數(shù)電有10年的數(shù)電課件lecture7cmos門電路

1、Lecture7：門電路Lecture7：門電路1內(nèi)容提內(nèi)容提MOS管簡MOS管（金屬-氧化物- 半導體場MOS管簡MOS管（金屬-氧化物- 半導體場效應晶體管Metal-Oxide-Semiconductor Field-三極柵極基極漏極集電極MOS管簡增強型MOS管簡增強型NMOS襯uGS增大，反型層（導電溝道）將變厚變長當反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導電溝道導電溝MOSvMOSvGS 當vGS VGS (th) 時,管子導通，漏極和iDV2GS。當vGS VGS (th) vDS 0時,管子導通，MOS管簡MOS管簡MOS管簡增MOS管簡增強型PMOSMOS管簡+-0MOS管簡+-0輸入

2、輸入(1)當vIVIL0(1)當vIVIL0vGS2 0。(2) 當vIVIHVDDvGS1 (2) 當vIVIHVDDvGS1 0 vI 平，T1和TvI 平，T1和T2為CMOS電路。(C：互補2， T1和T2總是有一個截VGS(thVGS(th)P VGS(th)VDD VGS(th)PVGS(th ) 為，即VGS(th) ，T，T1CD段：輸截止，T2導通，輸出電為低電平，即 BC段：T1、T2同時導BC段：T1、T2同時導通，若T1T2參數(shù)完全相同，則當V 1時1IO22：或 時，輸出電壓vo并不輸入端噪聲 指在保證輸出CMOS：CMOS：AB段：輸入低電平，T1，T，T1CD段：

3、輸截止，T2導通，輸出漏電流近似為零有電流iD 通過，且在vIVDD2附近處，漏圍內(nèi)，即0v圍內(nèi)，即0vI VDD，輸入端當vIVDD+VDF時，D1導而當vI VDFD2將柵極電位vG鉗位在VDF這樣使得C1C2兩端電壓不時，此時T1T2低電平，即voVOL。電流從負載注高。且VDDVOL 越低。VIL0 時，此時T2T1，即voVOH VOH 越高。 由于MOS 由于MOS CMOS與非CMOS與非CMOS與非CMOS與非Y CMOS或非CMOS或非T1T3為兩個串聯(lián)的PMOSCMOS或非CMOS或非Y (AT4T1T3至A、B同時為“0”時，T2、T4同時截止，T1、T3同時導通，帶緩沖

4、級CMOS門電帶緩沖級CMOS門電：(1)輸出電阻ROA1B則RO RON2 RON4 A0,B 0則 / 1 A0B則RO RON1 RON A1B0則RO RON3 帶緩沖級CMOS帶緩沖級CMOS門電：帶緩沖級帶緩沖級CMOS門電在門電路的每個輸入端和輸出端各增設一級標準參數(shù)的反相器。帶緩沖器的門電路其輸出電阻、輸出的高、低電平及電壓傳輸特性不受輸入端狀態(tài)的影響；帶緩沖級帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級CMOS門電帶緩沖級帶緩沖級CMOS門電例：分析圖中電路的邏輯功能，寫出邏輯函數(shù)式帶緩沖級CMOS帶緩沖級CMOS門電例