電子工業(yè)工程術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)要求

1、電子工業(yè)工程術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)目 錄 TOC o 1-5 h z 1總那么1 HYPERLINK l bookmark31 o Current Document 2綜合性術(shù)語2 HYPERLINK l bookmark46 o Current Document 3電子元器件3 HYPERLINK l bookmark64 o Current Document 4電子專用材料8 HYPERLINK l bookmark66 o Current Document 4. 1 半導(dǎo)體材料8 HYPERLINK l bookmark8 o Current Document 4.2光電子材料9 HYPERLINK

2、l bookmark10 o Current Document 4. 3磁性材料9 HYPERLINK l bookmark12 o Current Document 4. 4電子陶瓷材料104. 5覆銅板及銅箔材料10 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 4. 7電子化工材料10 HYPERLINK l bookmark16 o Current Document 4.8其他電子材料11 HYPERLINK l bookmark18 o Current Document 5電子專用設(shè)備13 HYPERLINK l bookmark20 o Cur

3、rent Document 6電子整機(jī)及電池生產(chǎn)與處置19 HYPERLINK l bookmark22 o Current Document 7數(shù)據(jù)中心20 HYPERLINK l bookmark24 o Current Document 8電子工業(yè)工程建設(shè)特種技術(shù)228. 1工藝技術(shù)與工藝設(shè)計(jì)22 HYPERLINK l bookmark44 o Current Document 8. 2潔凈技術(shù)38 HYPERLINK l bookmark48 o Current Document 8. 3微振動(dòng)43 HYPERLINK l bookmark50 o Current Document

4、8. 4電磁屏蔽45 HYPERLINK l bookmark52 o Current Document 8. 5防輻射468.6防靜電47 HYPERLINK l bookmark54 o Current Document 8. 7電子工業(yè)純水49 HYPERLINK l bookmark56 o Current Document 8. 8電子氣體和化學(xué)品52 HYPERLINK l bookmark58 o Current Document 8.9廢水、廢氣和固廢56 HYPERLINK l bookmark60 o Current Document 8. 10消音降噪604. 1. 9

5、硅外延片 silicon epitaxial wafer在高溫下通過氣相化學(xué)反響，在拋光的單晶硅襯底上生長一層或多層 單晶硅薄膜的半導(dǎo)體材料。4. 1. 10 拋光片 polished wafer在磨片基礎(chǔ)上，通過化學(xué)機(jī)械研磨的方式，進(jìn)一步獲得更光滑、更平 整的單晶硅襯底片。4.2光電子材料2. 1 光電子材料 optoelectronic material factory以光子、電子為載體，處理、存儲(chǔ)和傳遞信息的材料。2. 2 光纖預(yù)制棒 optical fiber徑向折射率分布符合拉制光纖要求的玻璃棒。2.3 光纖 optical fiber通過不同的折射角度傳輸光信號(hào)的玻璃或塑料纖維。2

6、. 4 光纖器件 optical fiber device以光纖為核心元件，對光波進(jìn)行轉(zhuǎn)換或傳輸?shù)幕纠w維光學(xué)無源器 件。2. 5 光纜 optical fiber cable利用置于包覆護(hù)套中的一根或多根光纖作為傳輸媒質(zhì)并可以單獨(dú)或 成組使用的通信線纜組件。4. 2. 6 半導(dǎo)體照明材料 semiconductor lighting material利用半導(dǎo)體芯片制作的發(fā)光材料。4. 2. 7 液晶材料 liquid crystal material在一定溫度范圍內(nèi)既具有晶體特有的雙折射性，又具有液體流動(dòng)性的 液晶物質(zhì)。4.3磁性材料4. 3. 1 磁性材料 magnetic materia

7、l具有鐵磁性或亞鐵磁性的物質(zhì)O4. 3. 2 硬磁材料 permanent magnetic material一經(jīng)磁化即能保持恒定磁性的材料，又稱永磁材料。4. 3. 3 軟磁材料 soft magnetic material具有低矯頑力和高磁導(dǎo)率的磁性材料。4. 3. 4 功能磁性材料 functional magnetic materials在電、磁、聲、光、熱等方面具有特殊性質(zhì)，或表現(xiàn)出特殊功能的磁性材料。4.4電子陶瓷材料4. 4. 1 陶瓷材料 ceramic material用天然或合成化合物經(jīng)過成形和高溫?zé)Y(jié)制成的無機(jī)非金屬材料。4. 4. 2 電子陶瓷 electronic c

8、eramic利用電、磁性質(zhì)且用于制造電子元件和器件的陶瓷材料。4.5覆銅板及銅箔材料4. 5. 1 覆銅板 copper clad laminate (CCD將電子玻纖布或其它增強(qiáng)材料浸以樹脂，單面或雙面覆以銅箔并經(jīng)熱 壓而制成的板狀材料。4. 5. 2 銅箔 copper沉淀于電路板基底層上的金屬箔。4. 5. 3 覆箔板 metal clad board, metal foil clad board覆以金屬箔的絕緣材料。4. 5. 4 黏結(jié)片 bonding sheet具有一定粘結(jié)性能的預(yù)浸材料或其他膠膜材料，也稱作粘結(jié)片。4.6電子化工材料. 6. 1 電子化工材料 electronic

9、s chemical material電子元器件、印刷線路板、電子整機(jī)等生產(chǎn)和包裝用的各種電子工業(yè)10 專用化學(xué)品及材料，又稱電子化學(xué)品材料。.6.2 光刻膠 photoresist利用光照反響后不同的溶解度，將掩膜幅員形轉(zhuǎn)移至襯底上圖形的轉(zhuǎn) 移介質(zhì)，又稱為光致抗蝕劑。4. 6. 3 濕電子化學(xué)品 wet electronic chemicals在微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種電子化工材料。4. 6. 4 電子封裝材料 electronic packaging material用于電子器件打包封裝的絕緣材料。4.7其他電子材料4. 7. 1 電子玻璃 electronic glass用

10、于制作具有光電、熱電、聲光、磁光等功能電子元器件的玻璃材料。4. 7. 2 平板顯示用玻璃基板 glass substrate for flat panel display (FPD)平板顯示器所使用的平板玻璃。4. 7. 3 偏光片 polarizer將非偏振光轉(zhuǎn)化為偏振光的多層膜結(jié)構(gòu)的膜材料。4. 7. 4 氧化錮錫導(dǎo)電玻璃 Indium Tin Oxide (ITO) conductive glass利用磁控濺射方法在外表鍍一層氧化錮錫透明導(dǎo)電膜的玻璃基板。4. 7. 5 光刻掩膜板photo mask在光刻工藝中使用的一種外表具有遮光圖案的玻璃板。4. 7. 6 靶材 target m

11、aterial在適當(dāng)工藝條件下，通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系 統(tǒng)濺射在晶圓或基板上形成各種功能薄膜的濺射源。7. 7 石英晶體 quartz crystal具有壓電效應(yīng)及優(yōu)良的機(jī)械特性、電學(xué)特性和溫度特性的晶體材料。4. 7. 8 鋰離子電池材料 Lithium-ion battery materials11制造鋰離子電池所需的專用材料，主要包含正極材料、負(fù)極材料、隔 膜、電解液。125電子專用設(shè)備5. 0. 1 電子專用設(shè)備廠 electronic production equipment factory 生產(chǎn)專門用于材料制備、電子元器件加工、組合裝調(diào)、工藝環(huán)境保證、工藝監(jiān)控和

12、質(zhì)量保證設(shè)備的工廠。0.2微電子生產(chǎn)設(shè)備 micro-electronics manufacturing equipment 制作微電子元器件所需的生產(chǎn)設(shè)備及裝置。0. 3 單晶爐 crystal growing furnace采用高溫熔化方法，由原材料制備或提純單質(zhì)或化合物半導(dǎo)體單晶硅 錠的設(shè)備。0. 4 切片機(jī) slicing machine將半導(dǎo)體硅錠等脆硬棒材切割成規(guī)定厚度片材的設(shè)備。0. 5 研磨設(shè)備 polishing equipment用涂上或嵌入磨料的研具對工件外表進(jìn)行研磨的設(shè)備，又稱拋光設(shè) 備。0. 6 減薄設(shè)備 backgrinding equipment用于減薄非金屬和金

13、屬的硬脆性材料、精密零件的設(shè)備。0. 7 清洗設(shè)備 cleaning equipment用于去除外表顆粒、金屬、有機(jī)物等雜質(zhì)，以及石英、塑料等附件器 皿污染物，到達(dá)工藝潔凈要求的裝置。0. 8 外延設(shè)備 epitaxy equipment利用晶體界面二維結(jié)構(gòu)相似性成核原理，在單晶片上，沿著其原來的 結(jié)晶軸方向再生長一層晶格完整、且可以具有不同雜質(zhì)濃度和厚度單晶層 的設(shè)備。0. 9 氧化爐 oxidation furnace在高溫、氧（或水汽）氣氛條件下，襯底硅生長出二氧化硅薄膜的設(shè)備。130. 10 退火設(shè)備 annealing equipment將材料加熱到一定溫度后，再慢慢冷卻的熱處理設(shè)備

14、。5.0. 11 擴(kuò)散爐 diffusion實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)原子或分子在高溫下由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)移動(dòng)的設(shè)備。0. 12 化學(xué)氣相沉積設(shè)備 chemical vapor beposition equipment 將含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)在襯底外表上進(jìn)行化學(xué)反響生成薄膜的設(shè)備。0. 13 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備 plasma enhanced chemicalvapor deposition (PECVD) equipment利用等離子體的活性促進(jìn)反響，在較低溫度下使氣態(tài)化合物在基片外表反響并積淀形成穩(wěn)定固體薄膜的反響設(shè)備。0. 14低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 low pressure

15、chemical vapor deposition (LPCVD) equipment在低壓條件下，用加熱的方式使氣態(tài)化合物在基片外表反響并積淀形成穩(wěn)定固體薄膜的反響設(shè)備。0. 15 常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) equipment在大氣壓條件下，使氣態(tài)化合物在基片外表反響并積淀形成穩(wěn)定固體 薄膜的反響設(shè)備。0. 16金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備metal-organic chemicalvapor deposition (MOCVD) machine利用有機(jī)金屬熱分解反響進(jìn)行氣相外延生長金

16、屬有機(jī)化合物半導(dǎo)體 的生長設(shè)備。0. 17 物理氣相沉積設(shè)備 physical vapor deposition equipment在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體外表氣化成氣態(tài)原子、分子或局部電離成離子，在基體外表沉積具有某種特殊功能薄膜的設(shè)備。145. 0. 18 真空濺射設(shè)備 sputtering equipment在真空中利用濺射方法制造薄膜的設(shè)備。5. 0. 19真空鍍膜設(shè)備 vacuum coating equipment在真空中用蒸發(fā)等方法將蒸發(fā)材料沉積工件上，形成均勻牢固的薄膜 以完成鍍膜工藝的設(shè)備。5. 0. 20 涂膠設(shè)備 coater將液態(tài)光刻膠涂在硅片外表上的一

17、種機(jī)械設(shè)備。5. 0. 21 光刻設(shè)備 photo equipment使用照相技術(shù)將電路或管芯的設(shè)計(jì)圖案由光刻掩膜板轉(zhuǎn)移到硅基或 玻璃基材料上的設(shè)備。5. 0. 22 顯影設(shè)備 developing equipment用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解局部的設(shè)備。5. 0. 23 干法刻蝕設(shè)備dry etcher用等離子氣體和薄膜進(jìn)行化學(xué)反響，去除需要刻蝕掉的薄膜的設(shè)備。5. 0. 24 濕法刻蝕設(shè)備 wet etcher利用化學(xué)溶液和薄膜進(jìn)行化學(xué)反響，去除需要刻蝕掉的薄膜的設(shè)備。5. 0. 25 離子注入設(shè)備 ion implant equipment在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的、要摻雜

18、原子的離子照射(注入)固體材 料，在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域硅的導(dǎo)電性的設(shè)備。 5. 0. 26 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備 chemical-mechanical polish equipment (CMP)化學(xué)作用過程和機(jī)械作用過程交替進(jìn)行，工件外表材料與拋光液中的 氧化劑、催化劑等發(fā)生化學(xué)反響，使工件外表拋光的裝置。5. 0. 27 激光劃片機(jī) laser scribing machine利用高能激光束照射在工件外表，使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從而實(shí)現(xiàn)劃片的設(shè)備。155. 0. 28 鍵合機(jī) wire bonding用機(jī)械鋼嘴將金線一端加壓固定在芯片周圍的焊盤上，另一端加壓固

19、 定在載板的金屬接腳上，使芯片上的焊區(qū)與載板上鍍有銀/金層的焊區(qū)相 連的設(shè)備。5. 0. 29 測試機(jī) tester檢查電子元器件功能和性能要求的專用測試設(shè)備。5. 0. 30 分選機(jī) sorter對晶圓進(jìn)行分選排序的設(shè)備。5. 0. 31 烘箱 oven用于外表干燥、高溫老化測試的設(shè)備。5. 0. 32真空設(shè)備 vacuum equipment產(chǎn)生、改善和（或）維持真空環(huán)境的裝置。包括真空應(yīng)用設(shè)備和真空 獲得設(shè)備5. 0. 33 自動(dòng)除泡機(jī) automatic defoamer通過在罐體內(nèi)提高壓力和升高溫度，去除偏光片與LCD玻璃、IT0膜 與玻璃、觸摸屏偏光膜與保護(hù)膜之間貼合氣泡的設(shè)備。5

20、. 0. 34 綁定設(shè)備 binding equipment使柔性電路板與傳感器、顯示器以及指紋模組之間建立穩(wěn)定的機(jī)械和 電氣連接的生產(chǎn)設(shè)備。5. 0. 35 貼合設(shè)備 laminating equipment根據(jù)偏振角度在成型的液晶玻璃基板的正反面上貼附偏光片的設(shè)備。5. 0. 36 模組封裝設(shè)備 module packaging equipment將各種顯示器件、連接件、控制與驅(qū)動(dòng)等外圍電路、電路板、背光源、 結(jié)構(gòu)件等裝配成組件的設(shè)備。5. 0. 37 絲網(wǎng)印刷機(jī) screen printing machinery用絲網(wǎng)印版施印的機(jī)器。165. 0. 38 焊接機(jī) welding mach

21、ine運(yùn)用各種可熔的合金(焊錫)聯(lián)接金屬部件的設(shè)備。5. 0. 39 元件插接機(jī) component connector將各種電子元件插接到電路板上的機(jī)器。5. 0. 40 回流焊爐 reflow furnace通過加熱電路，將加熱到一定溫度的空氣或氮?dú)獯迪蛸N好元件的電路 板，使元件兩側(cè)的焊料融化后與主板粘結(jié)的設(shè)備。5. 0. 41 波峰焊機(jī) flow welding machine利用電動(dòng)泵或電磁泵，將熔化的鉛錫合金軟釬焊料噴流成設(shè)計(jì)波峰焊 料的設(shè)備。5. 0. 42 外表貼裝設(shè)備 surface mounted technology (SMT) equipment 將外表貼裝電子元器件貼放

22、到電路板規(guī)定位置上的專用工藝設(shè)備，又 稱SMT設(shè)備。5. 0. 43 拉絲塔 drawing tower可高速將光纖預(yù)制棒連續(xù)拉制成絲狀光纖的生產(chǎn)設(shè)備。5. 0. 44 光纖拉絲塔加熱爐 furnace for fiber drawing tower把預(yù)制棒下部尖端加熱到一定溫度，使棒的尖端處于熔融狀態(tài)，在重 力和拉絲塔下部拉絲盤的作用下拉制光纖的裝置。5. 0. 45 光纖拉絲塔冷卻裝置 cooling unit位于熔融光纖預(yù)制棒的熔爐下面，用于冷卻由光纖預(yù)制棒拉出的光纖 的裝置。5. 0. 46光纖拉絲塔涂覆裝置coating unit拉絲過程中對裸光纖施加預(yù)涂覆層進(jìn)行保護(hù)的裝置。5. 0

23、. 47 光纖拉絲塔控制裝置 control system of fiber drawing tower在光纖拉絲塔上，減小光纖纖芯直徑波動(dòng)造成的非固有散射損耗的控制系統(tǒng)。175. 0. 48 在線測試儀 in circuit tester (ICT)通過對電子元器件的電性能及電氣連接進(jìn)行在線測試，檢查生產(chǎn)制造 缺陷及電子元器件不良品的測試儀器。5. 0. 49 電子測量儀器 electronic instrumentation用電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對被測對象(電子產(chǎn)品)的電參數(shù)定量檢測的裝置。5. 0. 50 掃描電子顯微鏡 scanning electron microscope (SEM)用于微

24、區(qū)形貌分析的高分辨率精密儀器。5. 0. 51 環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備 environmental test equipment為保證可靠性，根據(jù)電子元器件、電子設(shè)備的使用場合及運(yùn)輸條件等 設(shè)計(jì)制造的單項(xiàng)試驗(yàn)設(shè)備或綜合試驗(yàn)設(shè)備。5. 0. 52 振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái) shaker產(chǎn)生一定振動(dòng)的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。5. 0. 53 沖擊試驗(yàn)臺(tái) shock test machine利用機(jī)械或氣動(dòng)、液壓等原理產(chǎn)生沖擊力，使試驗(yàn)臺(tái)臺(tái)面實(shí)現(xiàn)沖擊運(yùn) 動(dòng)，對試件進(jìn)行碰撞和沖擊試驗(yàn)的設(shè)備。5. 0. 54 運(yùn)輸試驗(yàn)臺(tái) traffic simulator對電子產(chǎn)品進(jìn)行鐵路、公路運(yùn)輸狀況模擬，檢查電子產(chǎn)品經(jīng)受運(yùn)輸能 力的試驗(yàn)設(shè)備。5. 0

25、. 55 離心加速度試驗(yàn)機(jī) centrifugal acceleration test machine利用機(jī)械旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力的方法獲得恒加速度，對試件進(jìn)行恒加速度 試驗(yàn)的設(shè)備。5. 0. 56 凈化設(shè)備 equipment for clean room為維護(hù)潔凈室或潔凈環(huán)境潔凈條件而使用的、有完整功能的、可單獨(dú) 安裝的設(shè)備，又稱潔凈設(shè)備。18為規(guī)范電子工業(yè)工程建設(shè)術(shù)語及其定義，制定本標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件、電子專用材料、電子專用設(shè)備、電子 整機(jī)、廢棄電器電子產(chǎn)品等電子工業(yè)工程工程以及電池生產(chǎn)與處置、數(shù)據(jù) 中心等工程的立項(xiàng)、建設(shè)、改造、維修、撤除等工程工程全周期。電子工業(yè)工程建設(shè)術(shù)語，除應(yīng)

26、符合本標(biāo)準(zhǔn)外，尚應(yīng)符合國家現(xiàn)行 有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。6電子整機(jī)及電池生產(chǎn)與處置6. 0. 1 電子整機(jī)廠 electronic terminal product factory生產(chǎn)以印制電路板組裝技術(shù)為基礎(chǔ)裝配具有獨(dú)立應(yīng)用功能的電子產(chǎn) 品或組件的工廠。6. 0. 2 電池廠 Battery factory生產(chǎn)采用密封式結(jié)構(gòu)將正極活性材料、負(fù)極活性材料、電介質(zhì)制成具 有一定公稱電壓和額定容量的化學(xué)電源的工廠。6. 0. 3 鋰離子電池 Lithium ion battery鋰離子在正、負(fù)極之間反復(fù)進(jìn)行脫出和嵌入的二次電池。6. 0. 4 鋰電池 lithium cell以鋰金屬為負(fù)極材料，使用非水電

27、解質(zhì)溶液制成的電池。6. 0.5 銀氫電池 Ni MH battery以儲(chǔ)氫合金為負(fù)極材料，氫氧化銀為正極材料，含氫氧化鋰（LiOH） 的氫氧化鉀（K0H）水溶液為電解液制成的電池。（國民經(jīng)濟(jì)分類）6. 0. 6 鉛蓄電池 Lead battery以鉛及氧化物為正負(fù)極材料，硫酸水溶液為電解液制成的電池。（國 民經(jīng)濟(jì)分類）6. 0. 7 鋅鎰電池 Zinc manganese battery以二氧化鎰為正極，鋅為負(fù)極的原電池。6. 0. 8 廢棄電器電子產(chǎn)品 waste electrical and electronic equipment不再使用且已經(jīng)丟棄或放棄的電器電子產(chǎn)品。6. 0. 9

28、電池處置 battery disposal將廢舊電池去除其電池功能和原有形態(tài)，轉(zhuǎn)化為可進(jìn)一步回收、利用的零部件或材料的過程。197數(shù)據(jù)中心7. 0. 1 數(shù)據(jù)中心 data center為集中放置的電子信息設(shè)備提供運(yùn)行環(huán)境的建筑場所。7. 0. 2 基礎(chǔ)設(shè)施 infrastructure數(shù)據(jù)中心內(nèi)為電子信息設(shè)備提供運(yùn)行保障的設(shè)施。7. 0. 3 電子信息設(shè)備 electronic information equipment對電子信息進(jìn)行采集、加工、運(yùn)算、存儲(chǔ)、傳輸、檢索等處理的設(shè)備。7. 0. 4 主機(jī)房 computer room數(shù)據(jù)處理設(shè)備安裝和運(yùn)行的建筑空間。7. 0. 5 行政管理區(qū)

29、administrative area日常行政管理及客戶對托管設(shè)備管理的場所。7. 0. 6 災(zāi)備數(shù)據(jù)中心 disaster recovery data center災(zāi)難發(fā)生時(shí)，可接替生產(chǎn)系統(tǒng)運(yùn)行、數(shù)據(jù)處理和支持關(guān)鍵業(yè)務(wù)功能繼 續(xù)運(yùn)作的場所。7. 0. 7 互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心 internet data center (IDO擁有寬帶出口，并以外包出租的方式為用戶的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等互 聯(lián)網(wǎng)相關(guān)設(shè)備提供放置、代理維護(hù)、系統(tǒng)配置及管理服務(wù)，或提供計(jì)算、 存儲(chǔ)、軟件等資源的出租、通信線路和出口帶寬的代理租用和其他應(yīng)用服 務(wù)的場所。7. 0. 8 超算中心 super computer center在科

30、學(xué)領(lǐng)域承當(dāng)各種大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算和工程計(jì)算任務(wù)，同時(shí)擁有強(qiáng)大 的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力的數(shù)據(jù)中心。7. 0. 9 總控中心 enterprise command center (ECO為數(shù)據(jù)中心各系統(tǒng)提供集中監(jiān)控、指揮調(diào)度、技術(shù)支持和應(yīng)急演練的平臺(tái)，又稱監(jiān)控中心。207. 0. 10 數(shù)據(jù)中心能源利用率data center power usage effectiveness(PUE)數(shù)據(jù)中心消耗的所有能源與信息設(shè)備負(fù)載消耗的能源的比值。7. 0. 11 水利用效率 water usage effectiveness (WUE)數(shù)據(jù)中心內(nèi)所有用水設(shè)備消耗的總水量與所有電子信息設(shè)備消耗的 總電能之比。7

31、. 0. 12 云計(jì)算 cloud computing能夠讓用戶通過網(wǎng)絡(luò)按照需要使用資源池提供的可配置運(yùn)算資源的 服務(wù)模式。7. 0. 13 數(shù)據(jù)中心園區(qū) data center park在一定范圍的土地上規(guī)劃建設(shè)一棟或多棟數(shù)據(jù)中心建筑及配套設(shè)施, 形成主要以實(shí)現(xiàn)對數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算、存儲(chǔ)和傳輸功能的園區(qū)。7. 0. 14 液冷技術(shù) liquid cooling technology通過液體消除電子設(shè)備熱量的技術(shù)。7. 0. 15 數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施管理系統(tǒng)data center infrastructure management (DCIM)收集、處理數(shù)據(jù)中心的資產(chǎn)、資源以及各種設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)的數(shù)據(jù)

32、, 輔助數(shù)據(jù)中心運(yùn)行管理的系統(tǒng)。7. 0. 16 信息系統(tǒng)恢復(fù)時(shí)間目標(biāo) information systems recovery time objective (RTO)信息系統(tǒng)或業(yè)務(wù)功能從停頓到必須恢復(fù)的時(shí)間要求。7. 0. 17 信息系統(tǒng)恢復(fù)點(diǎn)目標(biāo) information systems recovery point objective (RPO)系統(tǒng)和數(shù)據(jù)必須恢復(fù)到要求的時(shí)間點(diǎn)。7. 0. 18 數(shù)據(jù)中心可用性 data center availability數(shù)據(jù)中心能夠正常運(yùn)行的概率或時(shí)間占有率的期望值。218電子工業(yè)工程建設(shè)特種技術(shù)8.1工藝技術(shù)與工藝設(shè)計(jì)I整機(jī)生產(chǎn)工藝8. 1. 1

33、 元器件老化篩選 selection of components by aging method給電子元器件施加熱的、電的、機(jī)械的或多種結(jié)合的外部應(yīng)力，模擬 惡劣的工作環(huán)境，使它們內(nèi)部的潛在缺陷加速暴露出來，然后進(jìn)行電氣參 數(shù)測量，篩選剔除那些失效或變性電子元器件的過程。8. 1. 2 裝聯(lián)準(zhǔn)備 electronics assembling preparation裝配前先將用于組裝電子產(chǎn)品的各種元器件、零件和導(dǎo)線進(jìn)行預(yù)先加 工處理的工作，也稱生產(chǎn)準(zhǔn)備。8. 1. 3 印制電路板裝聯(lián) PCB assembling在制作有金屬電路圖形的印制電路板上裝配和裝焊電子元器件的工-4-R 乙。8. 1.

34、4 裸芯片組裝 bare chip assembly從已完工的晶圓上切下的芯片，不封裝成體，而直接組裝在印制電路 板上的工藝。8. 1. 5 外表組裝技術(shù) surface mounted technology (SMT)無需對印制板鉆插裝孔，直接在外表規(guī)定位置上貼焊電子元器件或部 件的電路裝聯(lián)技術(shù)，又稱外表安裝技術(shù)。8. 1. 6印制板組件檢測 test for PCB為將印制板組件的貼(插)裝、焊接故障降到最小限度，使組件到達(dá) 特定標(biāo)準(zhǔn)要求的質(zhì)量和可靠性等級(jí)所進(jìn)行的檢測。8. 1. 7 整機(jī)裝酉己 complete machine assembling對整機(jī)進(jìn)行機(jī)械裝配、電氣連接和裝配后質(zhì)量

35、檢驗(yàn)的過程。8. 1. 8 整機(jī)老化試驗(yàn) complete machine aging test22針對整機(jī)產(chǎn)品仿真出高溫等惡劣環(huán)境，對其進(jìn)行穩(wěn)定性、可靠性老化 試驗(yàn)的過程。8. 1. 9 整機(jī)調(diào)試 complete machine debugging按相應(yīng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)或指標(biāo)要求，將整機(jī)產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)調(diào)試到允許范圍 內(nèi)的過程。8. 1. 10 環(huán)境試驗(yàn) environment test將產(chǎn)品暴露在自然的或人工環(huán)境條件下，評價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸 和貯存環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理 的試驗(yàn)。8. 1. 11 力學(xué)環(huán)境試驗(yàn) dynamics environment tes

36、t在力學(xué)環(huán)境因素作用下，考核、評價(jià)產(chǎn)品的功能可靠性、結(jié)構(gòu)完好性 的試驗(yàn)。8. 1. 12 氣候環(huán)境試驗(yàn) climate environmental test考核、評價(jià)產(chǎn)品在氣候環(huán)境因素作用下的性能、可靠性和平安性的試 驗(yàn)。II電子元器件生產(chǎn)工藝8. 1. 13 晶圓生產(chǎn) wafer fabrication在硅基襯底上完成半導(dǎo)體器件制造的加工過程。8. 1. 14 硅片投入 wafer start硅片撤除外包裝后投入生產(chǎn)線的過程。8. 1. 15 硅片清洗 wafer clean在不破壞硅片外表特性的前提下，使用不同的化學(xué)品藥液和純水進(jìn)行 清洗，去除半導(dǎo)體硅片外表的塵埃顆粒、有機(jī)物殘留薄膜和金屬

37、離子的過 程。8. 1. 16 外延 epitaxy23采取化學(xué)反響晶體生長技術(shù)，在決定晶向的基質(zhì)襯底外表上生長有相 同晶格結(jié)構(gòu)的一薄層半導(dǎo)體材料的過程。8. 1. 17 硅氣相外延 silicon vapor-phase epitaxy (VPE)利用四氯化硅、三氯氫硅、二氯二氫硅或硅烷等硅氣態(tài)化合物，在加 熱的硅襯底外表與氫反響或自身發(fā)生熱分解還原成硅，并以單晶的形式沉 積在硅襯底外表的過程。8. 1. 18 分子束外延 molecularbeam epitaxy (MBE)聚焦的電子束源產(chǎn)生的電磁場蒸發(fā)得到的硅反響原子，直接沉積在硅 襯底外表形成外延層的過程。8. 1. 19 氧化 ox

38、idation氧分子或水分子在高溫下與硅發(fā)生化學(xué)反響，并在硅片外表上生長一 層二氧化硅薄膜的過程。8. 1.20 擴(kuò)散 diffusion雜質(zhì)原子或分子在高溫下由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的移動(dòng)過程。8. 1.21 退火 anneal將晶圓加熱到一定溫度，然后冷卻以到達(dá)特定結(jié)果的過程。8. 1.22 摻雜 doping將所需雜質(zhì)按要求的濃度和分布摻入到半導(dǎo)體材料中，以改變材料的 電學(xué)性質(zhì)的過程。8. 1. 23 化學(xué)氣相沉積 chemical vapor deposition (CVD)一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體以某種方式被激活后，在襯底外表發(fā)生化學(xué)反 應(yīng)并沉積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。8. 1. 24等離

39、子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)通過等離子體的活性促進(jìn)化學(xué)反響，使氣體反響物質(zhì)生成固態(tài)物質(zhì)并 沉積在玻璃基板外表的薄膜沉積工藝技術(shù)。248. 1. 25 電化學(xué)沉積 electrochemical deposition在外電場作用下，電流通過電解質(zhì)溶液中正負(fù)離子的遷移，并在電極 上發(fā)生得失電子的氧化還原反響而形成鍍層的技術(shù)。8. 1. 26 原子層沉積 atomic layer deposition (ALD)可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地沉積在基底外表的方法。8. 1.27 濺射 sputtering高能

40、粒子撞擊高純度的靶材料，被撞擊出的原子穿過真空，最后沉積 到硅片或其他基片上的過程。8. 1.28 鈍化 passivation為防止周圍環(huán)境氣氛和其他外界因素對器件性能產(chǎn)生影響而在器件外表形成保護(hù)膜的過程。8. 1.29 金屬化 metallization應(yīng)用化學(xué)或物理方法在芯片上沉積導(dǎo)電薄膜的過程。8. 1.30 光刻 photolithography將電路或管芯的分次設(shè)計(jì)圖案由光刻掩膜板轉(zhuǎn)移到晶圓片表層的圖 像轉(zhuǎn)移技術(shù)。8. 1.31 刻蝕 etching采用光化學(xué)、化學(xué)或物理學(xué)方法腐蝕或去除特定區(qū)域的介質(zhì)或金屬材 料的加工過程。8. 1. 32 濕法刻蝕 wet etching采用液態(tài)

41、化學(xué)藥品進(jìn)行刻蝕的方法。8. 1. 33 干法刻蝕 dry etching采用氣態(tài)化學(xué)藥品進(jìn)行刻蝕的方法。8. 1. 34 離子注入 ion implant25將待摻雜的物質(zhì)電離，加速成高能量離子束入射到材料中，與材料中 的原子或分子發(fā)生一系列的物理、化學(xué)作用，從而優(yōu)化材料外表性能或獲 得某些新的優(yōu)異性能的過程。8. 1. 35 化學(xué)機(jī)械拋光 chemical-mechanical polish (CMP)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行的拋光技術(shù)。8. 1. 36 化學(xué)機(jī)械平坦化 chemical mechanical planarization用化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨相結(jié)合的方式除去硅片頂部多余的厚

42、度，使硅 片外表平坦化的技術(shù)。8. 1. 37 晶圓測試 wafer test在晶圓全部制作完成后，針對晶圓上的芯片進(jìn)行電性能和功能測試的 過程，又稱中測。8. 1.38 封裝 packaging為使芯片與外界環(huán)境隔絕、不受污染，且便于使用、焊接，將芯片固 定在外殼上并將芯片密封的過程。8. 1. 39 先進(jìn)封裝 advanced packaging把半導(dǎo)體技術(shù)和外表組裝技術(shù)融為一體的封裝技術(shù)。8. 1. 40 晶圓級(jí)封裝 wafer level packaging直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝和測試程序后，再進(jìn)行切割 制成單顆組件的過程。8. 1. 41 板級(jí)封裝 board leve

43、l packaging直接在玻璃基板上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝和測試程序后，再進(jìn)行 切割制成單顆組件的過程。8. 1. 42 反面減薄 back thinning在電路制作完成后，磨去硅片反面非有源區(qū)的局部，減少多余厚度的 過程。8. 1. 43劃片 die sawing26利用切割刀或劃線剝離技術(shù)將晶圓分割成單個(gè)芯片的過程。8. 1. 44 貼片 loading將鏡檢好的單個(gè)芯片取出，通過合金焊料焊接固定在引線框架或其他 封裝基板上的過程，又稱芯片貼裝。8. 1.45 鍵合 bonding將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)連接 的過程。8. 1.46 塑封 moldi

44、ng將熔融的絕緣塑料或陶瓷材料注入不同的塑封模具的模腔內(nèi)，密封芯 片和局部引線框架或其他封裝基板的過程。8. 1. 47 去飛邊毛刺 clean up burr and flashing去除封裝過程中溢出的塑封料樹脂、貼帶毛邊、引線毛刺的過程。8. 1.48 電鍍 plating在半導(dǎo)體封裝引線框架外表鍍上一層薄而均勻、致密的保護(hù)性薄膜（焊錫）的過程。8. 1. 49 打碼 marking在封裝模塊上注明商品名稱、制造商等信息和引腳標(biāo)識(shí)的過程。8. 1. 50 切筋和成型 trimming & forming將塑封后框架狀態(tài)制品分割成獨(dú)立的IC,并把不需要的連接用材料及 多余樹脂去除，將外引腳

45、壓成各種預(yù)設(shè)形狀的過程。8. 1. 51 外觀檢查 exterier inspection快速識(shí)別晶圓或芯片的外觀缺陷的檢測方法。8. 1. 52 終測 final test對已制造完成的半導(dǎo)體器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣性能測試的過程。8. 1. 53 陣列工藝 array process27在玻璃基板上通過成膜、光刻、刻蝕等半導(dǎo)體工藝技術(shù)，制作有規(guī)那么 排列的特定薄膜晶體管（開關(guān)器件）陣列，并形成數(shù)據(jù)線、存儲(chǔ)電容和信 號(hào)線的過程。8. 1.54 清洗 cleaning清除吸附在玻璃基板外表上的各種有害雜質(zhì)或油污的工藝。8. 1. 55 干法清洗 dry cleaning利用紫外線光清除基板外表有機(jī)污

46、染物的清除方法。8. 1. 56 聚酰亞胺取向劑涂覆 polyimide direction coater process在薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾光片玻璃基板上，通 過旋轉(zhuǎn)涂敷和印刷方式形成液晶取向?qū)拥倪^程，又稱PI涂覆。8. 1. 57 磨擦 rubbing process用摩擦輻上的絨毛對涂覆在兩片玻璃基板上的取向劑膜進(jìn)行外表摩 擦，形成具有一定方向溝槽的過程。8. 1. 58 封框膠涂覆 seal material coating process制屏貼合前用絲網(wǎng)印刷技術(shù)或可滴涂方式，在玻璃基板上涂敷封框膠 的工藝過程。8. 1. 59 液晶滴入 one drop fil

47、ling process （ODF）在彩膜基板的封框膠內(nèi)，用多個(gè)針筒定量大密度地滴下液晶，利用液 晶的外表張力流延使顯示區(qū)內(nèi)充滿液晶的過程。8. 1. 60 成盒工藝 cell process將已制備好的薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾光片玻 璃基板組裝到一起，并在兩塊玻璃基板之間充入液晶材料形成液晶盒 （屏），加上電場即可進(jìn)行圖像顯示的過程。8. 1. 61 彩膜工藝 color filter process在透明基板上依規(guī)那么排列紅、綠、藍(lán)三基色圖形的過程。8. 1. 62真空蒸鍍 vacuum evaporation282綜合性術(shù)語2. 0. 1 電子工業(yè)工程 electroni

48、c industrial project電子整機(jī)、電子元器件、電子材料及電子專用設(shè)備工程工程的統(tǒng)稱。2. 0. 2 微電子技術(shù) micro-electronics technology微小型電子元器件的研制、生產(chǎn)以及實(shí)現(xiàn)預(yù)定電子系統(tǒng)功能的技術(shù)。2. 0.3核心生產(chǎn)區(qū) core production area電子工廠的核心工藝生產(chǎn)區(qū)。2. 0. 4 輔助區(qū) auxiliary area主要用于布置與生產(chǎn)相關(guān)的輔助工藝用房的功能區(qū)域。2. 0. 5 支持區(qū) support area為核心生產(chǎn)區(qū)、輔助區(qū)提供動(dòng)力支持和平安保障的功能區(qū)域。2. 0. 6 黃光區(qū) yellow light area采用偏

49、黃色可見光照明的加工區(qū)域。在真空條件下，加熱蒸發(fā)鍍膜材料(或稱膜料)并使之氣化，使粒子 飛至基板外表凝聚成膜的工藝方法，簡稱蒸鍍。8. 1. 63 切割 cutting process將集成在一片玻璃基板上的多個(gè)半成品液晶顯示面板，切割成獨(dú)立的 多個(gè)液晶顯示面板的工藝過程。8. 1. 64 模組工藝 module process (LCM)將金屬外框、面板(屏)、驅(qū)動(dòng)集成電路芯片、印制電路板、背光源 組件等組裝成完整的顯示器件單元的工藝過程。8. 1. 65 貝占片前清洗 panel cleaning process偏光片貼附前，將液晶面板(屏)外表進(jìn)行清洗的過程。8. 1. 66 偏光片貼覆

50、 Polaroid attach在薄膜晶體管液晶顯示屏前后玻璃基板外表分別粘貼偏光片的過程。8. 1. 67 顯示屏上芯片貼裝 chip on glass (COG)將驅(qū)動(dòng)集成電路芯片直接貼裝到顯示屏玻璃邊緣引線上的安裝方法。8. 1. 68 印制電路板上芯片貼裝 chip on board (COB)芯片被綁定在印制電路板上，再與液晶顯示面板外引線連接的安裝方 式。8. 1. 69 老化 aging process在指定的條件下，電子元器件的性能隨時(shí)間變化后到達(dá)基本穩(wěn)定的過 程。8. 1. 70 絲網(wǎng)印制 screen printing利用絲網(wǎng)鏤空版和印料，經(jīng)刮印得到圖形的方法，簡稱絲印法。

51、III電子材料生產(chǎn)工藝半導(dǎo)體材料8. 1. 71 區(qū)熔法 floating zone fusion29通過加熱線圈在生長的晶體與多晶原料之間，不斷地將多晶熔化，并 使熔體按單晶的晶向不斷的冷卻生長，以得到所需晶體的方法。8. 1. 72 直拉法 czochralski crystal growth將籽晶探入熔體中，不斷旋轉(zhuǎn)提拉籽晶，依靠熔區(qū)中的溫度梯度生長 單晶的方法。8. 1. 73 磁控直拉法 magnetic field czochralski method在直拉法生長工藝基礎(chǔ)上，對生期內(nèi)的熔體施加一強(qiáng)磁場，使熔體熱 對流受到抑制，用于生長低氧濃度的直拉硅單晶的方法。8. 1.74 切片

52、 cutting通過鑲鑄金剛砂磨料的刀片或鋼絲的高速旋轉(zhuǎn)、接觸、磨削作用，將 硅錠定向切割成為符合規(guī)格要求的硅片的過程。8. 1. 75 倒角 grinding對硅片邊緣進(jìn)行磨削的加工過程。8. 1. 76 磨片 grinding用磨片設(shè)備對基片兩面進(jìn)行機(jī)械研磨，去除切片損傷層。8. 1. 78 拋光 polishing利用拋光設(shè)備和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對基片材料外表進(jìn)行的修飾處理，獲得光亮似鏡的外表的加工過程。8. 1. 79 平整度 roughness基片材料外表上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。8. 1. 80 翹曲度 warpage or warp基片材料中位面與中位面基準(zhǔn)

53、平面之間的最大和最小距離的差值，用 于表述平面在空間中的彎曲程度。玻璃基板8. 1. 81 熔融溢流法 fusion overflow process30在熔窯末端設(shè)有特制供料道，使熔融玻璃液從供料道進(jìn)入U(xiǎn)形溢流槽, 當(dāng)溢流槽充滿時(shí)玻璃液便從溢流槽兩側(cè)自然外溢下流，在u形溢流槽的底 部匯合成一體形成玻璃帶，在重力作用下繼續(xù)下落，再經(jīng)機(jī)械下拉輻拉引 成超薄玻璃的方法。8. 1.82 浮法 floats Process熔融的玻璃液從熔窯內(nèi)連續(xù)流出后，漂浮在充有保護(hù)氣體的金屬錫液 面上，形成厚度均勻、兩外表平行、平整的玻璃帶的玻璃成型方法。8. 1.83 配料 batching將兩種及以上的不同成分

54、的原料按照一定的成分配比混合均勻的過 程。8. 1.84 熔化 melting通過燃料燃燒對配合料加熱使其熔融成玻璃液的過程。8. 1. 85 全氧燃燒 full oxygen combustion理論上采用純氧氣助燃的燃燒方式。8. 1. 86 富氧燃燒 oxygen-enriched combustion采用含氧量大于20.93%的富氧空氣助燃的燃燒方式。8. 1. 87 電助熔 electric boosting在火焰窯的熔化池底或側(cè)部插入假設(shè)干電極并向電極供電，交流電通過 電極在熔融玻璃液內(nèi)產(chǎn)生焦耳熱，以改善玻璃的熔制、澄清與對流的電輔 助加熱方法。8. 1.88 成型 forming

55、通過成型設(shè)備將玻璃由玻璃態(tài)物質(zhì)制成具有一定形狀、體積坯件的過 程。8. 1. 89 冷加工 cold working玻璃成型后期的研磨、拋光等機(jī)械加工過程。8. 1.90 研磨 grinding31用研磨工具和研磨劑，從工件上研去一層極薄外表層的精加工方法。陶瓷和磁性材料8. 1. 91 成型 forming陶瓷生產(chǎn)過程的一個(gè)重要步驟，將分散體系（粉料、塑性物料、漿料） 轉(zhuǎn)變成為具有一定幾何形狀和強(qiáng)度的塊體，也稱素坯?？煞譃楦煞ǔ尚秃?濕法成型兩種。8. 1. 92 燒結(jié) sintering通過高溫處理，使胚體發(fā)生一系列物理化學(xué)變化，形成預(yù)期的礦物組 成和顯微結(jié)構(gòu)，從而到達(dá)固定外形并獲得所要求

56、性能的工序。8. 1. 93 檢測 testing對陶瓷材料進(jìn)行的性能檢測，包括目測、樣品的密度、相對致密性、 外表氣孔率、燒結(jié)尺寸變化等。8. 1. 94 熔化 fusion在密閉、真空、充氮的條件下，通過高頻振蕩感應(yīng)加熱使?fàn)t料熔化形 成合金的過程。8. 1. 95 合金錠澆鑄 cast alloy ingot將熔化產(chǎn)生的合金熔液倒入水冷模中澆鑄，使合金液迅速凝固形成合 金錠的過程。8. 1. 96真空速凝 vacuum setting在密閉、真空、充氨的條件下，通過高頻振蕩感應(yīng)加熱使母合金錠進(jìn) 行二次高溫熔化成液體，將熔體噴射到高速轉(zhuǎn)動(dòng)的軋輻的外表，經(jīng)過極速 冷卻（真空速凝）形成非晶或微晶

57、的合金晶片的過程。8. 1.97 整形 shaping將真空速凝產(chǎn)生的合金晶片在充氤氣保護(hù)狀態(tài)下，通過機(jī)械振動(dòng)進(jìn)行 機(jī)械破碎，整形形成大小較均勻的合金晶片的過程。8. 1. 98 晶化 crystallization32在充氤氣保護(hù)狀態(tài)下，將合金晶片在真空晶化爐中升溫進(jìn)行晶化處理 后，得到磁性材料產(chǎn)品的過程。光纖8. 1. 99 套管法 rod in tube (RID)將氣相沉積工藝制成的芯棒置入一根做光纖外包層的高純石英玻璃 管內(nèi)制造大預(yù)制棒的技術(shù)。8. 1. 100 等離子噴涂法 plasma spray用高頻等離子焰，將石英粉末熔制于氣相沉積工藝得到的芯棒上制成 大預(yù)制棒的技術(shù)。8.

58、1. 101溶膠-凝膠法sol-gel采用溶膠-凝膠工藝制成合成石英管作為套管，再用套管法制成大預(yù) 制棒的方法；或采用溶膠一凝膠工藝制成合成石英粉末，再用高頻等離子 焰將合成石英粉末熔制于芯棒上制成大預(yù)制棒的方法。8. 1. 102 火焰水解法 flame hydrolyzing process將管外氣相沉積、軸向氣相沉積等火焰水解外沉積工藝在芯棒上進(jìn)行 應(yīng)用的方法。8. 1. 103 管外氣相沉積 outside vapour deposition (OVD)通過氫氧焰或甲烷焰中攜帶的四氯化硅等氣態(tài)鹵化物產(chǎn)生“粉末”， 一層一層沉積獲得芯玻璃的工藝。8. 1. 104 軸向氣相沉積 vapo

59、ur axial deposition (VAD)化學(xué)反響機(jī)理與管外氣相沉積工藝相同，但由下向上垂直軸向生長預(yù) 制棒的沉積工藝。8. 1. 105 改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積 modified chemical vapour deposition (MCVD)以氫氧焰熱源發(fā)生在高純度石英玻璃管內(nèi)進(jìn)行的氣相沉積工藝。338. 1. 106 微波等離子化學(xué)氣相沉積 microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD)微波激活使反響氣體電離，帶電離子重新結(jié)合時(shí)釋放出的熱能熔化氣 態(tài)反響物形成透明的石英玻璃沉積薄層的工藝。8. 1. 107 熔縮 collaps

60、ing沿管子方向往返移動(dòng)的石墨電阻爐將不斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到一定溫 度，在外表張力的作用下，分段將沉積好的石英管熔縮成預(yù)制棒的過程。8. 1. 108 拉絲 drawing將采用氣相沉積法和外包層技術(shù)結(jié)合制成的大光纖預(yù)制棒直徑縮小， 且保持芯包比和折射率分布恒定的操作過程。8. 1. 109 光纖著色 coloring optical fiber為在光纖接續(xù)、成端、使用時(shí)能識(shí)別其纖序，光纖成纜前在一次涂覆 光纖上著色的過程。8. 1. 110 光纖并帶 fiber ribbon光纖以全色譜或領(lǐng)示色譜排列，用丙烯酸樹脂固化集封成薄帶的工 藝。8. 1. 111 光纖二次被覆 secondary c