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文檔簡介
1、125KHz 非接觸式 IC 卡原理與應(yīng)用第一部分:基本知識Circuit Card )經(jīng)過 20 多年的發(fā)展,已廣泛應(yīng)用于金融、電信、 IC 卡按外部接口設(shè)備的連接方式可分為接觸式 IC 卡 卡與外界進(jìn)行數(shù)據(jù)通 卡在使用時則無須與 IC 卡讀寫設(shè)備的數(shù) IC 卡有著它特一、簡介 IC 卡( Integrated 保險、商業(yè)、國防、公共事業(yè)等領(lǐng)域。 和非接觸式IC卡(又稱射頻卡,RFID)兩類。接觸式IC卡,就是IC 訊時,芯片的電極觸點(diǎn)必須與 IC 卡讀寫設(shè)備直接連接;非接觸式 IC IC 卡讀寫器設(shè)備直接連接, 而是通過無線電波或電磁感應(yīng)的方式實現(xiàn)與 據(jù)通訊。在刷卡速度要求高,用卡環(huán)境惡劣
2、,污染嚴(yán)重等環(huán)境下,非接觸式 有的優(yōu)勢。非接觸式 IC 卡成功地解決了無源(卡中無電源)和免接觸這一難題,是電子器件領(lǐng)域 的一大突破,由于其高度安全保密、 通信速率高、 使用方便、 成本日漸低廉等特點(diǎn)而得到廣 泛使用,主要應(yīng)用于智能門禁控制、智能門鎖、考勤機(jī)以及自動收費(fèi)系統(tǒng)等。IC 卡。射頻卡與接觸式 IC 卡相比有以下優(yōu)點(diǎn): 可靠性高,無機(jī)械接觸,從而避免了各種故障; 操作方便,快捷,使用時沒有方向性,各方向操作; 安全和保密性能好, 采用雙向驗證機(jī)制。 讀寫器驗證 IC 卡的合法性, 同時 IC 卡驗 證讀寫器的合法性。 每張卡均有唯一的序列號。 制造廠家在產(chǎn)品出廠前已將此序列 號固化,不
3、可再更改,因此可以說世界上沒有兩張完全相同的非接觸 射頻卡根據(jù)使用頻段的不同可分為低頻卡和高頻卡、超高頻卡: 低頻卡與讀寫器間通信使用的頻段為低頻段 , 常用頻點(diǎn)有 125kHz、 134kHz; 高頻卡、超高頻卡與讀寫器間通信使用的頻段為高頻段 , 如 13.56MHz、915MHz、 2 45GHz等。按工作距離的不同也可分為近距離卡和遠(yuǎn)距離卡: 近距離卡與讀寫器之間的有效作用距離為幾厘米到幾十厘米以內(nèi); 遠(yuǎn)距離卡與讀寫器之間的有效作用距離可達(dá)一到十幾米以上。按操作類型又可分為: 低/高頻只讀型、 低/高頻無加密讀寫型、 低/ 高頻可加密讀寫型、 多扇區(qū)獨(dú)立加密應(yīng)用型以及用戶自定義分區(qū)應(yīng)用
4、型等。目前,世界上較有影響、規(guī)模較大的 RFID 生產(chǎn)廠商很多,常用的標(biāo)簽芯片有飛利浦 (PhilipS) 公司的 Mifare 1 S50/S70、UtraLight IC U10 DESFire MF3IC D40、I CODE /2、 Hitag 1/2/s ;德州儀器(TI)公司的 TI_256/2048 ;愛特梅爾(AtmeL)公司的 T5557、e5551; 瑞士微電子(卩 EM)公司的 EM41xx系列、EM4034 4035、4069、4135、4150、4450 等;意法 半導(dǎo)體(ST)公司的 SR176 SRIX4K 英賽德(INSIDE)公司的 PICOPASS 2K/1
5、6K/32K;臺 灣公司的TK41等等。另外還有瑞士 Legic公司、德國英飛凌(Infineon )公司、西門子(Sieme) 公司等,都有性能不錯的RFID芯片供應(yīng)市場。二、RFID系統(tǒng)構(gòu)成一個最基本的RFID系統(tǒng)如圖1所示,一般包括以下幾個部份:1、RFID卡:RFID卡(標(biāo)簽)作為信息載體,存有目標(biāo)物所有的相關(guān)信息以及與讀頭之 間的交互加密認(rèn)證信息等。2、 RFID讀寫器:讀寫器一般由微處理器(MCU、RFID基站芯片以及天線三部分構(gòu)成, 它是整個RFID系統(tǒng)的主體,負(fù)責(zé)讀取和寫入RFID卡內(nèi)的信息。3、上位機(jī)( PC 機(jī)):上位機(jī)系統(tǒng)一般用來與讀寫器進(jìn)行通信,使得人機(jī)之間的交互更加直
6、觀和人性化,同時可以利用PC機(jī)豐富的接口資源和強(qiáng)大的存儲、處理能力,對讀寫器進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)接入、遠(yuǎn)程控制等操作。RFID賣寫器圖1典型的RFID系統(tǒng)構(gòu)成RFID系統(tǒng)以半雙工方式在讀寫器與RFID卡之間雙向傳遞讀、寫數(shù)據(jù)。在進(jìn)行尋卡時,讀寫器通過天線向 RFID卡片發(fā)送已編碼的電磁波。 進(jìn)入讀寫器工作區(qū)域的RFID卡接收到此脈沖信號,獲取能量,芯片中的射頻接口模塊由此獲得電源電壓、復(fù)位信號、時鐘信號等,同 時芯片中有關(guān)電路對此信號進(jìn)行調(diào)制、解碼、解密,然后對命令請求、密碼認(rèn)證、操作權(quán)限等進(jìn)行判斷。若為允許讀命令,控制邏輯電路則從 EEPRO中讀取有關(guān)信息,經(jīng)加密、編碼、 調(diào)制后由卡內(nèi)天線回送給讀寫器。
7、讀寫器對接收到的信號進(jìn)行解調(diào)、解碼、解密后送至控制器處理。若為允許修改信息的寫命令,相關(guān)控制邏輯對EEP ROM中的內(nèi)容進(jìn)行改寫。若經(jīng)判斷其對應(yīng)的密碼認(rèn)證或權(quán)限不符,則返回出錯信息,同時禁止任何進(jìn)一步的非法讀寫操作。三、RFID常用的幾種編碼格式圖2所示為幾種RDID系統(tǒng)中常用的編碼格式:數(shù)據(jù)10111001時鐘-UTJ-LtJUTJ-LACTTUTTUmiruTJTJTTLMCIIUL1lLBCI1U圖2 125KHZ RFID系統(tǒng)中常用的幾種編碼格式抗碰撞碼(AC主要應(yīng)用在Philips 公司的Hitag-s等卡中,為了防止處于同一讀寫器 電磁場范圍內(nèi)的多個卡所發(fā)出信號發(fā)生碰撞而導(dǎo)致誤碼,
8、在卡的初始化階段采用此編碼格 式。由于數(shù)據(jù)“ 1”和數(shù)據(jù)“0”的頻率不同,因而可以較容易區(qū)分。Bi-phase碼(BQ全稱為雙相間隔碼編碼,其原理是在一個碼元周期內(nèi)采用電平變化 來表征數(shù)據(jù)。如果電平從碼元的起始處翻轉(zhuǎn),表示數(shù)據(jù)“1”,如果電平除了在碼元的起始處翻轉(zhuǎn),還在碼元中間翻轉(zhuǎn)則表示數(shù)據(jù)“ 0”,如圖 2中所示。數(shù)抵時鐘 LTTJT_n_n_n_rLrx_n_LjlJ空跳7_nLfif圖3曼徹斯特編碼中的空跳邊沿曼徹斯特編碼(MC采用上升沿對應(yīng)數(shù)據(jù)“ 0”,下降沿對應(yīng)數(shù)據(jù)“ 1”, 微控制器通過 檢測讀卡器輸出數(shù)據(jù)碼元的跳變來實現(xiàn)對曼徹斯特碼的譯碼。應(yīng)注意的是,在連續(xù)“0”或“ 1 ”出現(xiàn)
9、時,會出現(xiàn)不表征數(shù)據(jù)的空跳沿,如圖3所示。除了上述三種編碼外, 在RFID系統(tǒng)中,二進(jìn)制(BIN)、頻移鍵控(FSK、相移鍵控(PSK 等編碼也很常見,其中曼徹斯特編碼的應(yīng)用最為廣泛,幾乎所有RFID卡片都支持此編碼格式。第二部分:基站芯片125KHZ RFID的基站讀寫芯片有很多種,本文對 EM4095 HTRC110以及U2270B進(jìn)行簡 單的介紹。一、EM4095EM4095(原稱P4095)是瑞士微電子(卩EM)公司生產(chǎn)的一款 125KHz RFID基站芯片。該芯片集成相位同步邏輯系統(tǒng),可以得到與線圈諧振頻率相同的載波頻率,不需外部晶振,載波頻率為100到150kHz,支持多種IC卡傳
10、輸協(xié)議,女0 EM400X EM4050 EM4150 EM4070EM4069等,封裝形式為SO1S EM4095一般與天線和微處理器一起使用,僅需很少的外圍器 件進(jìn)行DC和RF濾波、感應(yīng)和電源去耦即可正常工作。4和表1 。EM4095的管腳圖與管腳功能定義分別見圖VSS匚 DC2RDY/CLK 匸3 FCAPANT1 匸3SHDDVDD 匸S DEMOD_OUTDVSS C3 MODANT2 匚IHAGNDVDD匸 CDECJNDEMODJN 匸3 CDEC_OUT圖4 EM4095管腳圖EM4095器件的工作受控于邏輯輸入MOD當(dāng)SHD=1時,EM4095處于休眠狀態(tài),功耗 降為最??;在
11、上電時,SHD應(yīng)為1以實現(xiàn)正確的 初始化。當(dāng)SHD=0時,允許電路發(fā)射射頻信號, 開啟解調(diào)和AM調(diào)制,從AM解調(diào)模塊得到的數(shù)SHD和管腳符號功 能1VSS電源地2RDY/CLK就緒標(biāo)志和時鐘輸出3ANT1天線驅(qū)動4DVDD天線驅(qū)動器電源5DVSS天線驅(qū)動器電源地6ANT2天線驅(qū)動7VDD電源8DEMOD IN天線感應(yīng)信號輸入9CDEC OUTDC模塊電容輸出10CDEC INDC模塊電容輸入11AGND模擬地12MOD調(diào)制輸入端13DEMOD OlTW調(diào)信號輸出端14SHD睡眠模式使能端15FCA PPLL環(huán)路濾波電容16DC2DC模塊去耦電容表1 EM4095管腳功能定義字信號從DEMOD_
12、Ol腳輸出,送給微處理器解碼和處理。當(dāng)MOD=1時,使得主天線驅(qū)動與 RF (射頻)載波同步進(jìn)入三態(tài)狀態(tài), VCO和AM解調(diào)鏈 路保持MOD高前的狀態(tài)。這確保了在MODI放后可以快速的恢復(fù)原有狀態(tài)。 在MOD勺下降 沿,VCO和AM解調(diào)在41個RF時鐘之后打開。在讀、寫兩種狀態(tài)下讀寫器線圈和標(biāo)簽線圈處的電平信號形式如圖5所示。圖中,a)圖為寫卡時的信號,讀寫器線圈輸出信號,該信號受控于MODt腳的電平,MOD=1寸,調(diào)制信號輸出,而當(dāng)MOD=0寸,僅輸出載波信號,無數(shù)據(jù)信息;b)為讀卡時的信號形式,EM4095 要進(jìn)行讀卡操作時,需要先將MODS低以無調(diào)制的發(fā)射載波信號,當(dāng)標(biāo)簽進(jìn)入讀寫器的磁場
13、區(qū)域,會自動根據(jù)預(yù)設(shè)模式輸出信息,EM4095檢測到后,對信號進(jìn)行解調(diào),解調(diào)的數(shù)據(jù)信U1息從DEMOD OUT腳輸出。i_rnP2.4P2,P2P2P2321.0NCGNDX2X1RDWR2221201918171615141312A12A11A10A9A8GNDX1X2RDWRP89V51RD2_TQFPC11C120.1UF0.1UFC130.1UF4fr學(xué)哋信號a)n業(yè)信號址據(jù)讀標(biāo)簽信號形式寫標(biāo)簽信號形式b)圖5讀寫器和標(biāo)簽線圈信號EM4095處理器(MCU相連。EM4095主要功能包括:1)2)3)4)R23的典型用電路如圖圖6 EM4095典型應(yīng)用電路5所示,其中 MOD SHD R
14、DY/CLK以及DEMOD_OUT腳與微MCU與天線一起組成一個 125KHZ RFID讀寫器,其可完成的載波頻率驅(qū)動線圈;對可寫卡磁場的調(diào)幅調(diào)制;對線圈上由卡引發(fā)的調(diào)制信號進(jìn)行幅度解調(diào); 與微處理器之間相互通信。Title470二、U2270BU2270B是ATMEL公司生產(chǎn)的一款125才2基站讀寫芯片,其主要特點(diǎn)如下:(1)(3)(4)(5)(7)(8)載波頻率fOSC范圍為100150KHz3Diaee: 工作于125KHZ時,典型的數(shù)據(jù)傳送率為 支持曼徹斯特編碼和 Bi-phase碼。 可由5V的穩(wěn)壓電源或汽車蓄電池供電。 具有調(diào)諧能力。與微控制器有兼容的接口。處于待機(jī)工作方式時,其功
15、耗甚低。 有一個向微控制器供電的輸出端。25-Feb-2008F:my work sp502xak5kb/s。Sheet of電路 EM4095.DDBWn By :6Revision7和表2。U2270B為SO16貼片封裝,其管腳圖與管腳功能定義分別見圖表2 U2270B管腳功能定義GND Lrr匚rOutputOEInputMSCFE DGND COIL22345678161514131211109nHIPASSRFVSStandby VBATT DVSJ VEXTJ COIL I圖7 U2270B管腳圖U2270B的供電有三種模式:1)單一外部電源供電:所有的內(nèi)部電路均 由同一個5V電源
16、供電,VEXT和DVS腳為輸入,必須接在一起。2)雙外部電源供電:如圖8A)所示此時,VBATT腳不用,但是也vsDVS和VEXT比其他電管腳符號功 能1GND電源地2OUTPUT數(shù)據(jù)輸出3/OE數(shù)據(jù)輸出使能4INPUT數(shù)據(jù)輸入5MS線圈輸出模式選擇6CFE載波頻率使能7DGND驅(qū)動器地8COIL2線圈輸出29COIL1線圈輸出110VEXT電源向外部供電輸出11DVS驅(qū)動器供電端12VBATT電池供電端13STANDBY待機(jī)模式輸入14VS內(nèi)部電源供電(5V)15RF頻率調(diào)整端16HIP ASSDC模塊去耦電容從而得到較強(qiáng)的磁場,而VS接到5V電源上,路工作電壓要高,以達(dá)到較高的驅(qū)動輸出擺幅
17、, 如圖。此種接法下,驅(qū)動器電壓可以達(dá)到8V,適用于通信距離較大的情況下。Ly王丄,工7 la 16 V磁場耦合因子電路形式3%自由震蕩1%二極管反饋0.5%二極管反饋加頻率調(diào)整0.3%二極管反饋加頻率調(diào)諧表3磁場耦合因子與電路選擇A)B)C)圖8 U2279B的三種供電模式3)12V電池供電:此模式下,電壓由VBATT腳輸入,與前兩種不同在于,1)2)模式下供電電源必須是穩(wěn)定的直流輸入,而此模式不同,無需外部的電壓調(diào)整電路,只需一個 NPN極管即可。VS和VEXT由內(nèi)部產(chǎn)生,VEXT為三極管基極供電,同時也可向外部電路 (如 MCU提供電源。芯片內(nèi)部的齊納二極管向 VEXT和 VBATT提供
18、過壓保護(hù)。通過STANDB管腳 可以關(guān)閉芯片,但此時 VEXT輸出不受影響。具體選擇哪種供電方式,要根據(jù)實際 應(yīng)用環(huán)境和設(shè)備需求而定。如果應(yīng)用場合 下沒有穩(wěn)壓電源提供,而只有7V-16V范圍內(nèi)的不穩(wěn)定電壓,則應(yīng)選擇電池供電模 式,使用內(nèi)部電壓調(diào)整電路,并且可以向 其他電流要求不太高的器件供電;如果已有直流+5V電源,則可選擇單一外部電源供電,但應(yīng)保證此電源是無噪聲的;同時,實際應(yīng) 用中根據(jù)所需磁場耦合因子大小,也要選擇不同的電路模式,磁場耦合因子由傳輸距離和天3所示。線線圈決定,其與電路形式選擇關(guān)系如表U2270B芯片通過 CFE OE OUTPU和 STANDBY管腳與MCI接口,來實現(xiàn)讀、
19、寫等操作。U1P2.4 P2.P2P2P2.0NCGNDX2X1RDWR2221201918171615141312讀寫器對標(biāo)簽的寫操作通過 CFE管腳完成,寫過程是由對射頻載波的通斷時間控制實現(xiàn)的。同時,MS腳的狀態(tài)決定了線圈輸出的模式,MS=0時為共模輸出,反之,MS=1則為差模輸出。MS和CFE聯(lián)合作用對線圈輸出1/2的控制如表讀寫器的讀標(biāo)簽操作則通過 現(xiàn)。當(dāng)標(biāo)簽進(jìn)入讀寫器磁場范圍, 天線線圈感應(yīng)到的信息輸入到 濾波和解調(diào)后,數(shù)據(jù)信息將從編碼或Bi-phase碼形式輸出,而信息輸出與否受控 于OE管腳的狀態(tài),當(dāng) OE=0時,允許OUT PUT俞出信 息。4所示。表4線圈輸出控制模式CFE
20、MSCOIL1COIL20011010110向上脈沖向上脈沖11向下脈沖向上脈沖OE和OUTPU管腳實發(fā)送自身信息,由INPUT 腳,經(jīng) U2270BOUT PUT卻以曼徹斯特對于U2270B線圈驅(qū)動的兩種模式,共模輸出時,兩個輸出端為同相位,此時可以將其 連接起來以獲得較大的天線驅(qū)動電流;而差模輸出時,由于兩個輸出端相位相反,因而天線線圈的驅(qū)動電壓較高。 差模方式下,天線線圈的阻抗要較共模方式高,進(jìn)而可以獲得較高的系統(tǒng)靈敏度,因而,4差模方式使用較多。+5VC1100uFC20.1uFR1 4110KE10 4 2C3R6470K1.2nFR2CINOSSTANDBYU2270BSTANDB
21、YINPUT I I1I OUTPUTOE OUTPUTCFE9U1DNCd16C4CHP圖9 U2270B的一種典型應(yīng)用電路VCC圖9所示為U2270B的一種簡單的典型應(yīng)用電路,采用單一外部電源供電模式。MS接RF和VS管腳之間所接 1的 R1C為工作頻率調(diào)整電阻,RF端的電流大小,因而,調(diào)整 R1的大小即可影響頻高電平,設(shè)置線圈驅(qū)動模式為差模方式。 由于U2270B的工作頻率受控于流入對于125KHZ , R1值為110K Q,若要采用其他頻率,阻值可根據(jù)下式計算得到:率。A12A11A10A9A8U27VDD4表35電容值選擇ANT1DEMOD_OUTRDY/CLKSHDMOD13214
22、1210R74K7R124K7R134K7DEMOD_OUTRD/CKSHDMODCDEC INCin9 Ch pCDEC_OUT680pF100nF1.2 nFFCAP220 nFDe216圖9中輸入電容天線IN和直流去耦電 容Chp的值與所用 RFID標(biāo)簽傳輸速率 成線性關(guān)系,下表為最常用的兩種組合,P89V51RD2_T適用于MC和BC編碼。STANDBY CFE OUT PUT和 OE 四個口線與三、HTRC110HTRC110是飛利浦(Philips )公司生產(chǎn)的一款 RFID基站讀寫芯片,它主要面向 系列(Hitag-1, Hitag-2, Hitag-s等)RFID卡應(yīng)用,同時也
23、支持所有寫操作為讀操作為AM/PM方式的125KHZ射頻卡。其主要特點(diǎn)有:(1) 載波頻率fOSC范圍為100150KHZ3X1 GNDX2RD:WR數(shù)據(jù)速率(f=1625KHz2)C181000P8f/32=3.9Kb11f/64=1.95K50.1uF1S DEMOD_INAGND/sDVSSVSSMCU接 口,完成讀寫等各項操作。C4 (.1uFC50 .01uFC70.01uFHitagAM方 式、TX1TX2RXHTRC110為SO14貼片封裝,A?編碼器解調(diào)器相位測量1234567VSSTX2 VDDTX1MODEXTAL1XTAL2DY14管符號QGND131VSSCEXT122
24、TX2NC113VDDDOUT101DIN94Tx1SCIK85MODE6XTAL1其管腳圖與管腳功能定義分別見圖9和表2。表6 HTRC110管腳功能定義圖10 HTRC110管腳圖7XTAL213QGNDD14RX模擬地 解調(diào)器輸入圖11 HTRC110內(nèi)部框圖為了簡化應(yīng)用設(shè)計,HTRC110已經(jīng)集成了幾乎所有必需的模塊,示,收發(fā)部分包括了一個強(qiáng)大的天線驅(qū)動器 /調(diào)制器、低噪聲自適應(yīng)采樣解調(diào)器、可編程濾 波器/放大器,三線MCU串行接口用來對 HTRC110編程控制以及實現(xiàn)與標(biāo)簽卡之間的雙向 通信。三線接口也可以把 DIN和DOUT接在一起,變成兩線接口。表7 HTRC110的命令格式21
25、慮波使能合功 能 電源地 線圈驅(qū)動輸出5V供電輸入 線圈驅(qū)動輸出SCLK與 DIN振蕩器輸入 振蕩器輸出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖11所針對Hitag系列卡片進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計。 天線線圈驅(qū)動能力強(qiáng)。片內(nèi)集成振蕩器。具有天線斷路和短路檢測能力。功耗低,尤其在低功耗模式電流小于20卩A。與MCK三線接口。命令D7D6D51)4D3D2【)1D0GET_SAMPliNg time00000010GET_CONF:IG PAGE000001 11P0READ_ PHASE00001000READ_TAG1111-WRITE_TAG N0001N3N21J1N0WRITE_TArG110-SET_CONFIG PAGE
26、01P1D3D2)1D0SET_SAMFLING TIME10D5DD3D2)1D0HTRC110的所有設(shè)置和操作都是通過三線接口受MCU控制的,其控制命令共 8種,如表7所示。命令長度以比特位 (bit)為單位,READ_TAG和 WRITE_TAG 兩條為短命令, 為3 bit,其他命令都為長命令,可成字節(jié)發(fā)送。1)READ_TAGREAD TAG1 1 11命令響應(yīng)從DOUT接收數(shù)據(jù)WRITE TAG N001 01 1N3N21 N1N0命令響應(yīng)無N3N0都設(shè)為0時,DIN的信號透明的傳輸?shù)教炀€時打開。天線線圈磁場的通斷時間表征此命令用于寫卡操作。當(dāng)命令中的I驅(qū)動器,DIN=1時天線驅(qū)
27、動器關(guān)閉,反之, DIN=0 了輸出信息,從而實現(xiàn)對卡的操作。若N3N0為00011111之間的某一數(shù)值(記為 時,驅(qū)動器關(guān)閉,且此狀態(tài)持續(xù) N*T0時間,其中 打開,等待下一個 DIN脈沖。這樣可以節(jié)省 MCU 寫卡時序。當(dāng)SCLK線上出現(xiàn)一次上升沿時,寫卡模式結(jié)束。3) WRITE_TAG此命令為3 bit命令,用于讀取解調(diào)后的數(shù)據(jù)信息。當(dāng)收到 READ_TAG命令的3個bit 后,HTRC110切換到讀卡模式,將解調(diào)后的數(shù)據(jù)流從 DOUT送出,以供MCU解碼。當(dāng)SCLK 線上出現(xiàn)一次上升沿時,讀卡模式結(jié)束。2) WRITE TAG NN, 131),則當(dāng)DIN出現(xiàn)一個上升沿T0=8卩S,
28、即1/125KHZ,時間到后自動GET SA MP LING TIME00000010命令響應(yīng)00D5D4D3D2D1D06位為當(dāng)前設(shè)置值。此命令設(shè)置解調(diào)器的采樣時間,命令的低6位D5D0為欲設(shè)時間。6) GET SAMPLING TIME的工作開銷,而且可以提供出更準(zhǔn)確的READ TAG11 10命令響應(yīng)無此命令為3bit短命令,是 WRITE_TAG_N的簡化版,用于寫卡操作,切換到寫卡模式 更快。若發(fā)此命令之前沒有發(fā)送過WRITE_TAG_N 命令,N值默認(rèn)為0 ;如果有則使用最后一次N的設(shè)置值。4) READ PHASEREAD PHASE00001000命令響應(yīng)00D5D4D3D2D
29、1D0此命令用于讀取天線的相位,命令的響應(yīng)為當(dāng)前相位值。5) SET SAMPLING TIMESET SA MP LING TIME10D5D4D3D2D1D0命令響應(yīng)無SET CONFIG P AGE01P1P0D3D2D1D0命令響應(yīng)無此命令讀取解調(diào)器采樣時間,命令響應(yīng)字節(jié)的低7) SET CONFIG PAGE此命令用于設(shè)置放大器和濾波器的參數(shù)(放大增益和截止頻率)以及操作模式等。HTRC110的配置寄存器共 4頁,每頁4位,命令中的P1P0用于選擇要設(shè)置的頁, 具體內(nèi)容 見表&表8配置寄存器內(nèi)容頁P(yáng)11 P0D3D2D1D0000GAIN1GAIN0FILTERHFILTERL101
30、PD MODEPDHYSTERESISTXDIS210THRESETACQAMPFREEZE1FREEZE031 1 1DISL P1DISSMARTCO MPFSEL11 FSEL0其中每位的具體意義如下:(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)FILTERL :主低通濾波器的截止頻率選擇, FILTERH :主高通濾波器的截止頻率選擇,GAIN0 :放大器0的增益選擇,=0: 16,GAIN1 :放大器1的增益選擇,=0: 6.22,=1 : 31.5。TXDIS :線圈驅(qū)動使能,=0 :線圈驅(qū)動打開,=1 :關(guān)斷。HYSTERESIS :數(shù)據(jù)比較器滯后選擇,=0:關(guān),=1:開。P
31、D:省電模式使能,=0:器件正常工作,=1 :省電模式。PD_MODE :省電模式選擇,=0 :空閑模式,=1:掉電模式。=0: 3KHz , =1 : 6KHz。=0: 40Hz, =1 : 160Hz。=1 : 32。表 9 FREEZE1/0 意義FREEZE1/000011011意義正常工作主低通凍結(jié);主高 通預(yù)充電至QGND主低通凍結(jié);主高通時 常數(shù)在FILTERH=0時 減少16,=1時減少8主高通時常數(shù)在 FILTERH=0時減少16,=1時減少8;第二高通預(yù) 充電(9)FREEZE1/0 :設(shè)備快速設(shè)置,具體含義如表 9所示。(10)ACQAMP :存儲信號幅度以便下一步進(jìn)行幅
32、度比較。(11)THRESET :數(shù)字轉(zhuǎn)換器的復(fù)位門限。(12)FSEL1/0 :時鐘頻率選擇,=00 : 4MHz,=01 : 8MHz,=10 : 12MHz,=11: 16MHz。(13) DISSMARTCOMP :智能比較器使能,=0:比較器開啟,=1 :比較器關(guān)閉。(14)DISLP1 :低通濾波器1使能,=0:開啟,=1 :關(guān)閉。8)GET CONFIG PAGEGET CONFIG PAGE000001P1P0命令響應(yīng)X3X2X1X0D3D2D1D0此命令格式如上所示,主要完成三項功能:(1)讀回SET_CONFIG_PAGE命令所設(shè)置的參數(shù);(2)讀取WRITE_TAG_N所
33、設(shè)置的發(fā)射脈沖寬度 N值;(3)讀取系統(tǒng)狀態(tài)信息。表10讀配置寄存器命令的返回內(nèi)容頁765432100N3N2N1N0D3D2D1D01N3N2N1N0D3D2D1D020(RFU)0(RFU)AMPCOMPANTFAILD3D2D1D030(RFU)0(RFU)AMPCOMPANTFAILD3D2D1D0發(fā)送命令中P1P0選擇要讀的頁,返回值中低 4位為配置寄存器的值,高 4位不同的頁 含義有所不同,具體見表 10所示。其中頁0、1返回值中高4位為N值,而頁2、3種則為 系統(tǒng)狀態(tài)信息,具體含義為:(1) ANTFAIL :天線失敗標(biāo)志位,=0:天線正常;=1 :天線失敗。(2)AMPCOMP
34、 :幅度比較結(jié)果,當(dāng) ACQAMP置位1時,數(shù)據(jù)信號的實際幅度被記錄下來作為參考,當(dāng)ACQAMP復(fù)位(=0)以后,如果當(dāng)前信號幅度比存儲值高則AMPCOMP置位。圖12為HTRC110的一種典型應(yīng)用電路,所需外接元件很少,電路簡單。DIN、SCLK和DOUT連接到MCU,與微處理器接口實現(xiàn)參數(shù)設(shè)置、讀取,命令控制 以及信息接收等功能。mode腳是一個多功能引腳,正常情況下,它用來開啟或關(guān)閉片內(nèi)的DIN和SCLK的數(shù)字短脈沖干擾濾波器。如果mode直接接到VSS,那么濾波器一直處于關(guān)閉狀態(tài),串行口可以工作在較高波特率下;若MODE接到VDD,則濾波器一直工作,可以減小口線上的MCU和HTRC11
35、0距離較遠(yuǎn)的應(yīng)短時脈沖毛刺干擾,但是限制了最大傳輸速率,這適合于 用場合。+5VDOUTDINSCK在輸出部分,路故障,連接到了般情況下,Ca和=100uF= 0.1uF310DDOUT VTX2DINSCKTX1XTAL1RC110RX.XTAL2G S o64MHzI 7天線14Rv0.1uF10.1uF圖12 HTRC110典型應(yīng)用電路Ca和Cs的使用可以防止短路對天線的影響,4兩個驅(qū)動輸出端即使發(fā)生短 24V電壓,由于電容的隔直功能,不會損壞天線。一 Ca容值應(yīng)較?。ㄈ?0PF),而Cs應(yīng)較大(如100nF)。 (EMI )的影響,低頻信號經(jīng)Ri到地而不會進(jìn)入天線,GND或12V甚至C
36、s的大小不要相同,Ri的使用可以避免低頻電磁干擾一般Ri取值為1K Q左右。RX管腳在片內(nèi)通過一個電阻連接到關(guān)系以調(diào)節(jié)RX信號的幅值。由于若 RX輸入信號幅值過高會造成信號失真,影響解調(diào),因 而Rv不能過小,一般取值在100K400K Q。另外,Rv必須盡可能的靠近 RX引腳,以優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能,最好是直接在該管腳旁邊放置一個貼片電阻。QGND(約2V),接收電阻Rv與片內(nèi)電阻構(gòu)成分壓TitleSizeBDate:File:5第三部分:標(biāo)簽(卡片)125KHZ RFID標(biāo)簽(卡)種類很多,應(yīng)用也非常廣泛??傮w來說,只讀卡使用簡單、成 本低廉,而可讀寫卡則存儲容量大、應(yīng)用靈活。本文選取了較為
37、典型且廣泛使用的只讀式 EM410Q可讀寫T5557、Hitag-s三種卡片進(jìn)行介紹。一、卡片 EM4100EM4100(原稱H4100)卡是一款廣為使用的 125KHz只讀型射頻卡, 它與TK4100、GK4001 EM4001(H4001)等卡完全兼容,其結(jié)構(gòu)及管腳分布如圖13所示。COIL1VSSVDDEM4100COIL2COTL1EM4100COIL2圖13 EM4100卡結(jié)構(gòu)和管腳圖EM4100芯片電路以一個處于交變磁場內(nèi)的外部天線線圈為電能驅(qū)動,并且經(jīng)由線圈終端C0IL1從該磁場得到它的時鐘頻率。另一線圈終端 C0IL2受芯片內(nèi)部調(diào)制器影響,轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍烷_關(guān)調(diào)制,以便向讀卡器傳送
38、包含制造商預(yù)先程序排列的64 bit信息和命令。芯片在多晶硅片聯(lián)結(jié)狀態(tài)時施行激光燒寫編程,以便在每塊芯片上存儲惟一的代碼。由于EM4100邏輯控制核心電量消耗低微,無需提供緩沖電容,僅需一個外部天線線圈即可實現(xiàn)各項功能。同時,芯片內(nèi)還集成了一個與外部線圈并聯(lián)的74pF諧振電容。EM4100卡的簡要特征有:(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)由激光編程燒寫的 64 bit存儲單元; 支持多種數(shù)據(jù)速率和數(shù)據(jù)編碼格式; 片上集成諧振電容; 片上集成儲能緩沖電容; 片上集成電量/電壓限制器; 片上集成全波整流變換器; 使用一個低阻抗調(diào)制驅(qū)動器,可獲得較大的調(diào)制深度;工作頻率范圍 10
39、0 150KHZ典型值125KHZ; 芯片尺寸非常小,方便移植應(yīng)用;(10)芯片功耗極低。八于版本位或廠商信息三十二個據(jù)1111111DOO D10 D01 DllD02 D12 D03 D13 D20D60D21D61D22D62D23D63九個頭D30DTOD31071D:32D72D33D73D40D80D41D81D42D82D43D83D50D90D51D91D52D92D53D93PCO PC1 PC2 PC3P0PlF2SO停止位EM4100卡內(nèi)部數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)如圖 14所示,全部的數(shù)據(jù)位為 64 bit,它包含9個起始位(其 值均為1、40個數(shù)據(jù)位(8個廠商信息位+ 32個數(shù)據(jù)位)、
40、14個校驗位(10個行校驗+ 4個列校驗)和1個結(jié)束停止位。圖14 EM4100卡片內(nèi)部數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)一旦進(jìn)入讀寫器所發(fā)出的磁場內(nèi),EM4100芯片從磁場獲得能量和時鐘頻率,并向讀寫器傳送制造商預(yù)先激光編程燒寫的內(nèi)部數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)發(fā)送為循環(huán)進(jìn)行, 數(shù)據(jù)位傳送周期根據(jù)預(yù)先設(shè)置而定,典型的為 64個載波周期,當(dāng)fOs=125kHz時,T=64*(1/f osC=512卩s。EM4100作為一種只讀卡片,存儲內(nèi)容固定,出廠即無法改變,但是其體積小,容易封 裝,成本低廉,對于任何可以使用唯一序列號來標(biāo)示主要屬性的物件,都可以使用EM4100卡片,應(yīng)用非常廣泛。二、卡片 T5557T5557是ATMEL公司生產(chǎn)的
41、一款多功能非接觸式R/W辨識電路,適用于 125kHz頻率范圍,與e5550產(chǎn)品兼容。芯片需要外接一個天線線圈,以獲得芯片內(nèi)部電路的電源補(bǔ)給和進(jìn)行雙向信息溝通。芯片和天線一起構(gòu)成感應(yīng)卡片或標(biāo)簽,如圖15所示。天線圖15 T5557結(jié)構(gòu)框圖T5557共有330bit的EEPR0存儲區(qū),分為10個塊,每塊33bit,均能被讀寫器讀/寫。 塊0是被保留用于設(shè)置 T5557操作模式的參數(shù)配置塊。 塊7可以用作用戶數(shù)據(jù)塊, 也可以為 保護(hù)全部數(shù)據(jù)塊而設(shè)置一組用戶密碼,用于避免未經(jīng)許可的非法改寫。1、T5557的組成圖15中所示芯片的各組成部分具體功能如下:模擬前端(An alog Fro nt End,
42、 AFE ): AFE包括所有直接連接到天線線圈的電路,用于產(chǎn)生芯片讀寫的能量供應(yīng),并處理雙向的數(shù)據(jù)收發(fā),比特率發(fā)生器:用于產(chǎn)生芯片工作的數(shù)據(jù)傳輸速率,可編程控制。T5557的工作速率為fOsC2 fOsC128,或者e550/e5551及T5554芯片所使用的任何固定速率值( fOsC8, f OS(/16, f OS(/32, f OSC40, f OS(/50, f OS(/64,寫解碼器:在寫卡期間,寫譯碼器依照 寫信號進(jìn)行譯碼,并且驗證寫數(shù)據(jù)流是否有效。高壓發(fā)生器:片上電荷泵電路產(chǎn)生約直流供電:外部能量通過兩個線圈輸出端芯片工作所需的直流工作電壓。上電復(fù)位(Power-On Rese
43、t, POR ):延時復(fù)位功能電路使得芯片只有在供電電壓達(dá) 到設(shè)定門限時方可啟動,以保證所有功能的正常運(yùn)行。時鐘提?。簳r鐘提取電路使用外部射頻信號作為內(nèi)部單元的時鐘源。控制單元:控制單元主要完成以下幾項功能:上電之后,從EEPROI塊0讀取配置數(shù)據(jù)并裝入模式寄存器內(nèi);控制存儲區(qū)的讀寫;處理寫數(shù)據(jù)傳輸和寫錯誤模式;讀寫器發(fā)送到標(biāo)簽的數(shù)據(jù)流中,最初在密碼模式中,在操作碼之后收到的7中的密碼進(jìn)行比較。模式寄存器:模式寄存器保存來自存儲區(qū)塊f OSC100 以及 fosC128 )。ATMEL e555x系列的脈沖間隔編譯碼方式對18V電壓,用于對 EEPRO進(jìn)行編程。COIL1/2送入芯片,芯片對其
44、整流以提供7)8)2bit是操作碼,如寫、讀、復(fù)位等;32bit數(shù)據(jù)為輸入密碼,將之與存儲在塊0的配置信息,并且,POF或者復(fù)位命令時進(jìn)行更新。在芯片出廠時,模式寄存器預(yù)編稱值為 為連續(xù)讀取塊0、曼徹斯特編碼和 RF/64。塊0的詳細(xì)配置數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)如圖9)在任何塊讀取、00148000H對應(yīng)16所示。0L1 2 34:5 6 78 19 10 11 1213 140 1 1 1 1 OO 1 01 0 I O 11 口 1 D 1。11主腔腿值逹輯11). 2)FF/S000001RF/3201D0開代FEO0111RF/50100RF/e4101RF/100110RF/128111000151
45、6l 17 10 19 2031 22 23 2425 26 27 2829 30 311 32調(diào)制烷式PSK-CF01 RFM1 O RF/aPSK2Ros.直授 PSK1PSK3FSK1FSK2FSKIaFSK2a相樁莊控調(diào)制按請求回管二相Bl phasedJn當(dāng)主控犍值h時.寫命令檢測撲式:巔患. 21出主控鍵值 用眩9擴(kuò)展功繪挨式#蕓止.圖16塊0的詳細(xì)配置數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)10)調(diào)制器:T5557的調(diào)制器包括下表中所示的10種基本類型。調(diào)制模式輸出信號FSK 1a 0 = f OsC8 ; 1 = f osC5FSK 2a 0 = f osC8 ; 1 = f osC10FSK 1 0 = f
46、 osC5 ; 1 = f osC8FSK 2 0 = f OsC10 ; 1 = f OsC8PSK 1輸入改變時改變相位PSK 2輸入為高時在時鐘輸入時改變相位PSK 3在輸入的上升沿相位變化Man Chester曼徹斯特碼輸出Bip hase二相碼輸出NRZ1=阻尼 on; 0=阻尼 off11)存儲器單元:為 1塊330bit的EEPROM被分為兩頁10塊,每塊33bit,包括1 位鎖(LOCK bit。存儲區(qū)結(jié)構(gòu)如下表所示。頁1塊21可追溯數(shù)據(jù)塊11可追溯數(shù)據(jù)頁0塊7L用戶數(shù)據(jù)或密碼塊6L用戶數(shù)據(jù)塊5L用戶數(shù)據(jù)塊4L用戶數(shù)據(jù)塊3L用戶數(shù)據(jù)塊2L用戶數(shù)據(jù)塊1L用戶數(shù)據(jù)塊0L配置數(shù)據(jù)頁0
47、的塊0包含了芯片的配置信息, 塊7可以用作寫保護(hù)的密碼, 每塊的0位是本塊的 LOCK位,一旦上鎖,本塊數(shù)據(jù)只讀,不可改寫。值得注意的是,LOCK位是不可查看的,只能一次性改寫(即 OTP,因此使用此位應(yīng)慎重。頁1的塊1和塊2包含可追溯性數(shù)據(jù),在產(chǎn)品測試時由ATMEL公司編程。兩塊的第 0塊1塊21 89 1617242532 11213320 xE00 x15ICRLotIDDWP位固定為1,無意義。塊1的最高字節(jié)固定為0 xE0, 類級別碼(ACL);而第2字節(jié)則為ATMEL公司的廠商 芯片參考字節(jié)(ICR),高3位描述IC或者廠商版本, 需求設(shè)定;最低 40位分為兩組,20位的lotID
48、,和這是ISO/IEC 15963-1標(biāo)準(zhǔn)中定義的分ID( MFC 0 x15 ;接下來的8位數(shù)據(jù)是 低 5位默認(rèn)為0,也可以根據(jù)大用戶 20位DPW/頁0定義如下表所示:2、T5557的操作命令命令類型操作碼命令內(nèi)容標(biāo)準(zhǔn)寫1 PL1 (Data) 322 (Addr) 0保護(hù)寫1 P1 (P assword) 32L1 (Data) 322 (Addr) 0喚醒命令(AOR1 01 (P assword) 32直接訪問(PWD=11 P1 (P assword) 3202 (Addr) 0直接訪問(PWD=01 P02 (Addr) 0|頁0/1常規(guī)讀1 P復(fù)位命令0 0T5557的操作命令
49、共有7種,如上表所示,命令的操作碼均為 2 bit,其中P為頁選擇 位,P=0表明要操作頁0,反之則為頁1 ;地址碼為3 bit ;密碼為32 bit ;數(shù)據(jù)為32 bit。 各命令的意義和用途如后所述。3、T5557的工作過程1) 上電復(fù)位:T5557進(jìn)入磁場范圍通過感應(yīng)獲取供電,在壓值達(dá)到門限電壓之前,POR電路一直有效,觸發(fā)默認(rèn)的啟動延時。 在大約192個場時鐘的配置周期內(nèi),根據(jù)塊0中的配置信息進(jìn)行初始化,之后進(jìn)入常規(guī)讀狀態(tài)。2)常規(guī)讀:在常規(guī)讀模式下,存儲在存儲區(qū)中的數(shù)據(jù)循環(huán)的輸出,以供讀寫器檢測。最先發(fā)送塊1中的bit 1 ,直到塊7的bit 32 ,塊0中的最大塊(bit 25/2
50、6/27,MAXBLK ) 配置參數(shù)決定了讀取的最后一塊,當(dāng)該塊發(fā)送后,開始循環(huán)。用戶可以通過設(shè)定 MAXBLK的值來限定常規(guī)讀模式下輸出的數(shù)據(jù)流。設(shè)為7時,塊1值與數(shù)據(jù)流的關(guān)系如圖 17所示。至塊7均輸出;設(shè)為1,則只有塊1輸出;設(shè)為0,則只有塊0輸出,在平時塊0是不輸出 的。MAXBLKMAXBLK=50Block 1 。1 Block 5Block 1o o o o o 1 Block 5Block 1o o oMAXBLK=20 Block 1 Block 2Block 1 Block 2Block 1 I Block 2 | o o o o o。Block 0 I Block 0圖1
51、7 MAXBLK 值與數(shù)據(jù)流的關(guān)系3) 塊讀模式:利用直接訪問命令,只有指定的塊被讀取,循環(huán)輸出,在MAXBLK置為0或1時塊讀與常規(guī)讀模式相同。對于直接訪問命令,根據(jù)PWD位的設(shè)置,決定是否發(fā)送密碼位。另外值得注意的是:無論在塊讀還是常規(guī)讀模式下,在發(fā)送數(shù)據(jù)之前都會先發(fā)送 引導(dǎo)碼(值為0),見圖17。4) 寫模式:讀寫器相 T5557發(fā)送信息是通過中斷 RF場的短小時隙(gap)來實現(xiàn)的, 兩個gap間的時間表征碼元信息。一般1個gap的時間為50150卩s,兩個gap間的時間為 24個場時鐘周期表示 0,為54個場時鐘周期則表示 1。當(dāng)1個gap后超過64個場時鐘周期MAXBLK=0Blo
52、ck 0 Block 0Block 0 Block 01bit仍未出現(xiàn)下一個gap, T5557退出寫模式。如果正確收到命令,則立刻執(zhí)行;而若發(fā)生任何 錯誤,T5557退出寫并進(jìn)入常規(guī)讀模式。4、T5557的工作模式T5557有三種工作模式,由塊 0中的PWD和AOF位的設(shè)置決定:1)直接訪問模式:當(dāng) PWD=0寸,無論AOF為何值,T5557工作于直接訪問模式下,當(dāng)芯 片復(fù)位進(jìn)入常規(guī)讀模式時,調(diào)制器自動打開輸出數(shù)據(jù),讀寫器發(fā)送各條命令時也無須密碼。2)密碼訪問模式:當(dāng)卩如0=且AOR=0時,進(jìn)入常規(guī)讀模式時,調(diào)制器自動打開輸出數(shù)據(jù), 但是讀寫器要訪問卡片時,在操作碼之后必須發(fā)送密碼,若密碼不
53、正確,無法實現(xiàn)操作。T5557并不立即3)請求訪問模式:PWD=1且 AOR=1時,在初始化后進(jìn)入常規(guī)讀狀態(tài)時,發(fā)送數(shù)據(jù),必須靠喚醒命令來激活調(diào)制使能。當(dāng)同一個場范圍內(nèi)有多個卡片式,AOR命令中的密碼位可以用來選擇卡片,當(dāng)卡片接收到與自己密碼一致的AOR命令時被激活,否則繼續(xù)等待,這樣可以避免多個卡同時發(fā)送數(shù)據(jù)時發(fā)生碰撞。T5557雖然有330bit的存儲空間,但實際用戶可用的只有頁0的8個塊,其中塊 0還要用來存放配置信息,因而對于RFID標(biāo)簽應(yīng)用來說容量并不算很大。但是它的配置內(nèi)容和工作模式非常豐富,可以適應(yīng)多功能需求,應(yīng)用非常靈活;而且卡片的訪問模式也很靈活, 可以自由的設(shè)置為直接訪問、
54、密碼模式訪問以及請求模式(AOR訪問等。同一張卡片在不同配置或不同工作模式的讀寫器上將不能訪問和讀寫,保密性很好。此外,T5557的成本較低,在可讀寫卡中性價比較高,具有廣闊的應(yīng)用前景。三、Hitag s系列卡片Hitag s 系列卡是philips 公司繼Hitag 1、Hitag 2 之后推出的又一種基于Hitag架構(gòu)的卡片。Hitag s具有超低功率、可長距離讀寫等特點(diǎn),并加入了反碰撞算法和防止欺詐 的加密驗證技術(shù),讀寫器能在一定范圍內(nèi)同時識別多達(dá)200個標(biāo)簽。Hitag s按存儲器大小系列卡片可分為三種不同規(guī)格:Hitag s-32/256/2048,容量分別為32/256/2048
55、bit。其中Hitag s-32 為只讀型,能提供工廠編程的唯一識別碼,而另外兩種都是可讀寫的。整個Hitag的一些主要特征如下表所示:Hitag 1Hitag 2Hitag s頻率(KHz)100150100150100150波特率(Kb)44可達(dá)8容量(bit)204825632,256,2048讀/寫是是是(32為只讀)防碰撞協(xié)議是是加密認(rèn)證是,可配置是,可配置是,唯一認(rèn)證非逆存儲鎖是,可配置是,可配置是,可配置只讀模式是,可配置是,可配置整合電容是是是1、Hitag s 的存儲器結(jié)構(gòu)4字節(jié)即8頁和64Hitag s的EE PRO最高可達(dá)2048 bit,分為16個塊,每塊由4頁構(gòu)成,每
56、頁32bit,為最小的存取單元。Hitag s系列共有3種存儲器結(jié)構(gòu),分別包含1頁、頁。內(nèi)存可完成由開始頁到結(jié)束頁(0最多為63頁)的尋址,在讀/寫訪問時,即可按頁訪問,也可按塊進(jìn)行操作,都以該空間的起始頁地址定位。1)UID 碼Hitag s 卡的第0頁包含32bit制造商編程的唯一識別碼(Unique Identifier, UID)UID碼是只讀的。由于 Hitag s32 只包含第0頁,因此它是只讀的。頁地址字節(jié)3字節(jié)2字節(jié)1字節(jié)00 x00UID3PID1PID0UID2UID1UID0的內(nèi)容為 Hitag s 系列卡的產(chǎn)品識別碼Hitag家族中的不同產(chǎn)品,對于Hitag sCON0
57、/1/2 ,配置信息的更改在下一次上電第0頁的具體內(nèi)容如上表所示,其中UID3(Product Identifier, PID)。 PID 碼可以用來區(qū)分 系列:PID1 = 0 x7 0 xF 而且 PID0 豐 0 x5 0 x62) CON配置信息Hitag s的第1頁內(nèi)包含了三字節(jié)的配置信息 復(fù)位后生效。各字節(jié)的具體內(nèi)容如下所述。位D7D6D5D4D3D2D1D0CON0一一一一一一MEMT1MEMT0CON1AUTTTFCTTFDR1TTFDR0TTFM1TTFM0LCONLKPCON2LCK7LCK6LCK5LCK4LCK3LCK2LCK1LCK0CON0如上表所示,高 6位保留,
58、低2位為內(nèi)存類型標(biāo)志位,MEMT1/MEMT0=0為32bit ; =01為 256bit ; =10 為 2048bit ; =11 保留。CON0為只讀。CON1Hitag s還有兩種工作模式:TTF和RTF模式,TTF即卡片先發(fā),當(dāng)便根據(jù)預(yù)先設(shè)置好的速率和內(nèi)容向外循環(huán)發(fā)送信息(類似于EM4100),當(dāng)卡片進(jìn)入磁場復(fù)位后,不主動發(fā)送信息,而是等待讀寫器的訪問及Hitag s系列卡有兩種配置模式:常規(guī)模式和認(rèn)證模式,在不同模式下其內(nèi)存配置和卡 片訪問方式有所不同; 卡片進(jìn)入磁場復(fù)位后, 而RTF為讀寫器先發(fā),操作命令。CON1種包含了卡片配置和工作模式的設(shè)置信息。AUT配置模式選擇位,當(dāng)AU
59、T=0時為常規(guī)模式;=1時,為認(rèn)證模式。TTFC: TTF模式編碼選擇位,當(dāng)為MC碼;=1則為Biphase碼。TTFDR1/0: TTF模式速率選擇位,示。TTFC=0如表所TTFM1/TTFM0 TTF模式設(shè)置位, 義了工作模式選擇以及 TTF模式下循環(huán)發(fā)送的 頁。LCON鎖定配置位,此位決定了對CON1/2 的訪問權(quán)限。=0時,CON1/2都為可讀寫的;此兩位定TTFDR1TTFDR0速率004k018k102k112k且賽鴿標(biāo)準(zhǔn)TTFM1TTFM0TTF發(fā)送頁00禁止TTF ( RTF模式)01頁4, 510頁 4, 5, 6, 711頁4。注=1時,CON1為只讀,而CON2為一次可
60、編程(OTP即可以編程一次,之后不可再更改) 意,LCON位本身也是 OTP的。LKP:鎖鑰和密碼位,在常規(guī)模式下,此位用來第 設(shè)定對位于第1、2、3頁的密碼(PWDH0PWDL1/0 問權(quán)限。=0:都為可讀寫的;=1 :在常規(guī)模式下設(shè)定 問。CON2存儲器鎖定設(shè)置,CON2的每一位都對應(yīng)某幾頁存儲區(qū)(具體見下表所示),當(dāng)該位=0時,其對應(yīng)存儲區(qū)可讀寫操作;=1時,則為只讀。此外當(dāng) LCON=1時,所有存儲區(qū)都為OTP 的。2、3頁的用戶數(shù)據(jù);在認(rèn)證模式下,和鎖鑰(KEYH1/0 KEYL3/2/1/0 )的訪2、3頁為只讀,在認(rèn)證模式,禁止訪位D7D6D5D4D3D2D1D0CON2LCK7
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