rc)Rl HYPERLINK l bookmark133 o Current Document (rce/RL)Rl(rce/Rc)rbeR/Rl)rbeAuUo (rce/Rc/RL)uibeQ/R/Rl)cecl(rce/RL) RlRi A Rb/%Rs Ri u Rs (Rb/%)rbe(Rc/Rl)RSrberbeRlRs高頻 分析Ube Uce e ce1j Cj C (1 K)Ube-1j C (K 1)Uce其中KUceUbe交流

11、通路相量模型的抽象一一電容器抽象為短路，信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗 串聯(lián)，晶體管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為高頻模型Zo (Rs/Rb) rbb/rbe (Rs 任)/fofH2 ZoC2 (Rs rbb)/rbeC2 ZoC2 (Rs rbb)/rbeC低頻 分析全段率性正弦穩(wěn)態(tài)小信號(hào)低頻分析一一交流通路相量模型的抽象一一電容器抽象為容抗， 信號(hào)源抽象為電壓源相量阻抗串聯(lián)，場(chǎng)效應(yīng)管假設(shè)工作于放大狀態(tài)，抽象為開路 -線TVCCS相量阻抗并聯(lián)Rs+乂 U| rb uQ_Zo1f o1fo2m merRs (Rb(rce/RC)ce c2 ZoG2 Z02C2,1其中fo1 2 ZGAus(1 jf

12、fo1)(1其中Aus/be)RsrbeRl Rc Rl2 (Rs Re”2 (Rc Rl)C2fL2 (Rs IC112 Zo2C22 (Rd Rl)C2AusAusfo2fjf2)(1 jfo)(1AusAjf;1)(1 jff2)maxfo1,%f1Omaxfo1 ,fo2)fousd . f1jfof o.1fo1omaxfo1,fo2 fo.1fomaxfo1,fo2)foRlRs %f BWfHfL fH晶體管共集放大電路靜態(tài) 工作 占八、IBQUcc Uon UtUt rberbb.1 BQRb rbb (1)ReUBEQ Uon rbe1 BQIcq I BQUceq Ucc

13、Re!cq本能標(biāo)估 基性指的算AuocuocUi(1)(ceRE)(1)Re聯(lián)(1)3 Re)rbe (1 )ReAuUoUi(1)(LRl)rbe(1)(LRl)(1 )Rlrbe (1 )RlAusUoUsRi (1)(&Rl)(1 )RlRs Ri rbe (1)(&Rl)rbe (1 )Rl局頻 特性低頻 特性fc當(dāng)(1 )Rlrb e.fof 1012 Z01C1112 ZoC2beRLCrbe (1 )Rl12rbeRLCrbe (1)Rl2rbe Cfc12RBrbe (1 )RlC1f 02f 02fL2 Z02C22 RlC22012 RlC2f 012RBbe (1)RlC1全段率性Aus(1 j f )Ausf cf02fjf)(1 jf0)Ausf 01f02 (1 j f )(1 j f )f 10maxf1,f02f。(1 jususmaxf01,f02 f 0.1f010maxf01,f02 f0.1f fcmaxf 0/02晶體管共基放大電路電路 組成I BQIR+Rb_ Ucc Uon