工學(xué)船舶無(wú)線電三極管3課件

1、船舶無(wú)線電技術(shù)基礎(chǔ)第2章 晶體三極管及電壓放大電路大連海事大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院主講教師：楊梅上篇 模擬電路12.1 晶體三極管雙極型三極管2.1.1 結(jié)構(gòu)三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成分類：NPN型和PNP型以NPN型為例：三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)三個(gè)極：發(fā)射極E、基極B、集電極C兩個(gè)結(jié)：發(fā)射結(jié)（BE結(jié)）、集電結(jié)（CB結(jié)）NPNPNP2 晶體三極管實(shí)現(xiàn)放大的條件：（1） 內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件：發(fā)射區(qū)高摻雜?；鶇^(qū)很薄。集電結(jié)面積大。（2）外部偏置條件：外加電源使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。共發(fā)射極連接：E極作為輸入、輸出公共端，當(dāng)VcVBVE時(shí)，滿足外部條件，可實(shí)現(xiàn)放大。3 晶體三極管放大時(shí)內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)1）

2、發(fā)射：發(fā)射結(jié)正偏，利于多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)，IE=IEN+IEP。發(fā)射區(qū)高摻雜，IEIEP。2）復(fù)合和擴(kuò)散：電子到達(dá)基區(qū)后，與P區(qū)的多子空穴產(chǎn)生復(fù)合形成基極電流IBN?；鶇^(qū)空穴濃度低，且薄，大多數(shù)電子在基區(qū)中繼續(xù)擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)一側(cè)。動(dòng)畫演示IE = IEN + IEPIBN = IENICN 4 晶體三極管放大時(shí)內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)3）收集：集電結(jié)反偏，將基區(qū)中擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子收集到集電極形成ICN。同時(shí)，集電區(qū)少子空穴和基區(qū)少子空穴進(jìn)行漂移運(yùn)動(dòng)，形成反向飽和電流ICBO電流分配關(guān)系：IEICIBIC = ICN + ICBO IB = IEP+ IBNICBO = IEP+ IEN ICN ICBO=

3、 IE - IC IE = IEN + IEPIBN = IENICN 52.1 晶體三極管雙極型三極管NPN和PNP的符號(hào)NPNPNP電流關(guān)系：IEICIB62.1 晶體三極管雙極型三極管IC = ICN + ICBO =IE + ICBO=(IB + IC)+ICBOIC = IB + ICEO共基極直流電流放大系數(shù) :共射極直流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù)：=iC /iBvCE=常數(shù)輸出特性曲線近于平行等距并且ICEO較小時(shí)， 72.1.3 晶體三極管的伏安特性曲線（NPN）晶體三極管伏安特性曲線： 描繪三極管各極電壓和電流間的相互關(guān)系共發(fā)射極，NPN管（1）輸入特性曲線：以輸出電壓

4、為參變量，描述輸入電流與輸入電壓之間的關(guān)系。 （2）輸出特性曲線：以輸入電流（或電壓)為參變量，描述輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系。 82.1.3 晶體三極管的伏安特性曲線（NPN）輸入特性曲線發(fā)射結(jié)正偏：iBfin（vBE）vCE常數(shù)vCE=0，與二極管伏安特性曲線正向相似。 死區(qū)電壓 導(dǎo)通壓降vCE0,vCEvBE，曲線向右移。 vBE一定， iB隨vCE增大而減小.vCE=1, vCE再增大， iB也不會(huì)減小很多。 輸入特性是一組曲線族。92.1.3 晶體三極管的共射特性曲線（NPN）輸出特性曲線:從特性分四個(gè)區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)擊穿區(qū)102.1.4 晶體三極管的四個(gè)工作區(qū)放大區(qū)：近似為水平的直線 特點(diǎn)： iCiB,iC/iBIC/ IB iC基本不隨vCE電壓變化而變化要求外電壓條件： 發(fā)射結(jié)正向偏置， 集電結(jié)反向偏置 NPN112.1.4 晶體三極管的四個(gè)工作區(qū)(2) 截止區(qū)：iB=0曲線以下的區(qū)域 特點(diǎn)： iB 0 ， iC 0三極管不放大，截止 要求外電壓條件： 發(fā)射結(jié)反向偏置 集電結(jié)反向偏置cbeic 0ce開(kāi)NPN122.1.4 晶體三極管的四個(gè)工作區(qū)(3) 飽和區(qū)： 特點(diǎn)： iC iB 飽和壓降vCES，反相502.2.5 放大電路的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)（2）輸入電阻 ri：ri51