反滲透膜清洗方案 2

1、 HYPERLINK / 反滲透膜清洗方案1 反滲透膜元件的污染與清洗 在正常運行一段時間后，反滲透膜元件會受到給水中可能存在的懸浮物或難溶鹽的污染，這些污染中最常見的是碳酸鈣沉淀、硫酸鈣沉淀、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉淀、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物(如：阻垢劑/分散劑，陽離子聚合電解質)、微生物盆(藻類、霉菌、真菌)等盆污染。污染性質和污染速度盆取決于各種因素，如給水水盆質和系統(tǒng)回收率。通常污染盆是漸進發(fā)展的，如不盡早控盆制，污染將會在相對較短的盆時間內損壞膜元件。當膜元盆件確證已被污染，或是在長盆期停機之前，或是作為定期瘤日常維護，建議對膜元件

2、進瘤行清洗。當反滲透系統(tǒng)（瘤或裝置）出現(xiàn)以下癥狀時，瘤需要進行化學清洗或物理沖瘤洗：在正常給水壓力下，產瘤水量較正常值下降101瘤5%；為維持正常的產水量瘤，經溫度校正后的給水壓力瘤增加1015%；產水水瘤質降低1015%，透鹽聾率增加1015%；給水銻壓力增加1015%；系銻統(tǒng)各段之間壓差明顯增加。銻 保持穩(wěn)定的運行參銻數(shù)主要是指產水流量、產水銻背壓、回收率、溫度及TD銻S。如果這些運行參數(shù)起伏銻不定，海德能公司建議檢查銻是否有污染發(fā)生，或者在關欺鍵運行參數(shù)有變化的前提下欺, 反滲透的實際運行是欺否正常。 定時監(jiān)測欺系統(tǒng)整體性能是確認膜元件欺是否已發(fā)生污染的基本方法欺。污染對膜元件的影響是漸

3、欺進的，并且影響的程度取決欺于污染的性質。表1“反滲欺透膜污染特征及處理方法”呸列出了常見的污染現(xiàn)象和相呸應處理方法。 已受呸污染的反滲透膜的清洗周期呸根據(jù)現(xiàn)場實際情況而定。海呸德能公司建議，正常的清洗呸周期是每3-12個月一次呸。 當膜元件僅僅是析發(fā)生了輕度污染時，重要的析是清洗膜元件。重度污染會析因阻礙化學藥劑深入滲透至析污染層，影響清洗效果。析清洗何種污染物以及如析何清洗要根據(jù)現(xiàn)場污染情況析而進行。對于幾種污染同時析存在的復雜情況，清洗方法析是采用低PH和高PH的清盆洗液交替清洗（應先低PH盆后高PH值清洗）。表盆1 反滲透膜污染特征及處盆理方法2 污染情況分析盆 碳酸鈣垢： 碳繕酸鈣垢

4、是一種礦物結垢。當繕阻垢劑/分散劑添加系統(tǒng)出繕現(xiàn)故障時，或是加酸pH調繕節(jié)系統(tǒng)出故障而引起給水p繕H增高時，碳酸鈣垢有可能繕沉積出來。盡早地檢測碳酸繕鈣垢，對于防止膜層表面沉繕積的晶體損傷膜元件是極為繕必要的。早期檢測出的碳酸繕鈣垢可由降低給水的pH值線至35，運行12小時線的方法去除。對于沉積時間線長的碳酸鈣垢，可用低pH線值的檸檬酸溶液清洗去除。線硫酸鈣、硫酸鋇、硫線酸鍶垢：硫酸鹽垢是秀比碳酸鈣垢硬很多的礦物質秀垢，且不易去除。硫酸鹽垢秀可在阻垢劑/分散劑添加系秀統(tǒng)出現(xiàn)故障或加硫酸調節(jié)p秀H時沉積出來。海德能公司秀認為盡早地檢測硫酸鹽垢對秀于防止膜層表面沉積的晶體瘴損傷膜元件是極為必要的。

5、瘴硫酸鋇和硫酸鍶垢較難去除瘴，因為它們幾乎在所有的清瘴洗溶液中難以溶解，所以，瘴應加以特別的注意以防止此瘴類結垢的生成。金屬瘴氧化物/氫氧化物污染：瘴典型的金屬氧化物和金瘴屬氫氧化物污染為鐵、鋅、軋錳、銅、鋁等。這種垢的形軋成導因可能是裝置管路、容軋器(罐/槽)的腐蝕產物，軋或是空氣中氧化的金屬離子軋、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽軋，或是由在預處理過濾系統(tǒng)軋中使用鐵或鋁助凝劑所致。軋 聚合硅垢： 硅映凝膠層垢由溶解性硅的過飽映和態(tài)及聚合物所致，且非常映難以去除。需要注意的是，映這種硅的污染不同于硅膠體映物的污染。硅膠體物污染可映能是由與金屬氫氧化物締合映或是與有機物締合而造成的在。硅垢的去除很艱難，

6、可采在用傳統(tǒng)的化學清洗方法。如在果傳統(tǒng)的方法不能解決這種在垢的去除問題，請與海德能在公司技術部門聯(lián)系?，F(xiàn)有的在化學清洗藥劑，如氟化氫銨在，已在一些項目上得到了成在功的使用，但使用時須考慮在此方法的操作危害和對設備在的損壞，加以防護措施。詹 膠體污染： 膠體詹是懸浮在水中的無機物或是詹有機與無機混合物的顆粒，詹它不會由于自身重力而沉淀詹。膠體物通常含有以下一個詹或多個主要組份，如：鐵、詹鋁、硅、硫或有機物。針非溶性的天然有機物污染針(NOM)：非溶性針天然有機物污染(NOM針Natural Org針anic Matter)針通常是由地表水或深井水中針的營養(yǎng)物的分解而導致的。針有機污染的化學機理很

7、復雜針，主要的有機組份或是腐植咽酸，或是灰黃霉酸。非溶性咽NOM被吸附到膜表面可造咽成RO膜元件的快速污染，咽一旦吸收作用產生，漸漸地咽結成凝膠或塊狀的污染過程咽就會開始。微生物沉咽積：有機沉積物是由咽細菌粘泥、真菌、霉菌等生臃成的，這種污染物較難去除臃，尤其是在給水通路被完全臃堵塞的情況下。給水通路堵臃塞會使清潔的進水難以充分臃均勻的進入膜元件內。為抑臃制這種沉積物的進一步生長臃，重要的是不僅要清潔和維臃護RO系統(tǒng)，同時還要清潔臃預處理、管道及端頭等。對臃膜元件采用氧化性殺菌時，臃請與海德能公司技術支持部迎門聯(lián)系，使用認可的殺菌劑迎。3 清洗液的選擇和使迎用選擇適宜的化學清迎洗藥劑及合理的清

8、洗方案涉迎及許多因素。首先要與海德迎能公司的服務人員取得聯(lián)系迎，確定主要的污染物，選擇哲合適的化學清洗藥劑。有時哲針對某種特殊的污染物或污哲染狀況，要使用RO藥劑制哲造商的專用化學清洗藥劑，哲并且在應用時要遵循藥劑供哲應商提供的產品性能及使用哲說明。有的時候可針對具體哲情況，從反滲透裝置取出已哲發(fā)生污染的單支膜元件進行哲測試和清洗試驗，以確定合哲適的化學藥劑和清洗方案。哲為達到最佳的清洗效咽果，有時會使用一些不同的咽化學清洗藥劑進行組合清洗咽。典型的程序是先在咽低pH值范圍的情況下進行咽清洗，去除礦物質垢污染物咽，然后再進行高pH值清洗咽，去除有機物。有些清洗溶噎液中加入了洗滌劑以幫助去噎除嚴

9、重的生物和有機碎片垢噎物，同時，可用其它藥劑如噎EDTA螯合物來輔助去除噎膠體、有機物、微生物及硫噎酸鹽垢。需要慎重考噎慮的是如果選擇了不適當?shù)囊瘜W清洗方法和藥劑，污染噎情況會更加惡化。4 化暈學清洗藥劑的選擇及使用準暈則選用的專用化學藥暈劑，首先要確保其已由海德暈能公司認定并符合用于海德暈能公司膜元件的要求。藥劑暈供應商的指導/建議不應與暈海德能公司此技術服務公告暈中推薦的清洗參數(shù)和限定的暈化學藥劑種類相沖突；癥如果正在使用指定的化學癥藥劑，要確認其已在此海德癥能公司技術服務公告中列出癥，并符合海德能公司膜元件癥的要求（咨詢海德能公司）癥；采用組合式方法完癥成清洗工作，包括適宜的清札洗pH

10、、溫度及接觸時間等札參數(shù)，這將會有利于增強清札洗效果；在推薦的最札佳溫度下進行清洗，以求達札到最好的清洗效率和延長膜札元件壽命的效果；以札最少的化學藥劑接觸次數(shù)進札行清洗，對延續(xù)膜壽命有益壹；謹慎地由低至高調壹節(jié)pH值范圍，可延長膜元壹件的使用壽命。pH范圍為壹212(勿超出)；壹典型地、最有效的清洗方壹法是從低pH至高pH溶液壹進行清洗。但對油污染膜元野件的清洗不能從低pH值開鈾始，因為油在低pH時會固鈾化；清洗和沖洗流向鈾應保持相同的方向；鈾當清洗多段反滲透裝置時，鈾最有效的清洗方法分段清洗鈾，這樣可控制最佳清洗流速鈾和清洗液濃度，避免前段的姚污染物進入下游膜元件；姚用較高pH產品水沖洗姚

11、洗滌劑可減少泡沫的產生；姚如果系統(tǒng)已發(fā)生生物姚污染，就要考慮在清洗之后姚，加入一個殺菌劑化學清洗爺步驟。殺菌劑必須在清洗后真立即進行，也可在運行期間真定期進行(如一星期一次)真連續(xù)加入一定的劑量。必須真確認所使用的殺菌劑與膜元真件相容，不會帶來任何對人真的健康有害的風險，并能有真效地控制生物活性，且成本真低；為保證安全，溶解化學貞藥品時，切記要慢慢地將化帳學藥劑加入充足的水中并同帳時進行攪拌； 從安全方面帳考慮，不能將酸與苛性(腐帳蝕性)物質混合。在要使用帳下一種溶液之前，從RO系帳統(tǒng)中徹底沖洗干凈滯留的前帳一種化學清洗溶液。5帳清洗液的選擇表2-義常規(guī)清洗液配方提供的清洗吩溶液是將一定重量(

12、或體積吩)的化學藥品加入到100吩加侖(379升)的潔凈水吩中(RO產品水或不含游離吩氯的水)。溶液是按所用化吩學藥品和水量的比例配制的吩。溶劑是RO產品水或去離吩子水，無游離氯和硬度。清吩洗液進入膜元件之前，要求殲徹底混和均勻，并按照目標殲值調pH值且按目標溫度值殲穩(wěn)定溫度。常規(guī)的清洗方法殲基于化學清洗溶液循環(huán)清洗殲一小時和一種任選的化學藥殲劑浸泡一小時的操作而設定殲的。 表2 常規(guī)清洗液配殲方(以100加侖，即37殲9升為基準)6 常規(guī)清殲洗液介紹溶液1 必2.0%(W)檸檬酸(必C6H8O7)的低pH清必洗液。用于去除無機鹽垢(必如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸必鋇、硫酸鍶垢等)、金屬氧必化物/

13、氫氧化物(鐵、錳、必銅、鎳、鋁等)及無機膠體必十分有效。溶液2戒0.5%(W)鹽酸低戒pH清洗液，主要用于去除戒無機物垢(如碳酸鈣垢、硫戒酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等戒)，金屬氧化物/氫氧化物戒(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)戒，及無機膠體。這種清洗液糊比溶液1要強烈些，因為鹽糊酸(HCl)是強酸。糊溶液30.1%(糊W)氫氧化鈉高pH清洗液糊。用于去除聚合硅垢。這一糊洗液是一種較為強烈的堿性糊清洗液。7 RO膜元件海的清潔和沖洗程序RO膜海元件可置于壓力容器中，在海高流速的情況下，用循環(huán)的海清潔水(RO產品水或不含海游離氯的潔凈水)流過膜元海件的方式進行清洗。RO的海清洗程序完全取決于具體情浚況，必要時

14、更換用于循環(huán)的浚清潔水。RO膜元件的浚常規(guī)清洗程序如下：浚在60psi(4bar)?；蚋蛪毫l件下進行低壓浚沖洗，即從清洗罐中(或相浚當?shù)乃?向壓力容器中泵扮入清潔水然后排放掉，運行扮幾分鐘。沖洗水必須是潔凈扮的、去除硬度、不含過渡金扮屬和余氯的RO產品水或去扮離子水。在清洗罐中扮配制特定的清洗溶液。配制扮用水必須是去除硬度、不含扮過渡金屬和余氯的RO產品扮水或去離子水。溫度和pH滇應調到所要求的值。滇啟動清洗泵將清洗液泵入膜滇組件內，循環(huán)清洗約一小時滇或是要求的時間（咨詢海德滇能技術人員）。在起始階段滇，清洗液返回至RO清洗罐滇之前，將最初的回流液排放滇掉，以免系統(tǒng)內滯留的水對滇清洗溶液

15、造成稀釋。在最初炳的5分鐘內，慢慢地將流速炳調節(jié)到最大設計流速的1/炳3。這可以減少由污物的大炳量沉積而造成的潛在污堵。炳在第二個5分鐘內，增加流炳速至最大設計流速的2/3炳，然后，再增加流速至設計炳的最大流速值。如果需要，炳當pH的變化大于1，就要炳重新調回到原數(shù)值。拴根據(jù)需要，可交替采用循環(huán)拴清洗和浸泡程序。浸泡時間拴建議選擇1至8小時（請咨拴詢海德能公司）。要謹慎地拴保持合適的溫度和pH。拴化學清洗結束之后，要拴用清潔水(去除硬度、不含拴金屬離子如鐵和氯的RO產掠品水或去離子水)進行低壓掠沖洗，從清洗裝置/部件中掠去除化學藥劑的殘留部分，掠排放并沖洗清洗罐，然后再掠用清潔水完全注滿清洗罐

16、以掠作沖洗之用。從清洗罐中泵掠入所有的沖洗水沖洗壓力容掠器至排放。如果需要，可進掠行第二次清洗。一旦掠RO系統(tǒng)已用貯水罐中的清題潔水完全沖洗后，就可用預題處理給水進行最終的低壓沖題洗。給水壓力應低于60p題si(4bar)，最終沖題洗持續(xù)進行直至沖洗水干凈題，且不含任何泡沫和清洗劑題殘余物。通常這需要15題60分鐘。操作人員可用干題凈的燒瓶取樣，搖勻，監(jiān)測題排放口處沖洗水中洗滌劑和題泡沫的殘留情況。洗液的去亮除情況可用測試電導的方法亮進行，如沖洗水至排放出水亮的電導在給水電導的10亮20%以內，可認為沖洗已亮接近終點；pH表也可用于亮測定，來比較沖洗水至排放亮出水與給水的pH值是否接亮近。一旦所有級段已克清洗干凈，且化學藥劑也已克沖洗掉，RO可重新開始置克于運行程序中，但初始的產克品水要進行排放并監(jiān)測，直克至RO產水可滿足工藝要求克(電導、pH值等)。為得克到穩(wěn)定的RO產水水質，這克一段恢復時間有時需要從幾克小時到幾天，尤其是在經過扮高pH清洗后。8 反滲扮透膜的化學清洗與水沖洗扮清洗時將清洗溶液以低扮壓大流量在膜的高壓側循環(huán)扮，此時膜元件仍裝在壓力容扮器內而且需要專門的清洗裝扮置來完成該工作。清故洗反滲透膜