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文檔簡介
1、太陽電池發(fā)展趨勢(shì)趙玉文1提綱1. 引言:原理,簡史,分類2. 晶硅電池的技術(shù)發(fā)展 2.1 晶硅電池的各種新技術(shù) 2.2 向高效化方向發(fā)展 2.3 向薄片化方向發(fā)展 3. 薄膜太陽電池 3.1 硅基薄膜太陽電池 3.2 化合物半導(dǎo)體薄膜電池 3.3 染料敏化TiO2太陽電池(光化學(xué)電池) 3.4 有機(jī)電池4. 太陽電池的未來發(fā)展趨勢(shì)2引言:基本原理3簡史(世界) 1839年-法國Becquerel報(bào)道在光照電極插入電 解質(zhì)的系統(tǒng)中產(chǎn)生光伏效應(yīng)光電化學(xué)系統(tǒng); 1876年英國W. G. Adams發(fā)現(xiàn)晶體硒在光照下 能產(chǎn)生電流固體光伏現(xiàn)象; 1884年,美國人Charles Fritts 制造成第一
2、個(gè) 1硒電池; 1954年貝爾實(shí)驗(yàn)室G. Pearson 和D. Charpin研 制成功6 的第一個(gè)有實(shí)用價(jià)值的硅太陽電池;4 紐約時(shí)報(bào)把這一突破性的成果稱為“ 最 終導(dǎo) 致使無限陽光為人類文明服務(wù)的一個(gè)新時(shí)代 的開始?!?現(xiàn)代太陽電池的先驅(qū);1958年硅太陽電池第一次在空間應(yīng)用; 20世紀(jì)60年代初,空間電池的設(shè)計(jì)趨于穩(wěn)定,70年代在空間開始大量應(yīng)用,地面應(yīng)用開始, 70年代末地面用太陽電池的生產(chǎn)量已經(jīng)大大 超過空間電池。 5(我國) 1959年第一個(gè)有實(shí)用價(jià)值的太陽電池誕生 1971年3月太陽電池首次應(yīng)用于我國第二顆 人造衛(wèi)星實(shí)踐1號(hào)上; 1973年太陽電池首次應(yīng)用于浮標(biāo)燈上; 1979
3、年開始用半導(dǎo)體工業(yè)廢次單晶、半導(dǎo)體 器件工藝生產(chǎn)單晶硅電池; 80“年代中后期引進(jìn)國外關(guān)鍵設(shè)備或成套生產(chǎn) 線我國太陽電池制造產(chǎn)業(yè)初步形成。6分類1.技術(shù)成熟程度: 1) 晶硅電池: 單晶硅,多晶硅, 2) 薄膜電池: a-Si,CIGS,CdTe,球形電池, 多晶硅薄膜, Grtzel,有機(jī)電池,。 3) 新型概念電池:量子點(diǎn)、量子阱電池, 迭層(帶隙遞變)電池,中間帶電池, 雜質(zhì)帶電池,上、下轉(zhuǎn)換器電池, a-Si/C-Si異質(zhì)結(jié)(增加紅外吸收), 偶極子天線電池,熱載流子電池, (也有人稱第三代電池)72.材料;硅基電池:單晶硅,多晶硅, 微晶(納晶),非晶硅, 化合物半導(dǎo)體電池:CdTe
4、, CIGS, GaAs ,InP.。 有機(jī)電池, Grtzel 電池(光化學(xué)電池)3. 波段范圍:太陽光伏電池 熱光伏電池84.光子吸收帶隙理論: 單帶隙電池(常規(guī)電池) 中間帶隙(或亞帶隙,或雜質(zhì)帶)電池, 帶隙遞變迭層電池, 上、下轉(zhuǎn)換器電池 偶極子天線電池, a-Si/C-Si異質(zhì)結(jié)(增加紅外吸收)電池, 量子點(diǎn)、量子阱電池, 熱載流子電池,。第三代電池92. 晶硅電池的技術(shù)發(fā)展 2.1 晶硅電池的各種技術(shù)發(fā)展 2.2 向高效化方向發(fā)展 2.3 向薄片化方向發(fā)展 102.1 晶硅電池的技術(shù)發(fā)展 單晶硅電池在70年代初引入地面應(yīng)用。在石油危機(jī)推動(dòng)下,太陽電池開始了一個(gè)蓬勃發(fā)展時(shí)期,這個(gè)時(shí)
5、期不但出現(xiàn)了許多新型電池,而且引入許多新技術(shù) 1). 鈍化技術(shù):熱氧化SiO2鈍化,氫鈍化, PECVDSiN工藝鈍化(多晶 硅),a-Si鈍化等 2). 陷光技術(shù): 表面織構(gòu)化技術(shù),減反射技術(shù) 11 3) 背表面場(BSF)技術(shù) 4).表面織構(gòu)化(絨面)技術(shù), 5).異質(zhì)結(jié)太陽電池技術(shù): 如SnO2/Si, In203/Si, ITO/Si等 6). MIS電池 7). MINP電池 8). 聚光電池 122.2 向高效化方向發(fā)展1)單晶硅高效電池:斯坦福大學(xué)的背面點(diǎn)接觸電池: 22特點(diǎn):正負(fù)電極在同一面,沒有柵線陰影損失 13新新南威爾士大學(xué)的PERL電池 24.7%14Fraunhofe
6、r研究所LBSC電池: 23%15北京太陽能研究所高效電池 19.8%16單晶硅電池的效率進(jìn)展17激光刻槽埋柵電池 新新南威爾士大學(xué)北京太陽能研究所 19.8% 18.6%18商業(yè)化單晶硅電池組件19商業(yè)化單晶硅電池組件Sanyo aSi/c-Si電池(實(shí)驗(yàn)室最好效率: 20.7%,面積125125)202).多晶硅高效電池 多晶硅材料制造成本低于單晶硅CZ材料,能直接制備出適于規(guī)?;a(chǎn)的大尺寸方 型硅錠,240kg, 400kg, 制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料, 因此具有更大降低成本的潛力。 21但是多晶硅材料質(zhì)量比單晶硅差,有許多晶界存在,電池效率比單晶硅低;晶向不一致,表面織構(gòu)化困難
7、。22喬治亞(Geogia)工大 采用磷吸雜和雙層減 反射膜技術(shù),使電池的效率達(dá)到18.6; 新南威爾士大學(xué)采用類似PERL電池技術(shù), 使電池的效率19.8 Fraunhofer研究所 20.3%世界記錄 Kysera公司采用了PECVD/SiN+表面織構(gòu)化 使1515cm2大面積多晶硅電池效率達(dá)17.7.23商業(yè)化多晶硅電池組件Kyocera電池24其中PECVDSiN鈍化技術(shù)對(duì)商業(yè)化多晶硅 電池的效率提高起到了關(guān)鍵性的作用。目前商業(yè)化多晶硅電池的效率1316252.3 晶硅太陽電池向薄片化方向發(fā)展 1) 硅片減薄 硅片是晶硅電池成本構(gòu)成中的主要部分。 硅間接半導(dǎo)體,理論上100m可以吸收
8、全部太陽光。電池制造工藝硅片厚度下 限150 m。 降低硅片厚度是結(jié)構(gòu)電池降低成本的重要 技術(shù)方向之一。 26太陽電池向薄片化方向發(fā)展27Sharp單晶硅組件28Ultrathin Multicrystalline Si High Efficiency Solar Cells Fraunhofer- 20.3%世界記錄 29硅片厚度的發(fā)展: 70年代450500 m, 80年代400450m。 90年代350400 m。 目前 260300 m。 2010年 200260 m。 2020年 100200 m。302) 帶硅技術(shù) 直接拉制硅片免去切片損失 (內(nèi)園切割,刀鋒損失300400 m。
9、線鋸切割,刀鋒損失200 m)。 過去幾十年里開發(fā)過多種生長 帶硅 或片狀硅技術(shù)31 EFG帶硅技術(shù) 采用石墨模具電池效率1315。該技術(shù)于90年代初實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn),目前屬于RWE (ASE)公司所有。3233蹼狀帶硅技術(shù)。在表面張力的作用下,插在熔硅中的兩條枝蔓晶的中間會(huì)同時(shí)長出一層如蹼狀的薄片,所以稱為蹼狀晶。切去兩邊的枝晶,用中間的片狀晶制作太陽電池。蹼狀晶為各種硅帶中質(zhì)量最好,但其生長速度相對(duì)較慢。34Astropower的多晶帶硅制造技術(shù)。該技術(shù)基于液相外延工藝,襯底為可以重復(fù)使用的廉價(jià)陶瓷。實(shí)驗(yàn)室太陽電池效率達(dá)到 15.6,該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。353. 薄膜太陽電池
10、3.1 硅基薄膜太陽電池 3.2 化合物半導(dǎo)體薄膜電池 3.3 染料敏化TiO2太陽電池(光化學(xué)電池) 3.4 有機(jī)電池363.1 硅基薄膜太陽電池 1)非晶硅(a-Si)太陽電池 a-Si 是Si-H(約10)的一種合金。 1976年RCA實(shí)驗(yàn)室D.Carlson和 C.Wronski 37 優(yōu)點(diǎn): 資源豐富,環(huán)境安全; 光的吸收系數(shù)高,活性層只需要1m 厚,省材料; 沉積溫度低,成本襯底上,如玻璃、 不銹鋼和塑料膜上等。 電池/組件一次完成,生產(chǎn)程序簡單。 缺點(diǎn): 效率低 不穩(wěn)定 光衰減(S-W效應(yīng))。 38394041 實(shí)驗(yàn)室效率: 初始 穩(wěn)定 單結(jié): 12 68 雙結(jié): 13 10 三
11、結(jié): 15.2% 13 商業(yè)化電池效率: 單結(jié): 34 雙結(jié): 6 三結(jié): 7 8 42 我國非晶硅電池研究在上世紀(jì)80年代中期形成了高潮,30多個(gè)研究組從事研究。實(shí)驗(yàn)室初始效率810; 80年代后期哈爾濱和深圳分別從美國Chrona公司引進(jìn)了1MW生產(chǎn)能力的單結(jié)非晶硅生產(chǎn)線,穩(wěn)定效率34之間。 自90年代后有較大收縮。 2000年,以雙結(jié)非晶硅電池為重點(diǎn)的硅基薄膜太陽電池研究被列入國家“973”項(xiàng)目,我國非晶硅電池的又進(jìn)入一個(gè)新的研究階段。目前雙結(jié)初始實(shí)驗(yàn)室效率810,穩(wěn)定效率8? 432) 多晶硅薄膜電池 高溫技術(shù)路線以RTCVD為代表優(yōu)點(diǎn);薄膜結(jié)晶質(zhì)量好,晶粒尺寸大,容易 作出高效率電池
12、,缺點(diǎn):工藝溫度高1000,襯底難解決。 襯底材料:陶瓷,石墨,硅片。44Fraunhofer研究所SiO2和SiN包覆陶瓷或SiC包覆石墨為襯底,RTCVDZMR,效率分別達(dá)到9.3和11。RTCVDZMR non-active Si substrate =15.12% (北太所) modelling ceramic substrate =10.21% (北太所)Particle ribbon Si =8.25% (廣州能源所北太所) 45 低溫技術(shù)路線以PECVD為代表 優(yōu)點(diǎn):工藝溫度低,200300, 襯底容易獲得:玻璃,不銹鋼等; 缺點(diǎn):薄膜質(zhì)量低,晶粒小,納米極。日本Kaneka公司
13、PECVD玻璃襯底pin結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜電池,效率10;南開大學(xué)結(jié)合“ 973” 項(xiàng)目PECVD實(shí)驗(yàn)室小面積電池正在研制(6%)。46澳大利亞Pacific Solar 公司PECVD玻璃襯底迭層多晶硅薄膜電池,效率6。(1)玻璃襯底,(2)多層薄膜,(3)第一次電極刻槽(4)第二次電極刻槽,(5)金屬化47硅球太陽電池。 這種電池是由在鋁箔上形成連續(xù)排列的硅球所組成的,硅球的平均直徑為1.2mm,每個(gè)小球均有p-n結(jié),小球在鋁箔上形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到10%。 硅球電池在技術(shù)上有一定的特色,但規(guī)?;a(chǎn)仍存在許多技術(shù)障礙。483.2化合物半導(dǎo)體薄膜電池 GaAs, CdTe, CuIn
14、GaSe等的禁帶寬度在11.5eV,與太陽光譜匹配較好。同時(shí)這些半導(dǎo)體是直接帶隙材料,對(duì)陽光的吸收系數(shù)大,只要幾個(gè)微米厚就能吸收陽光的絕大部分,因此是制作薄膜太陽電池的優(yōu)選活性材料。 GaAs電池主要用于空間,CdTe 和CIS電池被認(rèn)為是未來實(shí)現(xiàn)低于1美元/峰瓦成本目標(biāo)的典型薄膜電池,因此成為最熱的兩個(gè)研究課題。 491) CdTe電池 CdTeII-VI族化合物,Eg1.5eV, 理論效率28%,性能穩(wěn)定,一直被光伏界看重。工藝和技術(shù)近空間升華(CSS),電沉積,濺射、真空蒸發(fā),絲網(wǎng)印刷等;實(shí)驗(yàn)室電池效率16.4%;商業(yè)化電池效率平均810; CdTe電池90年代初實(shí)現(xiàn)了規(guī)?;a(chǎn),20
15、02年市場份額為0.3。50我國CdTe電池的研究工作開始于80年代初。內(nèi)蒙古大學(xué)蒸發(fā)技術(shù)北太所電沉積技術(shù),1983年效率5.8%。 90年代后期四川大學(xué)近空間升華, “ 十五 ”期間,列入國家“ 863”重點(diǎn)項(xiàng)目, 并要求建立0.5兆瓦/年的中試生產(chǎn)線。 電池效率達(dá)到 13.38。512) CIGS電池 CIGS是-族三元化合物半導(dǎo)體, 帶隙1.04eV。 70年代中后期波音公司真空蒸發(fā), 電池效率達(dá)到9;80年代開始,ARCO Solar 公司處領(lǐng)先地位; 90年代后期,NREL保持世界記錄,19.5%;90年代初起,許多公司致力實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn) 該電池目前處在兆瓦級(jí)中試生產(chǎn)階段, ARCO
16、 Solar Simens Shell公司。52我國南開大學(xué)、內(nèi)蒙古大學(xué)和云南師大等單位于80年代中期先后開展了CIS薄膜電池研究,南開大學(xué)蒸發(fā)硒化法電池效率9.13%。“ 十五 ”列入“ 863”重點(diǎn)項(xiàng)目,并要求建立0.3兆瓦/年的中試生產(chǎn)線。目前效率12.1%53幾種薄膜電池的效率進(jìn)展543.3染料敏化TiO2太陽電池染料敏化TiO2電池實(shí)際是一種光電化學(xué)電池。早期的TiO2光電化學(xué)電池穩(wěn)定性差、效率低。1991年瑞士Grtzel 將染料敏化引入該種電池,效率達(dá)到7.1%,成為太陽電池前沿?zé)狳c(diǎn)之一。目前這種電池的實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到 11.55我國“ 十五” 列入“ 973 ”重大課題中科院等離
17、子物理所、化學(xué)所、物化所,實(shí)驗(yàn)室小面積電池效率10。中科院物理所、化學(xué)所的固態(tài)電解質(zhì)電池列入“ 863 ”,效率5。563.4 有機(jī)電池 比利時(shí)IMEC公司開發(fā)一種塑料太陽電池 使用具有施主和受主性能的有機(jī)材料, 電池效率5 574. 熱光伏 (TPV)電池 紅外輻射 TPV 電能 應(yīng)用:工業(yè)廢熱回收等。 典型器件:GaSb (Eg 0.67eV), InP, Si, 系統(tǒng):熱源輻射器電池 效率:1000K 23,目前。 12001700K,10, 未來 585. 太陽電池的未來發(fā)展趨勢(shì) 5.1 商業(yè)化趨勢(shì) 1998年以前,單晶硅電池占市場主導(dǎo)地位,其次是多晶硅電池。 從1998年起,多晶硅電
18、池開始超過單晶硅躍居第一。 非晶硅從80年代初開始商業(yè)化,由于效率低和光衰減問題,市場份額先高后低。 CdTe電池從80年代中期開始商業(yè)化生產(chǎn),市場份額增加緩慢,Cd的毒性是原因之一; CIS電池的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程比較緩慢,生產(chǎn)工藝難于控制,In是稀有元素; Sanyo公司a-Si/c-Si電池商業(yè)化僅兩三年,發(fā)展迅速。592001、2002年各種電池的市場份額和開始商業(yè)化時(shí)間.電池技術(shù)市場份額 %商業(yè)化時(shí)間單晶硅35.1329.4670初(地面應(yīng)用)多晶硅47.3354.4470年代末非晶硅8.625.580年代初A-Si/c-Si(n)4.615.990年代末帶硅3.483.380年代中薄硅/陶
19、瓷0.260.390年代中CdTe0.390.380年代中CIS0.18/00年代初6061 2001 2002 mc-Si 184.85 47.33% 278.9 54.44% Sc-Si 137.18 35.13% 150.91 29.46% a-Si 33.68 8.62% 28.01 5.5% a-Si/Cz 18.0 4.61% 30.0 5.9% RibbonSi 13.6 3.48 % 16.9 3.3% CdTe 1.53 0.39% 1.6 0.3% CIS 0.7 0.18% - Si/LCS 1.0 0.26% 1.7 0.3% C-Si/Sc-Si 3.7 0.7% 2
20、001、2002年太陽電池的產(chǎn)量及份額625.2技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)思考1.硅基電池: 硅是地球上豐度第二大元素,資源豐富 (以石英砂形式存在); 環(huán)境友好; 電池效率高,性能穩(wěn)定; 工藝基礎(chǔ)成熟。 硅基電池是目前光伏界研究開發(fā)的重點(diǎn)、熱點(diǎn) 晶硅電池的產(chǎn)業(yè)化技術(shù) 硅基薄膜電池63結(jié)晶完美化程度電池效率增加趨勢(shì)電池狀況/技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 商業(yè)化單晶硅(體)商業(yè)化生產(chǎn),280-350m24.71517多晶硅(體) 商業(yè)化,280-350m19.81315帶硅,AES商業(yè)化,八面體,300,400m161214帶硅Evergrn中試,單面,300-400m16.21214帶硅中試,EBARA,單面,300-400m17.3薄層硅/襯底中試,Austropower,300-600m1510多晶硅薄膜(高溫過程9001200),RTCVD15多晶硅薄膜(中溫過程500900),CVD?多晶硅薄膜多晶 (低溫過程500
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