以日本為鑒看中國電子行業(yè)未來之路

1、目 錄TOC o 1-2 h z u HYPERLINK l _TOC_250020 一、日本 70-80 年代電子行業(yè)發(fā)展環(huán)境與當前中國較為相似 3 HYPERLINK l _TOC_250019 （一）中國與日本彼時具有相似的宏觀經(jīng)濟背景 3 HYPERLINK l _TOC_250018 （二）電子信息產(chǎn)業(yè)成為經(jīng)濟結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級的重點領域，政策大力支持 5 HYPERLINK l _TOC_250017 （三）電子行業(yè)都處于黃金發(fā)展期，但均與美國發(fā)生貿(mào)易摩擦 7 HYPERLINK l _TOC_250016 二、日本電子行業(yè)的崛起與分化歷程 8 HYPERLINK l _TOC_2500

2、15 （一）1950-1970 年代，戰(zhàn)后日本電子行業(yè)的復蘇與發(fā)展 8 HYPERLINK l _TOC_250014 （三）1970-1985 年，日本電子行業(yè)的黃金時期 10 HYPERLINK l _TOC_250013 （三）1985-2000 年，貿(mào)易摩擦背景下日本電子行業(yè)的內(nèi)需拉動式增長 12 HYPERLINK l _TOC_250012 （四）2000 年以后，日本電子行業(yè)整體衰落伴隨實力分化 14 HYPERLINK l _TOC_250011 三、日本電子行業(yè)演進的啟示 18 HYPERLINK l _TOC_250010 （一）美日貿(mào)易摩擦將對行業(yè)發(fā)展有長期影響，但不是決

3、定性因素 18 HYPERLINK l _TOC_250009 （二）能否把握技術(shù)創(chuàng)新與模式創(chuàng)新潮流或是關(guān)鍵 19 HYPERLINK l _TOC_250008 （三）舉國體制是實現(xiàn)追趕的有效方式，保持開放同樣重要 21 HYPERLINK l _TOC_250007 （四）產(chǎn)業(yè)周期是決定股票市場表現(xiàn)的核心因素 22 HYPERLINK l _TOC_250006 四、中國電子行業(yè)崛起之路 24 HYPERLINK l _TOC_250005 （一）當前的中國電子行業(yè)與 70-80 年代的日本有何不同 24 HYPERLINK l _TOC_250004 （二）國產(chǎn)替代是國內(nèi)電子行業(yè)發(fā)展的必

4、然選擇 27 HYPERLINK l _TOC_250003 （三）實現(xiàn)基礎研究和底層創(chuàng)新的突破，才能贏取下一個時代 28 HYPERLINK l _TOC_250002 （四）長期看，電子行業(yè)估值或漸進式向成熟市場靠攏 30 HYPERLINK l _TOC_250001 五、投資建議 32 HYPERLINK l _TOC_250000 六、風險提示 33一、日本 70-80 年代電子行業(yè)發(fā)展環(huán)境與當前中國較為相似（一）中國與日本彼時具有相似的宏觀經(jīng)濟背景經(jīng)濟總量均位于世界第二，GDP 增速放緩，人均 GDP 水平相當。從經(jīng)濟總量上看，1968年日本成為世界第二大經(jīng)濟體，2010 年中國超

5、越日本成為世界第二大經(jīng)濟體。從 GDP 增速上看，中日兩國均進入增速放緩期，日本從 1955 至 1973 年保持了近 20 年的高速增長，年均 GDP增速達到 9.25%，1975 年后進入經(jīng)濟轉(zhuǎn)型期，GDP 平均增速降至 4%。中國從 1991 至 2011年也維持高速增長，年均 GDP 復合增速達 10.5%，而 2015 年之后 GDP 增速降至 7%及以下， 2019 年中國 GDP 增速為 6.1%。2019 年中國的人均 GDP 為 10262 美元，綜合物價因素，現(xiàn)今中國人均 GDP 應該只相當于 1978 年左右的日本人均 GDP 8822 美元。圖 1. 中日 GDP 增速

6、對比(單位：%)圖 2. 中日人均 GDP 對比(單位：美元)1961 1964 1967 1970 1973 1976 1979 1982 1985 1988高速增長期增速放緩期高速增長期增速放緩期1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016 201915105014000120001000080006000400020000196019641968197219761980198419891992199519982001200420072010201320162019-5資料來源：Wind，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院中

7、日具有相似的經(jīng)濟結(jié)構(gòu)，二、三產(chǎn)業(yè)比重上升，基本完成工業(yè)進程，城鎮(zhèn)化率達到 60%以上。二戰(zhàn)后，日本的產(chǎn)業(yè)政策以重工業(yè)為主，第一產(chǎn)業(yè)占比迅速萎縮，第二、三產(chǎn)業(yè)占比擴大。1955 年日本三大產(chǎn)業(yè)占 GDP 比重為 19.20%、32.70%和 47.00%，1985 年變動為 3.10%、 36.30%和 60.70%。中國改革開放以來產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級，第一產(chǎn)業(yè)向第二三產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，1985年中國三大產(chǎn)業(yè)占GDP 比重為 27.93%、42.71%和 29.35%，2019 年變動為7.1%、39.0%、53.9%。擺脫了以第一產(chǎn)業(yè)為主的落后產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，基本完成了工業(yè)化進程。圖 3. 日本三大產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占

8、比變化圖 4. 中國三大產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占比變化70%60%50%40%30%20%10%0%1955 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995第一產(chǎn)業(yè)第二產(chǎn)業(yè)第三產(chǎn)業(yè)60%50%40%30%20%10%0%1990199219941996199820002001200320052007200920112012201420162018第一產(chǎn)業(yè)第二產(chǎn)業(yè)第三產(chǎn)業(yè)資料來源：日本統(tǒng)計局，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院中日經(jīng)歷快速城鎮(zhèn)化進程，日本城鎮(zhèn)化率自二戰(zhàn)后快速增加，1945 年為 27.8%，至 1970年達到 70%左右。中國城鎮(zhèn)化率自 1

9、980 年以來同樣駛?cè)肟燔嚨溃?980 年、2019 年分別為 19.4%、 60.6%。盡管現(xiàn)今中國城鎮(zhèn)化率與 70 年代的日本尚有差距，快速提升的城鎮(zhèn)化水平對工業(yè)和服務業(yè)的生產(chǎn)效率起到了良好的促進作用。圖 5. 中日城鎮(zhèn)化率對比中國城鎮(zhèn)化率（1989-2019）日本城鎮(zhèn)化率（1960-1990/上軸）19601961196219631964196519661967196819691970197119711972197319741975197619771978197919801981198219821983198419851986198719881989199090%80%70%60%50%

10、40%30%20%10%1989199019911992199319941995199619971998199920002000200120022003200420052006200720082009201020112011201220132014201520162017201820190%資料來源：Wind，世界銀行，中國銀河證券研究院舊經(jīng)濟增長模式以投資拉動為主，矛盾突出，處于經(jīng)濟轉(zhuǎn)型期。二戰(zhàn)后，日本戰(zhàn)后以特大企業(yè)為中心的新興產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)投資主義，讓 1955 至 1970 年日本經(jīng)濟高速增長。但這種以民間設備投資為主導的增長模式埋下了產(chǎn)能過剩的種子，并且導致環(huán)境的破壞和公害的泛濫，以至于在

11、70 年代產(chǎn)生了“四大公害”事件。70 年代，日本開始推行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，消除過剩產(chǎn)能，開發(fā)節(jié)能技術(shù)和新能源，生產(chǎn)高附加值高科技高精尖產(chǎn)品。圖 6. 中日資本形成總額 GDP 中的比重圖 7.中日人均能耗（千克油當量）及二氧化碳排放量（公噸/人）50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%4500101960196219641966196819701972197419761978198019821984198619881990400093500830007250064200051500310002500100中國資本形成總額占GDP比重（1998-2018）日本資本形成總額占GDP

12、比重（1970-1990）中國人均能耗量（1994-2014）日本人均能耗量（1960-1990）日本人均二氧化碳排放量（1960-1990）/右軸中國人均二氧化碳排放量（1994-2014）/右軸資料來源：Wind，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院同樣的，中國自改革開放以來，經(jīng)濟增長很大程度是由低水平的投資拉動為主的，以基建 和地產(chǎn)為主導產(chǎn)業(yè)的投資型經(jīng)濟結(jié)構(gòu)觸碰到高杠桿問題，本世紀以來，資本形成總額拉動 GDP 所占比例都在 50%左右，實現(xiàn) 20 年的經(jīng)濟增長后，2015 年中國陷入經(jīng)濟下行瓶頸，產(chǎn)能過剩、 資源環(huán)境的破壞等亟待解決的問題使投資為導向的經(jīng)濟增長模式難

13、以為繼。和當初的日本一樣，現(xiàn)在中國在大力進行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型實行供給側(cè)改革，轉(zhuǎn)向高精尖高科技制造產(chǎn)業(yè)。中日都是全球出口大國，對美貿(mào)易順差占比為 50%左右。日本二戰(zhàn)后經(jīng)濟快速崛起歸因于開放的經(jīng)濟政策，日本政府積極引進國外先進技術(shù)，1973 年鋼鐵、汽車、家電等產(chǎn)業(yè)達到世界先進水平，“日本制造”風靡全球。同樣中國自 2001 年加入 WTO 以來出口規(guī)?？焖贁U大， 2007 年成為全球最大出口國，“中國制造”憑借廉價資源和勞動力優(yōu)勢搶占全球市場。同時美國對中國和日本貿(mào)易逆差不斷上升，其中商品貿(mào)易逆差中中國和日本占比最高達到 48%（2015年）和 56.39%（1991 年）。對日貿(mào)易逆差為主要原因，1

14、978 年美日貿(mào)易逆差首次突破 100 億美元，到了 1985 年已經(jīng)達到了 462 億美元，占據(jù)了美國貿(mào)易逆差的 33.9%。圖 8. 中日出口規(guī)模 (單位：億美元)圖 9. 美日中貿(mào)易差額（單位：百萬美元）198919911993199519961998200020022003200520072009201020122014201620172019800000300002500020000150001000050001989199119931995199619982000200220032005200720092010201220142016201720190中國出口金額（1989-201

15、9）日本出口金額（1970-2000）600000400000200000197019731976197919821985198819911994199720002003200520082011201420170-200000-400000-600000-800000-1000000日本貿(mào)易差額美國貿(mào)易差額中國貿(mào)易差額資料來源：Wind，世界銀行，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院（二）電子信息產(chǎn)業(yè)成為經(jīng)濟結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級的重點領域，政策大力支持隨著兩國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的巨變，制造業(yè)都為兩國的重點發(fā)展對象，電子信息產(chǎn)業(yè)成為獲得產(chǎn)業(yè)改革的關(guān)注重點。在此期間，日本經(jīng)濟的主角從鋼鐵和造船業(yè)

16、等“厚重長大”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)換為半導體等“輕薄短小”產(chǎn)業(yè)，其表現(xiàn)為鋼鐵生產(chǎn)量和原油進口量的減少，以及對半導體集成電路硅材料需求的增加。同時，日本政府“舉國體制”政策加持助力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，1976 年開始實行 “DRAM 制法革新”國家項目，籌資 720 億日元，并設立超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動項目（VLSI），幫助日本企業(yè)打造 DRAM 集成電路產(chǎn)業(yè)群。此外，為半導體企業(yè)提供了高達 16 億美元的資金，出臺了包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策。6圖 10. 日本半導舉國體制發(fā)展歷程資料來源：騰訊新聞，中國銀河證券研究院截至 2019 年底，中國集成電路產(chǎn)值高達 7562.3 億元中國

17、集成電路自 2002 年起年復合增速達 21.70%。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃，中國政府于 2014 年 9 月成立了中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(CICIIF)，簡稱“大基金”計劃，以服務于半導體行業(yè)投資和并購，被譽為“新型舉國體制”，迄今第二期已開始運轉(zhuǎn)，注冊資本金高達 2041.5 億元。今年科創(chuàng)板的開閘有益于電子行業(yè)的投融資，8 月 4 日國務院發(fā)布關(guān)于印發(fā)新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知，從稅收、投融資、人才、市場等多方位，對集成電路產(chǎn)業(yè)進行空前力度的優(yōu)惠和扶持。圖 11. 中國集成電路銷售額變化（億元）800070006000500040003000

18、200010000資料來源：Wind，中國銀河證券研究院請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。（三）電子行業(yè)都處于黃金發(fā)展期，但均與美國發(fā)生貿(mào)易摩擦1970-1985 年為日本電子行業(yè)的黃金時代。二戰(zhàn)期間美國專注于軍用電子生產(chǎn)，日本乘機打入美國民用電子市場，根據(jù)日本人電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，1970-1985 年日本電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值增加了 5 倍，內(nèi)需增加了 3 倍，出口增加了 11 倍，出口是絕對的行業(yè)增長拉動主力。隨著日本在全球半導體市場份額的持續(xù)上升，根據(jù) Semiconductor Industry Association 統(tǒng)計， 1978 年日本在全球版道理總收入中占比 46%，超過

19、美國占比 30%，機器人、集成電路等高新技術(shù)均領跑世界水平。日本的發(fā)展導致美國同類產(chǎn)品國際競爭力下降，本土產(chǎn)品市場也遭日本產(chǎn)品擠壓，美國對日巨額貿(mào)易逆差成為美日貿(mào)易戰(zhàn)的直接導火索。美日貿(mào)易摩擦中對日半導體采取了知識產(chǎn)權(quán)委員會限制技術(shù)外流、日美半導體協(xié)議協(xié)定最低價格和美國在日本半導體市占率大于 20%、加征關(guān)稅等措施。圖 12. 美日電子貿(mào)易戰(zhàn)過程資料來源：國際貿(mào)易問題，中國銀河證券研究院中國電子產(chǎn)業(yè)黃金時期始于 2007 年，一直持續(xù)至今，主要原因是蘋果系產(chǎn)品對國內(nèi)消費電子產(chǎn)業(yè)鏈的帶動。本輪中美貿(mào)易摩擦始于特朗普于 2018 年宣布對從中國進口的商品征收關(guān)稅，關(guān)稅清單中和電子領域相關(guān)的有電容電

20、阻、PCB、半導體設備等關(guān)鍵組件，之后又遭遇了芯片禁運、加征關(guān)稅等貿(mào)易紛爭。圖 13. 中美電子貿(mào)易戰(zhàn)美國對華通信公司措施資料來源：國際貿(mào)易問題，中國銀河證券研究院二、日本電子行業(yè)的崛起與分化歷程（一）1950-1970 年代，戰(zhàn)后日本電子行業(yè)的復蘇與發(fā)展從宏觀背景看，在美國全力支持下，日本經(jīng)濟全面復蘇，尤其是電子行業(yè)。二戰(zhàn)剛結(jié)束時，為防止日本再次發(fā)動戰(zhàn)爭，由美國控制的盟軍駐日司令部采取了一系列非軍事化政策遏制日本的再工業(yè)化。但出于美軍實際需要，美國支持日本發(fā)展通信和交通行業(yè)，大力推動電話電報和廣播事業(yè)復興。1950 年 6 月朝鮮戰(zhàn)爭爆發(fā)后，日本的戰(zhàn)略地位大幅提升，美國將日本視為“戰(zhàn)時臨時后

21、方”，開始全方位地支持日本經(jīng)濟發(fā)展。在技術(shù)上，美國大規(guī)模向日本轉(zhuǎn)移先進技術(shù)，1950 年轉(zhuǎn)移項目只有 22 個，但僅僅 2 年內(nèi)，轉(zhuǎn)移的項目就已達到 133 個。在經(jīng)濟上，戰(zhàn)爭期間美國向日本采購了大量軍用物資，累計高達 10 億美元。與其同時，戰(zhàn)爭時期開設的現(xiàn)代化工廠是日后電子行業(yè)繁榮發(fā)展的溫床。在美蘇冷戰(zhàn)影響下，美國延續(xù)了對日支持的經(jīng)濟政策。從經(jīng)濟數(shù)據(jù)來看，1950 年日本 GDP 僅為 3.95 萬億日元，到了 1970 年，日本 GDP 已經(jīng)增長為 73.34 萬億日元，年均復合增長率達到 15.7%。這一階段日本經(jīng)濟發(fā)展是全方位的，全產(chǎn)業(yè)的，并不局限于電子產(chǎn)業(yè)，實際上，當時日本的鋼鐵和

22、造船業(yè)也具有顯著優(yōu)勢。日本電子產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)后日本經(jīng)濟復蘇的縮影。圖 14.日本戰(zhàn)后 GDP（萬億日元）60050040030020010001950 1955 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015資料來源：Wind，中國銀河證券研究院從產(chǎn)業(yè)政策看，日本政府高度重視電子行業(yè)發(fā)展，出臺一系列支持性政策法規(guī)。其中最具代表性的是 1957 年日本政府制定的電子工業(yè)振興臨時措施法，通過立法扶持電子產(chǎn)業(yè)，減少電子產(chǎn)業(yè)公司的征稅，投入大量資金、人力用于研發(fā)新技術(shù)，在技術(shù)上緊跟美國，甚至在部分細分領域?qū)崿F(xiàn)超越。日本自執(zhí)行電子振興法以

23、來，電子工業(yè)產(chǎn)值由 1957 年的 1678 億日元（4.7 億美元）上升到 1971 年的 33516 億日元（94.5 億美元），增長了十幾倍，年均復合增長率 23.8%，成為了僅次于美國的第二電子大國。引進吸收先進技術(shù)，民用電子引領日本電子產(chǎn)業(yè)強勢復蘇。日本這一階段的出口產(chǎn)品主要集中于民用電子消費產(chǎn)品。由于朝鮮戰(zhàn)爭，美國電子產(chǎn)業(yè)主要生產(chǎn)軍用電子產(chǎn)品，1950 年，美國民用電子產(chǎn)值為 15 億美元，占電子總產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的 69.8%。到了 1957 年，美國民用電子產(chǎn)值僅僅增長了 2 億美元，而占比下滑到了 29.3%。日本電子企業(yè)抓住了美國民用電子市場的空缺。1955-1970 年期間，日本

24、黑白/彩色電視機、洗衣機、冰箱、吸塵器、收音機等產(chǎn)品基本完成了國內(nèi)普及，并且大幅對外出口，其中最大的出口地就是美國。以收音機為例，20 世紀 50年代日本生產(chǎn)的半導體收音機曾經(jīng)風靡全球，被譽為世界“收音機王國”，1958 年半導體收音機產(chǎn)量超 600 萬臺，居世界首位。圖 15. 1950 年美國軍用、民用電子產(chǎn)值圖 16. 1957 年美國軍用、民用電子產(chǎn)值1950年1957年6.5億美元30.2%17億美元29.3%15億美元69.8%41億美元70.7%軍用電子產(chǎn)值民用電子產(chǎn)值軍用電子產(chǎn)值民用電子產(chǎn)值資料來源：CEIC，世界銀行，中國銀河證券研究院資料來源：CEIC，中國銀河證券研究院N

25、EC（日本電氣）：NEC 成立于 1898 年，在二戰(zhàn)前，NEC 主要從事無線電通信業(yè)務，并于 1924 年成立了日本第一家無線電廣播公司。在晶體管技術(shù)誕生后，NEC 緊抓科技創(chuàng)新，迅速掌握了晶體管制造技術(shù)，并應用于無線電設備生產(chǎn)。NEC 生產(chǎn)的電子產(chǎn)品在海外非常受歡迎，公司在上世紀 60 年代開始了全球擴張。 NEC 的成功在于技術(shù)跟隨與海外擴張。無論是晶體管、集成電路還是個人計算機，其實美國都具有先發(fā)優(yōu)勢。但 NEC 公司重視技術(shù)跟隨，能在短時間內(nèi)掌握相同技術(shù)，始終保持在技術(shù)上不落后，反而能以更好的質(zhì)量淘汰掉美國產(chǎn)品，這在美日電子產(chǎn)品競爭中建立了巨大優(yōu)勢。同時，NEC 公司也注重海外擴張，

26、在海外建立分公司和工廠，專門負責海外銷售業(yè)務，為個人消費者提供更好的服務。表 1. NEC 重要經(jīng)營歷程1950 年NEC 開始研發(fā)晶體管1951 年開始向海外出口無線電廣播設備1952 年因出色的質(zhì)量管理而被授予“戴明獎”1954 年開始研發(fā)計算機，生產(chǎn)了日本第一臺交錯式交換系統(tǒng)1959 年推出了公司第一款晶體管計算機“NEAC-2201”1960 年開始研發(fā)集成電路1963 年成立日本電氣美國公司，負責美國銷售業(yè)務1968 年分別在墨西哥、巴西、澳大利亞成立分公司1974 年推出 ACOS 系列計算機1980 年NEC 發(fā)明了第一款數(shù)字信號處理器1982 年推出了 16 位的個人計算機“P

27、C-9800”資料來源：百度百科，中國銀河證券研究院SONY（索尼）：如今家喻戶曉的索尼公司也成立于日本電子產(chǎn)業(yè)興起的浪潮中，1946年，盛田昭夫成立了索尼的前身“東京通信工業(yè)株式會社”。成立初期，索尼的經(jīng)營并不順利。直到 1954 年，索尼以兩萬五千美元的低價購買了貝爾實驗室的晶體管專利權(quán)。1956 年，索尼開發(fā)出了第一臺晶體管收音機“TR-55”。由于晶體管收音機小巧便攜，在市場上一舉成功。1968年，索尼開發(fā)出“Trinitron”的彩色映射管技術(shù)，其畫面比起同時代的普通顯示器顏色更加鮮艷。 “Trinitron”技術(shù)使索尼的電視機在全球熱賣。通過購買專利權(quán)的方式，索尼掌握了最新的晶體管

28、技術(shù)并應用于研發(fā)收音機。“Trinitron”彩色映射管技術(shù)的基礎是液晶顯示，液晶顯示技術(shù)也是美國先發(fā)明的。在這兩項技術(shù)上，索尼都不具有先發(fā)優(yōu)勢，但索尼重視技術(shù)學習和技術(shù)應用，實現(xiàn)了彎道超車。（三）1970-1985 年，日本電子行業(yè)的黃金時期舉國體制推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型，日本電子行業(yè)快速追趕國際先進水平。戰(zhàn)后日本經(jīng)濟是漫放式發(fā)展，產(chǎn)業(yè)發(fā)展缺乏重心。當時日本最大產(chǎn)業(yè)是鋼鐵與造船業(yè)，但地理位置和自然資源限制了日本進一步發(fā)展“重、大”工業(yè)。70 年代石油危機爆發(fā)后，石油價格高漲。資源依賴型重工業(yè)成本普遍上升，日本重工業(yè)受到嚴重影響。因此，日本政府舉全國之力將發(fā)展重心向技術(shù)集中度高的電子產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。從產(chǎn)業(yè)

29、政策角度，日本政府實施了特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法（1971-1978 年）和特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法（1978-1985 年）。日本推動產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的效果是顯著的。硅是半導體制造的原材料，是電子產(chǎn)業(yè)的基石。1970 年，日本對單晶硅的需求逐年上升，與此同時，日本的石油進口量和粗鋼生產(chǎn)量基本停滯，說明新增資金不再投資于鋼鐵產(chǎn)業(yè)等重工業(yè)部門。1985 年，日本電子產(chǎn)業(yè)貿(mào)易順差 8.92 萬億日元，同年日本整體貿(mào)易順差 10.87 萬億，電子產(chǎn)業(yè)貢獻了其中的 82%，電子制造業(yè)已經(jīng)成為日本的支柱產(chǎn)業(yè)。圖 17.日本硅需求量與原油進口量資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院

30、產(chǎn)品打入國際市場，出口導向的日本電子產(chǎn)業(yè)迎來黃金時期。1970-1985 年，日本電子產(chǎn)品在海外非常受歡迎，出口額逐年上升。1970 年，出口占日本電子工業(yè)產(chǎn)值大約為 25%，到了 1985 年，出口占比接近 60%，出口拉動型的日本電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來了黃金十五年。日本電子產(chǎn)業(yè)主要的出口產(chǎn)品集中于兩個方面：動態(tài)隨機存取儲存器（DRAM）市場和家用電器市場。從動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）市場份額可以看出，1975-1985 年，美國的市場份額快速下滑，而日本的市場份額快速提高，形成了交叉十字。80 年代初，日本在 DRAM 市場所占的份額首次超過美國, 躍居世界首位。1986 年，日本企業(yè)在世界

31、 DRAM 市場所占的份額達到了 80%。圖 18. 各國家和地區(qū) DRAM 市場份額的變化資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院在家用電子消費領域，日本電子企業(yè)延續(xù)了既有優(yōu)勢，以索尼、松下等為代表的黑電企業(yè)開始大舉進軍國際市場，逐步取代美國成為全球黑電產(chǎn)業(yè)的領導者，在彩電、VTR 以及后期的消費電子領域也都形成了壟斷性的領先優(yōu)勢。以 VTR（家用錄像機）為例，VTR 是日本歷史上出口額最高的民用電子產(chǎn)品。在全盛時期，僅 VTR 產(chǎn)品的產(chǎn)值就超過了 2 萬億日元，其中出口額 1.6 萬億日元，出口占比接近 80%。在其他消費電子產(chǎn)品，出口也是拉動產(chǎn)值增長的重要因素。日立、東芝、NEC

32、 等企業(yè)聯(lián)合建立“共同研究所”，保持科技競爭力。日本電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也離不開自身的技術(shù)創(chuàng)新。實際上，從 1980 年開始，由于日本在電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)威脅到了美國的龍頭地位，美國對日本開始采取了限制措施。日本企業(yè)為應對美國企業(yè)的競爭壓力，于 1976 年組建了超大規(guī)模集成電路計劃（VLSI）共同研究所，并取得了巨大成效，保持了日本在電子產(chǎn)業(yè)的科技競爭力。日本政府也投入大量資金支持企業(yè)共同研究所。1976 年至 1980 年，日本通商產(chǎn)業(yè)?。ìF(xiàn)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。┯糜谥С?VLSI 項目研究的補助金支出為 291 億日元，占同期通產(chǎn)省補助金總支出的 49.2%。共同研究所涵蓋了當時日本國內(nèi)最優(yōu)秀的電子企業(yè)，包括

33、日立、富士通、東芝、三菱、日本電氣。這些企業(yè)組建了聯(lián)合實驗室，打破了企業(yè)界限，合力研發(fā)新技術(shù)和新產(chǎn)品。在共同研究所的推動下，日本的技術(shù)創(chuàng)新一直領先于其他國家。以 DRAM 市場為例，64 KB 時代的日立制作所、256 KB 時代的日本電氣(NEC)以及 1MB 時代的東芝，最大供應商的地位一直都被日本企業(yè)占據(jù)。（三）1985-2000 年，貿(mào)易摩擦背景下日本電子行業(yè)的內(nèi)需拉動式增長日美貿(mào)易摩擦，日元大幅升值，90 年代日本經(jīng)濟基本停滯。20 世紀 70 年代到 80 年代上半期，全球經(jīng)濟快速增長，全球貿(mào)易規(guī)模不斷擴大。日本逐步發(fā)展為世界第二大經(jīng)濟體和美國最大的貿(mào)易伙伴國，對美出口進一步擴大。

34、到了 1985 年，日本對美貿(mào)易順差達到歷史最大值，為 93693.35 億日元。1986 年，日本對美出口占日本總出口的 38.4%。由于日美貿(mào)易的長期逆差，美國對日政策由扶持轉(zhuǎn)為遏制。1985 年，日美等多個國家簽訂“廣場協(xié)議”，其主旨就是“推高日元，貶值美元”以此來緩解美國的貿(mào)易逆差。日元在短時間內(nèi)大幅度升值，日本產(chǎn)品的國際價格競爭力喪失，導致以出口為導向的日本經(jīng)濟受到了致命打擊，日本經(jīng)濟在 90 年代基本陷入停滯。美對日發(fā)起反傾銷訴訟，日本半導體份額被搶占。1985 年，美國對日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)起了低價傾銷訴訟。1986 年，日美簽訂了日美半導體協(xié)議，該協(xié)議限制了日本電子產(chǎn)品在美國的銷售

35、價格和市場份額，同時要求日本開放 20%國內(nèi)市場給美國電子產(chǎn)品。1987 年，美國政府以日本未遵守協(xié)議為由，對日本部分電子產(chǎn)品征收了 100%報復性關(guān)稅。1991 年，日美續(xù)簽了五年期的新半導體協(xié)議。這一系列限制性措施使得美國半導體企業(yè)的競爭力有所恢復，韓國半導體產(chǎn)品異軍突起。日本半導體的市場份額在 1986 年后停止增長，在 1990 年后，其市場份額迅速被韓國、中國臺灣搶占。圖 19. 日本對美貿(mào)易順差及出口占比圖 20. 匯率與日本 GDP100000900008000070000600005000040000300002000010000045%38.44%40%35%30%25%20

36、%15%10%5%19801982198419861988199019921994199619982000200220040%6005004003002001000日本對美貿(mào)易順差(億日元)對美出口所占總出口比重美元兌日元匯率日本GDP（萬億日元）資料來源：Wind，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院日本電子產(chǎn)品出口困難，家用消費電子領域優(yōu)勢不在。1985 年“廣場協(xié)議”簽訂后的 10 年間，日元幣值平均每年上升 5%以上，日幣升值導致日本電子產(chǎn)品在國外市場價格上升，失去了價格競爭力，直接打擊了出口。在計算機市場，在 1985-1990 年間日本計算機出口增速明顯下滑，1

37、990 年后甚至出現(xiàn)了出口額減少的情況。在無線通信設備市場，在 1985 年后日本無線通信設備出口基本不再增長。而在日本具有傳統(tǒng)優(yōu)勢的家用消費電子領域，如圖 4 所示，VTR產(chǎn)品的出口額驟減，在 1985 年前后形成了“倒 V 型”。圖 21. 日本計算機產(chǎn)值、進出口情況圖 22. 日本無線通信設備產(chǎn)值、進出口情況資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院采用獨立標準，脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈，保護本國市場。日本采取了與國際標準不同的產(chǎn)品設計標準，變向保護了本國市場，卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈。在國際分工合作的趨勢下，日本喪失了自己的角色，無法參與到國際合作

38、中。在計算機方面，日文處理成為海外品牌計算機進入日本的障礙。1982 年日本電氣 NEC 發(fā)布的 PC-9800 將漢字做為一種硬件進行了加載，這與國際通用模式難以兼容。即使 1990 年，IBM 推出了兼容日文的 DOS/V 規(guī)格，但日本電子產(chǎn)業(yè)仍然固守自己的標準。在通信設備方面，日本在架設 2G 網(wǎng)絡時沒有采用國際通用的 GSM 規(guī)格，而是研發(fā)了特有的 PDC 規(guī)格。這使得 90 年代國外手機廠商無法走進日本，日本手機廠商也很難打開國外市場。因此，日本手機廠商偏安一隅，缺乏競爭和創(chuàng)新意識。在進入 21 世界后，隨著智能手機的出現(xiàn)，日本手機徹底失去了競爭力，手機產(chǎn)值在 2003 年后逐漸下跌

39、。圖 23.日本手機產(chǎn)值歷史變化情況資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院固守縱向聯(lián)合型經(jīng)營理念，日本電子企業(yè)隱憂重重。 從 20 世紀 80 年代后半期開始，世界電子產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了設計和制造分工的經(jīng)營模式。日本企業(yè)卻對這種分工方式抱有抵抗心理，固執(zhí)地堅持縱向聯(lián)合和獨立經(jīng)營。從大型機向個人消費電子產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變是促成設計制造相分離的水平分工模式的一大原因。在大型機時代，由一個企業(yè)獨立完成計算機的設計和生產(chǎn)能夠保障大型機的使用壽命和穩(wěn)定性。但到了個人計算機時代，產(chǎn)品更新?lián)Q代更頻繁，用戶對使用壽命的要求降低，對性能的要求提高。硬件、軟件、處理器、操作系統(tǒng)可以來自不同的公司。日本電子產(chǎn)業(yè)沒有順應這

40、一趨勢。日本企業(yè)既沒有轉(zhuǎn)型成像蘋果這樣“設計為主”的品牌終端，又沒有出現(xiàn)有競爭力的代工廠。過時的縱向經(jīng)營模式使得日本電子企業(yè)創(chuàng)新乏力，難以推出具有革命性的新產(chǎn)品。當國外廠商推出智能手機、個人筆記本電腦后，日本產(chǎn)品在國內(nèi)也失去了競爭力。圖 24.縱向聯(lián)合與水平分工資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院（四）2000 年以后，日本電子行業(yè)整體衰落伴隨實力分化互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂后，日本經(jīng)濟一蹶不振，電子產(chǎn)業(yè)走向衰落。1995-2001 年，全球資本市場經(jīng)歷了互聯(lián)網(wǎng)投機泡沫，大量資本涌入互聯(lián)網(wǎng)科技公司，造成股價虛高。電子產(chǎn)業(yè)也受到了影響。費城半導體指數(shù)是全球半導體景氣程度的主要指標之一，反應了全

41、球電子行業(yè)的興衰，日本 TOPIX 電氣指數(shù)是日本電子行業(yè)的代表性指標。半導體指數(shù)在 1999 年迅速爬升，在 2000年達到峰值，2001 年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂。圖 25.半導體指數(shù)在互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅后大幅下滑40003500300025002000150010005001994199519961996199719981999200020012001200220032004200520062006200720082009201020112011201220132014201520162016201720180費城半導體指數(shù)日本TOPIX電器指數(shù)資料來源：Wind，Bloomberg，中國銀河證券研

42、究院互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅，重創(chuàng)日本電子產(chǎn)業(yè)。2000 年，日本電子產(chǎn)業(yè)占日本總 GDP 的 5%，到 2018 年該比例下降至 2.2%。受電子產(chǎn)業(yè)衰落影響，日本經(jīng)濟一蹶不振。尤其是 2006 年后，隨著智能設備的出現(xiàn)，日本電子產(chǎn)業(yè)受到了嚴重打擊，連帶導致日本經(jīng)濟下滑。圖 26. 日本電子產(chǎn)業(yè)與日本經(jīng)濟圖 27. 日本電子產(chǎn)業(yè)占總 GDP 比重資料來源：Wind，中國銀河證券研究院資料來源：Wind，中國銀河證券研究院日本政府投入大量科研資金，但基礎研究無法轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟效益。日本政府投入大量資金用于基礎研究，試圖挽救低迷的經(jīng)濟。2000 年后，日本政府對科學技術(shù)發(fā)展的預算資金不低于 4 萬萬億日元。如

43、此高額的投入，卻無法挽救走向衰落的日本電子產(chǎn)業(yè)。對于商業(yè)世界來說，沒有市場化的創(chuàng)新是毫無意義的，就是“偽”創(chuàng)新。日本電子產(chǎn)業(yè)注重基礎研究，在轉(zhuǎn)型期也投入不少的研發(fā)經(jīng)費，但始終無法獲得成功，原因就在于無法將技術(shù)變?yōu)楫a(chǎn)品，將產(chǎn)品塑造成模式。日本無法將基礎研究通過商業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟效益的原因是多方面的。一方面，由于日本經(jīng)濟的持續(xù)低迷，其內(nèi)需市場的消費能力有限，無法提供一個可以試驗新商業(yè)模式的環(huán)境。另一方面，日本長期的科研注重技術(shù)創(chuàng)新，而缺乏對技術(shù)應用的重視。大量工程師、科學家都致力于基礎研究，而缺乏與產(chǎn)業(yè)界的交流。圖 28.日本科技預算投入（萬億日元）600005000040000300002000

44、01000002000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院傳統(tǒng)經(jīng)營理念根深蒂固，業(yè)務分離不徹底。進入 20 世紀后，面臨威脅的日本電子產(chǎn)業(yè)尋求轉(zhuǎn)型。2002 年，NEC 將半導體業(yè)務獨立出來成為子公司。2003 年，日立和三菱的半導體業(yè)務部門合并，成立瑞薩科技。在半導體成為獨立部門之初，企業(yè)都計劃將其轉(zhuǎn)型為水平分工模式，即工廠單獨分離成代工企業(yè)。但這一設想，在新公司成立的時候就被管理者否決了，理由是工廠獨立將喪失“制造”優(yōu)勢。從 2013 年，半導體銷售額前四家公司的經(jīng)營類

45、型可以看到，英特爾與三星是設計與制造兼具的公司，但其制造部門是為獨立的工廠。而臺積電和高通分別是典型的代工企業(yè)和設計企業(yè)。因此，無論是獨立成代工企業(yè)或者轉(zhuǎn)型為設計型企業(yè)，日本電子產(chǎn)業(yè)都能夠找到出路。但日本企業(yè)傳統(tǒng)的“制造為上”的經(jīng)營思路限制了其企業(yè)轉(zhuǎn)型。圖 29. 2013 年主要廠商半導體銷售額高通172臺積電199三星344英特爾483資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院日本電子產(chǎn)業(yè)整體衰落，部分細分市場保持優(yōu)勢。日本電子產(chǎn)業(yè)在 2000 年后經(jīng)歷了兩次較為明顯的衰落。第一次是在 2000-2002 年，由于互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂導致的電子行業(yè)整體產(chǎn)值下滑。第二次是在 2006 年后，

46、隨著智能設備的出現(xiàn)，日本電子消費產(chǎn)品基本被淘汰出市場。以視頻設備為例，2007 年，日本出口視頻設備 1.6 萬億日元，僅僅兩年后，視頻設備出口額就下滑至 0.9 萬億日元。在集成電路市場，日本的出口額也出現(xiàn)了大幅下滑。日本電子產(chǎn)業(yè)開始分化，向細分市場發(fā)展，在電子應用設備和連接部件市場，日本產(chǎn)品仍具有優(yōu)勢，其出口額在穩(wěn)步緩慢上升。雖然日本電子行業(yè)整體衰落，但 2010 年后，日本電子產(chǎn)業(yè)逐漸找到了自己在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的角色，在零部件和材料市場方面逐漸確立了優(yōu)勢。圖 30. 日本電子產(chǎn)業(yè)細分市場出口額（百萬日元）資料來源：騰訊新聞，中國銀河證券研究院日本電子產(chǎn)業(yè)在電子元件、材料和精密設備市場的強勁

47、實力。現(xiàn)如今，雖然日本電子產(chǎn)業(yè)已沒有在巔峰時的盛況，但日本企業(yè)對質(zhì)量和可靠性的追求，使其在電子元件、材料和精密設備市場仍具有強勁實力。在電子元件領域，日本廠商在多層陶瓷電容器、電阻和電感市場都有絕對優(yōu)勢。在材料領域，日本在半導體原材料方面具備技術(shù)優(yōu)勢，日本生產(chǎn)的半導體基礎材料純度高、質(zhì)量可靠。在精密設備市場，日本在多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)具有近乎壟斷的地位。日本電子產(chǎn)業(yè)在這三個的市場份額都具有較大優(yōu)勢。圖 31. 2016 年日本廠商電子元件市場份額57%58%85%電阻電感多層陶瓷電容器資料來源：Wind，世界銀行，中國銀河證券研究院半導體材料日本份額硅片68%合成半導體晶圓50%光罩76%光刻膠72%

48、藥液50%特殊氣體31%鈀材料50%層間絕緣涂膜42%保護涂膜55%CMP 拋光液29%引線架50%陶瓷板86%塑料板89%TAB68%COF53%芯片焊接材料31%焊線84%封裝材料82%表 2.2017 年日本廠商半導體材料市場份額前端半導體材料后端半導體材料資料來源：國際電子商情，中國銀河證券研究院三、日本電子行業(yè)演進的啟示（一）美日貿(mào)易摩擦將對行業(yè)發(fā)展有長期影響，但不是決定性因素客觀說美日貿(mào)易摩擦對日本電子行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生了較大的影響，一方面使得日本電子終端產(chǎn) 品出口受到了極大抑制，另一方面對于日本電子產(chǎn)業(yè)向上游零部件、材料領域轉(zhuǎn)移起到了加速 作用。美國通過限制本國技術(shù)外流、要求日本放開國

49、內(nèi)市場、加征關(guān)稅、逼迫日元升值等手段， 使得日本電子產(chǎn)品失去了價格優(yōu)勢，造成過去以終端產(chǎn)品出口為主的發(fā)展方式難以為繼。從 1985 年起，日本電視機、VTR 出口大幅下滑。終端產(chǎn)品市場逐漸被韓國、臺灣企業(yè)所占據(jù)。 這種情況客觀上倒逼了日本電子產(chǎn)業(yè)從低附加值的終端產(chǎn)品制造向上游零部件、材料領域轉(zhuǎn)移。 1985 以后日本電子產(chǎn)業(yè)中零部件所占比例快速提升，從 1985 年的約 30%提高至 2000 年的 65% 左右，到 2013 年占比接近 80%。圖 32. 電視機和錄像機（VTR）的出口額及日元匯率圖 33. 日本電子產(chǎn)業(yè)中零部件占比資料來源：日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院資料來源：

50、日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院另一方面，我們認為美日貿(mào)易摩擦對日本電子產(chǎn)業(yè)的衰落與分化不是決定性的。首先，美日貿(mào)易摩擦的時間跨度集中在 1985-1991 年間，同期雖然日本終端電子產(chǎn)品的出口受到了較大抑制，但日本電子行業(yè)總體上還是處于上升通道，行業(yè)產(chǎn)值從 1985 年的 17 萬億日本提高到 1991 年的 24 萬億日元，2000 年達到 26 萬億日元。其中內(nèi)需增長貢獻主要力量，但出口總體上也有提升。從技術(shù)水平的提高、新產(chǎn)品的推出、企業(yè)的國際化等角度，日本的電子行業(yè)在上世紀 90 年代都有大幅的提高。一些生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移到了海外，這也是 90 年代后期日本電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值增長緩慢的一個原

51、因。日本電子產(chǎn)業(yè)真正衰落主要還是 2000 年以后開始的。其次，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級視角看，貿(mào)易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設備的進化，其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進化的過程，日美貿(mào)易摩擦雖然具有加速作用，但不是這一進化的根本原因。從一國產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律來看，日本電子制造業(yè)的這一升級并不是遭受了貿(mào)易摩擦的日本一國獨有的專利，從全球來看，雖然美國從來不是被貿(mào)易摩擦的國家，但是美國電子制造業(yè)的歷史其實就是一部低端產(chǎn)品生產(chǎn)不斷向日本以及亞洲四小龍再向東南亞國家遷移而美國本土制造業(yè)不斷升級的歷史。只是因為貿(mào)易摩擦的影響使得日本電子制造業(yè)在 1985 年就開始被迫需要升級

52、。圖 34. 日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值、內(nèi)需及貿(mào)易情況資料來源：日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省機器統(tǒng)計，日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄，中國銀河證券研究院（二）能否把握技術(shù)創(chuàng)新與模式創(chuàng)新潮流或是關(guān)鍵電子行業(yè)是科技行業(yè)的基礎與重要分支，科技行業(yè)的基本特征是依賴于創(chuàng)新建立壁壘，從而在競爭中取得先機。創(chuàng)新又可以分為技術(shù)創(chuàng)新與模式創(chuàng)新?？v觀全球電子行業(yè)發(fā)展歷史可以看到，目前在電子行業(yè)領先的國家無不是在創(chuàng)新方面把握住了機遇。美國在全球電子行業(yè)的壟斷地位本質(zhì)上源于其對技術(shù)發(fā)展潮流的引領，從晶體管的發(fā)明，到計算機的誕生，再到后來互聯(lián)網(wǎng)革命與智能手機興起，美國一直都是技術(shù)創(chuàng)新的引領者。即便是科學技術(shù)水平全球領先的美國公司，其研發(fā)支出/營業(yè)收入

53、并未隨著行業(yè)技術(shù)日趨成熟而下降。模式創(chuàng)新同樣會顛覆市場的格局，韓國、臺灣電子行業(yè)在上世紀八九十年代后迅速崛起，一個重要原因是把握了電子行業(yè)全球產(chǎn)業(yè)鏈分工的機遇，采取了水平分工的模式，從制造環(huán)節(jié)為切入點，逐漸建立起行業(yè)的領先地位。日本電子產(chǎn)業(yè)衰落與分化深層次原因是沒有把握產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新趨勢。一方面，日本沒有抓住科技創(chuàng)新的趨勢。在 1985 年之前大型機時代，日本電子制造業(yè)處于鼎盛時期，當時日本 DRAM 半導體的全球市占率接近 70%。日美半導體貿(mào)易摩擦在 1991年以簽訂新半導體保證協(xié)議結(jié)束，新條款當中對日本 DRAM 的最低價格決定者已經(jīng)從美國變更為日本，由日本廠商參考全球 DRAM 平均價格自行

54、決定最低售價，相比由美國決定最低售價已經(jīng)寬松很多。但是在之后日本沒有把握住個人電腦興起的趨勢，仍然沿用大型機時代半導體極致追求可靠性與壽命的做法，而在成本方面逐漸喪失優(yōu)勢，而這與個人計算機對半導體壽命要求降低、對成本更為關(guān)注相背離，日本 DRMA 半導體份額逐漸下滑，1992 年被韓國超越。而從 2000 年互聯(lián)網(wǎng) 1.0 時代開始日本更逐漸與行業(yè)最新潮流脫鉤，日本產(chǎn)業(yè)界在很長時間內(nèi)對互聯(lián)網(wǎng)甚至表現(xiàn)出不屑的態(tài)度，以至于持續(xù)錯過了互聯(lián)網(wǎng) 1.0 以及 2.0 時代。蘋果智能手機的出現(xiàn)，更是替代了很多傳統(tǒng)的電子產(chǎn)品，如鬧鐘、手表、相機、游戲機、導航儀、攝像機、CD、DVD、錄音筆、電子詞典等，而這

55、些都是日本電子產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢領域，蘋果完成了對日本電子產(chǎn)品的降維打擊。圖 35. 美股科技行業(yè)長期保持較高的研發(fā)費率長期較高資料來源：Bloomberg，中國銀河證券研究院表 3. DRAM 行業(yè)市場格局普及年代1970 年代1990 年代2010 年代電腦種類大型機PC智能手機用戶企業(yè)個人個人用途企業(yè)的基本業(yè)務個人工作工具個人生活工具內(nèi)存產(chǎn)業(yè)主導國家日本韓國韓國領先企業(yè)IBM微軟、英特爾蘋果、三星資料來源：計算機世界，中國銀河證券研究院另一方面，忽視產(chǎn)業(yè)內(nèi)水平分工的模式創(chuàng)新是日本電子企業(yè)失敗的另一個重要原因。上世紀 80 年代，電子行業(yè)出現(xiàn)了幾種新的分工模式，包括 IDM 模式、Fabless

56、模式和 Fuundary模式。設計與制造的分工逐漸盛行，自身沒有工廠的 Fabless 設計公司和專門提供半導體生產(chǎn)服務的代工企業(yè)分工合作的生產(chǎn)方式慢慢地發(fā)展了起來。這種分工的好處是使得設計公司可以避免大規(guī)模的工廠投資，將更多精力聚焦在芯片設計方面，而代工企業(yè)憑借規(guī)模優(yōu)勢，在生產(chǎn)方面降低成本。日本的半導體企業(yè)則沒有采用這種設計和制造分工的方式，仍然堅持垂直一體化的生產(chǎn)方式。這樣做的結(jié)果是當銷售額減少的時候，由于前期的巨額投資，折舊費用依然龐大，導致企業(yè)利潤承壓，對后續(xù)的生產(chǎn)經(jīng)營造成影響。表 4. 半導體芯片行業(yè)的運作模式項目IDM 模式Fabless 模式Foundary 模式主要特點 集芯片

57、設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身；早期多數(shù)集成電路企業(yè)采用的模式；目前僅有極少數(shù)企業(yè)能夠維持。只負責芯片的電路設計與銷售；將生產(chǎn)、測試、封裝等環(huán)節(jié)外包。只負責制造、封裝或測試的其中一個環(huán)節(jié)；不負責芯片設計；可以同時為多家設計公司提供服務。優(yōu)勢設計、制造等環(huán)節(jié)協(xié)同優(yōu)化，有助資產(chǎn)較輕，初始投資規(guī)模小，創(chuàng)業(yè)不承擔由于市場調(diào)研不項目IDM 模式Fabless 模式Foundary 模式于充分發(fā)掘技術(shù)潛力；能有條件率先實驗并推行新的半導體技術(shù)劣勢公司規(guī)模龐大，管理成本較高；運營費用較高，資本回報率偏低。難度相對較小；企業(yè)運行費用較低，轉(zhuǎn)型相對靈活。與 IDM 相比無法與工藝協(xié)同優(yōu) 化

58、，難以完成指標嚴苛的設計；與 Foundry 相比需要承擔各種市場風險，一旦失誤可能萬劫不復。準、產(chǎn)品設計缺陷等決策風險。投資規(guī)模較大，維持生產(chǎn)線正常運作費用高；需要持續(xù)投入維持工藝水平，一旦落后追趕難度較大。代表企業(yè)德州儀器（TI）、三星海思、聯(lián)發(fā)科（MTK）、博通（Broadcom）臺積電、中芯國際等資料來源：電子發(fā)燒友，中國銀河證券研究院（三）舉國體制是實現(xiàn)追趕的有效方式，保持開放同樣重要舉國體制是實現(xiàn)電子行業(yè)追趕的有效模式。日本電子行業(yè)起步并不高，1950 年之前日本電子產(chǎn)業(yè)非常弱小，只是借著美國在戰(zhàn)后的支持從收音機開始做起。朝鮮戰(zhàn)爭爆發(fā)后日本的收音機出口開始快速增長，但是讓索尼引以為

59、傲的晶體管收音機的核心晶體管技術(shù)也是從美國購買的。在日本政府高度重視電子行業(yè)發(fā)展，將之作為國家重點產(chǎn)業(yè)，出臺了一系列政策推動行業(yè)發(fā)展，使得日本電子產(chǎn)業(yè)在較短時間內(nèi)由無到有，由弱到強。1957 年日本政府制定的電子工業(yè)振興臨時措施法，通過立法扶持電子產(chǎn)業(yè)，減少電子產(chǎn)業(yè)公司的征稅，投入大量資金用于研發(fā)技術(shù)。1963 年，日本政府要求 NEC 將獲得的半導體技術(shù)與其他企業(yè)分享，由此三菱等企業(yè)也開始進入半導體產(chǎn)業(yè)。1971 年頒布特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法，強化了發(fā)展以半導體為核心的電子產(chǎn)業(yè)的力度。1976 年組建了超大規(guī)模集成電路計劃（VLSI）共同研究所，共同研究所涵蓋了當時日本國內(nèi)

60、最優(yōu)秀的電子企業(yè)，包括日立、富士通、東芝、三菱、日本電氣。這些企業(yè)組建了聯(lián)合實驗室，打破了企業(yè)界限，合力研發(fā)新技術(shù)和新產(chǎn)品。在共同研究所的推動下，日本的技術(shù)創(chuàng)新一直領先于其他國家。1976 年啟動“DRAM 制法革新”國家項目。1989 年制定了投資 160 億日元的“硅類高分子材料研究開發(fā)基本計劃”，為后來日本在半導體材料領域的領先優(yōu)勢奠定了基礎。表 5. 日本電子產(chǎn)業(yè)主要政策時間政策及主要內(nèi)容1957 年出臺電子工業(yè)振興臨時措施法，減少電子產(chǎn)業(yè)公司的征稅，投入大量資金用于研發(fā)技術(shù)，扶持電子產(chǎn)業(yè)。1963 年鼓勵日本半導體廠商分享技術(shù)，促進半導體行業(yè)發(fā)展。1971 年出臺特定電子工業(yè)及特定機